JPS6261985A - カルバペネム化合物およびその製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔目的〕 本発明は、４＆几た抗菌作用を有するｍｌなペネム化合
物、カルバペネム化合物およびそ几らの薬理上許容さｎ
る塩ならびにそ几らの製法に関する。

従来、最も強力な抗―剤の１つでめるチェナマイシン等
が公知であるが（特開昭５１−７３１９１５公報）、本
発明者らは、長年に亘りペネムおよびカルバペネム誘導
体の合成とその系理活注について研究を行ったところ、
２泣にチェナマイシン等とは異なる特異なＭ％基である
ＩＨ−５゜ａ、　７．７　ａ−テトラヒドロピｃｘ　ｏ
　（１，２−Ｃ）イミダゾール−６−イルチオ基を導入
したベネムおよびカルバペネム化合物か、広範囲の抗菌
スペクトルを有しかつ強力な抗阿活！ｌ：ヲ有すること
を見い出し５本発明を完成した。

〔構成〕

本発明の新規なベネムおよびカルバペネム化合物ならび
にその薬理上許容さ几る塩は。

一般式 （式中、Ｒ１は水素原子または水酸基の保珈基を示し、
Ｒ２は水素原子またはカルボキシル基の保護基を示し、
Ｒ５は水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニ
ル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロシクリル
基、ヘテロアリール基またはアラルキル基を示し、水素
原子を除＜　Ｒ３の上記各基はｔＩｔ換分乞有していて
もよい。

Ｘは硫黄原子゛または置換さルていてもよいメチレン基
な示す。）を廟する。

上記一般式（１）　Ｖｃおいて、Ｒ１の′ｌ）：我にお
ける「水酸基の保護基」としては、例えば、トリメチル
シリル、トリエチルシリル、インゾロビルジメチルシリ
ル、ｔθｒｔ−ブチルジメチルシリル、メチルジイソプ
ロピルシリル、メチルジ−ｔ−シボニル、ｐ−メトキシ
ベンジルオキシカルボニル、３．４−ジメトキシベンジ
ルオキシカルボニル、０−ニトロベンジルオキシカルボ
ニル。

ｐ−ニトロベンジルオキシカルボニル　＝コαた゛　　
　　　　　　　のようなアラルキルオキシカルボニル基
；ホルミル、アセチル、クロロアセチル、ジクロロアセ
チル、トリクロロアセチル、トリフルオロアセチル、メ
トキシアセチル％１０ピオニル、ｎ−ブチリル、インブ
チリルのようなりｍ脂肪族アシル基またはメトキシカル
ボニル、エトキシカルボニル、２，２．２−トリクロロ
エトキシカルボニル、インブトキシカルボニル、ビニル
オキシカルボニル、アリルオキシカルボニル、シンナミ
ルオキ７カルボニル、ｐ−ニトロフェノキシカルボニル
のようなオキシカルボニル基；ピバロイルオキシメチル
オキシカルボニルのような生体内で加水分解さ几やすい
水酸基の置換基を挙げることができるが、好適にはトリ
メチルシリル、ｔ−ブチルジメチルシリルのようなトリ
低級アルキルシリル基；ｐ−ニトロベンジルオキシカル
ボニルのようなアラルキルオキシカルボニル基およびピ
バロイルオキシメチルオキシカルボニルのような生体内
で加水分解さｎやすい水酸基の保護基である。

Ｒ２の定義における「カルボキシル基の置換基」として
は、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソゾロビル
、ブチル、イソブチル、ｔａｒｔ−ブチルのような直頼
状もしくは分枝鎖状の低級アルキル基；２−ヨードエチ
ル、２−クロロエチル、２−７’ロモエチル、Ｚ２−シ
：ｙ’ロモエチル、　２．２．２−１−リクロロエチル
のようなハロケノ低級アルキル基；ベンジル、ｐ−ニト
ロベンジル、Ｏ−ニトロベンジル、トＩ７７ユニルメチ
ル、ジフェニルメチル、ビス（０−ニトロフェニル）メ
チル、９−アンスリルメチル、２、４．８−トリメチル
ベンジル、ｐ−ブロモベンジル、ｐ−メトキシベンジル
、ビペロニルノヨうなアラルキル基；アセトキシメチル
、プロピオニルオキシメチル、ブチリルオキシメチル、
インブチリルオキシメチル、ピパロイルオキシメチルの
ような脂肪族アシルオキシメチル基、１−メトキシ力ル
ポニルオ中ジエチル、１−エトキシカルボニルオキシエ
チル、１−プロポキシカルボニルオキシエチル、１−イ
ンゾロボキシカルボニルオキシエチル、１−ブトキシカ
ル−ボニルオキシエチル、】−インブトキシカルボニル
オキシエチルのような１−低級アルコキシカルボニルオ
キシエチル基、フタリジル丞。

（２−オキソ−５−メチル−１，３−ジオキルン−４−
イル）メチル基のような生体内で加水分解さｎや丁いカ
ルボキシルさの保禮基肝：メトキシメチル、メチルチオ
メチル、ｎ−プロポキシメチル、イソプロポキシメチル
、ｎ−ブトキシメチル、インブトキシメチル、メトキシ
エトキシメチル、ベンジルオキシメチル、フェナシル、
　　ｌ）　−７’ロモフエナシル、α−メチルフェナシ
ル、ｐ−メトキシフェナシル、ジアシルメチル、Ｎ−フ
タルイミドメチルのような置換さルたメチル基およびベ
ンズヒドリル基を革げることができるが、好適には生体
内で加水分解さ几やすいカルボキシル基の保膿基群であ
る。

Ｒ５の定義において、「アルキル基」とは。

例えばメチル、エチル、プロピル、インプロピル、ブチ
ル、インブチル、Ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、
ヘキシルのような低級アルキル基であり、好適にはＣ１
〜４アルキル基を示し「アルケニル基］とは、例えはビ
ニル、アリル、メタアリル、２−ブテニル、３−ブテニ
ル、２−ペンテニルのような０２　％　５アルケニル基
であり、「アルキニル基」とは、例えばエチニル。

ゾロバルギル、２−ブチニル、３−ブチニル、２−ペン
チニルのようなＣ２〜５アルキニル基であり、「シクロ
アルキル基」とは、例えばシクロプロピル、シクロブチ
ル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル
のよりすＣｓ〜７シクロアルキル基で、りり、ｒアリー
ル基」とは、例えばフェニル、ナフチルのよう１アリー
ル基であり、「ヘテロシクリル基」とは、例えばテトラ
ヒドロフリル、テトラヒドロチェニル、テトラヒドロピ
ラニルのような脂肪族′：０．素環基で必り、「ヘテロ
アリール基」とは、例えばピリジル、チェニル、フリル
、チアゾリル、オキサシリル、インオキサシリル、ジア
ゾリル。

トリアゾリル、テトラゾリル、チアジアゾリルのような
芳査複素璋基であり、「アラルキル基」とは、例えはベ
ンジル、フェネチル、フェニルプロピル、ナフチルメチ
ル、す７チルエチルのような０７〜１２アラルキル基を
示し、上記Ｒ５の各基は置換基を有してもよく、そのよ
うなｉｔ換分としては、例えばメトキシ、エトキシ、プ
ロポキシ、インプロポキシ、ブトキシ、インブトキシ、
Ｓ−ブトキシ、ｔ−ブトキシのようなＣ１〜４アルコキ
シ基；シアノ基；弗素、塩素、臭素、沃素のようなハロ
ゲン原子；メチルチオ、エチルチオ、プロピルチオ、イ
ソプロピルチオ、ブチルチオ、イソブチルチオ、８−ブ
チルチオ、を−ブチルチオのような０１〜４アルキルチ
オ基；カルバモイル基；Ｎ−メチルカルバモイル１．Ｎ
。

Ｎ−ジメチルカルバモイル、Ｎ−エチルカルバモイル、
Ｎ、Ｎ−ジエチルカルバモイルのようなモノもしくはジ
置換アルキルカルバモイル基；またはメトキシカルボニ
ル、エトキシカルボニル、ｎ−プロポキシカルボニル、
インプロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル、イン
ブトキシカルボニル、８−ブトキシカルボニル、ｔ−ブ
トキシカルボニルのような０１〜４アルコキシカルボニ
ル基を挙げることができる。さらに上Ｍａ　Ｒ５１ｃお
いて、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール
基まｔはアラルキル基のような環状基の場合は、＊換分
として「アルキル基」を有することもできる。

Ｒ３基として好適には、水素原子；Ｃ１〜４アルキル基
；Ｃ３〜７シクロアルキル基：メトキシメチル、エトキ
シメチル、ｎ−プロポキシメチル、インプロポキシメチ
ル、１−メトキシエチル、２−メトキシエチルのような
０１〜４アルコキシ＠’ｆｌｃ＋〜４アルキル基；シア
ノメチル、１−シアノエチル、２−シアノエチル、２−
シアノプロピル、３−シアノプロピル、１−メチル−２
−シアノエチルのようなシアノｔＩｔ換Ｃ１〜４アルキ
ル基弓メトキシカルボニルメチル、エトキシカルボニル
メチル％　２−メトキシカルボニルエチル％２−エトキ
シカルボニルプロビルのような０１〜４アルコキシカル
ボニルｔｓｔ換ｃ＋〜４アルキル基；メチルチオメチル
、エチルチオメチル、メチルチオエチルのような０１〜
４アルキルチオｆｔ換ｃ１−４アルキル基；カルバモイ
ルメチル、カルバモイルエチルのようなカルバモイル置
換Ｃ１，４アルキル基または２−フルオロエチル、２−
フルオロプロピル、３−フルオロプロピル、１−メチル
−２−フルオロエチル、フルオロメチル、ジフルオロメ
チル、トリフルオロメチル、クロロメチル、２−クロロ
エチル、トリクロロメチル、２．２．２−１リフルオロ
エチルのようなハロゲン置換０１〜４アルキル基であり
、さらに好ｉＫは水素原子；Ｃ１〜４アルキル基；（＋
〜４アルコキシメチル基；シアノメチルＭ；Ｃ＋〜４ア
ルコキシカルボニルメチル基；Ｃ１〜４アルキルチオメ
チル基；カルバモイルメチル基またはハロゲン化メチル
基である。

Ｘの足戎における「ｆ供さ几ていてもよいメチレン基」
としては、例えばメチレン基；β−メチルメチレン、ジ
メチルメチレン、β−エチルメチレン、ジエチルメチレ
ンのようなβ−モノもしくはジアルキルｋｆｉメチレン
基；メトキシメチレン、エトキンメチレン、ゾロボキシ
メチレンのようなモノ０１〜４アルコキシＩｔ侯メチレ
ン基；７０ロメチレン、クロロメチレンのようなモノハ
ロゲン化メチレン基；メチルチオメチレン、エチルチオ
メチレン、プロピルチオメチレンのようなモノ０１〜４
アルキルチオ置換メチレン基；フェニルチオメチレン、
ナフチルチオメチレンのようなモノアリールチオ置換メ
チレン基；シアノメチレン基またはメトキシカルボニル
メチレン、エトキシカルボニルメチレンのようなモノＣ
１〜４アルコキシカルボニル置換メチレン基を挙げるこ
とができ、好適にはメチレン基、β−モノもしくはジア
ルキル置換メチレン基、モノアルコキシ置換メチレン、
モノハロゲン化メチレン基またはモノアルコキシカルボ
ニル置換メチレン基であり、さらに好適にはメチレン基
、β−モノアルキルメチレン基、アルコキシメチレン基
である。

また、化合物（１）において、Ｒ２が水素原子であるカ
ルボン酸化合物は必要に応じて桑理上許谷さｎる塩の形
にすることかできる。そのような塩としては、リチウム
、ナトリウム、カリウム、カルシウム、マグネシウムの
ような無機金属の塩、リジン、アルギニンのような塩基
性アミノ酸の塩メるいはアンモニウム、シクロヘキシル
アンモニウム、ジイソプロピルアンモニウム、トリエチ
ルアンモニウムのようなアンモニウム塩類をあげること
かできるが、好適にはナトリラム塩およびカリウム塩で
ある。

さらＫ　、　Ｒ２がカルボキシル基の保護基で６るカル
ボン酸エステル化合物は必要に応じて改付加塩の形にす
ることができる。そのような塩としては塩酸、臭化水素
酸のような鉱酸の塩あるいはシュウ酸、酒石ｔＲ％クエ
ン戚のような有機酸の塩？：あげることができるが、好
４ｖｃは＠酸塩である。なお、上記の本発明の化合物（
１）およびその薬理上許容さルる塩は、必要に応じて水
和物の形にすることもできる。

本発明化合物（１）は、不蒼炭素原子に基く立体異性体
が存在するが、その各々、あるいはそｎらの混合体のい
ずｎも本発明に包含さルる。

また化合物（１）　ＶＣおいて、好適には。

＋１１　　Ｒ１が水素原子である化合物＋２１　　Ｒ２
が水素原子ｌたは生体内で加水分解さｎやすいカルボキ
シル基の保護基である化合物 （３１Ｒ３が水素原子、　Ｃ１〜４アルキル基％０１〜
４アルコキシメチル基、シアンメチル基、０４〜４アル
コキシカルボニルメチル基、　Ｃ１〜４アルキルチオメ
チル基、カルバモイルメチル基またはハロゲン化メチル
基である化合物 （４）ｘが硫黄原子、メチレン基、β−モノアルキルメ
チレン基またはアルコキシメチレン基である化合物 （５１（５八ＳＳ）配位または（５Ｒ，６Ｒ）配位な有
する化合物 （６）６位１を俟基上の水酸基の配位かＲ配位である化
合物 （７）　Ｒ１が水素原子、　Ｒ２か水素原子または生体
内で加水分解さｎやすいカルボキシル基の保護基であり
、Ｒ５か水素原子、　Ｃ１〜４アルキル基、ＣＩ−、，
４アルコキシメチル基、シアノメチルＭ　、’　Ｃ＋　
、ｖ４アルコキシカルボニルメチル基。

Ｃ１〜４アルキルチオメチル基、カルバモイルメチル基
またはハロゲン化メチル基であり、Ｘが硫黄原子、メチ
レン基、β−モノアルキルメチレン基またはアルコキシ
メチレン基であり、（５八ＳＳ）配位または（５八６Ｒ
）配位な有し、６位の置換基上の水酸基の配位がＲ配位
である化合物を挙げることができる。

本発明の一般式（１）を有する化合物の具体例としては
、例えば （１）　　次の第１表に記載する化合物（２）第１表に
記載さｎた化合物の３位カルボキシル基がピバロイルオ
キシメチル基または（２−オキソ−５−メチル−１，３
−ジオキソレン−４−イル）メチル基で保護さｎた化合
物 （３）　　第１ｉｖｃ記載さｎた化合物の６位ヒドロキ
シエチル基の水ＭＭがピバロイルオキシメチルオキシカ
ルボニル基で保護さ几た化合物（４）第１表に記載さル
た化合物の３位カルボキシル基がピバロイルオキシメチ
ル基または（２−オキソ−５−メチル−１，３−ジオキ
ソレン−４−イル）メチル基で、および６位とドロキシ
エチル基の水ば基かピバロイルオキシメチルオキシカル
ボニル基で保護さｎた化合物 を挙げることができるが、本発明はこルらの化合物に限
定さｎるものではない。

第１　　。□ なお、上記レリ示化合物はＭｙ記のように立体異性体が
存在するが、好適なものとしては、（５八ＢＢ）配位お
よび（５Ｒ，６Ｒ）配位な有する化合物。

および６位益換基上の水酸基の配位がＲ配位でりる化合
物が亭げらルる。

さらに好適な化合物としては、上記例示化合物のうち、
化合物番号１，２，３，４，５，９゜１０．１１，１２
．＋４．１５，１６，１７゜１８．２０，２４，２５，
２７，２８，２９゜３Ｇ、３１，３２，３３，３９，５
２．およびの化合物である。

本発明のｗｒ規なペネムおよびカルバペネム化合物（１
ンは、以下に記載する方法によって製造することができ
る。

Ａ法 （ＩＶ） 上記式中、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ５およびＸは前記と１６］意
裟を示し、Ｒ′２はＲ２の足載における「カルボキシル
基の保験基」と同意′ｇを示し、Ｒ４は水素原ル基、ニ
トロメチル基、アジドメチル基またはニトリル基を示し
、Ｒ６はアルキル基を示す。

Ｒ４およびＲ５の足ｉＫおける「アミノ基の保Ｑ基」と
しては、特に限定はなく一般にβ−ラクタムの分野にお
いてアミノ基の保岐基として使用さｎている基を用いる
ことができ、好適には、例えばホルミル、アセチル、ク
ロロアセチル、ゾロビオニル、ベンゾイルの↓うなアシ
ル基またはｔ−ブチルオキシカルボニル、　２．２．２
−トリブロムエチルオキシカルボニル、２−トリメチル
シリルエチルオキシカルボニル　ベンジルオキシカルボ
ニル、ｐ−ニトロベンジルオキシカルボニル％　０−ニ
トロペンシルオキ７カルボニルのようなアルコキシカル
ボニル基である。

上記各工程における反応試薬および反応条件を以下に述
べる。

第１工程は、化合物（ｎ）のアミノ基の保￥１１基を除
去および／または、ニトリル基、アジド基もしくはニト
ロ基？：還元した後、得らｎたジアミノ化合物をイミノ
エーテル化合物（２）と反応させて化合物ＧＶ）　′ｆ
ｔ製造する工程である。

アミノ基の保護基の除去反応は常法に従って実施するこ
とができるか１例えば保議基がベンジルオキシカルボニ
ル、ｐ−ニトロベンジルオキシカルボニルまたはＱ−ニ
トロベンジルオキシカルボニルのようなアラルキルオキ
シカルボニル基でるる場合には、白道もしくはパラジウ
ム−炭素のような触媒を使用して常温で、炭触還元を行
い、除去する方法が好適でめり、同時に水酸基の保護基
Ｒ１および／またはカルボキシルの保護基Ｒ／２が除去
さ几ることもある。

ニトリル基、アジド基もしくはニド四基の還元は、アミ
ン基の保護基の除去と同僚の反応条件、例えばパラジウ
ム−炭素、白金、ニッケルのような金属触媒を使用して
常温で接触還元上行うことにより、アミン基もしくはア
ミノメチル基へと変換さｎる。

ここで得らｎた化合物を単離することなくイミノエーテ
ル化合物（２）と反応させるが１反応に使用さルる水注
浴媒としては特に限定はなく、好適にはＰＨ８付近に保
たｎた１ノン酸緩備徹が用いらｎる。反応温度は通常−
１０℃乃至５０℃にて実施さ几るが、好適には０℃乃至
室温で行わル、反応時間は通常１０分乃至２時間である
。

反応終了礫、化合物峙）は常法に従って反応混合物から
単離することができる。例えば、再結晶、分取用薄層ク
ロマトグラフィー、カラムクロマトグラフィー等により
梢失して、純品？：得ることができる。

第２工程は、所望の工程であり、化合物ＧＶ）のカルボ
キシル基の保護基Ｒ′２または／および水酸基の保護基
Ｒ１？：除去し、さらに所望によりカルボキシル基を生
体内で加水分解さ几やすいカルボキシル基の保賎基で再
び保護するかまたは／および水酸基を生体内で加水分解
さ１やすい水酸基の保護基で再び保護することにより、
本発明化合物（１）を製造する工程である。

保護基の除去はその種類によって異なるか。

一般にこの分野の技術において周知の方法によって以下
の様に夾−さｎる。

水酸基の保護基Ｒ１がｔ−ブチルジメチルシリルのよう
なトリ低級アルキルシリル基である場合は、保峡基の除
去は、弗化テトラブチルアンモニウムのような弗累アニ
オンを生成する化合物で処理することにより実施するこ
とができる。使用さする浴剤としては特に限定はないが
テトラヒドロフラン、ジオキサンのようなエーテル類が
好適である。反応は好適には、室温付近において１０乃
至１８＃間処理することによって行わｎる。

また、水酸基の保護基Ｒ１がベンジルオキシカルボニル
、ｐ−ニトロベンジルオキシカルボニル、Ｏ−ニトロベ
ンジルオキシカルボニルのようなアラルキルオキシカル
ボニル基である場合には、還元剤と接触させることによ
り除去することができる。例えば、パラジウム−炭素、
白金のよ）な触媒を用いて常温にて接触還元を行うか、
または硫化ナトリウム、硫化カリウムのようなアルカリ
金属硫化物を使用して実施さｎる。反応は溶剤の存在下
で行わｎ、使用さ几る浴剤としては本反応に関与しない
ものであ几ば特に限定はないが、メタノール、エタノー
ルのようなアルコール類、テトラヒドロフラン、ジオキ
サンのようなエーテル類または酢酸のような脂肪酸およ
びこれらの有機溶剤と水との混合溶剤が好適でおる。反
応温度は通常、０℃乃至室温付近であり、反応時間は原
料化合物および還元剤の種類によって異なるが５通常は
５分乃至１２時間である。

さらに水酸基の保護基Ｒ１が、アセ七ルのような低級脂
肪族アシル基である場合には、水性加水分解反応に使用
さルるものでお１ば特に限定はなく、水あるいは水とメ
タノール、エタノール、ｎ−ゾロバノールのようなアル
コール類もしくはテトラヒドロフラン、ジオキサンのよ
うなエーテル類のような有機溶媒との混合溶媒が好適で
ある。塩基としては、化合物の他の部分、特にβ−ラク
タム環に影！＃−乞与えないものでめ１ば特に限定はな
いが、好適には炭酸ナトリウム、炭酸カリウムのような
アルカリ貧属炭臥塩を用いて実施さｎる。反応温度は特
に限定はないが％副反応を抑制するために０℃乃至室温
付近が好適でおる。反応時間は原料化合物のａ類および
反応温度などにより異なるが％通常１乃至６時間である
。

なお、上記の様な水酸基の保護基Ｒ１を除去する操作に
よって、カルボキシル基の保−基均が同時に除去さｎる
こともある。

反応終了後、目的化合物は常法に従って反応混合物から
単離することができる。例えば、再結晶５分取用薄層ク
ロマトグラフィー、カラムクロマトグラフィー等により
種類して、純品を得ることができる。

次いで、所望により、上記の操作によって得ら几た化合
物のカルボキシル基の保護基Ｒ’２　’ｒ−除去するこ
とができる。

カルボキシル基の保護基Ｒ／２がｍｓ状もしくは分枝鎖
状のアルキル基である場合には、上記Ｒ１基が吐歎脂肪
族アシル基である場合に記載した除去反応と同様の方法
により脱離することかできる。

Ｒ／２　　基が、２．２−ジブロモエチル、２．２．２
−トリクロロエチルのようなハロゲノ低級アルキル基、
ベンジル、ｐ−ニトロベンジルの！５なアラルキル基ま
たはベンズヒドリル基である場合には、還元剤と接触さ
せることにより除去することができる。

Ｒ元剤としては、カルボキシル基の保護基Ｒ／２がハロ
ゲノ低級アルキル基である場合には、亜鉛−酢酸が好適
であ！ｌ１％アラルキル基ま之はベンズヒドリル基であ
る場合には、パラジウム−炭素、白金のような触媒を用
い接触還元を行うか、または硫化カリウム、硫化ナトリ
ウムのようなアルカリ金属硫化物を用いて冥加さ几る。

反応榮件は、前述のＲ１がアルコキシカルボニル基であ
る場合において記載した除去反応の条件と同様である。

反応終了後、化合物（１）は常法に従って反応混合物か
ら採取さｎる。例えば反応混合物より析出した不浴物を
１云して後、有機俗剤層を水洗、乾燥し、溶媒を留去し
１例えば再結晶１分取用薄層クロマトグラフィー、カラ
ムクロマトグラフィー等により種類して、純品を得るこ
とかできる。

さらに所望により、水酸基または／およびカルボキシル
基を生体内で加水分解さ几や丁い保護基で再び保護する
ことができる。

この反応は、一般にこの分野の技術において周知の方法
によって実施さｎる。

例えば、アセトキシメチルクロリド、プロピオニルオキ
シメチルプロミド、ピバロイルオキシメチルクロリドの
ような脂肪族アシルオキシメチルハライド類、１−メト
キシカルボニルオキシエチルクロリド、１−エトキシ力
ルポニルオキシエチルイオダイドのような低級アルキル
オキシカルボニルオキシエチルハライド駒、フタリジル
ハライド類または（２−オキソ−５−メチル−１，３−
ジオキソレン−４−イルコメチルハライド類をＯＣ乃至
５００で反応させることにより、生体内で加水分解さｔ
しやすいカルボキシル基の保護基で保護さｆ′したエス
テル体を製造することができる。反応溶媒は反応を阻害
するものでなけｎは特に限定はないが、好適にはジメチ
ルホルムアミドのような極！［媒Ｙｆ用する。反応温度
および反応時ＩＭ４は出発物質、鹸媒および反応試薬の
種類によって異なるが、通常Ω℃から１００℃の範囲で
％（Ｌ５〜１０時間反応させる。

本発明の方法を実施するに当って原料化合物として用い
た前記一般式（ｆｆ）　ｆｔ有する化合物は新規な化合
物であり１例えば以下の方法により公知化合物（至）、
　　（ＸＩＶ）、　　（ＸＩ［）または（Ｘｌｌｌ’）
から製造さｎる。

Ｂ法 帽　　　　　　　　（２） ｃｏｏｎ’２ Ｃ法 ＲＲＣＨＣＯＹＲ，。

（ＸＸＩＩ） （ＸＶＩ） （ＸＶｌ［） （ＸＶＩＩ） Ｒ／４ （ＸＩＸ）　　　　　　。い） （ＸＸ） 上記式中、Ｒ１、Ｒ’２　、　Ｒ４およびＲ５は前記と
１ｉｆｆｌ慧義で必り、Ｒ′４は、アミノ基の保護基を
示し。

Ｒ／ｓ　　は、アミン基か゛保護基で保賎さルたアミノ
メチル基、ニトロメチル基、アジドメチル基またはニト
リル基を示し、Ｒ７は、水素原子または０１〜４アルキ
ル基を示し、Ｒ８は水素原子；Ｃ＋−＋アルキル基；Ｃ
１〜４アルコキシ基；ハロゲン原子；Ｃ１〜４アルキル
チオ基；アリールチオ基ま友ハＣ１〜４アルコキシカル
ボニル基を示すが、Ｒ８がアルキル基以外の基を示す場
合にはＲ７は水素原子でろるｏＲ９１エメタンスルホニ
ルのようなアルカンスルホニル基；ベンゼンスルホニル
、ｐ−トルエンスルホニルのよウナ了り−ルスルホニル
：４、ジメチルホスホリルのようなジアルキルホスホリ
ル基ま九はジフェニルホスホリルのようなジアリールホ
スホリル基を示し、　　ＲＩＯおよびＲ’ＴＯは同一ま
たは異なって、トリメチルシリルのようなトリ低級アル
キルシリル基を示し、Ｙは硫黄原子ｔたはは素原子を示
し、Ｒ１１は、低級アルキル基、アリール基またはアラ
ルキル基を示し、Ｒ１２は有惚基を示す。

ｌムは、本発明の一般式（ＩＩ）において、Ｘが信黄原
子である化合物（■りの合成法でろり、Ｃ法は本発明の
一般式（ＩＩ）　Ｖｃおいて、Ｘかに換さｎていてもよ
いメチレン基である化合物（■つの合成法である。

以下に上記各工程ｅコついて説明する。

第３工程は、常ｆ：に従い、メルカプタン化合物（ＶＤ
をメタノール中当筺のカトリウムメトキシドと一り０℃
〜ＩＯＣで５分〜１時１ａＪ処理した後、二硫化炭素を
一２０Ｃ〜１０℃で１０分〜１時間反応させ、次いで化
合物（至）と−２０Ｃ〜冨温で３０分乃至１２時間反応
させることにより、化合物（Ｖｌｌｌ　？：Ｊ造する工
程である。

第４工程は、常法に従い、化合物（ν」ｔアルデヒド化
合物（Ｖ−と５０ｃ〜１１０℃で、２〜１０時間反応さ
せて化合物（ｎ）２得る工程である。

反応は通常、ベンゼン、トルエンのような芳香族炭化水
素類またはクロロホルムのようなハロゲン化炭化水素類
の溶媒存在下に実施さｆる。

第５工根は、化合物■に塩譲存在下、チオニルクロリド
、チオニルプロミドのようなチオニルクロリド？ニー２
０’Ｃ〜１０℃で１５分〜１時間作用した後、トリフェ
ニルホスフインヲ６０℃〜１１０℃で５〜４０時間反応
させることにより、化合物（資）を得る工程である。反
応は通常ベンゼン、トルエン、キシレンのよウナ芳香族
炭化水素類溶媒存在下、常法に従い実施さ几る。

第８工程は、化合物（ｘ）を常法に従って８０℃〜１４
Ｑ’Ｑで、５〜６０時間加熱閉環することによフ、化合
物（至）を製造する工程であフ、ウイテイヒ反応の条件
下、ベンゼン、トルエン、キシレンのような芳香族炭化
水素類の溶媒を使用して実施さする。

第７−１工程は、化合物（ＸＩ［［）　Ｋ　ト＋）フェ
ニルホスフィンおよびアゾジカルボン酸ジエチルエステ
ルの存在下、化合物（４）￥０℃〜２５℃で１０分〜３
時間反応させることにより、常法に従い化合物（至）ｆ
ｊ！：製造する工程であり５反応はテトラヒドロフラン
、ジエチルエーテルのようなエーテル類またはベンゼン
の；りな芳香族炭化水素類の溶媒存在下、実施さｎる。

と化合物ｃｌ１１とを、テトラヒドロフラン、ジエチル
エーテルのようなエーテル類またはメチレンクロリド、
クロロホルムのようなハロゲン化炭化水素類中で、一般
にチオール基を塩にできるような塩基、好適にはトリエ
チルアミンのような有機塩基またはナトリウムヒドリド
、水酸化す）　ＩＪウムのような金属塩基の存在下に０
℃乃至５０℃で反応させることにより、化合物（ＸＤ乞
製造する工程である。Ｒ＋２は有機基であｆ′Ｌ、ｄよ
いが、好適には低級アルキル基を示す化合物が使用さル
る。

第８工程は、所望の工程であり、化合物（至）のＲ’４
’ｔ　′ｉｃ！ｊ、　／およびＲ’５　Ｖｃおけるアミ
ノ基の保峡基を除去し、化合物（■′）を製造する工程
である。

反応条件は第１工ｉにおいて記載し九条件と同様である
。

第８工程は、化合物（ＸＩＶ）をシリルエノールエステ
ルまたはシリルエノールチオエステル化合物（ＸＸＩ）
と、ルイス酸、好適にはトリメチルシリルトリ７レート
のよ５なトリ低級アル牛ルシリルトリフルオロメタンス
ルホネートの融媒量存在下に、通常低温で、好適には水
冷下乃至室温にて、４乃至４８時間反応させ、さらにカ
ルボキシル基の保護基を第２工程の記載と同様にして別
水分解することにより除去し、化合物（ＸＶ　）を製造
する工程である。

また、化合物（ＸＸＩ）の代りに化合物（ＸＸｕ　）を
用い、公知の方法により、実施することによっても、化
合物（ＸＶ）Ｙ得ることができる。

なお、所望により、カルボキシル基またはカルボニルチ
オ基の保護！！：ヲ除云除去＊に、Ｒ７とＲ８の置換し
ている不斉炭素原子に蕪づ（２ｍのジアステレオマーを
カラムクロマトグラフィー等により各々の１４注体に分
離し１例えばβ−モノアルキル体のみを得ることができ
る。

第１０工程は、化合物（ＸＶ　）を１．１′−カルボニ
ルジイミダゾール等と例えばテトラヒドロフラン、ジメ
トキシエタンのよフなエーテル類またはアセトニトリル
のような極注溶媒中、ｏ℃乃至７０ｃの温度で反応させ
１次いで１．１乃至３．０当ｆｉｔ　１７）　＜Ｒ’２
０２Ｏ２ＣＣＨ２Ｃ０２）２馨）ＪＱ　エα℃乃至７０
℃の温度で、１乃至４８時間反応させて化合物（ＸＶＩ
　）を製造する工程である。

第１１工程は、化合物（Ｘｖｌ）を、例えばアセトニト
リルのようなシアノ化炭化水素類、メチレンクロリドの
ようなハロゲン化炭化水素類またはテトラヒドロフラン
のようなエーテル類中で、ｐ−カルボキシベンゼンスル
ホニルアジド。

ｐ−トルエンスルホニルア’）　）”、　メｆｉ　７ス
ルホニルアジドのようなアジド類と１例えばトリエチル
アミン、ピリジン、ジエチルアミンのような塩基加の存
在下、１乃至５０時ｆａ１．ｏ℃乃至５０’（にて処理
することにエフ、化廿物（Ｘν川）を製造する工程であ
る。

第１２工程は、化合物（Ｘ■）’ｐｔｓ例えばベンセン
、トルエンのような芳−ｉ！Ｆ族炭化水索須、テトラヒ
ドロフランのようなエーテル類、シクロヘキサンのよう
な脂環式炭化＄、素窺を友は酢酸エチルのようなエステ
ル類中、２５Ｃ乃至１１０℃で、１乃至５時＋１ｊ」、
例えばビスアセチルアセトナート銅（ＩＩ）　ＣＣｕＣ
ａＣａＱ）２）　％ｆｉｒｔｈ鋼、　ｗＡ粉本、酢酸ロ
ジウム、ロジウム（ＩＩ）オクタノエート、四酢酸給の
ような触媒の存在下反応させて、化合物（ＸＶｌ）を製
造する工程である。

また、この閉環反応は、化合物（ＸＶｌ［）ヲ、例えば
ベンゼンのような芳香族炭化水素類、四塩化炭素のよう
なハロゲン化炭化水素類マたはジエチルエーテルのよう
なエーテル類中、パイレックスフィルターを通して、０
℃乃至２５℃の温度で、０．５乃至２時間元照射するこ
とによっても運成さｎる。

第１３工程は、化合物（Ｘ糧）を塩基の存在下、メタン
スルホン版のような黒水アルカンスルホン酸、ベンゼン
スルホン７、ｐ−）ルエンスルホンばのような無水アリ
ールスルホン取、ジメチルホスホリルクロリドのような
ジアルキルホスホリルハライドまたはジフェニルホスホ
リルクロリドのようなジアリールホスホリルハライドと
溶媒の存在下反応させることにより、化合物（ＸＩＫ）
′Ｉｔ製造する工程である。

第１４工程は、化合物（ＸＩＫ　）を化合物（至）と常
法ＶＣ従って、アセトニトリルのようなニトリル鋼また
はテトラヒドロフラン、ジエチルエーテルのようなエー
テル類の溶媒存在下−５℃〜２５℃で１〜１５時間反応
させることにより、化合物（ＸＸ）？：得る工程である
。

第１５工程は、Ｆｔ＋望の工程であり、化合物（ＸＸ　
）を用い、前記第８工程に記載の方法と同様に実施する
ことＶＣよ！Ｄ１化合物（１１つを製造する工程でめる
。

Ｄ法 上記式中、　Ｒ５およびＲ６は前記と同意義を示エト生
は、イミノエーテル化合物（２）の合成法である。

第１６エ程は、ニトリル化合物（ＸＸＩ）を無水メタノ
ール、無水エタノールのような無水低級アルコール（Ｘ
ＸｉＶ）と、水冷下塩酸ガスを等モル加えながら反応さ
せ化合物（ＩＩＤを製造する工程でおる。

得ら詐た化合物は精製することなく次の反応に使用でき
る。

〔効果〕

本発明の新規なベネムまたはカルバペネム化合物は、黄
色ブドウ状球菌のようなダラム陽性菌および大腸菌、赤
痢菌、＃炎桿匿、変形菌。

セラチア、エンテロバクタ−１縁１遍凶のようなグラム
陰性菌を包含するエフ広範囲な病原困に対してより強力
な抗歯活性を示す。

従って、本願化合物は上記のような細困感染症を治療す
る抗−剤として有効でりる。またその合成中間体として
も有用な化合物である。

抗菌繭として使用する場合の投与形態としては、例えば
錠剤、カプセル剤％顆粒剤、散剤、シロップ剤のような
経口投与、または静脈内注射剤、筋肉内注射剤、坐剤の
ような非経口投与を挙げることかできる。その使用量は
症状１年令１体恵および投与形態により異なるか、通常
は成人に対して１日２００〜３０００１７９’１１回ま
たは数回に分けて投与することができる。

以下に実施例、参考例および試験例を挙げ、本発明を、
更に具体的に説明する。

実九例１゜ ルポン筬パラニトロベンジルエステル ［０ （５Ｒ，６Ｅｌ、８Ｒ）　−８−（１−とドロキンエチ
ル）−２−オキシカルバベナム−３−カルボンはバラニ
トロベンジルエステル６２７　＃９？：乾燥アセトニト
リル１０　ｍｌ　ＶＣ溶解し、鼠索気訛中、−ＩＧＣＫ
冷却下、ジイソゾロビルエチルアミン３１０ｐｌとジフ
ェニルリン酸クロリド４４０晟ｅを加え、０℃で２０分
攪拌後、シイつ＠０ ゝ７１− ソヒルエチルアミン３４３Ｓと、（４Ｓ　）　−１＝バ
ラニトロベンジルオキシカルボニル−２−アジドメチル
−４−メルカプトピロリジン６７５■を乾燥アセトニト
リル４−に溶解して加え、０℃で１時間攪拌した。反応
後、３０罰の酢酸エチルで希釈し、水と飽＃食塩水で況
＃後、佃出液を硫酸マグネシウムで乾燥、ｆ遇し、Ｐ液
を詭縮することにより６０８■の目的物を結晶で得た。

核磁気共鳴スペクトルδｙｐ　（ＯＤＯｘ５）　：　Ｌ
　３　Ｂ（３Ｈ，ａ、　Ｊ＝６．０Ｈ２）、　１．７−
４２　（２Ｈ，ｍ）、　３．０〜４．４　（１２Ｈ，ｍ
）、　　５．２１　　（２Ｈ，Ｓ）、　　５．２３．　
　ａ４５　（２Ｈ，ＡＢ−（１，Ｊ＝１４．０Ｈ２）、
　７．５４（２Ｈ，（Ｌ、　Ｊ＝９．０Ｈ２）、　７．
６０（２Ｈ，（Ｌ。

Ｊ＝９．０Ｈｚ）、　Ｉｌｌ　９　（４Ｈ，ａ、　Ｊ＝
９．０Ｈｚ）ＫＢｒ　　−１。

赤外線吸収スペクトル　νｌ１１ａニー　。

３４７０．２１２０，１７１１２．１７１０実施例２ ジエチル）−２−（３−メチル−Ｉ　Ｈ−５，６，７゜
実勉例１で製造した化合物２００〜をテトラヒドロフラ
ン２０ｄおよびリン酸緩両液（ＰＨ６、５）　２０ゴに
溶解し、パラジ必ト炭素触媒４００〜を加えて４．５時
間接触還元を行った区。

触媒乞ｆ去し％ｅ液液中テトラヒドロフランを留去し、
　　　　　−−°− 水溶液を酢酸エチルで洗浄する。水層を水酸化ナトリウ
ム水でＰＨＩＬ５に調整した後水冷下、エチルアセトイ
ミデートＩｇＯ■を加え３０分攪拌する。反応後希塩絃
でＰｉ（？、０Ｊ１４ｆｉし。

ダイアイオンカラムクロマトグラフィーにより３％アセ
トン−水浴山部を凍結乾燥し、目的物１Ｂ〜を得た。

核磁気共鳴スペクトル　δＩＦ（Ｄ２０）：１゜０９（
３Ｈ，ｃｌ、　、Ｔ＝６．０Ｈ２）、　１４５〜１５３
（１１（、ｍ）、　２．０４（３Ｈ，Ｓ）、　２．４８
−４５６　（ＩＨ，ｍ）、　２．９２〜３．０９（２Ｈ
，ｍ）３．２４（ＩＨ，ｄａ、　Ｊ＝３．０．４．０Ｈ
ｚ）、　３Ｊ４（２Ｈ，ｄ、　Ｊ＝４．０Ｈｚ　）、　
３．８２　（Ｉ　Ｈ，ｄａ、　Ｊ＝１１０．８．ＣＩＨ
ｚ　）、　３．７７〜３．８３　（Ｉ　Ｈ，ｍ）、　３
．８９　（Ｉ　Ｈ，ｔ、　１ｉｋｅ）、　３．９８〜４
．０８（２Ｉ（、ｍ）、４．２７〜４．３７　（ｌ　Ｈ
，ｍ）ＫＢｒ、： 赤外線吸収スペクトル　νＩｎａＸ　ｆｆ１３４００．
１７６５．１５９５ Ｈ２Ｏ。

紫外線吸収スペクトル　λ　　、２９７（８４５Ｇ）ｎ
ａｘ 実施例１ ホルムイミデートより実施例２と同様の反応処理により
目的化置物？：得た。

赤外線吸収スペクトル　νＫＢｒ Ｉｏａｘｌｌ、−１：３４００゜ １７８５．１５９５ 紫外渕吸収スペクトル　λ　　：２９８（８５００）ｍ
ａｘ ｍ 核磁気共鳴スペクトル　δｐ　（Ｄ２０）：１．０９（
３Ｈ，ｅＬ、　Ｊ＝ａ、２Ｈｚ）、　１．４５〜１５５
（ＩＨ，ｍ）、　１４７〜１５Ｂ（１１（、ｍ）、　２
Ｊ２−４１１　（２Ｈ，ｍ）、　３．２５（３Ｈ，Ｓ）
。

３．２Ｑ　〜３．３５　（Ｉ　Ｈ，ｍ）、　３．５２　
（２Ｈ，ｄ、　Ｊ＝４．ＯＨｚ　）。

３．６８（ＩＨ，ａｄ、　、Ｔ＝１８．１２Ｊ）、　１
７５〜３．８４（ＩＨ，ｍ）。

１９５（ＩＨ，ｔ　１ｉｋｅ）、　４．０〜４．１　（
２Ｈ，ｍ）、　４．２４（ＩＨ。

（Ｌ、　Ｊニア、８Ｈｚ　）、　４．３〜４．４５　（
ｌ　Ｈ，ｍ）、　４．５０〜４．６６　（１Ｈ。

ｍ） 実施例４゜ ルエステル （ＩＲ，５Ｒ，６Ｂ、８Ｒ）−１−メチル−６−（＋−
ヒドロキシェナル）−２−オキシヵルハヘナムー３−カ
ルボンｉｐ−二トロペンジルエステルと（４８）−１−
バラニトロベンジルオキシカルボニル２−アジドメチル
−４−メルカプトピロリジンを使用し、実施例１と同様
の反応処理により目的化合物″を得た。

罪作縁吸収スペクトル　νＫＢｒ ｆｌｌａＸ、ｍ−＋　　：３４７Ｇ。

２１２０．１７８５．１７１０ 実施例５゜ ジメチル−Ｉ　Ｈ−５，６，７，７ａ−テトラヒドロピ
木ルムイミデートを使用し、実施例２と同様の反応処理
により目的化合物を得友。

Ｂｒ 赤外＆ｌ奴収スペクトル　ν　　　−ｊ　：３４００゜
ｍａｘ　口 １７６５、１５９５ 紫外線吸収スペクトル　λ　　：２９ｇ（８８００）ｍ
ａｘ ｍ 代表例として＊ｍ例２．亀５を記畝したが、池の本発明
化合物も実施例２と同様にして、エチルアセトイミデー
トの代りに参考例１〜１４のイミノエーテル化合物を用
いて実施例１の化合物に相当する化合物と反応させるこ
とにより。

谷々製造することができる。

参考例１゜ マロンニトリル６６９とエタノール４６ノの混合物に水
冷下塩酸ガスを等モル　加える。反応混合物をそのま＼
冷蔵庫中に１日放直すると全屋が固化し目的物を与える
。こｒしは消火することなく次の反応に使用できる。

会考例２ −ト＠酸塩 ピリジン−３−イルアセトニトリルとエタノールより参
考列１と全く同様の手法により目的１ζ合物が得らルた し考例１ メチルシクロヘキシルホルムイミデート塩酸−嶌。

０　　　　−ＨＣｌ ＣＩ（５ シクロヘキシルニトリル１８４　ｆ　（１，５０ｍｏｌ
　）　、無水メタノール７６ｄおよびエーテル４５０ｄ
の溶液を水で冷却しながら、乾燥項化水累９６　？　（
Ｚ　６４　ｍｏｌ　）を通じて吸収させ友。

ときどきふりまぜながら水浴中に６時間おいた後、冷蔵
庫に２週問おいた。エーテル３００ゴを加え、さらに冷
蔵庫ＶＣ２日放置し７’Ｃ後、結晶ｌｆ別し、水酸化ナ
トリウムを入ｎたデシケータ−ＶＣ１週間入ルておくと
イミドエステル堰醸塩の日仏リン片状結晶が２６６２得
らｎる。

番考例歳 シクロヘキシルニトリルの代りニシクロペンチルニトリ
ルを使用し、参考例３と同様［実施すると目的化合物が
得らル友。（ｙｉｅ１４９７％）参考例ｉ エチルフェニル　ホルムイミデート・四弗化硼酸塩 ベンゾイルアミン（Ｌ　１　ｍｏｌ　’４乾燥メチレン
クロリド２ＱＯｄＶＣｆｌｒかし、コｎＫ　０．１　ｍ
ｏ工ノトリエチルオキソニワム・フルオロボレートの乾
燥メチレンクロリド浴数５０ｍを加え、呈温で１日攪拌
した。反ＬｆＪ！了鎌、溶媒鎗が１／３になるまで減圧
下濃縮し、５１き愈の無水ジエチルエーテルを加えると
目的物の結晶が析出してぐるので、こｎをｆ取し減圧上
乾燥した。ざらＫ。

分析の為に、メチレンクロリド、ｉｆｃはメチレンクロ
リド−ジエチルエーテルよジ再結晶できるか１次の反応
に用いる場合は、その１″１便用する。（Ｙ工８１ｃＬ
１１（１４％） 融点：１３０−１３１℃ ＯＨＮ 元素分析：計算値　４５．８０　５．１１　　５．９１
分析値　４＆２３　５，４１　　５．８２参考例＆ ベンゾイルアミンの代りに、０−メチルベンゾイルアミ
ンを使用し％参考例５と同様に実施すると上記目的化合
物が得らｎる。（ｙｉｅｌｄ　８ａ１％） 元素分析：計算値　　４７．８４　　５．６２　　５．
５８分析値　４７，８９　　５，５６　　５．５８参考
例７゜ 四弗化硼酸塩 ベンゾイルアミンの代！ＩＩｃ、　　１−ナフトイルア
ミン乞使用し、参考例５と同様に実宛すると上記目的化
合物が得られる。（Ｙｉｅｌａ　９７％）融点：８８−
８９℃ ＨＮ 元素分析：￥Ｆ林値　５４．３１　４．９１　４．８８
分析値　５３．０６　５．３４　４．９２参考例＆ ベンゾイルアミンの代りに、０−エトキシベンゾイルア
ミン２便用し、ぴ４例１と同るメに実施すると、上記目
的化合物が得らｎる。（Ｙｉｅｌｄ９０チ） 融点：１３９−１４１℃ ＯＨＮ 元素分析：計算１直　４７．０Ｇ　　５．７４　　４．
９８分析値　４７．４４　５．５７　　４Ｊ５参考例８
゜ ベンゾイルアミンの代ｖＫＯ−クロロベンゾイルアミン
を使用し、参考例ｉと同様に実施すると、上記目的化合
物が得らｎる。（Ｙｉｆｉｌ工ｄ７８チ〕 融点：ｔｏｔｓ〜１０３℃ ＣＨＮ 元素分子ｒ二計算値　３９．Ｒ２４，Ｒ８５，１６分析
愼　３９．６５　　４２２　　５．１５参考例１０゜ マロンニトリルの代ｐＫメチルチオアセトニトリルを使
用し、参考例１と同様に実施すると目的化合物を得るこ
とができた。こ１はｎＩ製することなく次の反応に使用
できる。

参考例１１゜ （Ｈ３Ｐ マロンニトリルの代、！１ｌｌＶｃ弗化アセトニトリル
を使用し、参考例１と同様１’（英苑すると目的化合物
を得ることができた。こｎは棺表することなく次の反応
ＶＣ使用する。

参考例１２ エチルメトキシカルボニルアセトイミデート＠酸塩 ｆｆ　Ｏンニトリルの代りにメトキシカルボニルアセト
ニトリルを使用し、参考例１と同様に実施し、目的化合
物２得た。精製することなく次の反応に使用した。

参考例１３ ｃｕ２ｃｏａｕ２ マロンニトリルの代りに、カルバモイルアセトニトリル
′？：使用し、参考例１と同＠ＶＣ夾施し目的化合ｗを
得た。梢裂することなく矢の反応に使用した。

参考例１４ マロンニトリルの代、！７に、シアン化水素を便用し、
−４例１と同様に実施し、目的化合物を得た。精製する
ことなく次の反応に使用し几。

試験例１゜

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （式中、Ｒ＿１は水素原子または水酸基の保護基を示し
   、Ｒ＿２は水素原子またはカルボキシル基の保護基を示
   し、Ｒ＿３は水素原子、アルキル基、アルケニル基、ア
   ルキニル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロシ
   クリル基、ヘテロアリール基またはアラルキル基を示し
   、水素原子を除くＲ＿３の上記各基は置換分を有してい
   てもよい。 Ｘは硫黄原子または置換されていてもよいメチレン基を
   示す。）を有するペネムまたはカルバペネム化合物およ
   びその薬理上許容される塩。
2. （２）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（II） （式中、Ｒ＿１は水素原子または水酸基の保護基を示し
   、Ｒ′＿２はカルボキシル基の保護基を示し、Ｒ＿４は
   水素原子またはアミノ基の保護基を示し、Ｒ＿５はアミ
   ノ基が保護基で保護されていてもよいアミノメチル基、
   ニトロメチル基、アジドメチル基またはニトリル基を示
   し、Ｘは硫黄原子または置換されていてもよいメチレン
   基を示す。）を有する化合物のアミノ基の保護基の除去
   および／または還元反応を行なうことにより得られた化
   合物を、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（III） （式中、Ｒ＿３は水素原子、アルキル基、アルケニル基
   、アルキニル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテ
   ロシクリル基、ヘテロアリール基またはアラルキル基を
   示し、水素原子を除くＲ＿３の上記各基は置換分を有し
   ていてもよい。Ｒ＿６はアルキル基を示す。）で表わさ
   れるイミノエーテル化合物と反応させて、 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（IV） （式中、Ｒ＿１、Ｒ＿３、ＸおよびＲ′＿２は前記と同
   意義を示す。）を有する化合物を合成し、次いで所望に
   より、得られた化合物の水酸基の保護基Ｒ＿１および／
   またはカルボキシル基の保護基Ｒ′＿２を除去すること
   を特徴とする一般式▲数式、化学式、表等があります▼
   （ I ） （式中、Ｒ＿１、Ｒ＿３およびＸは前記と同意義を示し
   、Ｒ＿２は水素原子またはカルボキシル基の保護基を示
   す。）を有するペネムおよぴカルバペネム化合物ならび
   にその薬理上許容される塩の製造法。