JPS6020942Y2 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS6020942Y2
JPS6020942Y2 JP1979101526U JP10152679U JPS6020942Y2 JP S6020942 Y2 JPS6020942 Y2 JP S6020942Y2 JP 1979101526 U JP1979101526 U JP 1979101526U JP 10152679 U JP10152679 U JP 10152679U JP S6020942 Y2 JPS6020942 Y2 JP S6020942Y2
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JP
Japan
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insulating plate
heat sink
metal electrode
groove
semiconductor device
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Expired
Application number
JP1979101526U
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English (en)
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JPS5619039U (ja
Inventor
正征 戸嶋
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Publication of JPS6020942Y2 publication Critical patent/JPS6020942Y2/ja
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/541—Dispositions of bond wires
    • H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は、装置内部に絶縁板を具備したいわゆる内部絶
縁型半導体装置、特にこのような内部絶縁型半導体装置
のうち樹脂封止形半導体装置の絶縁電圧の改良に関する
ものである。
第１図はこのような従来の内部絶縁型樹脂封止半導体装
置の断面図である。
第１図中、１は金属放熱板であり、この上に、上下面が
金属化処理されたセラミック絶縁板２が半田付されてい
る。
さらにその上に金属電極板３が半田付されており、この
金属電極板３の一部は、外部リード線６と接続している
。
金属電極板３の上に半導体ペレット４が半田付されてお
り、さらに半導体ペレット４の上部よりリード線５が半
田付又は超音波圧着されて外部リード線６と接続してい
る。
７は半導体ペレット４を外部雰囲気から保護する封止樹
脂である。
この様な従来構造の内部絶縁型樹脂封止半導体装置を使
用する時に問題になるのは絶縁電圧である。
即ち、金属放熱板１と、外部リード線６の間の絶縁電圧
として数ＫＶ以上必要である。
このため、従来は内部の絶縁板２の板厚を厚く、かつ大
きくして絶縁板２の周辺から金属電極板３の固着部まで
の距離ａと絶縁板の板厚すとの合計（ａ＋ｂ）の絶縁距
離を長くして、絶縁電圧を高めていた。
しかし、絶縁板を厚くすることは装置の放熱特性を悪く
し、且つ大きくすることは材料費が高くなるという欠点
がある。
本考案はかかる絶縁板の板厚および形状の増大を回避し
て、なおかつ、絶縁電圧の向上された半導体装置を得る
ことを目的としている。
第２図は本考案実施例であり、図中１１は金属放熱板で
ある。
この金属放熱板１１には、絶縁板２の周辺位置に沿い、
その周辺部底面が浮くように溝１２が設けられている。
例えば、本実施例では、溝１２の深さは０．５ｍｍ、溝
巾は２耽であり、絶縁板２の周辺底面がこの溝１２によ
り浮いている部分の長さＣは１悶にしである。
したがって、第１図の絶縁距離ａ十す、例えばａ＝２．
５ｍＸｂ＝０．５ｍｍで合計３ｒＩｒｙｔをそのままに
して、本考案の溝１２が設けられれば、絶縁距離はａ十
り＋ｃ＝４間となり、絶縁板の板厚、および大きさをそ
のままとしても１ｍｍの絶縁距離の増加、耐圧としては
約３ＫＶが４ＫＶに増加される。
これを逆にいえば、耐圧は従来のままに保持しながら、
底面絶縁距離Ｃの増大分だけ、絶縁板２の板厚または大
きさを小さくできる。
放熱板としては通常加工容易な銅が用いられるので、放
熱板打抜きのとき同時に溝１２の成形ができ、そのため
のコストアップは極めて小である。
【図面の簡単な説明】
第１図ａは従来の内部絶縁型樹脂封止半導体装置の断面
図、同図すは図ａの封止樹脂を取除いた平面図である。 第２図は本考案の一実施例の断面図である。 １．１１・・・・・・放熱板、２・・・・・・内部絶縁
板、３・・・・・・金属電極板、４・・・・・・半導体
ペレット、５・・・・・・接続ワイヤ、６・・・・・・
外部リード、７・・・・・・封止樹脂、１２・・・・・
・絶縁板底部周辺浮上用溝。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 金属放熱板の上に内部絶縁板が載置され、該内部絶縁板
    の上に金属電極板、半導体ペレットが積載され、該金属
    電極板及び該半導体ペレットからそれぞれ外部リード線
    が導出されている樹脂封止形半導体装置において、該金
    属放熱板の該内部絶縁板周辺近傍に、該絶縁板底部周辺
    浮上用の溝が設けられている事を特徴とする半導体装置
    。
JP1979101526U 1979-07-23 1979-07-23 半導体装置 Expired JPS6020942Y2 (ja)

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JPS5619039U JPS5619039U (ja) 1981-02-19
JPS6020942Y2 true JPS6020942Y2 (ja) 1985-06-22

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0758746B2 (ja) * 1985-02-27 1995-06-21 株式会社東芝 樹脂封止型半導体装置
DE202011100820U1 (de) * 2011-05-17 2011-12-01 Ixys Semiconductor Gmbh Leistungshalbleiter

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JPS5619039U (ja) 1981-02-19

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