JPS6269616A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPS6269616A JPS6269616A JP60210637A JP21063785A JPS6269616A JP S6269616 A JPS6269616 A JP S6269616A JP 60210637 A JP60210637 A JP 60210637A JP 21063785 A JP21063785 A JP 21063785A JP S6269616 A JPS6269616 A JP S6269616A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- wafer
- hot plate
- wafer surface
- surface temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体製造装置、特にフォトレジストの塗布装
置に関する。
置に関する。
従来、この種のフォトレジスト塗布装置におけるフォト
レジスト塗布後のプリベーク処理は第３゜４図に示すよ
うに通常ホットプレート１にてウェハー６を加熱するこ
とにより行っているが、プリベーク処理温度はウェハー
表面温度を測定せず、ホットプレート１内部のヒータ２
の温度を熱電対３で測定し、温度制御部によりホットプ
レート内部の温度が設定温度になるように制御する機構
になっていた。
レジスト塗布後のプリベーク処理は第３゜４図に示すよ
うに通常ホットプレート１にてウェハー６を加熱するこ
とにより行っているが、プリベーク処理温度はウェハー
表面温度を測定せず、ホットプレート１内部のヒータ２
の温度を熱電対３で測定し、温度制御部によりホットプ
レート内部の温度が設定温度になるように制御する機構
になっていた。
上述した従来のフォトレジスト塗布装置は、フォトレジ
スト塗布後のプリベーク処理における処理温度をホット
プレートの内部で測定し制御する機構となっている。例
えば１１０°Ｃ設定のホットプレート上のウェハー表面
温度は９５℃になることがあり、従来の温度制御では実
際のウェハー表面温度と設定温度とが一致しない。
スト塗布後のプリベーク処理における処理温度をホット
プレートの内部で測定し制御する機構となっている。例
えば１１０°Ｃ設定のホットプレート上のウェハー表面
温度は９５℃になることがあり、従来の温度制御では実
際のウェハー表面温度と設定温度とが一致しない。
フォトレジストの感度は第５図に示すようにプリベーク
温度によって大きく変化する。例えば、フォトレジスト
塗布後プリベーク温度を１１０℃で１００秒行った場合
のフォトレジスト感度が９２，７５０μＪであるのに対
し、プリベーク処理を１１５℃で１００秒にするとフォ
トレジストの感度は１０３，７００ＡＪとなり１０，９
５０μＪ変化する。
温度によって大きく変化する。例えば、フォトレジスト
塗布後プリベーク温度を１１０℃で１００秒行った場合
のフォトレジスト感度が９２，７５０μＪであるのに対
し、プリベーク処理を１１５℃で１００秒にするとフォ
トレジストの感度は１０３，７００ＡＪとなり１０，９
５０μＪ変化する。
第６図に示すようにフォトレジスト感度が２０゜０００
μＪ変化すると、パターンの寸法が約０，１μｍ変化す
るため、プリベーク処理中のウェハー表面温度はパター
ン形成において重要な要因である。
μＪ変化すると、パターンの寸法が約０，１μｍ変化す
るため、プリベーク処理中のウェハー表面温度はパター
ン形成において重要な要因である。
従って従来装置ではプリベーク処理中のウェハー表面の
温度を正確に制御していないため、微細パターンの寸法
を精度よく制御できないという欠点がある。
温度を正確に制御していないため、微細パターンの寸法
を精度よく制御できないという欠点がある。
本発明は前記問題点を解消し、微細パターンの寸法を精
度よく制御する半導体製造装置を提供するものである。
度よく制御する半導体製造装置を提供するものである。
本発明はヒータを内蔵したホットプレート上にウェハー
を載置し、ホットプレートによりウェハーを加熱してプ
リベーク処理を行う半導体製造装置において、ウェハー
に取付けられたウェハー表面温度検出用熱電対と、該熱
電対全通してウエノ）−表面温度を測定する温度測定部
と、該温度測定部の出力によりホットプレートのヒータ
を温度制御し、ウェハー表面温度を設定温度に設定する
温度制御部とを有することを特徴とする半導体製造装置
である。
を載置し、ホットプレートによりウェハーを加熱してプ
リベーク処理を行う半導体製造装置において、ウェハー
に取付けられたウェハー表面温度検出用熱電対と、該熱
電対全通してウエノ）−表面温度を測定する温度測定部
と、該温度測定部の出力によりホットプレートのヒータ
を温度制御し、ウェハー表面温度を設定温度に設定する
温度制御部とを有することを特徴とする半導体製造装置
である。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の平面図である。１はホット
プレート、２はホットプレート１に内蔵されたヒータブ
ロックである。温度測定用ウェハー６には熱電対３が取
付けられ、このウェハー６はウェハー収納部７から搬送
アーム８によりホットプレート１上に搬送される。ホッ
トプレート１上に搬送された後、温度測定用ウェハー６
はホットプレートｌ内部のヒータブロック２により所定
時間熱せられる。
プレート、２はホットプレート１に内蔵されたヒータブ
ロックである。温度測定用ウェハー６には熱電対３が取
付けられ、このウェハー６はウェハー収納部７から搬送
アーム８によりホットプレート１上に搬送される。ホッ
トプレート１上に搬送された後、温度測定用ウェハー６
はホットプレートｌ内部のヒータブロック２により所定
時間熱せられる。
第２図において、３は熱電対、４は温度測定部、５は温
度制御部である。第１図の収納部７から搬送された温度
測定用ウェハー６に取り付けられている熱電対３はヒー
タブロック２で熱せられたホットプレート１上のウェハ
ー表面温度を測定し電流に変換して温度測定部４に信号
を送り、温度を表示する。さらにその信号は温度制御部
５に送られ、設定温度と比較し、ウェハー表面温度が設
定温度と一致するように温度制御部５がヒータブロック
２を制御する信号を送る。ウェハー表面温度が設定温度
と一致した後は温度を固定するよう温度制御部が働く。
度制御部である。第１図の収納部７から搬送された温度
測定用ウェハー６に取り付けられている熱電対３はヒー
タブロック２で熱せられたホットプレート１上のウェハ
ー表面温度を測定し電流に変換して温度測定部４に信号
を送り、温度を表示する。さらにその信号は温度制御部
５に送られ、設定温度と比較し、ウェハー表面温度が設
定温度と一致するように温度制御部５がヒータブロック
２を制御する信号を送る。ウェハー表面温度が設定温度
と一致した後は温度を固定するよう温度制御部が働く。
以上説明したように本発明はフォトレジスト塗布装置の
プリベーク処理部にプリベーク中のウェハー表面温度を
各々のロットのフォトレジストの塗布およびプリベーク
処理を行う前に測定し、設定温度々一致するように自動
的にフィードバックし、固定する温度制御機構を有する
ことによりプリベーク中の実際のウェハー表面温度を自
動的に正確に制御し、所望の設定温度に精度よく一致で
き、したがって、フォトレジストの感度を一定に保ち、
フォトレジスト感度の変化によるパターン寸法の変化を
抑え、再現性の良いパターニングをすることができる効
果を有するものである。
プリベーク処理部にプリベーク中のウェハー表面温度を
各々のロットのフォトレジストの塗布およびプリベーク
処理を行う前に測定し、設定温度々一致するように自動
的にフィードバックし、固定する温度制御機構を有する
ことによりプリベーク中の実際のウェハー表面温度を自
動的に正確に制御し、所望の設定温度に精度よく一致で
き、したがって、フォトレジストの感度を一定に保ち、
フォトレジスト感度の変化によるパターン寸法の変化を
抑え、再現性の良いパターニングをすることができる効
果を有するものである。
第１図は本発明の一実施例を示す平面図、第２図は第１
図の断面図、第３図は従来のフォトレジスト塗布装置プ
リベーク処理部の平面図、第４図は第３図の断面図、第
５図はプリベーク温度−フォトレジスト感度の特性図、
第６図は積算光量−パターン寸法の特性図である。 １・・・ホットプレート、２・・・ヒータブロック、３
・・・熱電対、４・・・温度測定部、５・・・温度制御
部、６・・・ウェハー、７・・・温度測定用ウェハー収
納部、８・・・搬送アーム 特許出願人 日本電気株式会社 第１図 第２図 第４図 プリベー刀」及（０Ｃ） 第５図 狛算光＊Ｃｐ、Ｊ） 篤６図
図の断面図、第３図は従来のフォトレジスト塗布装置プ
リベーク処理部の平面図、第４図は第３図の断面図、第
５図はプリベーク温度−フォトレジスト感度の特性図、
第６図は積算光量−パターン寸法の特性図である。 １・・・ホットプレート、２・・・ヒータブロック、３
・・・熱電対、４・・・温度測定部、５・・・温度制御
部、６・・・ウェハー、７・・・温度測定用ウェハー収
納部、８・・・搬送アーム 特許出願人 日本電気株式会社 第１図 第２図 第４図 プリベー刀」及（０Ｃ） 第５図 狛算光＊Ｃｐ、Ｊ） 篤６図
Claims (1)
- （１）ヒータを内蔵したホットプレート上にウェハーを
載置し、ホットプレートによりウェハーを加熱してプリ
ベーク処理を行う半導体製造装置において、ウェハーに
取付けられたウェハー表面温度検出用熱電対と、該熱電
対を通してウェハー表面温度を測定する温度測定部と、
該温度測定部の出力によりホットプレートのヒータを温
度制御し、ウェハー表面温度を設定温度に設定する温度
制御部とを有することを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60210637A JPS6269616A (ja) | 1985-09-24 | 1985-09-24 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60210637A JPS6269616A (ja) | 1985-09-24 | 1985-09-24 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6269616A true JPS6269616A (ja) | 1987-03-30 |
Family
ID=16592605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60210637A Pending JPS6269616A (ja) | 1985-09-24 | 1985-09-24 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6269616A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63162525U (ja) * | 1987-04-10 | 1988-10-24 |
-
1985
- 1985-09-24 JP JP60210637A patent/JPS6269616A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63162525U (ja) * | 1987-04-10 | 1988-10-24 |
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