JPS59220604A - 微小間隙をおいて相対する２物体間の位置検出方法 - Google Patents
微小間隙をおいて相対する２物体間の位置検出方法Info
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- JPS59220604A JPS59220604A JP58094017A JP9401783A JPS59220604A JP S59220604 A JPS59220604 A JP S59220604A JP 58094017 A JP58094017 A JP 58094017A JP 9401783 A JP9401783 A JP 9401783A JP S59220604 A JPS59220604 A JP S59220604A
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
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- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
- G03F9/7026—Focusing
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Control Of Position Or Direction (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、微小間隙をおいて相対する２物体間の位置検
出力法に詠り、さらｔこ峠しくはＸ線露光やプロキシミ
ティ露光のように、微小間隙ｆ−Ｈいて相対するマスク
とウェハ等のアライメントマークラ慣用し、位置会わせ
する光学系の頗微鏡対物レンズの元軸の傾きによる誤Ｍ
量の、測定に経通な微小間隙を８いて相対する２吻体間
の位置検出方法に関する。
出力法に詠り、さらｔこ峠しくはＸ線露光やプロキシミ
ティ露光のように、微小間隙ｆ−Ｈいて相対するマスク
とウェハ等のアライメントマークラ慣用し、位置会わせ
する光学系の頗微鏡対物レンズの元軸の傾きによる誤Ｍ
量の、測定に経通な微小間隙を８いて相対する２吻体間
の位置検出方法に関する。
微小間隙をおいて相対ラーるマスクとウェハ等ｌこ印さ
れたアライメントマークラ慣用し、同一軸上に位置合わ
せする従来方法では、アライメントマークを検出する顕
微鏡対物レンズ力月唄いていることによって生ずる検出
誤差を求めるには、露光・現像を行い、その結果から推
定する１二うにしている。しかしｌ、１′から、この方
法では他の要因による誤差が含まれることになり、顕微
鏡対物レンズの傾きによる検出誤差を正１ｍに知ること
が難しい欠点がある。
れたアライメントマークラ慣用し、同一軸上に位置合わ
せする従来方法では、アライメントマークを検出する顕
微鏡対物レンズ力月唄いていることによって生ずる検出
誤差を求めるには、露光・現像を行い、その結果から推
定する１二うにしている。しかしｌ、１′から、この方
法では他の要因による誤差が含まれることになり、顕微
鏡対物レンズの傾きによる検出誤差を正１ｍに知ること
が難しい欠点がある。
この点を、第１図〜第６図に沿って、さらに詳しく説明
する。
する。
従来技術によるマスクとウェハの相対位置検出方法を、
第１図（こ示す。
第１図（こ示す。
この第１図に示す位置検出方法では、検出光学系１，２
および３によって、Ｘ、Ｙおよびθ軸の自動焦点合わせ
を行っている。
および３によって、Ｘ、Ｙおよびθ軸の自動焦点合わせ
を行っている。
その詳細を、検出光学系１に基づいて説明する。
光源４から光ファイバ５を通った照明光６は集光レンズ
７で集光され、ミラー８、ハーフプリズム９、ミラー１
０を通り、第２図に破線で示した矢印に従って顕微鏡対
物レンズ１１からマスク１２へ進み、下地がほぼ透明な
マスク１２を透過してウェハ１３上のアライメントマー
ク近傍に照射される。
７で集光され、ミラー８、ハーフプリズム９、ミラー１
０を通り、第２図に破線で示した矢印に従って顕微鏡対
物レンズ１１からマスク１２へ進み、下地がほぼ透明な
マスク１２を透過してウェハ１３上のアライメントマー
ク近傍に照射される。
マスク１２およびウェハ１３から反射した光は、再び顕
微鏡対物レンズ１１５：逼り、第２図に実線で示した矢
印に従ってミラーｌＯ、ハーフプリズム１４を通り、プ
リズム１５で反転され、再びプリズム１４ヲ、先に通っ
た光路と対称な光路を形成して通過する。この光路形成
によってプリズム１４の移動による誤差補正を行う。
微鏡対物レンズ１１５：逼り、第２図に実線で示した矢
印に従ってミラーｌＯ、ハーフプリズム１４を通り、プ
リズム１５で反転され、再びプリズム１４ヲ、先に通っ
た光路と対称な光路を形成して通過する。この光路形成
によってプリズム１４の移動による誤差補正を行う。
プリズム１４を通った光は、ミラー１６で反射され、ハ
ーフプリズム１７で２光路に分離される。
ーフプリズム１７で２光路に分離される。
分ＷＬｇれた一方の光路は、リレーレンズ１８を通って
リニアセンサ１９に結像する。
リニアセンサ１９に結像する。
韮だ、分離された他方の光路はリレーレンズ２０を通っ
てＴＶ撮像画面２１上に結像し、目視用に利用される。
てＴＶ撮像画面２１上に結像し、目視用に利用される。
結像する１家の種類は、顕微鏡対物レンズ１１からリニ
アセンサ１９またはＴＶ撮像画面２１までの光路長に依
存する。
アセンサ１９またはＴＶ撮像画面２１までの光路長に依
存する。
このため、プリズム１４を矢印ａのように動かし、光路
長を任意の長さに変えてマスク１２またはウェハ１３の
アライメントマークの像をリニアセンサ１９上に結像さ
せ、それぞれの位置を検出する。
長を任意の長さに変えてマスク１２またはウェハ１３の
アライメントマークの像をリニアセンサ１９上に結像さ
せ、それぞれの位置を検出する。
その検出原理を、第２図および第３図に示す。
顕微説対物レンズ１１からａつの距離にあるマスク１２
のアライメントマーク２２は、顕微鏡対物レンズ１１か
らムの距離にそのアライメントマーク像２３を結像する
。また、ａ微虜対物レンズ１１から０．．７の距離にあ
るウェハ１３のアライメントマーク２４は、顕微鏡対物
レンズ１１から）Ｗの距離にそのアライメントマーク像
２５８結像する。このマスク１２とウェハ１３のアライ
メントマーク像２３゜２５ヲ、前述したフーリスム１４
の移動により光路長ｆｆえてリニアセンサ１９上にそれ
ぞれ結像させ位置検−出を行う。
のアライメントマーク２２は、顕微鏡対物レンズ１１か
らムの距離にそのアライメントマーク像２３を結像する
。また、ａ微虜対物レンズ１１から０．．７の距離にあ
るウェハ１３のアライメントマーク２４は、顕微鏡対物
レンズ１１から）Ｗの距離にそのアライメントマーク像
２５８結像する。このマスク１２とウェハ１３のアライ
メントマーク像２３゜２５ヲ、前述したフーリスム１４
の移動により光路長ｆｆえてリニアセンサ１９上にそれ
ぞれ結像させ位置検−出を行う。
し力）シ、光学レンズの結像法則により、リニアセンサ
１９上に結像した隊の倍率は異なる。
１９上に結像した隊の倍率は異なる。
このため、マスク１２とウェハ１３の相対位置はマスク
１２とウェハ１３のアライメントマーク１ｇ２２３２５
の結像倍率差（“ｇｙｎ ７９ ）に、倍率が変わって
ｌＬ、ｍ 洗１ も結像位置が変化しない軸線である光軸３０から、ウェ
ハ１３のアライメントマーク２５か結像した所までの距
離を乗算（ＬＷＸ （’−＝−ｉζ））シて、７１）ｎ
ｎ 、！ＺＩＦ スフ１２とウェハ１３の相対位置を求めている。
１２とウェハ１３のアライメントマーク１ｇ２２３２５
の結像倍率差（“ｇｙｎ ７９ ）に、倍率が変わって
ｌＬ、ｍ 洗１ も結像位置が変化しない軸線である光軸３０から、ウェ
ハ１３のアライメントマーク２５か結像した所までの距
離を乗算（ＬＷＸ （’−＝−ｉζ））シて、７１）ｎ
ｎ 、！ＺＩＦ スフ１２とウェハ１３の相対位置を求めている。
本来、マスク１２とウェハ１３の相対位置検出では、第
４図に示すごとくマスク１２とウェハ１３ヲ平行に配置
して、このマスク１２とウェハ１３の垂線上に顕微鏡対
物レンズ１１．．１１企の光軸３０ができるように配置
して検出しなければ、正確な相対位置を求めることかで
きないことは明らかである。
４図に示すごとくマスク１２とウェハ１３ヲ平行に配置
して、このマスク１２とウェハ１３の垂線上に顕微鏡対
物レンズ１１．．１１企の光軸３０ができるように配置
して検出しなければ、正確な相対位置を求めることかで
きないことは明らかである。
しかし、実際には第５図および第６図に示すごとく、複
数の顕微鏡対物レンズ１】ユ、１１県の光軸３０を正確
にマスク１２またはウェハ１３に対し垂直にＴることは
難しく、傾いた才ま使用しているのか現状である。
数の顕微鏡対物レンズ１】ユ、１１県の光軸３０を正確
にマスク１２またはウェハ１３に対し垂直にＴることは
難しく、傾いた才ま使用しているのか現状である。
このとき、それぞれ傾いた顕微鏡対物レンズ１１ｅｒ−
＋ Ｉ ｌｉによって生ずる検出誤差δは、第５図およ
び第６図に示す諸元において、 δ＝ＩｌＪＬｍθ１−１１ または δ＝９・シθ２−１１ ここで で表わすことができる。
＋ Ｉ ｌｉによって生ずる検出誤差δは、第５図およ
び第６図に示す諸元において、 δ＝ＩｌＪＬｍθ１−１１ または δ＝９・シθ２−１１ ここで で表わすことができる。
従来、この誤差を求める方法としては、露光・現像を行
い、この結果から推定する以外になかった。しかし、こ
の方法では他の要因による誤差が多く含まれており、正
確な埴を出すことは難しいという欠点がある。
い、この結果から推定する以外になかった。しかし、こ
の方法では他の要因による誤差が多く含まれており、正
確な埴を出すことは難しいという欠点がある。
なお、第５図中、１９．１９ はリニアセンサを示す
。
。
本発明の目的は、前記従来技術の欠点をなくし、顕微鏡
対物レンズの光軸の傾きによって生じる誤差蓋を正確に
測定し得る微小間隙をおいて相対する２物体間の位置検
出方法を提供する。
対物レンズの光軸の傾きによって生じる誤差蓋を正確に
測定し得る微小間隙をおいて相対する２物体間の位置検
出方法を提供する。
ことにある。
本発明は、基板上にアルミ蒸着膜等の反射層を設け、こ
の反射層上にポリイミド膜等の透明層を設け、この透明
層上に光字検出体パターンを設けた位置合わせ治具を用
い、前記光学検出体パターンと反射層に写った虚像の光
学検出体パターンを検出することにより、顕微説対物レ
ンズの光軸の傾きによって生じる誤差量を正確に測定す
るようにしたものである。
の反射層上にポリイミド膜等の透明層を設け、この透明
層上に光字検出体パターンを設けた位置合わせ治具を用
い、前記光学検出体パターンと反射層に写った虚像の光
学検出体パターンを検出することにより、顕微説対物レ
ンズの光軸の傾きによって生じる誤差量を正確に測定す
るようにしたものである。
本発明の一実施例を、第７図〜第１３図に基づいて説明
する。
する。
マスク１２とウェハ１３の相対位置合わせの基準となる
位置合わせ治具を第７図に示す。
位置合わせ治具を第７図に示す。
本発明において用いる位置合わせ治具は、ミラーウェハ
である基板２６の上に、反射Ｊ＠２７が設・けられ、こ
の反射層２７の上に、透明層２８が設けられ、この透明
層２８の上に、光学検出体パターン（以下、検出体パタ
ーンという）２９が設けられている。
である基板２６の上に、反射Ｊ＠２７が設・けられ、こ
の反射層２７の上に、透明層２８が設けられ、この透明
層２８の上に、光学検出体パターン（以下、検出体パタ
ーンという）２９が設けられている。
前記反射層２７は、アルミニウム蒸着膜等を照−着して
設けられている。
設けられている。
前記透明層２８は、反射層２７の上に、透明体であるポ
リイミド膜等をスピン塗布により付着して設けられてい
る。スピン塗布による膜厚は、塗布剤の粘度と回転数に
よってほぼ決まり、１回の塗布では０．８〜１μｍ程度
しか塗布することができな（コ。このため、数回に分け
て塗布する。
リイミド膜等をスピン塗布により付着して設けられてい
る。スピン塗布による膜厚は、塗布剤の粘度と回転数に
よってほぼ決まり、１回の塗布では０．８〜１μｍ程度
しか塗布することができな（コ。このため、数回に分け
て塗布する。
一般に、スピン塗布による膜厚のバラツキは０．０１μ
ｍｓ度であり、数回に分けて塗布しても膜厚のバラツキ
は問題とはならない。この透明層２８の厚さｔと、マス
ク１２とウエノＸ１３の間隙Ｊとの関係は、次式によっ
て表わすことができる＼、 ＝ Ｈ＊ Ｊｉ＋ ここで、 ｎ−・・・透明層（ポリイミド膜）の屈折率である。
ｍｓ度であり、数回に分けて塗布しても膜厚のバラツキ
は問題とはならない。この透明層２８の厚さｔと、マス
ク１２とウエノＸ１３の間隙Ｊとの関係は、次式によっ
て表わすことができる＼、 ＝ Ｈ＊ Ｊｉ＋ ここで、 ｎ−・・・透明層（ポリイミド膜）の屈折率である。
一般に、点光源を用いるＸ線露光装置では、マスター２
とウエノＸ１３の間＠ｙは半影ボケの問題から５〜４０
μｍ程度にしている。また、透明層２８としてのポリイ
ミド膜の屈折率ｎは１．５程度であるため、ポリイミド
膜の場合、透明層２８の厚さｔはｍＪ記式から計算によ
り３．７５〜４０μｍのものが多く用いられる。
とウエノＸ１３の間＠ｙは半影ボケの問題から５〜４０
μｍ程度にしている。また、透明層２８としてのポリイ
ミド膜の屈折率ｎは１．５程度であるため、ポリイミド
膜の場合、透明層２８の厚さｔはｍＪ記式から計算によ
り３．７５〜４０μｍのものが多く用いられる。
前記検出体パターン２９は、透明層２８上において、こ
の実施例では第７図に示すごとく、３１同所に設けられ
、各個所の検出体パターン２９とも３個ずつ配列されて
いる。また、この検出体パターン２９はＬＳＩ製造工程
とほぼ同じ工程により設けることができる。ついで、検
出体パターン２９の諸元について説明する。
の実施例では第７図に示すごとく、３１同所に設けられ
、各個所の検出体パターン２９とも３個ずつ配列されて
いる。また、この検出体パターン２９はＬＳＩ製造工程
とほぼ同じ工程により設けることができる。ついで、検
出体パターン２９の諸元について説明する。
顕微鏡対物レンズ１１を用い、落射照明で前記した検出
体パターン２９の裏面（検出体パターン２９が透明層２
８と接する面）を検出するためには、第１２図に示すよ
うに顕微鋭対物レンズ１１からの照明光３１が反射層２
７に反射し、次に検出体パターン２９に反射して再び反
射層２７に反射した反射光３２が顕微鏡対物レンズ１１
に戻らなければならない。しかし、検出体パターン２９
０幅Ｗが広すぎると、一度検出体パターン２９の裏面に
反射した光がまた検出体パターン２９の裏面に戻ってし
まい、Ｍｅ跳対物レンズ１１に戻らないという問題が起
きて、検出することができない。このため、検出体パタ
ーン２９０幅Ｗおよび隣接する検出体パターン２９との
隙間Ｓは過圧な範囲に設定しなけれはならない。
体パターン２９の裏面（検出体パターン２９が透明層２
８と接する面）を検出するためには、第１２図に示すよ
うに顕微鋭対物レンズ１１からの照明光３１が反射層２
７に反射し、次に検出体パターン２９に反射して再び反
射層２７に反射した反射光３２が顕微鏡対物レンズ１１
に戻らなければならない。しかし、検出体パターン２９
０幅Ｗが広すぎると、一度検出体パターン２９の裏面に
反射した光がまた検出体パターン２９の裏面に戻ってし
まい、Ｍｅ跳対物レンズ１１に戻らないという問題が起
きて、検出することができない。このため、検出体パタ
ーン２９０幅Ｗおよび隣接する検出体パターン２９との
隙間Ｓは過圧な範囲に設定しなけれはならない。
検出体パターン２９の：届Ｗの最大値は、第１３図に示
すよつに、透明層２８であるポリイミド膜の厚さｔと屈
折率ｎ郭よび顕微鏡対物レンズ１１の開口数ＮＡで定ま
り、次の弐で求めることができる。
すよつに、透明層２８であるポリイミド膜の厚さｔと屈
折率ｎ郭よび顕微鏡対物レンズ１１の開口数ＮＡで定ま
り、次の弐で求めることができる。
ｗ＝２・ｔ−一（ニー１（Δ戊））
また、隣接する検出体パターン２９間の最小隙間Ｓは、
検出体パターン２９の最大幅Ｗを求める式と同じ式で求
めることができる。
検出体パターン２９の最大幅Ｗを求める式と同じ式で求
めることができる。
・ −Ｉ ＮＡ
Ｓ＝２・ｔ−＆Ｌ（−（））
ただし、隣接する検出体パターン２９間の隙間は、検出
体パターン２９０幅が十分に小さい場合は求めた最小の
隙間Ｓよりも小さい値でも検出は可能である。
体パターン２９０幅が十分に小さい場合は求めた最小の
隙間Ｓよりも小さい値でも検出は可能である。
次に、検出体パターン２９０反射率について説明する。
本発明で用いる位置合わせ治具を落射照明で検出すると
、照明光３１はほとんど全て反射層２７で反射して顕微
鏡対物レンズに戻るため、視野内は非常に明るくなる。
、照明光３１はほとんど全て反射層２７で反射して顕微
鏡対物レンズに戻るため、視野内は非常に明るくなる。
したかって、コントラストを付けるために検出体パター
ン２９は反射率の小さい黒色に近いものが袂求される。
ン２９は反射率の小さい黒色に近いものが袂求される。
このため、検出体パターン２９はたとえば酸化クローム
等で作られている。
等で作られている。
また、１個所につき３個宛の検出体パターン２９は、定
められた位置に設置された顕微鏡対物レンズ１１で、１
度に検出し得る位置に配置されている。
められた位置に設置された顕微鏡対物レンズ１１で、１
度に検出し得る位置に配置されている。
前記位置付イっせ治具そ第９図、第１０図および第１１
図に示すように顕微説対物レンズ”ａ＋１１７で検出す
ると、まさに間隙ｇをおいてマスク１２とウェハ１３が
理想的に相対位置合わせされたような状態で、マスク１
２のアライメントマーク２２に相当する実像の検出体パ
ターン２９、ウェハ１３のアライメントマーク２４に相
当する虚像の検出体パターン２９′ヲ検出することがで
きる。
図に示すように顕微説対物レンズ”ａ＋１１７で検出す
ると、まさに間隙ｇをおいてマスク１２とウェハ１３が
理想的に相対位置合わせされたような状態で、マスク１
２のアライメントマーク２２に相当する実像の検出体パ
ターン２９、ウェハ１３のアライメントマーク２４に相
当する虚像の検出体パターン２９′ヲ検出することがで
きる。
このとき、第１０図に示すように、倍率（光路長）が変
わっても結像位置か変化しない光軸と、顕微鏡対物レン
ズ１１め、１１Ｊで検出された実像の検出体パターン２
９と虚像の検出体パターン２９′を結んだ光軸３０との
ずれ量δ、δ を検出することができる。
わっても結像位置か変化しない光軸と、顕微鏡対物レン
ズ１１め、１１Ｊで検出された実像の検出体パターン２
９と虚像の検出体パターン２９′を結んだ光軸３０との
ずれ量δ、δ を検出することができる。
この検出値かそれぞれの顕微鏡対物レンズ１駐。
１１ノの光軸３０の１頃きによって生じる誤差量である
Ｏ そして、前記ずれ童δ９．δｌの検出後、実際にマスク
１２とウェハ１３の相対位置合わせをする場合には、そ
れぞれのアライメントマーク２２ 、２４の検出、値ζ
こ対して、このすれ責δ４．δイを計算才たは光軸の１
頃き角を変える方法等で補正することによって、尚梢度
の相対位置合わせを実現できる。
Ｏ そして、前記ずれ童δ９．δｌの検出後、実際にマスク
１２とウェハ１３の相対位置合わせをする場合には、そ
れぞれのアライメントマーク２２ 、２４の検出、値ζ
こ対して、このすれ責δ４．δイを計算才たは光軸の１
頃き角を変える方法等で補正することによって、尚梢度
の相対位置合わせを実現できる。
なお、第９図および第１０図中、１９．１９ はリニ
アセンサを示す。
アセンサを示す。
また、位置合わせ治具の基板２６、反射層２７、透明層
２８の材料は、前記実施例に限らす、検出体パターン２
９０個数も前記実施例に限らない。
２８の材料は、前記実施例に限らす、検出体パターン２
９０個数も前記実施例に限らない。
さらに、本発明はマスク１２とウェハ１３の位置検出に
限らす、これら２物体と類似の２物体間の位置検出に適
用できる。
限らす、これら２物体と類似の２物体間の位置検出に適
用できる。
以上説明した本発明によれは、基板上に反射層を設け、
反射層上に透明層を設け、この透明層上に検出体パター
ンを設けた位置合わせ治具を用いて、顕微鏡対物レンズ
の光軸の傾きによる誤差量を測定するようにしているの
で、前記誤差量を正確に測定し得る効果を有し、かかる
誤差量を把握し、現実の２物体間の位置合わせに際して
補正を加えることができるので、高精度の相対位置合わ
せを実現し得る派生的効果がある。
反射層上に透明層を設け、この透明層上に検出体パター
ンを設けた位置合わせ治具を用いて、顕微鏡対物レンズ
の光軸の傾きによる誤差量を測定するようにしているの
で、前記誤差量を正確に測定し得る効果を有し、かかる
誤差量を把握し、現実の２物体間の位置合わせに際して
補正を加えることができるので、高精度の相対位置合わ
せを実現し得る派生的効果がある。
第１図〜第６図は従来技術をかすもので、第１図は２物
体間の位置検出光学系を示す図、第２図は位置検出の原
理を示す図、第３図は第２図の用部分の拡大図、第４図
および第５図は顕微鏡対物レンズの光軸が真直ぐの場合
と傾いている場合との位置検出を示す図、第６図は第５
図のｖ１部分の拡大図、第７図〜第１３図は本発明方法
の一夾施態様を示すもので、その第７図は本発明方法で
用いる位置合わせ治具の斜視図、第８囚は第７図の■−
■線拡大縦断面図、第９図および第１０図は顕微鏡対物
レンズの光軸が勇直ぐな場合と傾いている場合について
、位置合わせ治具を用いて検出している状態を示す図、
第１１図は同検出状態の一部拡大図、第１２図および第
１３図は位置合わせ治具の検出体パターンの幅２間隙を
設定する場合の説明図である。 １１ＬＬ、 ＩＩＪ ・・・顕微鏡対物レンズ１２．
１３・・・微小間隙をおいて相対する２物体としてのマ
スクとウェハ ２６・・・位置合わせ治具の基板 ２７・・・同反射Ｊ＠ ２８・・・同透明層２
９・・・同検出体パターン ２９′・・・反射層の反射面に写った虚像の検出体ノぐ
ターン ３０・・・顕微鏡対物レンスの光軸 へ、δ戎・・・倍率（光路長）が変わっても結律位置が
変化しない光軸と位置合わせ治具の 検出体パターンの実像と反射面に写っ た虚像とを結んだ光軸とのずれ量 〜＼、 ＼−，ノ 第 １ 口 第２膓 躬４ｎ 拓 ７呂 第ど邑 第７２０
体間の位置検出光学系を示す図、第２図は位置検出の原
理を示す図、第３図は第２図の用部分の拡大図、第４図
および第５図は顕微鏡対物レンズの光軸が真直ぐの場合
と傾いている場合との位置検出を示す図、第６図は第５
図のｖ１部分の拡大図、第７図〜第１３図は本発明方法
の一夾施態様を示すもので、その第７図は本発明方法で
用いる位置合わせ治具の斜視図、第８囚は第７図の■−
■線拡大縦断面図、第９図および第１０図は顕微鏡対物
レンズの光軸が勇直ぐな場合と傾いている場合について
、位置合わせ治具を用いて検出している状態を示す図、
第１１図は同検出状態の一部拡大図、第１２図および第
１３図は位置合わせ治具の検出体パターンの幅２間隙を
設定する場合の説明図である。 １１ＬＬ、 ＩＩＪ ・・・顕微鏡対物レンズ１２．
１３・・・微小間隙をおいて相対する２物体としてのマ
スクとウェハ ２６・・・位置合わせ治具の基板 ２７・・・同反射Ｊ＠ ２８・・・同透明層２
９・・・同検出体パターン ２９′・・・反射層の反射面に写った虚像の検出体ノぐ
ターン ３０・・・顕微鏡対物レンスの光軸 へ、δ戎・・・倍率（光路長）が変わっても結律位置が
変化しない光軸と位置合わせ治具の 検出体パターンの実像と反射面に写っ た虚像とを結んだ光軸とのずれ量 〜＼、 ＼−，ノ 第 １ 口 第２膓 躬４ｎ 拓 ７呂 第ど邑 第７２０
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上に反射層を設け、反射層上に透明層を設け、
この透明層上に光学検出体パターンを設けた位置合わせ
治具を用いて、Ｔｈ！鏡対物レンズの光軸の傾きによる
誤差蓋を６１１１定することを特徴とする微小間隙をお
いて相対する２物体間の位置検出方法。 ２、前記位置合わせ治具の透明ノーを、ポリイミド膜に
より３．７５〜４０μｍに形成したことを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の微小間隙をおいて相対する２
物対間の位置検出方法。 ３、 前記位置合わせ治具の光学検出体パターンの幅−
Ｗを、下記計算式で表す値よりも狭くしたことを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の微小間隙をおいて相対
する２物体間の位置検出方法。 、−Ｉ ＮＡ Ｗ＝ｓ ２・ｔ −ｙ （４（−７−））ただし、 ｔ・・・透明膜の厚さ ｎ・・・透明膜の屈折率 ＮＡ・・・光学検出体パターンの検出に使用する顕微説
対物レンズの開口数
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58094017A JPS59220604A (ja) | 1983-05-30 | 1983-05-30 | 微小間隙をおいて相対する２物体間の位置検出方法 |
| US06/580,709 US4614431A (en) | 1983-02-18 | 1984-02-16 | Alignment apparatus with optical length-varying optical system |
| EP84101569A EP0116953A2 (en) | 1983-02-18 | 1984-02-16 | Alignment apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58094017A JPS59220604A (ja) | 1983-05-30 | 1983-05-30 | 微小間隙をおいて相対する２物体間の位置検出方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59220604A true JPS59220604A (ja) | 1984-12-12 |
Family
ID=14098737
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58094017A Pending JPS59220604A (ja) | 1983-02-18 | 1983-05-30 | 微小間隙をおいて相対する２物体間の位置検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59220604A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6262519A (ja) * | 1985-09-13 | 1987-03-19 | Canon Inc | 位置検出装置 |
| JPS6332304A (ja) * | 1986-07-28 | 1988-02-12 | Hitachi Ltd | 位置決め組付装置 |
| JPS6356917A (ja) * | 1986-08-28 | 1988-03-11 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
| JPH02171604A (ja) * | 1988-12-23 | 1990-07-03 | Matsushita Electric Works Ltd | 板材の寸法検査方法 |
| US7355675B2 (en) | 2004-12-29 | 2008-04-08 | Asml Netherlands B.V. | Method for measuring information about a substrate, and a substrate for use in a lithographic apparatus |
-
1983
- 1983-05-30 JP JP58094017A patent/JPS59220604A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6262519A (ja) * | 1985-09-13 | 1987-03-19 | Canon Inc | 位置検出装置 |
| JPS6332304A (ja) * | 1986-07-28 | 1988-02-12 | Hitachi Ltd | 位置決め組付装置 |
| JPS6356917A (ja) * | 1986-08-28 | 1988-03-11 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
| JPH02171604A (ja) * | 1988-12-23 | 1990-07-03 | Matsushita Electric Works Ltd | 板材の寸法検査方法 |
| US7355675B2 (en) | 2004-12-29 | 2008-04-08 | Asml Netherlands B.V. | Method for measuring information about a substrate, and a substrate for use in a lithographic apparatus |
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