JPS6269628A - 半導体装置とその製造方法 - Google Patents
半導体装置とその製造方法Info
- Publication number
- JPS6269628A JPS6269628A JP60210577A JP21057785A JPS6269628A JP S6269628 A JPS6269628 A JP S6269628A JP 60210577 A JP60210577 A JP 60210577A JP 21057785 A JP21057785 A JP 21057785A JP S6269628 A JPS6269628 A JP S6269628A
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- JP
- Japan
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- semiconductor pellet
- paste
- bed
- semiconductor device
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体装置およびその製造方法に関する。
第４図に従来の半導体装置の部分断面を示す。
リードフレームのインナーリード１の中央部分にインナ
ーリード１と所定の間隔を有してベッド部２が位置して
おり、このベッド部２上に半導体ペレット３がペースト
４を介して所定位置にマウントされている。そして、こ
の半導体ペレット３上の電極とインナーリード１とが金
線、アルミニウム線等のボンディングワイヤ（図示せず
）によって接続され、半導体ペレット３、ボンディング
ワイヤ、ベッド部２を樹脂にてモールドして半導体装置
が形成される。ここで、ベッド部２は半導体ペレット３
をマウントしやすくするため、および電気的抵抗を介す
るため、通常マウントされる半導体ペレット３よりも大
きなサイズとなるように形成されている。
ーリード１と所定の間隔を有してベッド部２が位置して
おり、このベッド部２上に半導体ペレット３がペースト
４を介して所定位置にマウントされている。そして、こ
の半導体ペレット３上の電極とインナーリード１とが金
線、アルミニウム線等のボンディングワイヤ（図示せず
）によって接続され、半導体ペレット３、ボンディング
ワイヤ、ベッド部２を樹脂にてモールドして半導体装置
が形成される。ここで、ベッド部２は半導体ペレット３
をマウントしやすくするため、および電気的抵抗を介す
るため、通常マウントされる半導体ペレット３よりも大
きなサイズとなるように形成されている。
しかしながら、このようにリードフレームのベッド部２
が半導体ペレット３よりも大きい場合には、半導体ペレ
ット３の全面にペースト１が塗布されない場合、あるい
は半導体ペレット３からペースト４がはみ出した場合に
不都合が生じる。すなわち、ペースト４が全面に塗布さ
れない場合には半導体ペレット３とベッド部２が完全に
導通せず半導体装置の電気特性が不良となり、一方、ペ
ースト４がはみ出した場合には余分なベース１〜が半導
体ペレット３の上面周縁部に付着し、ペースト４に含有
される不純物によって半導体ペレット３表面に形成され
たアルミニウム配線層がコロ−ジョンを起こし、信頼性
低下の原因となる。さらに、ベッド部２が大きいど、ペ
ーストの滴下位置精度や滴下量精度が要求されこれら精
度を満足するようにペーストを滴下することは困難であ
るという問題があった。
が半導体ペレット３よりも大きい場合には、半導体ペレ
ット３の全面にペースト１が塗布されない場合、あるい
は半導体ペレット３からペースト４がはみ出した場合に
不都合が生じる。すなわち、ペースト４が全面に塗布さ
れない場合には半導体ペレット３とベッド部２が完全に
導通せず半導体装置の電気特性が不良となり、一方、ペ
ースト４がはみ出した場合には余分なベース１〜が半導
体ペレット３の上面周縁部に付着し、ペースト４に含有
される不純物によって半導体ペレット３表面に形成され
たアルミニウム配線層がコロ−ジョンを起こし、信頼性
低下の原因となる。さらに、ベッド部２が大きいど、ペ
ーストの滴下位置精度や滴下量精度が要求されこれら精
度を満足するようにペーストを滴下することは困難であ
るという問題があった。
本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、ペース
トの塗布むらや余分なぺ・−ストによる信頼性の低下を
招くことなく、ベース１〜の使用量が適切な半導体装置
おＪ：びその製造方法を提供することを目的としている
。
トの塗布むらや余分なぺ・−ストによる信頼性の低下を
招くことなく、ベース１〜の使用量が適切な半導体装置
おＪ：びその製造方法を提供することを目的としている
。
〔発明の概要〕
上記目的を達成するため本発明による半導体装置は、リ
ードフレームのベッド部のサイズをマウン１〜される半
導体ペレットのυイズよりも小さくしてペーストの広が
りをベッド部のサイズで制限するようにしたことを特徴
としている。また、本発明による半導体装置の製造方法
は、ペーストが滴下されたベッド部に半導体ペレットを
マウントするに際し、ベッド部の外側にはみ出したペー
ストを真空吸引で除去して半導体ペレットへの付着を防
止したことを特徴としている。
ードフレームのベッド部のサイズをマウン１〜される半
導体ペレットのυイズよりも小さくしてペーストの広が
りをベッド部のサイズで制限するようにしたことを特徴
としている。また、本発明による半導体装置の製造方法
は、ペーストが滴下されたベッド部に半導体ペレットを
マウントするに際し、ベッド部の外側にはみ出したペー
ストを真空吸引で除去して半導体ペレットへの付着を防
止したことを特徴としている。
以下、図示の一実施例により本発明を説明する。
第１図に示すように、半導体ペレット１１がマウントさ
れるリードフレームは、インナーリード及びアウターリ
ードが連設されたインナーリード１２と、インナーリー
ド１２の中央部分に所定間隔で設けられたベッド部１３
を有している。この場合、ベッド部１３はタイバー１４
によってインナーリード１２のほぼ中央部分に支持され
るものである。このベッド部１３上にはベース］〜１５
を介して半導体ペレット１１がマウントされるが、ベッ
ド部１３のサイズは半導体ベレツｉ・１１のサイズより
も小さくなるように形成されている。従って、ベッド部
１３上に滴下されるペースト１５はベッド部１３のサイ
ズで制限されるにうになっている。このため、ペースト
１５の滴下量を正確にコントロールする必要がなくなる
。またベッド部１３全面にペースト１５を塗布すればい
いのでペースト１５の滴下位置をコントロールする必要
がなくなる。次に、半導体ペレット１１の電極とリード
フレームのリード部１２のインナーリードとがボンディ
ングワイヤ（図示せず）によって接続される。半導体ペ
レッ１〜１１、ボンディングワイヤ、ベッド部１３およ
びインナーリード１２を含む領域が例えば樹脂によって
封止されて半導体装置が形成される。
れるリードフレームは、インナーリード及びアウターリ
ードが連設されたインナーリード１２と、インナーリー
ド１２の中央部分に所定間隔で設けられたベッド部１３
を有している。この場合、ベッド部１３はタイバー１４
によってインナーリード１２のほぼ中央部分に支持され
るものである。このベッド部１３上にはベース］〜１５
を介して半導体ペレット１１がマウントされるが、ベッ
ド部１３のサイズは半導体ベレツｉ・１１のサイズより
も小さくなるように形成されている。従って、ベッド部
１３上に滴下されるペースト１５はベッド部１３のサイ
ズで制限されるにうになっている。このため、ペースト
１５の滴下量を正確にコントロールする必要がなくなる
。またベッド部１３全面にペースト１５を塗布すればい
いのでペースト１５の滴下位置をコントロールする必要
がなくなる。次に、半導体ペレット１１の電極とリード
フレームのリード部１２のインナーリードとがボンディ
ングワイヤ（図示せず）によって接続される。半導体ペ
レッ１〜１１、ボンディングワイヤ、ベッド部１３およ
びインナーリード１２を含む領域が例えば樹脂によって
封止されて半導体装置が形成される。
このような半導体装置の製造は、第１図、第２図に示ず
ようにまず、リードフレームをマウントステージ１６上
に載置し、そのベッド部１３上にペースト１５を滴下し
て行なわれる。このマウントステージ１６のベッド部１
３下方には所定の深さで低くなる四部が形成され、この
凹部に吸引穴１７が開設されている。そして、この吸引
穴１７がホース等によって図示しない真空ポンプに接続
されている。かかる吸引はベッド部１３上に半導体ペレ
ット１１が載置されると同時、あるいはそれ以前から行
なわれており、半導体ペレット１１の載置でベッド部１
３から外側に押し出された余分のペーストがベッド部１
３上の半導体ベレット１１上面まで巡り込んで付着する
ことがないから、信頼性が向上すると共にペースト１５
の滴下量を多くして接着性を向上させることができる。
ようにまず、リードフレームをマウントステージ１６上
に載置し、そのベッド部１３上にペースト１５を滴下し
て行なわれる。このマウントステージ１６のベッド部１
３下方には所定の深さで低くなる四部が形成され、この
凹部に吸引穴１７が開設されている。そして、この吸引
穴１７がホース等によって図示しない真空ポンプに接続
されている。かかる吸引はベッド部１３上に半導体ペレ
ット１１が載置されると同時、あるいはそれ以前から行
なわれており、半導体ペレット１１の載置でベッド部１
３から外側に押し出された余分のペーストがベッド部１
３上の半導体ベレット１１上面まで巡り込んで付着する
ことがないから、信頼性が向上すると共にペースト１５
の滴下量を多くして接着性を向上させることができる。
またペースト１５はベッド部１３の全面に塗布されてい
るので電気的特性も安定したものが得られる。
るので電気的特性も安定したものが得られる。
次に、この半導体装置はワイヤボンディング工程に移送
される。このワイヤボンディングに際しては、ボンディ
ングワイヤの接続性を良好に行うため、半導体ペレット
１１おにびリードフレームをヒータブロックで加温して
行なう。第３図はこのワイヤボンディング時の状態を示
している。加温を行なうヒータブロック１８はリードフ
レームおよび半導体ペレット１１を内部に収納できるよ
うに凹部が形成されるが、凹部内にはベッド部１３の外
縁よりも外側にはみ出した半導体ベレッ１−の周縁部分
を支持して加温する段部１９が形成されている。半導体
ペレット１１４；１周縁部分の段部１９に支持されるこ
とで、ワイヤボンディング時の圧力等によってクラック
が発生するのを防１にすることができる。従って、半導
体ペレット１１の電極とリード部のインナーリードとの
接続が良好に行なわれる。このワイヤボンディングの後
は、樹脂を半導体ペレット１１、ボンディングワイＶ１
インナーリードを含む領域にモールドし、半導体装置が
製造される。
される。このワイヤボンディングに際しては、ボンディ
ングワイヤの接続性を良好に行うため、半導体ペレット
１１おにびリードフレームをヒータブロックで加温して
行なう。第３図はこのワイヤボンディング時の状態を示
している。加温を行なうヒータブロック１８はリードフ
レームおよび半導体ペレット１１を内部に収納できるよ
うに凹部が形成されるが、凹部内にはベッド部１３の外
縁よりも外側にはみ出した半導体ベレッ１−の周縁部分
を支持して加温する段部１９が形成されている。半導体
ペレット１１４；１周縁部分の段部１９に支持されるこ
とで、ワイヤボンディング時の圧力等によってクラック
が発生するのを防１にすることができる。従って、半導
体ペレット１１の電極とリード部のインナーリードとの
接続が良好に行なわれる。このワイヤボンディングの後
は、樹脂を半導体ペレット１１、ボンディングワイＶ１
インナーリードを含む領域にモールドし、半導体装置が
製造される。
以上のとおり本発明によれば、リードフレームのベッド
部をマウントされる半導体ペレットよりも小さなサイズ
にしたから、ペースｌ−ｌｉｔを多くして接着性を向上
させることができる。また、本発明の１１１造方法によ
れば、半導体ペレットを載置することによりベッド部の
外側にはみ出した余分のペーストを吸引力で除去するよ
うにしたから、ペーストが半導体ペレットの上面まで付
着することがなく、かつ電気的特性の低下を防止でき、
信頼性を向４ニさせることができる。
部をマウントされる半導体ペレットよりも小さなサイズ
にしたから、ペースｌ−ｌｉｔを多くして接着性を向上
させることができる。また、本発明の１１１造方法によ
れば、半導体ペレットを載置することによりベッド部の
外側にはみ出した余分のペーストを吸引力で除去するよ
うにしたから、ペーストが半導体ペレットの上面まで付
着することがなく、かつ電気的特性の低下を防止でき、
信頼性を向４ニさせることができる。
第１図、第２図は本発明による半導体装置のマウン１一
時の状態を示す断面図および平面図、第３図は同半導体
装置のワイヤボンディング時の状態を示す断面図、第４
図は従来の半導体装置の断面図である。 １１・・・半導体ペレット、１２・・・リード部、１３
・・・ベッド部、１／Ｉ・・・タイバー、１５・・・ペ
ース１〜．１６・・・マウントステージ、１８・・・ヒ
ータブロック。 第 １ 図 第２図 旧 第３ 図 第４図
時の状態を示す断面図および平面図、第３図は同半導体
装置のワイヤボンディング時の状態を示す断面図、第４
図は従来の半導体装置の断面図である。 １１・・・半導体ペレット、１２・・・リード部、１３
・・・ベッド部、１／Ｉ・・・タイバー、１５・・・ペ
ース１〜．１６・・・マウントステージ、１８・・・ヒ
ータブロック。 第 １ 図 第２図 旧 第３ 図 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、リードフレームのベッド部上に半導体ペレットをペ
ーストを介してマウントした半導体装置において、 前記ベッド部のサイズが前記半導体ペレットのサイズよ
りも小さいことを特徴とする半導体装置。 ２、リードフレームのベッド部にペーストを滴下し、前
記ベッド部よりも大きなサイズの半導体ペレットを前記
ベッド部上に載置し、前記ベッド部の外側に押し出され
た余分のペーストを真空吸引により除去することにより
、前記ベッド部に前記半導体ペレットをマウントするこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60210577A JPS6269628A (ja) | 1985-09-24 | 1985-09-24 | 半導体装置とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60210577A JPS6269628A (ja) | 1985-09-24 | 1985-09-24 | 半導体装置とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6269628A true JPS6269628A (ja) | 1987-03-30 |
Family
ID=16591613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60210577A Pending JPS6269628A (ja) | 1985-09-24 | 1985-09-24 | 半導体装置とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6269628A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0628997A3 (en) * | 1993-06-10 | 1995-09-06 | Texas Instruments Inc | Semiconductor device with a narrow carrier and manufacturing method. |
-
1985
- 1985-09-24 JP JP60210577A patent/JPS6269628A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0628997A3 (en) * | 1993-06-10 | 1995-09-06 | Texas Instruments Inc | Semiconductor device with a narrow carrier and manufacturing method. |
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