JPS6259933A - 光スイツチ - Google Patents

光スイツチ

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Publication number
JPS6259933A
JPS6259933A JP60199328A JP19932885A JPS6259933A JP S6259933 A JPS6259933 A JP S6259933A JP 60199328 A JP60199328 A JP 60199328A JP 19932885 A JP19932885 A JP 19932885A JP S6259933 A JPS6259933 A JP S6259933A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical
thin film
waveguide
optical switch
refractive index
Prior art date
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Pending
Application number
JP60199328A
Other languages
English (en)
Inventor
Tomiyo Fukuda
福田 富代
Hidetaka Tono
秀隆 東野
Osamu Yamazaki
山崎 攻
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication of JPS6259933A publication Critical patent/JPS6259933A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、光通信、光応用計測あるいは光情報処理等に
使用する光・スイッチに関する。
(従来の技術) 近年、光フアイバ通信における計測等において、光路を
切換える光スイッチが重要な役割を担って研究開発が活
発である。なかでも、導波路型の光スイッチは数GHz
以上の高速切換に応答可能な素子として関心が集まって
おり、特にTIR(内部全反射型)と呼ばれている、導
波路型の光スイッチは小形で高速性に富む特性を有し脚
光を浴びている。
第2図はそのような、光スイッチの従来の例を平面的に
示すものであり、基板上に形成した電気光学効果を有す
る透明薄膜21上に、交差光導波路22を設け、その上
に屈折率の低いバッファ層を介して制御電極23が形成
されている。リッツ型の交差光導波路22は、入力光導
波路22aとその出力光導波路22b 、22cからな
る。制御を極23に制御電圧を印加しない場合、光ファ
イバ24から入力光導波路22aに結合される光波t1
は直進し、出力光導波路22bを経て光ファイバ25に
結合される。制御電圧が印加されると光波t1は制御電
極23に基づき、電気光学効果により出力光導波路22
cを伝播し、光ファイバ26に光波t2として結合され
る。
このようにして第2図構成の光スイッチは、光ファイバ
24から印加される光波t1を光ファイバ25.26に
切換入力するスイッチ動作をする(たとえば、特開昭5
9−113318号)。
(発明が解決しようとする問題点) しかしながら、上記した従来の光スイッチは光入力部の
、光ファイバ24と入力光導波路22aとの間の結合部
で授受される光波t1ば、光結合効率がηが完全に1で
はないため、入力光導波路22a以外にも伝播し、光波
t′1が発生する。光波t′1は光出力部の光ファイ・
ぐ25にも伝送され、消光比あるいは分岐比を低下させ
る欠点があった。
(問題点を解決するための手段) 本発明は、上述の従来の光スイッチの欠点に鑑み、基板
上に形成した電気光学効果を有する透明薄膜上に、透明
誘電体薄膜でなるバッファ層と、このバッファ層より高
屈折率の、上記透明薄膜を伝播する導波光の横方向の閉
じ込めを行なうための、交差する光導波路を形成し、そ
の入力端部および出力端部の少なくとも一方の近傍に、
上記のバッファ層よシ高屈折率の導波路プリズムを配置
し、かつ、前記バッファ層上に、光路切換のための制御
電極を設けた光スイッチを提供し、上記の欠点を排除す
るものである。
(作用) 本発明は上記の構成により、導波路モード以外の伝播モ
ードの光波を、導波路プリズムにより屈折させ進行方向
を変えることにより、その有害な光波が導波路に入力さ
れず、したがって消光比、分岐比の優れた光スイッチを
形成できる。
(実施例) 以下、実施例により図面を用いて本発明の詳細な説明す
る。
第1図は本発明の一実施例の構成を平面的に示す図であ
る。第1図において基板上に電気光学効果を有する透明
薄膜11を形成し、透明な誘電体薄膜からなるバッファ
層と、及び前記バッファ層よりも高屈折率の透明誘電体
を薄膜帯状にしたストリップロード12を、光導波路形
状に配置し、これを上記のバッファ層と透明薄膜11に
よシ取シ囲んでおり、したがってストリップO−1”1
2の真下部分の透明薄膜11の実効屈折率が高く、光波
tの横方向閉じ込めが行なわれるようになされており、
そのため光波tはス) IJツブロード12に沿って導
波される。ここで以下の説明を簡便にするため、ストリ
ップロードを単に光導波路と呼ぶことにする。
しかるとき、光導波路12は入力光ファイバ13aと対
設される入力光導波路12aと、入力光ファイバ13b
と対設される入力光導波路12bとを有し、それらそれ
ぞれの他端部分は出力光導波路12c1および出力光導
波路12dとなって、出力光ファイバ14 a e 1
4 bに光学的て結合されている。
光波tは光導波路12の真下の部分を導波される。15
.16はそれぞれバッファ層より高い屈折率を有する導
波路プリズムで、それぞれ人力光導波路12a、12b
、および出力光導波路12c 。
12dの近傍の、電気光学効果を有する透明薄膜11上
に形成されている。制御電極17.17’はギャップ1
8を有してバッファ層を介して光導波路12の交差部上
に設けられた制御電極であり、ギャッ7’18は、真下
部分の透明薄膜11が2mの入力および出力光導波路1
2aないし12dの端部を結ぶ交差線の2等分線上にな
るように配置されている。この制御電極17.17’に
電圧を印加することによシ、電気光学効果を有する透明
薄膜11の光学効果により光スイツチ動作をすることに
なる。
この実施例において、電気光学効果を有する透明薄膜1
1は、PLZT (ん4′力)薄膜を使用した。ただし
、Pb1−)c/100 Lax/100(Zry/1
00 T’iz/1oo )j−x/40005 、 
O≦x、y、z≦100 、 y+z= 100である
具体的にはサファイヤ基板上に、PLZT (2a44
oo)組成のターケ°ットを使用して、ゾレーナ・マグ
ネトロン・スパッタ法により、PLZT薄膜を単結晶成
長させた。膜厚は3500Xであった。ストリップロー
ド(光導波路)12にはTa2O5をス・セックし、リ
フトオフ法により幅10 Inn、膜厚2O0X、交差
角1°を形成する2×2の、入力または出力光導波路1
2 a + 12 b * 12 cおよび12dを全
長15 mmに形成した。
次KTa2O5をス・ゼツタして導波路プリズム15゜
16を形成した。光導波路12との間の最小幅を10μ
m、同じく光導波路12との角度を1.3°にしだ。そ
の上にバッファ層を、 Atを添加したTa2O5膜を
ス・母ツタして形成した。膜厚は約1800Xであった
。屈折率はPLZT薄膜が2.6 、 Ta2O5膜が
2.08、At2o5添加Ta2O5膜が2.0であっ
た。その上に、4μm幅のギャップ18を設けて、@1
間、長さ2鳩の平行制御電極17 、17’を交差部中
央に来るようにして、Atによりリフトオフ法で形成し
たO 入力光導波路12aの一端から1.3μmの半導体レー
ザ光を入射させて、出力光導波路12cからの光出力を
測定した。その結果、スイッチ電圧3V、消光比15d
Bが得られた。これは従来のも。
のに比べて5dB以上の改善であり、発生したスラブモ
ードが屈折率の高い導波路プリズム15.16により屈
折されて導波路モードへの影響が避けられた結果である
。さらに光ファイバ13 a 、 13b。
14a 、14bを通じての光導波テストでも消光比お
よび分岐比の改善がみられた。以上、本発明を説明した
。上記の実施例では、電気光学材料としてPLZT (
2810/100 ’)のターケ9ット組成から得られ
るPLZT薄膜によって述べたが、材料として、電気光
学特性を示す全ての組成のものを用いることができる。
またストリップロード12にはTa2O5 f用い、バ
ッファ層にAz2o3を添加したTa 2O5を使用し
たが、これに限定されるものではなく、Nb2O51A
l2O3+酸化イツトリ9ム、酸化チタニウム、 5t
02等の、電気光学効果を有する誘電体の透明薄膜より
屈折率が低く透明な薄膜であればよい。
さらに、導波路プリズム15.16にはTa2O5を用
いたが、これはバッファ層よりも屈折率が高いもので、
 PLZT 、あるいは上記のストリップロードを形成
した材料、さらに、S+ + GaAs +Ges I
nAs +InSb JnP r CdTeなどの不透
明材料が使用できる。
(発明の効果) 本発明による光スイッチによれば導波路モード以外の伝
播モード発生による消光比、分岐比の低下が導波路プリ
ズムの配置によシ容易に改善されるから、今後益々注目
される光スイッチとして用いて大いに効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の光スイッチの一実施例の構成を示す
平面的な図、第2図は従来例として示す光スイッチの平
面的な図である。 11・・・(電気光学効果を有する)透明薄膜、12・
・・ストリップロード(光導波路)、15.16・・・
導波路プリズム、17 、17’・・・制御電極、18
・・・(電極の)ギャップ。 特許出願人  松下電器産業株式会社 、、;、=la・・◆つ 代  理  人   星   野   恒   司r゛
−票。 (、’:: ”(−j。 第1図 1δ−−・↑で・ノア“ 第2図 25.26−二ηたフフイハ゛

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)基板上に設けた電気光学効果を有する誘電体の透
    明薄膜を用いて構成する光スイッチにおいて、前記透明
    薄膜上に透明誘電体薄膜からなるバッファ層と、および
    、そのバッファ層より高屈折率の、上記電気光学効果を
    有する透明薄膜を伝播する導波光の横方向の閉じ込めを
    行なう交差した光導波路と、その光導波路の光波入力端
    部、および出力端部の近傍に配置した上記のバッファ層
    より高屈折率の導波路プリズムと、および、前記バッフ
    ァ層上に設けた、上記光導波路の選択切換を行なう制御
    電極とを有することを特徴とする光スイッチ。
  2. (2)電気光学効果を有する透明薄膜が、PLZT系の
    材料により構成されていることを特徴とする特許請求の
    範囲第(1)項記載の光スイッチ。
  3. (3)導波路プリズムを形成する材料が、透明、高屈折
    率の、Ta_2O_5、Nb_2O_5、Al_2O_
    3、酸化イットリウム、酸化チタニウム、SiO_2等
    の材料であることを特徴とする特許請求の範囲第(1)
    項記載の光スイッチ。
  4. (4)導波路プリズムを形成する材料が、Si、GaA
    s、Ge、InAs、InSb、InP、CdTe等の
    不透明高屈折率の材料であることを特徴とする特許請求
    の範囲第(1)項記載の光スイッチ。
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