JPS626265A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS626265A JPS626265A JP14617785A JP14617785A JPS626265A JP S626265 A JPS626265 A JP S626265A JP 14617785 A JP14617785 A JP 14617785A JP 14617785 A JP14617785 A JP 14617785A JP S626265 A JPS626265 A JP S626265A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- amorphous silicon
- charge
- cylinder
- silane
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08221—Silicon-based comprising one or two silicon based layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
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- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08278—Depositing methods
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
導電性支持体上に電荷発生層と表面保護層を有する電子
写真感光体の改良であって、表面保護層にコロナ帯電に
より劣化し難い、かつ光導電性の良いアモルファス炭化
珪素を用い、コロナ帯電による劣化が生じ難く、印字画
像に乱れを生じない電子写真感光体としたもの。
写真感光体の改良であって、表面保護層にコロナ帯電に
より劣化し難い、かつ光導電性の良いアモルファス炭化
珪素を用い、コロナ帯電による劣化が生じ難く、印字画
像に乱れを生じない電子写真感光体としたもの。
本発明は導電性支持体上に形成されたアモルファスシリ
コン膜よりなる電子写真感光体に係り、特に電荷発生層
の上に形成される表面保護層の改良に関する。
コン膜よりなる電子写真感光体に係り、特に電荷発生層
の上に形成される表面保護層の改良に関する。
記録ドラムの周囲に形成した光導電層を一様に帯電させ
、この光導電層に対して印字情報に基づいてレーザ光を
照射し、この光導電層の帯電電位を選択的に低下させて
静電潜像を形成する。その後、この潜像形成箇所に帯電
トナーを付着させて現像し、この現像した印字画像を記
録紙上に転写記録するレーザプリンタのような、電子写
真装置は周知である。
、この光導電層に対して印字情報に基づいてレーザ光を
照射し、この光導電層の帯電電位を選択的に低下させて
静電潜像を形成する。その後、この潜像形成箇所に帯電
トナーを付着させて現像し、この現像した印字画像を記
録紙上に転写記録するレーザプリンタのような、電子写
真装置は周知である。
このような光導電層としては、従来よりセレン（Ｓｅ）
系の材料が用いられてきたが、このＳｅは有害であり、
長時間使用した後、廃棄する場合に公害問題が発生する
。また機械的強度が小さく、光導電層の表面に傷が発生
して長時間使用すると印字品位の低下を招く等問題が多
い。
系の材料が用いられてきたが、このＳｅは有害であり、
長時間使用した後、廃棄する場合に公害問題が発生する
。また機械的強度が小さく、光導電層の表面に傷が発生
して長時間使用すると印字品位の低下を招く等問題が多
い。
そこで最近はアルミニウム（ＮＪ）のような導電性支持
体のドラムの周囲に光導電層として、Ｓｅの代わりに人
体に無害でかつ機械的強度の大きいアモルファスシリコ
ン感光体層を形成した記録ドラムが開発されている。
体のドラムの周囲に光導電層として、Ｓｅの代わりに人
体に無害でかつ機械的強度の大きいアモルファスシリコ
ン感光体層を形成した記録ドラムが開発されている。
このような電子写真感光体に於いては、コロナ放電によ
って表面が劣化し難く、またその表面電位が低下し難い
表面保護層を有する電子写真感光体が要望されている。
って表面が劣化し難く、またその表面電位が低下し難い
表面保護層を有する電子写真感光体が要望されている。
従来のアモルファスシリコンを用いた電子写真感光体は
第３図に示すように、アルミニウム（Ａ１１）の導電性
支持体１上に、この支持体１からの電荷の注入を阻止す
るためのボロン（Ｂ）を高濃度にドープしたアモルファ
スシリコンよりなる電荷ブロンキング層２が形成され、
更にその上にアモルファスシリコン感光体層よりなる電
荷発生層３が形成され、更にその上にはアモルファス炭
化珪素や、アモルファス窒化珪素等の表面保護層４が形
成されている。
第３図に示すように、アルミニウム（Ａ１１）の導電性
支持体１上に、この支持体１からの電荷の注入を阻止す
るためのボロン（Ｂ）を高濃度にドープしたアモルファ
スシリコンよりなる電荷ブロンキング層２が形成され、
更にその上にアモルファスシリコン感光体層よりなる電
荷発生層３が形成され、更にその上にはアモルファス炭
化珪素や、アモルファス窒化珪素等の表面保護層４が形
成されている。
この表面保護層４は電荷発生層３が、コロナ帯電時に発
生するオゾンによって劣化するのを防止するために設け
られている。
生するオゾンによって劣化するのを防止するために設け
られている。
然し、このアモルファス炭化珪素やアモルファス窒化珪
素の表面保護層４は、電荷発生層３をコロナダメージよ
り防ぐことはできるが、光導電性が悪いので、表面保護
層４と電荷発生層３の界面には、電荷発生層３で発生し
た電荷が蓄積され、この電荷に依って電荷発生層３に残
留電位が発生したり、或いは表面保護層４のブレイクダ
ウンの現象によって印字画像に乱れを生じる等問題が多
い。
素の表面保護層４は、電荷発生層３をコロナダメージよ
り防ぐことはできるが、光導電性が悪いので、表面保護
層４と電荷発生層３の界面には、電荷発生層３で発生し
た電荷が蓄積され、この電荷に依って電荷発生層３に残
留電位が発生したり、或いは表面保護層４のブレイクダ
ウンの現象によって印字画像に乱れを生じる等問題が多
い。
本発明の電子写真感光体は上記した問題点を除去し、導
電性基体１１上に電荷発生層１２が形成され、その上に
は弗素原子を含む化合物を分解して形成したアモルファ
スシリコン炭化珪素よりなり、光導電性の大きい電荷保
持層１３が設けられて形成されている。
電性基体１１上に電荷発生層１２が形成され、その上に
は弗素原子を含む化合物を分解して形成したアモルファ
スシリコン炭化珪素よりなり、光導電性の大きい電荷保
持層１３が設けられて形成されている。
この電荷保持層１３は光導電性が大きいので、電荷発生
層１２で生じた電荷を容易に輸送できると共に、アモル
ファス炭化珪素がコロナ帯電による表面劣化を受は難い
という性質を利用したものである。
層１２で生じた電荷を容易に輸送できると共に、アモル
ファス炭化珪素がコロナ帯電による表面劣化を受は難い
という性質を利用したものである。
以下図面を用いながら本発明の一実施例につき詳細に説
明する。
明する。
本発明の電子写真感光体は第１図に示すように通の導電
性支持体１１上に、アモルファスシリコン感光体よりな
る電荷発生層１２が１〜１０＃ａ＋の厚さで形成され、
更にその上にはシリコンの弗素化合物ガスを分解して形
成したアモルファスシリコン炭化珪素よりなる電荷保持
層１３が１５〜２０μ−の厚さで形成されている。
性支持体１１上に、アモルファスシリコン感光体よりな
る電荷発生層１２が１〜１０＃ａ＋の厚さで形成され、
更にその上にはシリコンの弗素化合物ガスを分解して形
成したアモルファスシリコン炭化珪素よりなる電荷保持
層１３が１５〜２０μ−の厚さで形成されている。
このような電子写真感光体を形成するには、第２図に示
すグロー放電ＣＶＤ装置を用いて行う。
すグロー放電ＣＶＤ装置を用いて行う。
第２図に示すように容器２１内に電極２２と、導電性支
持体１１を設置した設置台２３とを対向配置し、容器２
１内を排気ポンプ２４を用いて１０’ ｔｏｒｒの真空
度に成るまで排気する０次いでパルプ２５を開放にして
シラン（５ｉＨ４）ガスボンベ２６より、シランガスを
容器２１内の圧力が０．５ｔｏｒｒになる迄導入して高
周波発振器２７を用いて電極２２と設置台２３間に高電
圧を印加して、グロー放電を発生させて、シランガスを
分解して支持体１１に厚さがアモルファスシリコンの電
荷発注層１２を１〜１０μ−の厚さに形成する。
持体１１を設置した設置台２３とを対向配置し、容器２
１内を排気ポンプ２４を用いて１０’ ｔｏｒｒの真空
度に成るまで排気する０次いでパルプ２５を開放にして
シラン（５ｉＨ４）ガスボンベ２６より、シランガスを
容器２１内の圧力が０．５ｔｏｒｒになる迄導入して高
周波発振器２７を用いて電極２２と設置台２３間に高電
圧を印加して、グロー放電を発生させて、シランガスを
分解して支持体１１に厚さがアモルファスシリコンの電
荷発注層１２を１〜１０μ−の厚さに形成する。
更にパルプ２５を閉じ、パルプ２８．２９．３０を開放
にして、四弗化シランガスボンベ３１、四弗化炭素ボン
ベ３２、水素ガスボンベ３３より容器２１内に四弗化シ
ランガス、四弗化炭素ガス、水素ガスの混合ガスを導入
して前記したようにこの混合ガスを分解して厚さが１５
〜２０μｍの光導電性の大きいアモルファス炭化珪素膜
よりなる電荷保持層１３を形成する。
にして、四弗化シランガスボンベ３１、四弗化炭素ボン
ベ３２、水素ガスボンベ３３より容器２１内に四弗化シ
ランガス、四弗化炭素ガス、水素ガスの混合ガスを導入
して前記したようにこの混合ガスを分解して厚さが１５
〜２０μｍの光導電性の大きいアモルファス炭化珪素膜
よりなる電荷保持層１３を形成する。
このように四弗化シランガスのようなシリコンの弗素化
合物をベースに用いてこれに四弗化炭素ガスを混合し、
この混合ガスを用いてアモルファスシリコン炭化珪素を
形成すると、弗素原子を含まない例えばシランガスとプ
ロパンガス等を用いてアモルファスシリコン炭化珪素化
合物を形成した場合に比し、光導電性が２〜３桁以上向
上する。
合物をベースに用いてこれに四弗化炭素ガスを混合し、
この混合ガスを用いてアモルファスシリコン炭化珪素を
形成すると、弗素原子を含まない例えばシランガスとプ
ロパンガス等を用いてアモルファスシリコン炭化珪素化
合物を形成した場合に比し、光導電性が２〜３桁以上向
上する。
このようにして形成した電子写真感光体を電子写真装置
に用いた場合、コロナ放電器を用いてこの電子写真感光
体の表面に正電荷（或いは負電荷）を蓄える。その後、
この電子写真感光体の表面に印字情報に基づいて選択的
に光を照射して電子写真感光体内部に潜像を形成する。
に用いた場合、コロナ放電器を用いてこの電子写真感光
体の表面に正電荷（或いは負電荷）を蓄える。その後、
この電子写真感光体の表面に印字情報に基づいて選択的
に光を照射して電子写真感光体内部に潜像を形成する。
すると光が照射された電子写真感光体の電荷発生層１２
には、電子−正孔対が発生する。この発生した電子、或
いは正孔は電荷保持層１３内に注入され、この電荷保持
層１３内にはコロナ放電器により高電界が印加されてお
り、注入された電子、或いは正孔は電荷保持層１３の表
面に向かって移動する。
には、電子−正孔対が発生する。この発生した電子、或
いは正孔は電荷保持層１３内に注入され、この電荷保持
層１３内にはコロナ放電器により高電界が印加されてお
り、注入された電子、或いは正孔は電荷保持層１３の表
面に向かって移動する。
このとき、注入された電子、或いは正孔が表面に到達し
て再結合する迄に電荷保持層１３内にトラップされると
表面電位が充分に低下せず、静電潜像の形成は出来なく
なる。
て再結合する迄に電荷保持層１３内にトラップされると
表面電位が充分に低下せず、静電潜像の形成は出来なく
なる。
従って電子、或いは正孔は電子写真感光体の表面に到達
するまでに電荷保持層１３内にトラップされないように
することが肝要であるが、本発明の電子写真感光体に用
いたアモルファスシリコン炭化珪素膜による電荷保持層
１３は前記したように光導電特性が良いので、トラップ
されることが少ない。
するまでに電荷保持層１３内にトラップされないように
することが肝要であるが、本発明の電子写真感光体に用
いたアモルファスシリコン炭化珪素膜による電荷保持層
１３は前記したように光導電特性が良いので、トラップ
されることが少ない。
また本発明の電子写真感光体層のアモルファス炭化珪素
膜よりなる電荷保持層１３は表面がコロナ帯電に依って
も劣化し難く長時間使用できる。
膜よりなる電荷保持層１３は表面がコロナ帯電に依って
も劣化し難く長時間使用できる。
更に本発明の電子写真感光体に用いたアモルファス炭化
珪素膜の電荷保持層１３の光導電性が良いので、アモル
ファスシリコン感光体層よりなる電荷発生層１２と電荷
保持層１３との間に電荷が蓄積されるようなことがなく
、従来の表面保護層を有する感光体で生じていた表面保
護層のブレークダウンによる印字画像の品質が劣化する
問題も生じない。
珪素膜の電荷保持層１３の光導電性が良いので、アモル
ファスシリコン感光体層よりなる電荷発生層１２と電荷
保持層１３との間に電荷が蓄積されるようなことがなく
、従来の表面保護層を有する感光体で生じていた表面保
護層のブレークダウンによる印字画像の品質が劣化する
問題も生じない。
尚、本実施例に於いては、導電性支持体１１と電荷発生
層１２との間に導電性支持体１１より導入される電荷ブ
ロッキング層を形成しなかったが、この電荷ブロッキン
グ層を設けても良い。
層１２との間に導電性支持体１１より導入される電荷ブ
ロッキング層を形成しなかったが、この電荷ブロッキン
グ層を設けても良い。
以上述べたように本発明の電子写真感光体によれば、電
荷発生層上に光導電性の良い電荷保持層が形成されてい
るので、コロナ放電に対して劣化し難く、かつ蓄積電荷
による残留電位によって印字画像に欠陥を生じない高信
頼度の電子写真感光体が得られる効果がある。
荷発生層上に光導電性の良い電荷保持層が形成されてい
るので、コロナ放電に対して劣化し難く、かつ蓄積電荷
による残留電位によって印字画像に欠陥を生じない高信
頼度の電子写真感光体が得られる効果がある。
第１図は本発明の電子写真感光体の構成を示す断面図、
第２図は本発明の電子写真感光体を形成するための装置
の模式図、 第３図は従来の電子写真感光体の構成を示す断面図であ
る。 図に於いて、 １１は導電性支持体、１２は電荷発生層、１３は電荷保
持層、２１は容器、２２は電極、２３は設置台、２４は
排気ポンプ、２５．２Ｂ、２９．３０はバルブ、２６は
シランガスボベ、２７は高周波発振器、３１は四弗化シ
ランガスボンベ、３２は四弗化炭素ガスボンベ、３３は
水不光呵めｔ戸４外【洋ｄ呻ａ 第１ｇ 第 ２ 図 従しシ覚拝纂格え仔り跡め国 ｆＪｓ３ｖｔＪ
の模式図、 第３図は従来の電子写真感光体の構成を示す断面図であ
る。 図に於いて、 １１は導電性支持体、１２は電荷発生層、１３は電荷保
持層、２１は容器、２２は電極、２３は設置台、２４は
排気ポンプ、２５．２Ｂ、２９．３０はバルブ、２６は
シランガスボベ、２７は高周波発振器、３１は四弗化シ
ランガスボンベ、３２は四弗化炭素ガスボンベ、３３は
水不光呵めｔ戸４外【洋ｄ呻ａ 第１ｇ 第 ２ 図 従しシ覚拝纂格え仔り跡め国 ｆＪｓ３ｖｔＪ
Claims (1)
- 導電性支持体（１１）上に少なくとも電荷発生層（１２
）と電荷保持層（１３）が順次積層され、前記電荷保持
層（１３）が、シリコンの弗素化合物ガスを分解して形
成したアモルファス炭化珪素膜で形成されていることを
特徴とする電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14617785A JPS626265A (ja) | 1985-07-02 | 1985-07-02 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14617785A JPS626265A (ja) | 1985-07-02 | 1985-07-02 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS626265A true JPS626265A (ja) | 1987-01-13 |
Family
ID=15401876
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14617785A Pending JPS626265A (ja) | 1985-07-02 | 1985-07-02 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS626265A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5664346A (en) * | 1979-10-30 | 1981-06-01 | Fuji Photo Film Co Ltd | Electrophotographic receptor and its preparation |
| JPS57119356A (en) * | 1981-01-16 | 1982-07-24 | Canon Inc | Photoconductive member |
| JPS58194732A (ja) * | 1982-05-06 | 1983-11-12 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | アモルフアス炭化シリコン層の形成方法 |
-
1985
- 1985-07-02 JP JP14617785A patent/JPS626265A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5664346A (en) * | 1979-10-30 | 1981-06-01 | Fuji Photo Film Co Ltd | Electrophotographic receptor and its preparation |
| JPS57119356A (en) * | 1981-01-16 | 1982-07-24 | Canon Inc | Photoconductive member |
| JPS58194732A (ja) * | 1982-05-06 | 1983-11-12 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | アモルフアス炭化シリコン層の形成方法 |
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