JPS6259892B2 - - Google Patents

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JPS6259892B2
JPS6259892B2 JP56115901A JP11590181A JPS6259892B2 JP S6259892 B2 JPS6259892 B2 JP S6259892B2 JP 56115901 A JP56115901 A JP 56115901A JP 11590181 A JP11590181 A JP 11590181A JP S6259892 B2 JPS6259892 B2 JP S6259892B2
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  • Casings For Electric Apparatus (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はリードフレームを使用し、電子部品を
低融点ガラスにより封止するサーデイツプタイプ
の電子部品パツケージに関し、さらに詳しくは電
子部品としての最終めつき層がパツケージの封止
前にリードフレーム単体の状態で形成されたリー
ドフレームを用いて製作する電子部品パツケージ
に関するものである。
以下図を用いて従来の電子部品パツケージにつ
いて説明する。第１図はリードフレームの斜視
図、第２図はサーデイツプタイプのパツケージの
断面図である。図中１はリードフレーム、２はイ
ンナーリード部、３はセラミツクベース、４はセ
ラミツクキヤツプ、５はアウターリード部、６は
封止低融点ガラス、７はアルミニウム蒸着部、８
は半導体素子、９はアルミニウムワイヤ、１０は
メタライズ層である。
サーデイツプと称されるセラミツクパツケージ
用のリードフレーム１には通常インナーリード部
２を含むパツケージラインの内側に、アルミニウ
ムクラツド又は蒸着が施されており、他の部分は
素材面が露出している。従来はこの様なリードフ
レームを用いて第２図に示す如くパツケージの組
み立てを終了してからアウターリード部５にSn
又は半田メツキを行つている。Sn又は半田メツ
キされたアウター・リードを持つ電子部品パツケ
ージをプリント板等に半田付によつて実装する場
合は問題ないがソケツトと組合せて使用する場
合、Auメツキされたされたソケツトの接触部と
Sn又は半田メツキされたアウター・リード部が
微摺動磨耗により接触不良を起すことがある。
このような微摺動磨耗による接触不良を防ぐ方
法としてアウター・リード部にソケツトの接触部
のAuメツキとなじみのよい、Au又はAg等の貴金
属メツキを施す方法が考えられるが、従来は電子
部品の封止後メツキ処理を行なうため以下の様な
問題が生じる。
低融点ガラスの耐薬品性が低いためメツキ液
により低融点ガラスが腐蝕されやすい。
腐蝕された活性な封止低融点ガラス面にはメ
ツキが付きやすく、リード間のシヨートが発生
しやすい。
封止低融点ガラスの溶解により、メツキ液が
汚染され、メツキ液の寿命が短くなる。
本発明は上記の問題を解消することを目的と
し、電子部品の封止前にあらかじめリードフレー
ム単体の状態でインナリード部を除く部分に、最
終メツキ層が金又は銀メツキ層であり、その下地
として白金又はロジウム等の耐熱性の金属メツキ
層を設けた電子部品パツケージを特徴とするもの
である。
以下本発明を実施例に基づき詳細に説明する。
リードフレームの最終めつき層を電子部品の封
止前にリードフレーム単体の状態で形成すること
により前記本発明の目的は達成されるが、金ある
いは銀メツキのみで最終めつき層を形成した場
合、リードフレームの素材金属の熱拡散を防ぐた
めには３〜５μのメツキ層が必要であり、コスト
高となることがわかつた。
そこで下地メツキ層として高温で酸化せず、リ
ードフレームの素材金属の熱拡散を防止しうる金
属メツキ層を設けることを検討したところ、ロジ
ウム、白金等の白金系金属が適していることが確
かめられた。
以下に図を用いて本発明の一実施例を説明す
る。第３図は本発明の一実施例である。本図にお
いて１１は金めつき部、１２はロジウムめつき部
である。
リードフレームのめつきは電子部品の封止前に
例えば以下の様に行なう。
(1) リードフレーム１のアルミニウムがクラツド
又は蒸着されたインナリード部２をマスキング (2) ニツケルめつき 0.2〜1.0μｍ (3) 金ストライクめつき 0.1〜0.2μｍ (4) ロジウムめつき 0.2〜0.5μｍ (5) 金めつき 0.5〜1.5μｍ 以上のめつき処理を電子部品の封止前に施した
ところめつき厚0.5〜1.5μｍ程度の金めつき厚で
もサーデイツプの組立時の加熱による金めつき面
の変色は見られず良好な結果が得られ、ロジウム
がリードフレームの素材金属の熱拡散のバリヤと
なることが確認された。
なお上記実施例では最終めつき層として金を用
いたが、これは銀でも同様な効果が得られる。
またリードフレームの加熱時の酸化はロジウム
により防がれるので金又は銀等の貴金属めつきは
第３図に示すように部分めつきであつても良いこ
とは言うまでもない。
以上説明したように、本発明によれば電子部品
の封止前にリードフレーム単体の状態で最終めつ
き層が形成されるため、パツケージングのウエツ
トプロセスが不要となり製品の信頼性及び生産性
が向上する。さらに下地めつき層としてロジウム
等の耐熱性の金属を使用することにより、金ある
いは銀単独で最終めつき層を形成した場合の約1/
３のめつき厚0.5〜1.5μｍで済むことになり大幅
なコストダウンが可能である。
【図面の簡単な説明】
第１図はリードフレームの斜視図、第２図はサ
ーデイプタイプのパツケージの断面図、第３図は
本発明の一実施例である。 １……リードフレーム、２……インナーリード
部、３……セラミツクベース、４……セラミツク
キヤツプ、５……アウターリード部、６……封止
低融点ガラス、７……アルミニウムクラツド又は
蒸着部、８……半導体素子、９……アルミニウム
ワイヤ、１０……メタライズ層、１１……金めつ
き部、１２……ロジウムめつき部。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ インナーリード部とアウターリード部を有す
    るリード・フレームを用い、電子部品を低融点ガ
    ラスで封止するサーデイツプタイプの電子部品パ
    ツケージにおいて、 該リード・フレームの前記アウターリード部の
    最終メツキ層がパツケージの封止前にリード・フ
    レーム単体の状態で形成され、 且つ、前記最終メツキ層が金又は銀メツキ層で
    あり、その下地として白金又はロジウム等の耐熱
    性の金属メツキ層が設けられていることを特徴と
    する電子部品パツケージ。
JP56115901A 1981-07-24 1981-07-24 電子部品パツケ−ジ Granted JPS5817649A (ja)

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EP82303929A EP0074168B1 (en) 1981-07-24 1982-07-23 Device and method for packaging electronic devices
DE8282303929T DE3268393D1 (en) 1981-07-24 1982-07-23 Device and method for packaging electronic devices

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