JPS6258648A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6258648A JPS6258648A JP19911985A JP19911985A JPS6258648A JP S6258648 A JPS6258648 A JP S6258648A JP 19911985 A JP19911985 A JP 19911985A JP 19911985 A JP19911985 A JP 19911985A JP S6258648 A JPS6258648 A JP S6258648A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plate
- electrode plate
- thermal expansion
- supporting electrode
- stress
- Prior art date
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- Pending
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- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、半導体基板が支持電極板上に固着され、その
電極板の下面および半導体基板の上面電極がそれぞれ端
子電極体に加圧接触する平形半導体装置に関する。
電極板の下面および半導体基板の上面電極がそれぞれ端
子電極体に加圧接触する平形半導体装置に関する。
第２図は平形ダイオードあるいはサイリスタの構造を概
念的に示したもので、シリコン板１はアルミニウム等の
合金化材料を用いて支持電極板２に固着されている。シ
リコン板１の他面には蒸着等の方法でアルミニウム電ｆ
ｉ３が形成される。この素体をそれぞれ銅からなる下部
端子電極体４゜下部端子電極体５の間に挟んで加圧接触
させる。 両端子電極体４，５は図示しないセラミック絶縁環で連
結され、容器を構成する。支持電極板２の材料には従来
タングステンやモリブデンが用いられる。これはそれら
の金属の熱膨張係数がシリコンに近いからであるが、そ
れでもなお熱膨張係数に差があるために、アルミニウム
による固着後シリコンに応力が加わり、半導体素体が図
示のように湾曲する。この湾曲はシリコン板ｌの直径が
大きくなるほど大きい０例えば直径９０鴎、厚さ１ｍ墓
のシリコン仮に厚さ３ｆｉのモリブデン板を固着した場
合、素体周辺部と中央部の高さの差は０．０３ｍにも及
ぶ、そのために、上部および下部の端子電極体４．５の
加圧力を上げても素体の支持電極板２、上部電極３の面
が端子電極体面と完全に接触せず、その結果オン電圧、
熱抵抗等の特性に悪影響をおよぼすという欠点があった
。
念的に示したもので、シリコン板１はアルミニウム等の
合金化材料を用いて支持電極板２に固着されている。シ
リコン板１の他面には蒸着等の方法でアルミニウム電ｆ
ｉ３が形成される。この素体をそれぞれ銅からなる下部
端子電極体４゜下部端子電極体５の間に挟んで加圧接触
させる。 両端子電極体４，５は図示しないセラミック絶縁環で連
結され、容器を構成する。支持電極板２の材料には従来
タングステンやモリブデンが用いられる。これはそれら
の金属の熱膨張係数がシリコンに近いからであるが、そ
れでもなお熱膨張係数に差があるために、アルミニウム
による固着後シリコンに応力が加わり、半導体素体が図
示のように湾曲する。この湾曲はシリコン板ｌの直径が
大きくなるほど大きい０例えば直径９０鴎、厚さ１ｍ墓
のシリコン仮に厚さ３ｆｉのモリブデン板を固着した場
合、素体周辺部と中央部の高さの差は０．０３ｍにも及
ぶ、そのために、上部および下部の端子電極体４．５の
加圧力を上げても素体の支持電極板２、上部電極３の面
が端子電極体面と完全に接触せず、その結果オン電圧、
熱抵抗等の特性に悪影響をおよぼすという欠点があった
。
本発明は、支持電極板の材料と半導体材料との熱膨張係
数の差に起因する半導体素体の湾曲の無い平形半導体装
置を提供することを目的とする。
数の差に起因する半導体素体の湾曲の無い平形半導体装
置を提供することを目的とする。
本発明によれば、支持電極板の半導体基板より遠い側に
支持電極板の材料に比して熱膨張係数が半導体材料によ
り近い金属層を被着してなることにより、半導体素体を
湾曲させる応力を相殺させて上記の目的が達成される。
支持電極板の材料に比して熱膨張係数が半導体材料によ
り近い金属層を被着してなることにより、半導体素体を
湾曲させる応力を相殺させて上記の目的が達成される。
第１図は本発明の一実施例の平形ダイオードあるいはサ
イリスクの半導体素体を概念的に示したもので、第２図
と共通の部分には同一の符号が付されている。シリコン
板ｌと支持電極板２とは従来どうりアルミニウムの合金
化により接着されている。この合金化の際、支持電極板
２を応力補償板６とアルミニウムをろう材として接着す
る。ここで重要な点は、シリコンと支持電極板２．応力
補償板６の材料それぞれの熱膨張係数および板厚の関係
である０例えば支持電極板２の材料とじて５、３ Ｘ
１０−”／にの熱膨張係数のモリブデンを用いる場合、
応力ｌ１ｌｌ Ｉ 仮６の材料としてモリブデンよりシ
リコンの熱膨張係数２．４ Ｘ １０−’／ｋに近い４
．５×１０−’／にの熱膨張係数をもつタングステンを
用い、それぞれの厚さに適応した差を設けることにより
、曲がりの応力が素体の表裏で相殺され、湾曲は皆無と
なる。すなわち、直径９０ｍ、Ｊ￥さ１ｍのシリコン板
の場合に、モリブデン支持電極板の厚さを３ｍｍ、 タ
ングステン応力補償板の厚さを５００−とじ、アルミニ
ウムを用いて相互に固着した素体には湾曲は全く見られ
なかった。アルミニウムは箔を用い、シリコン板１と支
持電ト】板２．支持電極板と応力補償板６の間に挿入し
、７３０℃において３時間加熱することにより合金化あ
るいはろう付けを行う。
イリスクの半導体素体を概念的に示したもので、第２図
と共通の部分には同一の符号が付されている。シリコン
板ｌと支持電極板２とは従来どうりアルミニウムの合金
化により接着されている。この合金化の際、支持電極板
２を応力補償板６とアルミニウムをろう材として接着す
る。ここで重要な点は、シリコンと支持電極板２．応力
補償板６の材料それぞれの熱膨張係数および板厚の関係
である０例えば支持電極板２の材料とじて５、３ Ｘ
１０−”／にの熱膨張係数のモリブデンを用いる場合、
応力ｌ１ｌｌ Ｉ 仮６の材料としてモリブデンよりシ
リコンの熱膨張係数２．４ Ｘ １０−’／ｋに近い４
．５×１０−’／にの熱膨張係数をもつタングステンを
用い、それぞれの厚さに適応した差を設けることにより
、曲がりの応力が素体の表裏で相殺され、湾曲は皆無と
なる。すなわち、直径９０ｍ、Ｊ￥さ１ｍのシリコン板
の場合に、モリブデン支持電極板の厚さを３ｍｍ、 タ
ングステン応力補償板の厚さを５００−とじ、アルミニ
ウムを用いて相互に固着した素体には湾曲は全く見られ
なかった。アルミニウムは箔を用い、シリコン板１と支
持電ト】板２．支持電極板と応力補償板６の間に挿入し
、７３０℃において３時間加熱することにより合金化あ
るいはろう付けを行う。
本発明は、平形加圧接触構造の半導体装置において支持
電極板の裏面に半導体により熱膨張係数の近い材料の１
を設けることにより固￥ｆ後の熱膨張係数の差に基づく
応力を補償して、半導体素体の湾曲を少なくし、両面が
小さい加圧で端子電極体と全面で完全に接触できるよう
にしたもので、工程数１材料費の大幅な増大なしに半導
体装置の特性の向上、安定化に対してすこぶる大きい効
果をもたらすことができる。。
電極板の裏面に半導体により熱膨張係数の近い材料の１
を設けることにより固￥ｆ後の熱膨張係数の差に基づく
応力を補償して、半導体素体の湾曲を少なくし、両面が
小さい加圧で端子電極体と全面で完全に接触できるよう
にしたもので、工程数１材料費の大幅な増大なしに半導
体装置の特性の向上、安定化に対してすこぶる大きい効
果をもたらすことができる。。
第１図は本発明の一実施例の半導体基体の断面図、第２
図は従来の平形半導体装１の要部断面図である。 １：シリコン板、２：支持電極板、３ニアルミニウム電
極、６：応力補償板。 第１図 第２図
図は従来の平形半導体装１の要部断面図である。 １：シリコン板、２：支持電極板、３ニアルミニウム電
極、６：応力補償板。 第１図 第２図
Claims (1)
- １）半導体基板が支持電極板上に固着され、該電極板の
下面および半導体基板の上面電極がそれぞれ端子電極体
に加圧接触するものにおいて、支持電極板の半導体基板
より遠い側に支持電極板の材料に比して熱膨張係数が半
導体材料により近い金属層が被着されたことを特徴とす
る半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19911985A JPS6258648A (ja) | 1985-09-09 | 1985-09-09 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19911985A JPS6258648A (ja) | 1985-09-09 | 1985-09-09 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6258648A true JPS6258648A (ja) | 1987-03-14 |
Family
ID=16402452
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19911985A Pending JPS6258648A (ja) | 1985-09-09 | 1985-09-09 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6258648A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01145530A (ja) * | 1987-12-02 | 1989-06-07 | Hitachi Medical Corp | 放射線検出素子 |
-
1985
- 1985-09-09 JP JP19911985A patent/JPS6258648A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01145530A (ja) * | 1987-12-02 | 1989-06-07 | Hitachi Medical Corp | 放射線検出素子 |
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