JPS6258677B2 - - Google Patents
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- JPS6258677B2 JPS6258677B2 JP57041293A JP4129382A JPS6258677B2 JP S6258677 B2 JPS6258677 B2 JP S6258677B2 JP 57041293 A JP57041293 A JP 57041293A JP 4129382 A JP4129382 A JP 4129382A JP S6258677 B2 JPS6258677 B2 JP S6258677B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- barrier layer
- tunnel
- sputtering
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0912—Manufacture or treatment of Josephson-effect devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Description
〔発明の技術分野〕
本発明はトンネル形ジヨセフソン接合素子の作
製方法、特に安定したトンネルバリヤ層を形成す
る方法に関するものである。 〔発明の技術的背景とその問題点〕 トンネル形ジヨセフソン接合素子は基本的に基
板（Siやサフアイア等）上に下地電極（超伝導
体）がありその上に電気的に絶縁性のトンネルバ
リヤ層があり更にその上に上部電極（超伝導体）
のある構造をしている。このトンネルバリヤ層は
20〜50Åと非常に薄い絶縁膜であり素子特性を大
きく左右する。例えばトンネルバリヤ層の膜厚が
１割変動するとトンネルバリヤ層を流れるジヨセ
フソン電流は１桁変動する。またトンネルバリヤ
の物質や品質が素子特性に大きな影響を及ぼす。
このため良質のバリヤ層を制御性よく形成する方
法を開発することは素子の信頼性、歩留りの向上
の点からも重要であり、トンネルバリヤ層の形成
は素子作製工程の中で最も重要な製造工程とな
る。一般にトンネル形ジヨセフソン素子は下地
電極超伝導薄膜形成この薄膜のパターン形成
トンネルバリヤ層形成対向電極形成に大別でき
る。のトンネルバリヤ層の形成には２通りの方
法がある。一つはパターン形成後の下地電極を直
接酸化（自然酸化、又はプラズマ酸化）して所定
のバリヤ層を形成する方法であり、他は下地電極
上に異種物質（Al、Si、Bi、Te等）を蒸着ある
いはCVD等により極薄膜に形成し（数10Åの厚
さ）バリヤとするかあるいはそれを酸化してトン
ネルバリヤ層とする方法である。前者はトンネル
バリヤ層の厚さを制御し易いが下地電極の種類に
よつて定まつたバリヤ物質しか得られないことに
なる。一方後者は下地電極とは異種のAl2O3、
SiO2、Bi、Te等の誘電率の小さなバリヤを形成
する方法であるが極薄膜の膜厚制御が容易でな
い。このようにバリヤ層の形成法の双方に一長一
短がある。バリヤ層の制御性に重点を置いた場合
下地電極を直接酸化してバリヤ層を形成するが
Nbにこの方法を適用した場合の問題点に次のよ
うなものが存在する。１番目の問題点はトンネル
バリヤ層形成前のスパツタクリーニングをArガ
スにより行うとスパツタ収量が小さいため放電電
圧を高くする必要があるが、エネルギーの高い
Arイオンの衝突により下地電極表面がダメージ
を受けその後の酸化においてNb2O5以外の金属性
のNb―Ｏ化合物が形成され易いことである。２
番目の問題点はNbが非常に酸化され易くプラズ
マ酸化のためAr―O2混合ガスを0.01Torr程度導
入しただけでも放電前に数Åの酸化膜が成長する
ため放電時間のみによるトンネルバリヤ層の膜厚
制御は制御性に欠けることである。以上のように
Arでのスパツタクリーニングを行つた場合表面
はクリーニングされるもののNb表面には欠陥が
導入されその後直接酸化を行つた場合酸化膜の制
御性が悪いという欠点を有していた。 〔発明の目的および概要〕 本発明の目的は高品質のトンネルバリヤ層を再
現性よく形成することのできるトンネル形ジヨセ
フソン素子の作製方法を提供することである。 本発明の一つの態様によればNb超伝導薄膜か
ら成る下地電極の表面をAr―CF4ガス又はAr―
CF4―O2ガス中でRFスパツタした後、酸化して
トンネルバリヤ層を形成することを特徴とするト
ンネル形ジヨセフソン接合素子の作製方法が提供
される。 本発明の他の態様によればNb超伝導薄膜から
成る下地電極の表面をAr―CF4ガス又はAr―
CF4―O2ガス中でRFスパツタした後、異種物質
を堆積しついでこの異種物質を酸化してトンネル
バリヤ層を形成することを特徴とするトンネル形
ジヨセフソン接合素子の作製方法が提供される。 上記本発明の方法において、好ましくはAr―
CF4―O2ガスのCF4濃度は0.5％〜20％であり、
O2濃度は20％以下であり、そして、RFスパツタ
は0.003〜0.1Torrのガス圧で実施される。 フオト工程を用いてトンネル形ジヨセフソン素
子を作製する場合下地電極のパターニング時には
Nb表面がレジスト、酸、アルカリにより汚染さ
れあるいは大気中の酸素を吸着することによつて
下地電極表面は酸化皮膜で被れている。このため
トンネルバリヤ層を形成する前にArガス中でス
パツタエツチング処理を行いその後Ar―O2混合
ガス中でのRFプラズマ酸化により酸化物バリヤ
を形成する。この方法はPb、Nb素子において従
来より行われているがNb素子では必ずしも優れ
たバリヤを形成できない。Arガスによるスパツ
タエツチングはArイオンが衝突することによつ
て表面から粒子を叩き出す物理的作用を利用して
いるがNbに対してはスパツタ収量が小さいため
下地電極表面付近の100Å程度の汚染層を比較的
短時間（〓60分）で除去するには自己バイアスを
400V程度に上げる必要があり表面のダメージの
ためその後の酸化においてNb2O5以外の金属的な
Nb―Ｏ化合物も形成されバリヤ品質が低下す
る。また自己バイアスを200V程度に下げてスパ
ツタエツチングを行うと表面のダメージは避けら
れるが汚染層の除去に長時間（８時間以上）を要
し素子化プロセスの迅速さを欠くことになる。ま
たNbの清浄表面は非常に酸化され易くスパツタ
エツチング後、Ar―O2混合ガスを導入した際、
RF放電を開始する前に数Åの酸化層が成長しこ
れが酸化膜厚の初期値となるため放電時間のみに
よる制御では所定の酸化膜厚を得ることはできな
い。以上Arガスによるスパツタエツチング処理
はRFプラズマ酸化の前処理としてはNb素子に関
する限り制御性を損うという欠点を有していた。
そこでNb薄膜において高品質なNb2O5バリヤを
再現性よく形成し、しかもプロセスの能率化を図
るためにはエツチングの迅速さを保ちつつスパツ
タ時の電圧を下げて表面のダメージを避け、エツ
チング終了後は直ちにNbの清浄表面を昇華性の
保護膜で被つてガス交換時の劣化を防止すること
が必要である。これらの条件を満足するのにCF4
ガスの化学的作用を利用すればよい。CF4ガスプ
ラズマはNbをフツ化して取り去るのみでなく表
面の酸化物中の酸素をCO2ガスとして取り去る。
さらに酸素の不足状態では昇華性のカーボンを表
面に堆積させる。放電安定化のためArを用い所
定のCF4ガスにエツチレートの向上とカーボンの
堆積量を制御するため所定のO2を混合させたガ
ス中でのRFスパツタを行えば低電圧でNb表面に
ダメージを与えることなく迅速に汚染皮膜の除去
ができるのみでなくNbの清浄表面を10数Åの昇
華性のアモルフアス状のカーボンが保護すること
になり、カーボン膜厚が制御できるのでその後の
Ar＋O2中でのプラズマ酸化においてまずカーボ
ンをCO2として取り去つた後、Nb2O5のみのバリ
ヤを放電時間によつて膜厚制御することができ
る。表１はArとCF4によるNbのエツチレートで
ある。この表から明らかなようにArはCF4より
エツチング速度が著しく小さくArガス圧を上げ
て放電を
製方法、特に安定したトンネルバリヤ層を形成す
る方法に関するものである。 〔発明の技術的背景とその問題点〕 トンネル形ジヨセフソン接合素子は基本的に基
板（Siやサフアイア等）上に下地電極（超伝導
体）がありその上に電気的に絶縁性のトンネルバ
リヤ層があり更にその上に上部電極（超伝導体）
のある構造をしている。このトンネルバリヤ層は
20〜50Åと非常に薄い絶縁膜であり素子特性を大
きく左右する。例えばトンネルバリヤ層の膜厚が
１割変動するとトンネルバリヤ層を流れるジヨセ
フソン電流は１桁変動する。またトンネルバリヤ
の物質や品質が素子特性に大きな影響を及ぼす。
このため良質のバリヤ層を制御性よく形成する方
法を開発することは素子の信頼性、歩留りの向上
の点からも重要であり、トンネルバリヤ層の形成
は素子作製工程の中で最も重要な製造工程とな
る。一般にトンネル形ジヨセフソン素子は下地
電極超伝導薄膜形成この薄膜のパターン形成
トンネルバリヤ層形成対向電極形成に大別でき
る。のトンネルバリヤ層の形成には２通りの方
法がある。一つはパターン形成後の下地電極を直
接酸化（自然酸化、又はプラズマ酸化）して所定
のバリヤ層を形成する方法であり、他は下地電極
上に異種物質（Al、Si、Bi、Te等）を蒸着ある
いはCVD等により極薄膜に形成し（数10Åの厚
さ）バリヤとするかあるいはそれを酸化してトン
ネルバリヤ層とする方法である。前者はトンネル
バリヤ層の厚さを制御し易いが下地電極の種類に
よつて定まつたバリヤ物質しか得られないことに
なる。一方後者は下地電極とは異種のAl2O3、
SiO2、Bi、Te等の誘電率の小さなバリヤを形成
する方法であるが極薄膜の膜厚制御が容易でな
い。このようにバリヤ層の形成法の双方に一長一
短がある。バリヤ層の制御性に重点を置いた場合
下地電極を直接酸化してバリヤ層を形成するが
Nbにこの方法を適用した場合の問題点に次のよ
うなものが存在する。１番目の問題点はトンネル
バリヤ層形成前のスパツタクリーニングをArガ
スにより行うとスパツタ収量が小さいため放電電
圧を高くする必要があるが、エネルギーの高い
Arイオンの衝突により下地電極表面がダメージ
を受けその後の酸化においてNb2O5以外の金属性
のNb―Ｏ化合物が形成され易いことである。２
番目の問題点はNbが非常に酸化され易くプラズ
マ酸化のためAr―O2混合ガスを0.01Torr程度導
入しただけでも放電前に数Åの酸化膜が成長する
ため放電時間のみによるトンネルバリヤ層の膜厚
制御は制御性に欠けることである。以上のように
Arでのスパツタクリーニングを行つた場合表面
はクリーニングされるもののNb表面には欠陥が
導入されその後直接酸化を行つた場合酸化膜の制
御性が悪いという欠点を有していた。 〔発明の目的および概要〕 本発明の目的は高品質のトンネルバリヤ層を再
現性よく形成することのできるトンネル形ジヨセ
フソン素子の作製方法を提供することである。 本発明の一つの態様によればNb超伝導薄膜か
ら成る下地電極の表面をAr―CF4ガス又はAr―
CF4―O2ガス中でRFスパツタした後、酸化して
トンネルバリヤ層を形成することを特徴とするト
ンネル形ジヨセフソン接合素子の作製方法が提供
される。 本発明の他の態様によればNb超伝導薄膜から
成る下地電極の表面をAr―CF4ガス又はAr―
CF4―O2ガス中でRFスパツタした後、異種物質
を堆積しついでこの異種物質を酸化してトンネル
バリヤ層を形成することを特徴とするトンネル形
ジヨセフソン接合素子の作製方法が提供される。 上記本発明の方法において、好ましくはAr―
CF4―O2ガスのCF4濃度は0.5％〜20％であり、
O2濃度は20％以下であり、そして、RFスパツタ
は0.003〜0.1Torrのガス圧で実施される。 フオト工程を用いてトンネル形ジヨセフソン素
子を作製する場合下地電極のパターニング時には
Nb表面がレジスト、酸、アルカリにより汚染さ
れあるいは大気中の酸素を吸着することによつて
下地電極表面は酸化皮膜で被れている。このため
トンネルバリヤ層を形成する前にArガス中でス
パツタエツチング処理を行いその後Ar―O2混合
ガス中でのRFプラズマ酸化により酸化物バリヤ
を形成する。この方法はPb、Nb素子において従
来より行われているがNb素子では必ずしも優れ
たバリヤを形成できない。Arガスによるスパツ
タエツチングはArイオンが衝突することによつ
て表面から粒子を叩き出す物理的作用を利用して
いるがNbに対してはスパツタ収量が小さいため
下地電極表面付近の100Å程度の汚染層を比較的
短時間（〓60分）で除去するには自己バイアスを
400V程度に上げる必要があり表面のダメージの
ためその後の酸化においてNb2O5以外の金属的な
Nb―Ｏ化合物も形成されバリヤ品質が低下す
る。また自己バイアスを200V程度に下げてスパ
ツタエツチングを行うと表面のダメージは避けら
れるが汚染層の除去に長時間（８時間以上）を要
し素子化プロセスの迅速さを欠くことになる。ま
たNbの清浄表面は非常に酸化され易くスパツタ
エツチング後、Ar―O2混合ガスを導入した際、
RF放電を開始する前に数Åの酸化層が成長しこ
れが酸化膜厚の初期値となるため放電時間のみに
よる制御では所定の酸化膜厚を得ることはできな
い。以上Arガスによるスパツタエツチング処理
はRFプラズマ酸化の前処理としてはNb素子に関
する限り制御性を損うという欠点を有していた。
そこでNb薄膜において高品質なNb2O5バリヤを
再現性よく形成し、しかもプロセスの能率化を図
るためにはエツチングの迅速さを保ちつつスパツ
タ時の電圧を下げて表面のダメージを避け、エツ
チング終了後は直ちにNbの清浄表面を昇華性の
保護膜で被つてガス交換時の劣化を防止すること
が必要である。これらの条件を満足するのにCF4
ガスの化学的作用を利用すればよい。CF4ガスプ
ラズマはNbをフツ化して取り去るのみでなく表
面の酸化物中の酸素をCO2ガスとして取り去る。
さらに酸素の不足状態では昇華性のカーボンを表
面に堆積させる。放電安定化のためArを用い所
定のCF4ガスにエツチレートの向上とカーボンの
堆積量を制御するため所定のO2を混合させたガ
ス中でのRFスパツタを行えば低電圧でNb表面に
ダメージを与えることなく迅速に汚染皮膜の除去
ができるのみでなくNbの清浄表面を10数Åの昇
華性のアモルフアス状のカーボンが保護すること
になり、カーボン膜厚が制御できるのでその後の
Ar＋O2中でのプラズマ酸化においてまずカーボ
ンをCO2として取り去つた後、Nb2O5のみのバリ
ヤを放電時間によつて膜厚制御することができ
る。表１はArとCF4によるNbのエツチレートで
ある。この表から明らかなようにArはCF4より
エツチング速度が著しく小さくArガス圧を上げ
て放電を
実施例 １
99.99％のNbタブレツトを用いて電子ビーム蒸
着法により熱酸化膜のあるSi基板（SiO2膜厚1000
Å）上に400℃の基板温度で２×10-8Torrの真空
中で2000Åの下地電極用Nb薄膜を形成した。こ
の薄膜の超伝導臨界温度は9.2Kを示した。この
薄膜基板をレジストコート、露光、現像、エツチ
ングしパターン幅20μｍの下地電極を形成した。
次にこれらの薄膜基板を用いてトンネル形の素子
を作製した。すなわちパターニングした２枚の下
地基板上に膜厚2500ÅのSiOステンシルをリフト
オフ法により形成し１枚は下地電極表面をArガ
ス中でスパツタ（20mTorr、ＶCSB＝300V、20
分）し、他の１枚はAr―10％CF4ガス中でスパ
ツタ（20mTorr、ＶCSB＝200V、20分）した。ス
パツタ後Ar―10％O2ガスに交換してプラズマ酸
化（30mTorr、ＶCSB＝100V、５分）し水冷基板
で上部電極用Nbを電子ビーム蒸着法により形成
（4000Å）し露光・現像・エツチングによりパタ
ーニングした。得られた素子の特性はArでスパ
ツタした１枚はブリツジ形の特性であつたがAr
―10％CF4でスパツタしたものは第３図に示すよ
うにリークの少ない準粒子トンネリングの特性で
あつた。この時のギヤツプ電圧は4.2Kにおいて
3.0mVであつた。 実施例 ２ 実施例１で下地電極、SiOのステンシルを形成
した４枚の基板をAr―CF4―O2混合ガス
（10mTorr）のCF4濃度を変化させてRFスパツタ
（ＶCSB＝200V、20分）した後、Ar―５％O2ガス
中（30mTorr）でプラズマ酸化（ＶCSB＝100V、
２分）しその後Nbの上部電極を形成して素子を
作製した。これら４種類の素子の特性を表２に示
す。CF4濃度が高いとカーボンの堆積量が増大し
その後の酸化でもカーボンが除去できなかつたも
のと考えられる。
着法により熱酸化膜のあるSi基板（SiO2膜厚1000
Å）上に400℃の基板温度で２×10-8Torrの真空
中で2000Åの下地電極用Nb薄膜を形成した。こ
の薄膜の超伝導臨界温度は9.2Kを示した。この
薄膜基板をレジストコート、露光、現像、エツチ
ングしパターン幅20μｍの下地電極を形成した。
次にこれらの薄膜基板を用いてトンネル形の素子
を作製した。すなわちパターニングした２枚の下
地基板上に膜厚2500ÅのSiOステンシルをリフト
オフ法により形成し１枚は下地電極表面をArガ
ス中でスパツタ（20mTorr、ＶCSB＝300V、20
分）し、他の１枚はAr―10％CF4ガス中でスパ
ツタ（20mTorr、ＶCSB＝200V、20分）した。ス
パツタ後Ar―10％O2ガスに交換してプラズマ酸
化（30mTorr、ＶCSB＝100V、５分）し水冷基板
で上部電極用Nbを電子ビーム蒸着法により形成
（4000Å）し露光・現像・エツチングによりパタ
ーニングした。得られた素子の特性はArでスパ
ツタした１枚はブリツジ形の特性であつたがAr
―10％CF4でスパツタしたものは第３図に示すよ
うにリークの少ない準粒子トンネリングの特性で
あつた。この時のギヤツプ電圧は4.2Kにおいて
3.0mVであつた。 実施例 ２ 実施例１で下地電極、SiOのステンシルを形成
した４枚の基板をAr―CF4―O2混合ガス
（10mTorr）のCF4濃度を変化させてRFスパツタ
（ＶCSB＝200V、20分）した後、Ar―５％O2ガス
中（30mTorr）でプラズマ酸化（ＶCSB＝100V、
２分）しその後Nbの上部電極を形成して素子を
作製した。これら４種類の素子の特性を表２に示
す。CF4濃度が高いとカーボンの堆積量が増大し
その後の酸化でもカーボンが除去できなかつたも
のと考えられる。
【表】
【表】
実施例 ３
実施例１で下地電極、SiOのステンシルを形成
した４枚の基板をAr―CF4―O2混合ガス
（30mTorr）のO2濃度を変化させてRFスパツタ
（ＶCSB＝250V、20分）した後Ar―３％O2ガス中
（40mTorr）でプラズマ酸化（ＶCSB＝80V、４
分）しその後基板を水冷しながら上部電極用Nb
を蒸着、パターニングして素子を作製した。各条
件で得られた素子の特性を表３に示す。
した４枚の基板をAr―CF4―O2混合ガス
（30mTorr）のO2濃度を変化させてRFスパツタ
（ＶCSB＝250V、20分）した後Ar―３％O2ガス中
（40mTorr）でプラズマ酸化（ＶCSB＝80V、４
分）しその後基板を水冷しながら上部電極用Nb
を蒸着、パターニングして素子を作製した。各条
件で得られた素子の特性を表３に示す。
【表】
このように酸素濃度が高いとAr―CF4―O2ガ
ス中でのスパツタ時にエツチングと同時に酸化も
進行するためその後の酸化により酸化膜厚が厚く
なつている。 実施例 ４ 実施例１で下地電極、SiOのステンシルを形成
した４枚の基板をAr―５％CF4―２％O2混合ガ
スのガス圧を変化させてRFスパツタ（ＶCSB＝
200V、20分）した後Ar―４％O2ガス中
（30mTorr）でプラズマ酸化（ＶCSB＝70V、３
分）し、その後Nbの上部電極を変形して素子を
作製した。表４に各素子の特性を示す。
ス中でのスパツタ時にエツチングと同時に酸化も
進行するためその後の酸化により酸化膜厚が厚く
なつている。 実施例 ４ 実施例１で下地電極、SiOのステンシルを形成
した４枚の基板をAr―５％CF4―２％O2混合ガ
スのガス圧を変化させてRFスパツタ（ＶCSB＝
200V、20分）した後Ar―４％O2ガス中
（30mTorr）でプラズマ酸化（ＶCSB＝70V、３
分）し、その後Nbの上部電極を変形して素子を
作製した。表４に各素子の特性を示す。
以上説明したようにNb膜表面をAr―CF4―O2
混合ガスの混合比を選んでRFスパツタすれば低
電圧においても短時間でしかもNb表面にダメー
ジを与えることなくNbの清浄表面を得ることが
でき、その清浄表面は10数Åのカーボンにより保
護されているためガス交換時の表面の劣化を防止
することができる。その後直接酸化法あるいは異
種物質堆積法によりバリヤを形成すればフオト工
程を通したことによるNbの劣化を全て回復する
ことができる利点がある。
混合ガスの混合比を選んでRFスパツタすれば低
電圧においても短時間でしかもNb表面にダメー
ジを与えることなくNbの清浄表面を得ることが
でき、その清浄表面は10数Åのカーボンにより保
護されているためガス交換時の表面の劣化を防止
することができる。その後直接酸化法あるいは異
種物質堆積法によりバリヤを形成すればフオト工
程を通したことによるNbの劣化を全て回復する
ことができる利点がある。
第１図はAr―CF4―O2混合ガスのO2濃度を変
化させてスパツタした時のNb表面へのカーボン
の堆積膜厚を示すグラフ、第２図はAr―CF4―
O2混合ガス中で自己バイアスを変化させてスパ
ツタした時のNb表面へのカーボンの堆積膜厚を
示すグラフ、第３図はリークの少ない準粒子トン
ネルリングのＶ―特性を示すグラフ、第４図は
トンネル形のジヨセフソン接合のＶ―特性を示
すグラフ、そして第５図は蒸着Siを酸化して形成
したSiO2バリヤの素子のＶ―特性を示すグラ
フである。
化させてスパツタした時のNb表面へのカーボン
の堆積膜厚を示すグラフ、第２図はAr―CF4―
O2混合ガス中で自己バイアスを変化させてスパ
ツタした時のNb表面へのカーボンの堆積膜厚を
示すグラフ、第３図はリークの少ない準粒子トン
ネルリングのＶ―特性を示すグラフ、第４図は
トンネル形のジヨセフソン接合のＶ―特性を示
すグラフ、そして第５図は蒸着Siを酸化して形成
したSiO2バリヤの素子のＶ―特性を示すグラ
フである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ Nb超伝導薄膜から成る下地電極の表面をAr
―CF4ガス又はAr―CF4―O2ガス中でRFスパツ
タした後、酸化してトンネルバリヤ層を形成する
ことを特徴とするトンネル形ジヨセフソン接合素
子の作製方法。 ２ Nb超伝導薄膜から成る下地電極の表面をAr
―CF4ガス又はAr―CF4―O2ガス中でRFスパツ
タした後、異種物質を堆積し、ついでこの異種物
質を酸化してトンネルバリヤ層を形成することを
特徴とするトンネル形ジヨセフソン接合素子の作
製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57041293A JPS58158981A (ja) | 1982-03-16 | 1982-03-16 | トンネル形ジヨセフソン接合素子の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57041293A JPS58158981A (ja) | 1982-03-16 | 1982-03-16 | トンネル形ジヨセフソン接合素子の作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58158981A JPS58158981A (ja) | 1983-09-21 |
| JPS6258677B2 true JPS6258677B2 (ja) | 1987-12-07 |
Family
ID=12604399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57041293A Granted JPS58158981A (ja) | 1982-03-16 | 1982-03-16 | トンネル形ジヨセフソン接合素子の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58158981A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02126889U (ja) * | 1989-03-29 | 1990-10-18 | ||
| JPH0535364U (ja) * | 1991-10-24 | 1993-05-14 | 益弘 光山 | フアイル |
-
1982
- 1982-03-16 JP JP57041293A patent/JPS58158981A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02126889U (ja) * | 1989-03-29 | 1990-10-18 | ||
| JPH0535364U (ja) * | 1991-10-24 | 1993-05-14 | 益弘 光山 | フアイル |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58158981A (ja) | 1983-09-21 |
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