JPS6261016B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6261016B2 JPS6261016B2 JP11955480A JP11955480A JPS6261016B2 JP S6261016 B2 JPS6261016 B2 JP S6261016B2 JP 11955480 A JP11955480 A JP 11955480A JP 11955480 A JP11955480 A JP 11955480A JP S6261016 B2 JPS6261016 B2 JP S6261016B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction
- compound
- methyl
- bicyclo
- mol
- Prior art date
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- Expired
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- Fats And Perfumes (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は新規なビシクロ〔２・２・１〕ヘプタ
ン誘導体およびその製造方法に関する。さらに詳
しくは、本発明は、一般式（） （式中R1はアルキルカルボニル基を表わし、
R2は低級アルキル基を表わす）で示されるビシ
クロ〔２・２・１〕ヘプタン誘導体およびその製
造方法に関する。
ン誘導体およびその製造方法に関する。さらに詳
しくは、本発明は、一般式（） （式中R1はアルキルカルボニル基を表わし、
R2は低級アルキル基を表わす）で示されるビシ
クロ〔２・２・１〕ヘプタン誘導体およびその製
造方法に関する。
本発明により提供される一般式（）で示され
る化合物は東洋調の香りに欠くことのできない東
インド産白檀油の主成分であるβ−サンタロール
を合成するために有用である。
る化合物は東洋調の香りに欠くことのできない東
インド産白檀油の主成分であるβ−サンタロール
を合成するために有用である。
白檀油に他の天然香料同様に供給不足の状況下
にあり、その主成分であるβ−サンタロールの合
成が望まれているが、これまでに提案されている
合成法は一般に工程数が多くかつ収率も低いため
に実用化されるには至つていない。
にあり、その主成分であるβ−サンタロールの合
成が望まれているが、これまでに提案されている
合成法は一般に工程数が多くかつ収率も低いため
に実用化されるには至つていない。
本発明者らは、β−サンタロールの有利な合成
法を確立するために鋭意研究した結果、一般式
（） （式中R2は低級アルキル基を表わす）で示さ
れる２−メチル−３−アルコキシカルボニル−ビ
シクロ〔２・２・１〕ヘプト−２−エンをアニオ
ン化剤の存在下に一般式（） （式中Ｘは臭素または塩素原子を表わし、R1
はアルキルカルボニル基を表わす）で示される
〔2Z〕−１−アルキルカルボニルオキシ−５−ハ
ロ−２−メチル−２−ペンテンと反応させること
により、前記の一般式（）で示されるビシクロ
〔２・２・１〕ヘプタン誘導体が好収率で得られ
ることおよび該ビシクロ〔２・２・１〕ヘプタン
誘導体は容易にβ−サンタロールに導きうること
を見出し、本発明を完成するに至つた。
法を確立するために鋭意研究した結果、一般式
（） （式中R2は低級アルキル基を表わす）で示さ
れる２−メチル−３−アルコキシカルボニル−ビ
シクロ〔２・２・１〕ヘプト−２−エンをアニオ
ン化剤の存在下に一般式（） （式中Ｘは臭素または塩素原子を表わし、R1
はアルキルカルボニル基を表わす）で示される
〔2Z〕−１−アルキルカルボニルオキシ−５−ハ
ロ−２−メチル−２−ペンテンと反応させること
により、前記の一般式（）で示されるビシクロ
〔２・２・１〕ヘプタン誘導体が好収率で得られ
ることおよび該ビシクロ〔２・２・１〕ヘプタン
誘導体は容易にβ−サンタロールに導きうること
を見出し、本発明を完成するに至つた。
本発明の方法は次式で表わすことができる。
上式においてR1，R2およびＸはそれぞれ前記
の意味を有する。好ましいR1はアセチル、プロ
ピオニル、ブチリルなどの炭素数４以下のアルキ
ルカルボニル基であり、R2としてはメチル、エ
チル、プロピル、ブチルなどの基が例示される。
ＸはBrまたはClであるが、好ましくはBrであ
る。
の意味を有する。好ましいR1はアセチル、プロ
ピオニル、ブチリルなどの炭素数４以下のアルキ
ルカルボニル基であり、R2としてはメチル、エ
チル、プロピル、ブチルなどの基が例示される。
ＸはBrまたはClであるが、好ましくはBrであ
る。
本発明に従い、一般式（）で示される２−メ
チル−３−アルコキシカルボニル−ビシクロ
〔２・２・１〕ヘプト−２−エン（以下、化合物
（）と記すことがある）にアニオン化剤を作用
させ、生ずるカルバニオンに一般式（）で示さ
れる〔2Z〕−１−アルキルカルボニルオキシ−５
−ハロ−２−メチル−２−ペンテン（以下、化合
物（）と記すことがある）を反応させることに
より、一般式（）で示されるビシクロ〔２・
２・１〕ヘプタン誘導体が得られる。この反応に
おいて、アニオン化剤としては化合物（）をア
ニオン化するに必要な活性を有する塩基性物質た
とえばナトリウムアミド、リチウムジアルキル
（またはシクロアルキル）アミド（たとえばリチ
ウムジイソプロピルアミド、リチウムジシクロヘ
キシルアミド）などのアルカリ金属アミドを用い
ることができる。この反応は、通常、溶媒たとえ
ばテトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジオ
キサンなどのエーテル系溶媒の存在下に、約−90
℃〜約50℃の温度で行われる。アニオン化剤の使
用量は化合物（）１モルあたり約１〜２モル程
度が適しているが、この範囲外でも反応の実施は
可能である。化合物（）は好ましくは化合物
（）に対するモル比約0.8／１〜1.3／１の範囲
内で用いられる。
チル−３−アルコキシカルボニル−ビシクロ
〔２・２・１〕ヘプト−２−エン（以下、化合物
（）と記すことがある）にアニオン化剤を作用
させ、生ずるカルバニオンに一般式（）で示さ
れる〔2Z〕−１−アルキルカルボニルオキシ−５
−ハロ−２−メチル−２−ペンテン（以下、化合
物（）と記すことがある）を反応させることに
より、一般式（）で示されるビシクロ〔２・
２・１〕ヘプタン誘導体が得られる。この反応に
おいて、アニオン化剤としては化合物（）をア
ニオン化するに必要な活性を有する塩基性物質た
とえばナトリウムアミド、リチウムジアルキル
（またはシクロアルキル）アミド（たとえばリチ
ウムジイソプロピルアミド、リチウムジシクロヘ
キシルアミド）などのアルカリ金属アミドを用い
ることができる。この反応は、通常、溶媒たとえ
ばテトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジオ
キサンなどのエーテル系溶媒の存在下に、約−90
℃〜約50℃の温度で行われる。アニオン化剤の使
用量は化合物（）１モルあたり約１〜２モル程
度が適しているが、この範囲外でも反応の実施は
可能である。化合物（）は好ましくは化合物
（）に対するモル比約0.8／１〜1.3／１の範囲
内で用いられる。
化合物（）はたとえば下記の合成ルートで製
造することができる（参考例１参照のこと）。
造することができる（参考例１参照のこと）。
なお、NBSはＮ−ブロモコハク酸イミド、
DBUは１，８−ジアザビシクロ〔５・４・０〕
ウンデカー７−エンを意味する。
DBUは１，８−ジアザビシクロ〔５・４・０〕
ウンデカー７−エンを意味する。
化合物（）は文献未載の化合物であるが、本
発明者らの研究によれば下記の合成ルートで容易
に製造することができる（参考例２参照のこ
と）。
発明者らの研究によれば下記の合成ルートで容易
に製造することができる（参考例２参照のこ
と）。
上記の式においてＲはアリール基、Ｍはアルカ
リ金属を表わし、R1およびＸは前記定義のとお
りである。一般式（）で示される本発明のビシ
クロ〔２・２・１〕ヘプタン誘導体はこれにジア
ルキルアルミニウムハイドライド好ましくはジイ
ソブチルアルミニウムハイドライドを作用させる
ことによりアルコキシカルボニル基を還元してヒ
ドロキシメチル基に転化し、次にこのヒドロキシ
メチル基をハロゲン化剤（たとえば三臭化リン）
によりハロゲノメチル基（たとえばブロモメチル
基）に導き、ハイドライド還元によりメチル基に
変換することにより容易にβ−サンタロールに誘
導しうることがわかつた。
リ金属を表わし、R1およびＸは前記定義のとお
りである。一般式（）で示される本発明のビシ
クロ〔２・２・１〕ヘプタン誘導体はこれにジア
ルキルアルミニウムハイドライド好ましくはジイ
ソブチルアルミニウムハイドライドを作用させる
ことによりアルコキシカルボニル基を還元してヒ
ドロキシメチル基に転化し、次にこのヒドロキシ
メチル基をハロゲン化剤（たとえば三臭化リン）
によりハロゲノメチル基（たとえばブロモメチル
基）に導き、ハイドライド還元によりメチル基に
変換することにより容易にβ−サンタロールに誘
導しうることがわかつた。
化合物（）から化合物（）を得るための上
記の反応は、通常、ジアルキルアルミニウムハイ
ドライドを還元剤とし、ヘキサン、ベンゼン、ト
ルエンなどのハイドロカーボン系の溶媒を用い約
−78℃〜室温（約25℃まで）で行われる。還元剤
は化合物（）１モル当り約1.8〜2.5モル程度用
いられ、とくに好ましくは、化合物（）に対し
て還元剤のモル比として2.0／１〜2.2／１の間で
用いられる。
記の反応は、通常、ジアルキルアルミニウムハイ
ドライドを還元剤とし、ヘキサン、ベンゼン、ト
ルエンなどのハイドロカーボン系の溶媒を用い約
−78℃〜室温（約25℃まで）で行われる。還元剤
は化合物（）１モル当り約1.8〜2.5モル程度用
いられ、とくに好ましくは、化合物（）に対し
て還元剤のモル比として2.0／１〜2.2／１の間で
用いられる。
上記化合物（）のハロゲン化により化合物
（）を得るには、通常、テトラヒドロフラン、
ジエチルエーテル、ジオキサン等のエーテル系溶
媒を用い、ハロゲン化剤（臭素化剤又は塩素化
剤）としては、五臭化リン、三臭化リン、五塩化
リン、三塩化リン、塩化チオニル等が用いられ
る。ハロゲン化剤は化合物（）１モルあたり約
1.0〜2.0モル程度用いられ、とくに好ましくは化
合物（）に対してモル比１／１〜1.5／１の範
囲で用いられる。反応温度としては、用いるハロ
ゲン化剤に応じ、それをハロゲン化剤とするハロ
ゲン化反応において通常一般に用いられている反
応温度を用いることができる。
（）を得るには、通常、テトラヒドロフラン、
ジエチルエーテル、ジオキサン等のエーテル系溶
媒を用い、ハロゲン化剤（臭素化剤又は塩素化
剤）としては、五臭化リン、三臭化リン、五塩化
リン、三塩化リン、塩化チオニル等が用いられ
る。ハロゲン化剤は化合物（）１モルあたり約
1.0〜2.0モル程度用いられ、とくに好ましくは化
合物（）に対してモル比１／１〜1.5／１の範
囲で用いられる。反応温度としては、用いるハロ
ゲン化剤に応じ、それをハロゲン化剤とするハロ
ゲン化反応において通常一般に用いられている反
応温度を用いることができる。
化合物（）からβ−サンタロールへ導くため
の、ハロゲン基を還元分解する反応は、通常、溶
媒としてヘキサン、ベンゼン、トルエン、テトラ
ヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジオキサン等
ハイドロカーボン系又はエーテル系溶媒を用い、
還元剤として水素化リチウムアルミニウム、ソジ
ウムボロハイドライド又はアルミニウムハイドラ
イド等を用いて行われる。還元剤は化合物（）
１モルあたり約1.8〜3.0モル程度用いられ、とく
に好ましくは化合物（）に対してモル比約
2.0／１〜2.5／１の範囲内で用いられる。反応温
度としては、約−80゜〜約50℃の範囲の温度が用
いられる。
の、ハロゲン基を還元分解する反応は、通常、溶
媒としてヘキサン、ベンゼン、トルエン、テトラ
ヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジオキサン等
ハイドロカーボン系又はエーテル系溶媒を用い、
還元剤として水素化リチウムアルミニウム、ソジ
ウムボロハイドライド又はアルミニウムハイドラ
イド等を用いて行われる。還元剤は化合物（）
１モルあたり約1.8〜3.0モル程度用いられ、とく
に好ましくは化合物（）に対してモル比約
2.0／１〜2.5／１の範囲内で用いられる。反応温
度としては、約−80゜〜約50℃の範囲の温度が用
いられる。
参考例 １
(i) クロトン酸エチル44.8ｇ（0.393モル）、
NBS70ｇ（0.393モル）、四塩化炭素200mlおよ
び過酸化ベンゾイル0.1ｇ（触媒量）を内容積
500mlのナス型フラスコに入れ、塩化カルシウ
ム管のついた還流コンデンサーを付け、沸石を
入れ、10時間還流した。反応後、内容物を過
し、液を濃縮して蒸留した。これにより、γ
−ブロモクロトン酸エチル（b.p.66−67℃／
0.3mmHg、ｎ２５ Ｄ1.5114）が収率66％で得られ
た。
NBS70ｇ（0.393モル）、四塩化炭素200mlおよ
び過酸化ベンゾイル0.1ｇ（触媒量）を内容積
500mlのナス型フラスコに入れ、塩化カルシウ
ム管のついた還流コンデンサーを付け、沸石を
入れ、10時間還流した。反応後、内容物を過
し、液を濃縮して蒸留した。これにより、γ
−ブロモクロトン酸エチル（b.p.66−67℃／
0.3mmHg、ｎ２５ Ｄ1.5114）が収率66％で得られ
た。
(ii) γ−ブロモクロトン酸エチル7.2ｇ（0.0375
モル）、シクロペンタジエン24.1ｇ（0.36モ
ル）、ハイドロキノン約0.3ｇおよびベンゼン約
３c.c.を反応管に入れ、チツ素置換して封管後、
145℃で３時間反応を行なつた。反応後、シリ
カゲルカラムクロマトグラフイーにより反応液
から炭化水素を除去し、ヘキサン：ベンゼン＝
１：１の展開溶媒で生成付加体エステルをexo
endo体混合物として得た。これを蒸留精製し
エチル３−ブロモメチルビシクロ〔２・２・
１〕ヘプト−５−エン２−カルボキシレート
（b.p.100〜103℃／0.2mmHg、n201.5065）を収
率71％で得た。
モル）、シクロペンタジエン24.1ｇ（0.36モ
ル）、ハイドロキノン約0.3ｇおよびベンゼン約
３c.c.を反応管に入れ、チツ素置換して封管後、
145℃で３時間反応を行なつた。反応後、シリ
カゲルカラムクロマトグラフイーにより反応液
から炭化水素を除去し、ヘキサン：ベンゼン＝
１：１の展開溶媒で生成付加体エステルをexo
endo体混合物として得た。これを蒸留精製し
エチル３−ブロモメチルビシクロ〔２・２・
１〕ヘプト−５−エン２−カルボキシレート
（b.p.100〜103℃／0.2mmHg、n201.5065）を収
率71％で得た。
(iii) 上記(ii)の方法で得た付加体エステル４ｇ
（0.0155モル）、無水エタノール100c.c.、および
炭素に担持したPd触媒（Pd担持量５重量％）
0.25ｇをマーゲンスラスコに入れ、常圧常温で
水素を347c.c.反応させた。反応後、Pd／Ｃ廃触
媒を別し、液からエバポレーターでエタノ
ールを除去し、残留物を減圧蒸留した。これに
より、エチル３−ブロモメチルビシクロ〔２・
２・１〕ヘプタン２−カルボキシレート（b.
p.85−87℃／0.07mmHg、ｎ２０ Ｄ1.5000）を収率90
％で得た。
（0.0155モル）、無水エタノール100c.c.、および
炭素に担持したPd触媒（Pd担持量５重量％）
0.25ｇをマーゲンスラスコに入れ、常圧常温で
水素を347c.c.反応させた。反応後、Pd／Ｃ廃触
媒を別し、液からエバポレーターでエタノ
ールを除去し、残留物を減圧蒸留した。これに
より、エチル３−ブロモメチルビシクロ〔２・
２・１〕ヘプタン２−カルボキシレート（b.
p.85−87℃／0.07mmHg、ｎ２０ Ｄ1.5000）を収率90
％で得た。
(iv) 上記(iii)の方法で得たエチル３−ブロモメチル
ビシクロ〔２・２・１〕ヘプタン２−カルボキ
シレート9.2ｇ（0.0354モル）と蒸留したDBU
（b.p.100℃／４mmHg）5.5ｇ（0.0354モル）を
内容積100c.c.のナス型フラスコに入れ、溶媒と
してジメチルスルホキシド55c.c.を加えた。スタ
ーラーを入れ、80℃で６時間反応させた。反応
後、反応物を40c.c.の水にあけ、ジエチルエーテ
ルで抽出し、そのエーテル層を10％HClで中和
し、DBUを除去した。さらにエーテル層を飽
和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥
し、溶媒を除去したのち減圧蒸留し２−メチル
−３−エトキシカルボニル−ビシクロ〔２・
２・１〕ヘプト−２−エン（b.p.101−101.5
℃／21mmHg）を収率40％で得た。この生成物
について測定したNMRスペクトルは下記のと
おりであつた。
ビシクロ〔２・２・１〕ヘプタン２−カルボキ
シレート9.2ｇ（0.0354モル）と蒸留したDBU
（b.p.100℃／４mmHg）5.5ｇ（0.0354モル）を
内容積100c.c.のナス型フラスコに入れ、溶媒と
してジメチルスルホキシド55c.c.を加えた。スタ
ーラーを入れ、80℃で６時間反応させた。反応
後、反応物を40c.c.の水にあけ、ジエチルエーテ
ルで抽出し、そのエーテル層を10％HClで中和
し、DBUを除去した。さらにエーテル層を飽
和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥
し、溶媒を除去したのち減圧蒸留し２−メチル
−３−エトキシカルボニル−ビシクロ〔２・
２・１〕ヘプト−２−エン（b.p.101−101.5
℃／21mmHg）を収率40％で得た。この生成物
について測定したNMRスペクトルは下記のと
おりであつた。
n.m.r δ（CCl4）：
1.25（ｍ，2H(a)）
1.31（ｔ，3H(b)，Ｊ＝6cps）
1.5−1.8（ｍ，4H(c)）
2.07（ｓ，3H(d)）
2.79（ｍ，1H(e)）
3.22（ｍ，1H(f)）
4.12（ｔ，2H(g)，Ｊ＝6cps）ppm.
なお、DBUのかわりにナトリウムエトキシド
またはカリウムtert.−ブトキシドを用いて脱HBr
反応を行なつた場合には、下記の化合物（b.p.96
−98℃／12mmHg，ｎ２０ Ｄ1.4830）が収率60％で得ら
れた。
またはカリウムtert.−ブトキシドを用いて脱HBr
反応を行なつた場合には、下記の化合物（b.p.96
−98℃／12mmHg，ｎ２０ Ｄ1.4830）が収率60％で得ら
れた。
参考例 ２
内容積200mlの四つ口フラスコにマグネチツク
スターラー、塩化カルシウム管付き冷却コンデン
サー、滴下ロートおよび温度計をとりつけ、この
フラスコにトリフエニルホスフイン6.8ｇ（0.026
モル）と乾燥したアセトニトリル30c.c.を入れた。
マグネチツクスターラーでよく撹拌しながら、氷
浴で反応フラスコを０℃にした。滴下ロートから
臭素4.2ｇ（0.026モル）をゆつくり適下し、温度
を10℃未満におさえた。滴下終了後30分撹拌し、
乾燥クロルベンゼン60c.c.を加え氷浴を油浴にか
え、還流温度まで徐々に昇温した。乾いた滴下ロ
ートを通して３−メチル−５，６−ジヒドロ−
2H−ピラン2.4ｇ（0.024モル）とクロルベンゼン
10c.c.を混合しゆつくりと滴下した。20時間還流
し、反応容器を室温まで放冷した。ついで、まず
アセトニトリルとクロルベンゼンを減圧除去し、
結晶トリフエニルホスフインオキシドを吸引別
し、乾燥ペンタンで結晶を洗浄した。液と洗浄
液をあわせて、溶媒等低沸物を室温で減圧留去
し、粗１，５−ジブロモ−２−メチル−２−ペン
テン４ｇ（収率69％）を得た。つぎにこの１，５
−ジブロモ−２−メチル−２−ペンテンを未精製
のままで内容積100c.c.の三角フラスコに入れ、さ
らに乾燥ジメチルホルムアミド40c.c.と無水酢酸ナ
トリウム2.1ｇを加え、密栓して室温で12時間撹
拌したのち20c.c.の水中にあけ、ｎ−ヘキサン：ジ
エチルエーテル＝１：１混合物で５回抽出し、有
機層（抽出液）を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグ
ネシウムを加えて乾燥し、低沸点物を減圧除去
し、残留物を減圧蒸留した。これにより、〔2Z〕
−１−アセトキシ−５−ブロモ−２−メチル−２
−ペンテン2.3ｇ（収率64％）を得た。この生成
物について測定したNMRスペクトルは次のとお
りであつた。
スターラー、塩化カルシウム管付き冷却コンデン
サー、滴下ロートおよび温度計をとりつけ、この
フラスコにトリフエニルホスフイン6.8ｇ（0.026
モル）と乾燥したアセトニトリル30c.c.を入れた。
マグネチツクスターラーでよく撹拌しながら、氷
浴で反応フラスコを０℃にした。滴下ロートから
臭素4.2ｇ（0.026モル）をゆつくり適下し、温度
を10℃未満におさえた。滴下終了後30分撹拌し、
乾燥クロルベンゼン60c.c.を加え氷浴を油浴にか
え、還流温度まで徐々に昇温した。乾いた滴下ロ
ートを通して３−メチル−５，６−ジヒドロ−
2H−ピラン2.4ｇ（0.024モル）とクロルベンゼン
10c.c.を混合しゆつくりと滴下した。20時間還流
し、反応容器を室温まで放冷した。ついで、まず
アセトニトリルとクロルベンゼンを減圧除去し、
結晶トリフエニルホスフインオキシドを吸引別
し、乾燥ペンタンで結晶を洗浄した。液と洗浄
液をあわせて、溶媒等低沸物を室温で減圧留去
し、粗１，５−ジブロモ−２−メチル−２−ペン
テン４ｇ（収率69％）を得た。つぎにこの１，５
−ジブロモ−２−メチル−２−ペンテンを未精製
のままで内容積100c.c.の三角フラスコに入れ、さ
らに乾燥ジメチルホルムアミド40c.c.と無水酢酸ナ
トリウム2.1ｇを加え、密栓して室温で12時間撹
拌したのち20c.c.の水中にあけ、ｎ−ヘキサン：ジ
エチルエーテル＝１：１混合物で５回抽出し、有
機層（抽出液）を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグ
ネシウムを加えて乾燥し、低沸点物を減圧除去
し、残留物を減圧蒸留した。これにより、〔2Z〕
−１−アセトキシ−５−ブロモ−２−メチル−２
−ペンテン2.3ｇ（収率64％）を得た。この生成
物について測定したNMRスペクトルは次のとお
りであつた。
n.m.r（CCCl4）δ：1.90（ｓ，3H）、2.00
（ｓ，3H）、2.60（ｔ，2H）、3.40（ｔ，
2H）、4.60（ｔ，2H）、6.20（ｍ，1H）ppm. 実施例 １ 内容積50c.c.の四つ口フラスコに滴下ロート、冷
却コンデンサー（水を通さない）、−100℃まで使
用できる温度計および窒素導入管をとりつけた。
この反応フラスコにジイソプロピルアミン0.18ｇ
（0.0017モル）とテトラヒドロフラン２c.c.を入
れ、反応系内をマグネチツクスターラーで撹拌し
ながらメタノール−アセトン浴で−78℃まで冷や
した。ｎ−ブチルリチウム0.0018モルを含むヘキ
サン溶液1.5c.c.をガスタイトシリンジにより反応
系に入れた。この温度のまま10分間撹拌し、つい
で室温にもどし、20分間撹拌すると反応溶液が黄
色になつた。ついで反応系内を−78℃にし、ヘキ
サメチルホスホリツクトリアミド（HMPT）0.35
ｇ（0.002モル）を滴下ロートから滴下し、つい
で２−メチル−３−エトキシカルボニル−ビシク
ロ〔２・２・１〕ヘプト−２−エン0.3ｇ
（0.0017モル）とテトラヒドロフラン１c.c.を同滴
下ロートを用いてゆつくりと滴下し、この温度で
30分間撹拌し、つぎに室温にもどし、２時間撹拌
し、さらに30℃に温度を上げて10分間撹拌した。
反応系内の温度を再度−78℃にもどし、〔2Z〕−
１−アセトキシ−５−ブロモ−２−メチル−２−
ペンテン0.5ｇ（0.0023モル）とテトラヒドロフ
ラン１c.c.をゆつくり滴下した。この温度で２時間
反応させたのち室温にもどしつつ、８時間撹拌し
た。ついで反応物を飽和塩化アンモニウム水溶液
にあけ、ジエチルエーテルで抽出し、飽和食塩水
で洗浄し、硫酸マグネシウムを加えて乾燥したの
ち、溶媒を減圧で除去し、シリカゲルカラムクロ
マトグラフイーにより２−メチレン−３−エトキ
シカルボニル−３−（5′−アセトキシ−4′−メチ
ル−3′−ペンテニル）−ビシクロ〔２・２・１〕
ヘプタンを収率76％で得た。この際の適切な展開
溶媒としては、ヘキサン：酢酸エチルエステル＝
９：１のものであつた。N.M.R.データは次の通
りであつた。
（ｓ，3H）、2.60（ｔ，2H）、3.40（ｔ，
2H）、4.60（ｔ，2H）、6.20（ｍ，1H）ppm. 実施例 １ 内容積50c.c.の四つ口フラスコに滴下ロート、冷
却コンデンサー（水を通さない）、−100℃まで使
用できる温度計および窒素導入管をとりつけた。
この反応フラスコにジイソプロピルアミン0.18ｇ
（0.0017モル）とテトラヒドロフラン２c.c.を入
れ、反応系内をマグネチツクスターラーで撹拌し
ながらメタノール−アセトン浴で−78℃まで冷や
した。ｎ−ブチルリチウム0.0018モルを含むヘキ
サン溶液1.5c.c.をガスタイトシリンジにより反応
系に入れた。この温度のまま10分間撹拌し、つい
で室温にもどし、20分間撹拌すると反応溶液が黄
色になつた。ついで反応系内を−78℃にし、ヘキ
サメチルホスホリツクトリアミド（HMPT）0.35
ｇ（0.002モル）を滴下ロートから滴下し、つい
で２−メチル−３−エトキシカルボニル−ビシク
ロ〔２・２・１〕ヘプト−２−エン0.3ｇ
（0.0017モル）とテトラヒドロフラン１c.c.を同滴
下ロートを用いてゆつくりと滴下し、この温度で
30分間撹拌し、つぎに室温にもどし、２時間撹拌
し、さらに30℃に温度を上げて10分間撹拌した。
反応系内の温度を再度−78℃にもどし、〔2Z〕−
１−アセトキシ−５−ブロモ−２−メチル−２−
ペンテン0.5ｇ（0.0023モル）とテトラヒドロフ
ラン１c.c.をゆつくり滴下した。この温度で２時間
反応させたのち室温にもどしつつ、８時間撹拌し
た。ついで反応物を飽和塩化アンモニウム水溶液
にあけ、ジエチルエーテルで抽出し、飽和食塩水
で洗浄し、硫酸マグネシウムを加えて乾燥したの
ち、溶媒を減圧で除去し、シリカゲルカラムクロ
マトグラフイーにより２−メチレン−３−エトキ
シカルボニル−３−（5′−アセトキシ−4′−メチ
ル−3′−ペンテニル）−ビシクロ〔２・２・１〕
ヘプタンを収率76％で得た。この際の適切な展開
溶媒としては、ヘキサン：酢酸エチルエステル＝
９：１のものであつた。N.M.R.データは次の通
りであつた。
n.m.r.（CCl4）δ：1.20〜1.30（ｍ，4H）、1.40
（ｔ，3H）、1.60（ｓ，3H）、1.70（ｍ，
4H）、1.80（ｍ，2H）、2.00（ｓ，3H）、2.50
（ｓ，1H）、2.60（ｓ，1H）、4.00（ｑ，
2H）、4.45（ｓ，2H）、4.90（ｄ，2H）、5.60
（ｍ，1H）ppm. 実施例 ２ アニオン化剤としてナトリウムアミドを使用し
て実施例１と同様の反応を行ない、２−メチレン
−３−エトキシカルボニル−３−（5′−アセトキ
シ−4′−メチル−3′−ペンテニル）−ビシクロ
〔２・２・１〕ヘプタンを収率54％で得た。
（ｔ，3H）、1.60（ｓ，3H）、1.70（ｍ，
4H）、1.80（ｍ，2H）、2.00（ｓ，3H）、2.50
（ｓ，1H）、2.60（ｓ，1H）、4.00（ｑ，
2H）、4.45（ｓ，2H）、4.90（ｄ，2H）、5.60
（ｍ，1H）ppm. 実施例 ２ アニオン化剤としてナトリウムアミドを使用し
て実施例１と同様の反応を行ない、２−メチレン
−３−エトキシカルボニル−３−（5′−アセトキ
シ−4′−メチル−3′−ペンテニル）−ビシクロ
〔２・２・１〕ヘプタンを収率54％で得た。
実施例 ３
〔2Z〕−１−アセトキシ−５−ベロモ−２−メ
チル−２−ペンテンのかわりに〔2Z〕−１−アセ
トキシ−５−クロロ−２−メチル−２−ペンテン
を用いた以外は実施例１と同様にして反応を行な
い、２−メチレン−３−エトキシカルボニル−３
−（5′−アセトキシ−4′−メチル−3′−ペンテニ
ル）−ビシクロ〔２・２・１〕ヘプタンを収率38
％で得た。
チル−２−ペンテンのかわりに〔2Z〕−１−アセ
トキシ−５−クロロ−２−メチル−２−ペンテン
を用いた以外は実施例１と同様にして反応を行な
い、２−メチレン−３−エトキシカルボニル−３
−（5′−アセトキシ−4′−メチル−3′−ペンテニ
ル）−ビシクロ〔２・２・１〕ヘプタンを収率38
％で得た。
実施例 ４
２−メチル−３−エトキシカルボニル−ビシク
ロ〔２・２・１〕ヘプト−２−エンのかわりに２
−メチル−３−メトキシカルボニル−ビシクロ
〔２・２・１〕ヘプト−２−エンを用いた以外は
実施例１と同様にして反応を行ない、２−メチレ
ン−３−メトキシカルボニル−３−（5′−アセト
キシ−4′−メチル−3′−ペンテニル）−ビシクロ
〔２・２・１〕ヘプタンを収率62％で得た。この
生成物について元素分析を行なつた結果、計算値
Ｃ：70.56 Ｈ：8.55 実測値 Ｃ：70.38 Ｈ：
8.41 実施例 ５ 〔2Z〕−１−アセトキシ−５−ブロモ−２−メ
チル−２−ペンテンのかわりに〔2Z〕−１−プロ
ピオニルオキシ−５−ブロモ−２−メチル−２−
ペンテンを用いて実施例１と同様の反応を行なつ
たところ、２−メチレン−３−エトキシカルボニ
ル−３−（5′−プロピオニルオキシ−4′−メチル
−3′−ペンテニル）−ビシクロ〔２・２・１〕ヘ
プタンを収率60％で得た。この生成物について元
素分析を行なつた結果は下記のとおりであつた。
ロ〔２・２・１〕ヘプト−２−エンのかわりに２
−メチル−３−メトキシカルボニル−ビシクロ
〔２・２・１〕ヘプト−２−エンを用いた以外は
実施例１と同様にして反応を行ない、２−メチレ
ン−３−メトキシカルボニル−３−（5′−アセト
キシ−4′−メチル−3′−ペンテニル）−ビシクロ
〔２・２・１〕ヘプタンを収率62％で得た。この
生成物について元素分析を行なつた結果、計算値
Ｃ：70.56 Ｈ：8.55 実測値 Ｃ：70.38 Ｈ：
8.41 実施例 ５ 〔2Z〕−１−アセトキシ−５−ブロモ−２−メ
チル−２−ペンテンのかわりに〔2Z〕−１−プロ
ピオニルオキシ−５−ブロモ−２−メチル−２−
ペンテンを用いて実施例１と同様の反応を行なつ
たところ、２−メチレン−３−エトキシカルボニ
ル−３−（5′−プロピオニルオキシ−4′−メチル
−3′−ペンテニル）−ビシクロ〔２・２・１〕ヘ
プタンを収率60％で得た。この生成物について元
素分析を行なつた結果は下記のとおりであつた。
元素分析：計算値 Ｃ：71.82、Ｈ：9.04
実測値 Ｃ：71.76、Ｈ：8.89
参考例 ３
(i)
−78℃まで測れる温度計、塩化カルシウム管を
つけてジムロートコンデンサーは水は流さない）
および滴下ロートをつけた30mlの三つ口フラスコ
にマグネチツクスターラーを取り付け、この反応
器に化合物（′）0.2ｇ（0.00063モル）と乾燥
トルエン６c.c.を入れ、ドライアイス−メタノール
浴で反応系内を−78℃にした。ついてジイソブチ
ルアルミニウムハイドライド（86−87゜／0.5mm
Hg）0.2ｇ（0.0014モル）とトルエン１c.c.からな
る溶液を完全に湿度から遮断したガスタイト注射
器でとり、反応系にゆつくりと10分間で滴下し
た。同温度（−78℃）のまま３時間撹拌したのち
室温にもどし、５％酢酸３c.c.を反応系に入れ、ま
ずトルエン層を分取した。水層をエーテル（10ml
×３回）で分液し、トルエン層とエーテル層を合
わせて飽和NaHCO3水溶液で洗浄し、有機層を焼
マグ（硫酸マグネシウム）で乾燥した。ついでエ
ーテル、トルエン等低沸点物を減圧で留去し、化
合物（′）を粗生成物収率86％で得た。この化
合物（′）は未精製のままでも次の反応にさし
つかえない。
つけてジムロートコンデンサーは水は流さない）
および滴下ロートをつけた30mlの三つ口フラスコ
にマグネチツクスターラーを取り付け、この反応
器に化合物（′）0.2ｇ（0.00063モル）と乾燥
トルエン６c.c.を入れ、ドライアイス−メタノール
浴で反応系内を−78℃にした。ついてジイソブチ
ルアルミニウムハイドライド（86−87゜／0.5mm
Hg）0.2ｇ（0.0014モル）とトルエン１c.c.からな
る溶液を完全に湿度から遮断したガスタイト注射
器でとり、反応系にゆつくりと10分間で滴下し
た。同温度（−78℃）のまま３時間撹拌したのち
室温にもどし、５％酢酸３c.c.を反応系に入れ、ま
ずトルエン層を分取した。水層をエーテル（10ml
×３回）で分液し、トルエン層とエーテル層を合
わせて飽和NaHCO3水溶液で洗浄し、有機層を焼
マグ（硫酸マグネシウム）で乾燥した。ついでエ
ーテル、トルエン等低沸点物を減圧で留去し、化
合物（′）を粗生成物収率86％で得た。この化
合物（′）は未精製のままでも次の反応にさし
つかえない。
化合物（′）の物性値
i.r.（neat）：1730、1360、1240、1090cm-1
n.m，r.（CCI4）δ：1.25（ｍ，4H）、1.60
（ｓ，3H）、1.70（ｍ，4H）、1.80（ｍ，
2H）、2.00（ｓ，3H）、2.53（ｓ，1H）、2.63
（ｓ，1H）、3.23（ｓ，1H）、3.83（ｓ，
2H）、4.43および4.55（2s，2H）、4.60（ｓ，
2H）、５，31（ｍ，1H）ppm (ii) 温度計、塩化カルシウム管をつけたジムロート
コンデンサーおよび滴下ロートをつけた30mlの三
つ口フラスコにマグネチツクスターラーを取りつ
け、この反応器に化合物（′）0.25ｇ（0.0011
モル）、乾燥ピリジン0.01ｇおよび乾燥ジエチル
エーテル10c.c.を入れた。反応系内を０℃にし（氷
−塩−水系浴を使用）、乾燥三臭化リン0.2ｇを滴
下した。同温度（０℃）で２時間撹拌したのち飽
和Na2CO3水溶液を入れエーテル分液した。エー
テル抽出部を飽和食塩水（５c.c.×２回）で洗い、
硫酸マグネシウムを加えて乾燥した。低沸点分を
減圧留去し、化合物（′）を粗生成物収率92％
で得た。これも後の反応には未精製のままで用い
てなんら支障がない。
（ｓ，3H）、1.70（ｍ，4H）、1.80（ｍ，
2H）、2.00（ｓ，3H）、2.53（ｓ，1H）、2.63
（ｓ，1H）、3.23（ｓ，1H）、3.83（ｓ，
2H）、4.43および4.55（2s，2H）、4.60（ｓ，
2H）、５，31（ｍ，1H）ppm (ii) 温度計、塩化カルシウム管をつけたジムロート
コンデンサーおよび滴下ロートをつけた30mlの三
つ口フラスコにマグネチツクスターラーを取りつ
け、この反応器に化合物（′）0.25ｇ（0.0011
モル）、乾燥ピリジン0.01ｇおよび乾燥ジエチル
エーテル10c.c.を入れた。反応系内を０℃にし（氷
−塩−水系浴を使用）、乾燥三臭化リン0.2ｇを滴
下した。同温度（０℃）で２時間撹拌したのち飽
和Na2CO3水溶液を入れエーテル分液した。エー
テル抽出部を飽和食塩水（５c.c.×２回）で洗い、
硫酸マグネシウムを加えて乾燥した。低沸点分を
減圧留去し、化合物（′）を粗生成物収率92％
で得た。これも後の反応には未精製のままで用い
てなんら支障がない。
化合物（′）の物性値
i.r.（neat）：1730、1230、1020cm-1
n.m，r.（CCl4）δ：1.25（ｍ，4H）、1.60
（ｓ，3H）、1.70（ｍ，4H）、1.80（ｍ，
2H）、2.00（ｓ，3H）、2.53（ｓ，1H）、2.63
（ｓ，1H）、4.05（ｓ，2H）、4.40（ｓ，
2H）、4.85および4.96（2s，2H）、5.32（ｍ，
1H）、ppm (iii) 化合物（′）→Ｂ−サンタロール 温度計、塩化カルシウム管をつけたジムロート
コンデンサーおよび滴下ロートをつけた30mlの三
つ口フラスコにマグネチツクスターラーを取りつ
け、この反応器にリチウムアルミニウムハイドラ
イドによつて十分に乾燥したテトラヒドロフラン
７c.c.とリチウムアルミニウムハイドライド0.03ｇ
（0.00079モル）を入れた。この反応系に化合物
（′）0.22ｇ（0.00067モル）と前と同様に処理
した乾燥テトラヒドロフラン12c.c.の混合物を滴下
した。その間、発熱をおさえるため反応器を水浴
にひたしておいた。系内温度22℃で３時間反応さ
せたのち、５％HCl水溶液（２c.c.）をゆつくり滴
下し、塩析し、エーテル抽出した（10ml×５
回）。エーテル層を飽和食塩水で洗浄し、ほぼ中
性にし、硫酸マグネシウムを入れて乾燥した。低
沸点分を減圧留去し、カラムクロマトグラフイー
によりヘキサン：クロロホルム＝１：１混合溶媒
で望むべきβ−サンタロールを得た。反応器に入
れた化合物（′）に対するβ−サンタロールの
収率は39％であつた。しかし、最初にカラムより
得られるものは未反応原料化合物（′）であ
り、これを差し引くと、反応した化合物（′）
に対してはほぼ定量的にβ−サンタロールが得ら
れた。なおこのβ−サンタロールの物性値は文献
値に完全に一致した。
（ｓ，3H）、1.70（ｍ，4H）、1.80（ｍ，
2H）、2.00（ｓ，3H）、2.53（ｓ，1H）、2.63
（ｓ，1H）、4.05（ｓ，2H）、4.40（ｓ，
2H）、4.85および4.96（2s，2H）、5.32（ｍ，
1H）、ppm (iii) 化合物（′）→Ｂ−サンタロール 温度計、塩化カルシウム管をつけたジムロート
コンデンサーおよび滴下ロートをつけた30mlの三
つ口フラスコにマグネチツクスターラーを取りつ
け、この反応器にリチウムアルミニウムハイドラ
イドによつて十分に乾燥したテトラヒドロフラン
７c.c.とリチウムアルミニウムハイドライド0.03ｇ
（0.00079モル）を入れた。この反応系に化合物
（′）0.22ｇ（0.00067モル）と前と同様に処理
した乾燥テトラヒドロフラン12c.c.の混合物を滴下
した。その間、発熱をおさえるため反応器を水浴
にひたしておいた。系内温度22℃で３時間反応さ
せたのち、５％HCl水溶液（２c.c.）をゆつくり滴
下し、塩析し、エーテル抽出した（10ml×５
回）。エーテル層を飽和食塩水で洗浄し、ほぼ中
性にし、硫酸マグネシウムを入れて乾燥した。低
沸点分を減圧留去し、カラムクロマトグラフイー
によりヘキサン：クロロホルム＝１：１混合溶媒
で望むべきβ−サンタロールを得た。反応器に入
れた化合物（′）に対するβ−サンタロールの
収率は39％であつた。しかし、最初にカラムより
得られるものは未反応原料化合物（′）であ
り、これを差し引くと、反応した化合物（′）
に対してはほぼ定量的にβ−サンタロールが得ら
れた。なおこのβ−サンタロールの物性値は文献
値に完全に一致した。
i.r.：3350、1660cm-1
n.m，r.（CCl4）δ：1.05（ｓ，3H）、1.25
（ｍ，4H）、1.63（ｓ，3H）、1.70（ｍ，
4H）、1.80（ｍ，2H）、1.93（ｓ，1H）、2.50
（ｓ，1H）、2.60（ｓ，1H）、4.06（ｓ，
2H）、4.40および4.60（2s，2H）、5.26（ｍ，
1H）、ppm。
（ｍ，4H）、1.63（ｓ，3H）、1.70（ｍ，
4H）、1.80（ｍ，2H）、1.93（ｓ，1H）、2.50
（ｓ，1H）、2.60（ｓ，1H）、4.06（ｓ，
2H）、4.40および4.60（2s，2H）、5.26（ｍ，
1H）、ppm。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式（） （式中R1はアルキルカルボニル基を表わし、
R2は低級アルキル基を表わす）で示されるビシ
クロ〔２・２・１〕ヘプタン誘導体。 ２ 一般式（） （式中R2は低級アルキル基を表わす）で示さ
れる２−メチル−３−アルコキシカルボニル−ビ
シクロ〔２・２・１〕ヘプト−２−エンをアニオ
ン化剤の存在下に一般式（） （式中Ｘは臭素または塩素原子を表わし、R1
はアルキルカルボニル基を表わす）で示される
〔2Z〕−１−アルキルカルボニルオキシ−５−ハ
ロ−２−メチル−２−ペンテンと反応させること
を特徴とする一般式（） （式中R1およびR2は上記の意味を有する）で
示されるビシクロ〔２・２・１〕ヘプタン誘導体
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11955480A JPS5742659A (en) | 1980-08-28 | 1980-08-28 | Bicyclo 2 2 1 heptane derivative and its preparation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11955480A JPS5742659A (en) | 1980-08-28 | 1980-08-28 | Bicyclo 2 2 1 heptane derivative and its preparation |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5742659A JPS5742659A (en) | 1982-03-10 |
| JPS6261016B2 true JPS6261016B2 (ja) | 1987-12-18 |
Family
ID=14764180
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11955480A Granted JPS5742659A (en) | 1980-08-28 | 1980-08-28 | Bicyclo 2 2 1 heptane derivative and its preparation |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5742659A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ES2401986T3 (es) * | 2008-05-20 | 2013-04-26 | Firmenich Sa | Intermedios de preparación de beta-santalol y derivados del mismo |
| EP3227255B1 (en) * | 2014-12-02 | 2018-11-07 | Firmenich SA | Intermediates and process for the preparation of sandalwood oil building blocks |
-
1980
- 1980-08-28 JP JP11955480A patent/JPS5742659A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5742659A (en) | 1982-03-10 |
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