JPS6273544A - イオン銃 - Google Patents
イオン銃Info
- Publication number
- JPS6273544A JPS6273544A JP60213804A JP21380485A JPS6273544A JP S6273544 A JPS6273544 A JP S6273544A JP 60213804 A JP60213804 A JP 60213804A JP 21380485 A JP21380485 A JP 21380485A JP S6273544 A JPS6273544 A JP S6273544A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- ion source
- ion
- sublimation pump
- titanium sublimation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は表面分析において表面をスパッタリングするた
めのイオン銃に関する。
めのイオン銃に関する。
（従来の技術）
二次イオン質量分析（ＳＩＭＳ）やイオンによる表面の
エツチングにおいて、通常は非常に純粋な稀ガスイオン
を用いる。稀ガスイオンとしては通常アルゴン（Ａｒ）
イオンが用いられる。イオン源に供給されるアルゴンガ
スの純度は９９．９９９％以上にもなるが、わずかに混
入した０２やＨｅｒｏ及び途中のガス配管系の吸着ガス
の放出による０２やＨ２Ｏが、酸素イオンとなって試料
表面を酸化させる。
エツチングにおいて、通常は非常に純粋な稀ガスイオン
を用いる。稀ガスイオンとしては通常アルゴン（Ａｒ）
イオンが用いられる。イオン源に供給されるアルゴンガ
スの純度は９９．９９９％以上にもなるが、わずかに混
入した０２やＨｅｒｏ及び途中のガス配管系の吸着ガス
の放出による０２やＨ２Ｏが、酸素イオンとなって試料
表面を酸化させる。
一般の分析においては、この僅かの酸化を無視して特に
何も施されないか５あるいは第２図に示されるようにイ
オン銃１までのガス導入系４に完全に還元している銅粉
６を置き、これを加熱炉８により加熱してこの中を稀ガ
スを通して酸素を除いたりしている。
何も施されないか５あるいは第２図に示されるようにイ
オン銃１までのガス導入系４に完全に還元している銅粉
６を置き、これを加熱炉８により加熱してこの中を稀ガ
スを通して酸素を除いたりしている。
（発明が解決しようとする問題点）
第２図のように銅粉を加熱して酸素を除去する方法は手
間がかかり、管理が面倒なため、実際には殆んど行なわ
れていない。
間がかかり、管理が面倒なため、実際には殆んど行なわ
れていない。
本発明は、イオン源に供給される稀ガス中のＯり、ＦＩ
り○、Ｎ：などの不純物成分を除き、純粋な稀ガスイオ
ン（特にアルゴンイオン）でスパッタリングできるよう
にしたイオン銃を提供することを目的とするものである
６ （問題点を解決するための手段） 一実施例を示す第１図を参照して説明すると、本発明の
イオン銃では、イオン源（２）に接近してチタンサブリ
メーションポンプ（１０）を取りつけ、このチタンサブ
リメーションポンプ（１０）を経由してイオン源（２）
にイオン化される稀ガスを供給することにより、イオン
源（２）から純粋な稀ガスイオンが出射されるようにし
たものである。
り○、Ｎ：などの不純物成分を除き、純粋な稀ガスイオ
ン（特にアルゴンイオン）でスパッタリングできるよう
にしたイオン銃を提供することを目的とするものである
６ （問題点を解決するための手段） 一実施例を示す第１図を参照して説明すると、本発明の
イオン銃では、イオン源（２）に接近してチタンサブリ
メーションポンプ（１０）を取りつけ、このチタンサブ
リメーションポンプ（１０）を経由してイオン源（２）
にイオン化される稀ガスを供給することにより、イオン
源（２）から純粋な稀ガスイオンが出射されるようにし
たものである。
（作用）
チタンサブリメーションポンプ（１０）の排気能力はア
ルゴンガスなどの稀ガスに対しては殆んどないが、０２
．Ｈ二〇、Ｎ？などに対して極めて大きい。したがって
、導入された稀ガス中、又はイオン源内部から放出され
た吸着ガス中の０２゜Ｈ２Ｏ，Ｎ２などはチタンサブリ
メーションポンプ（１０）によって選択的に排気され、
ガスの精製がなされる。
ルゴンガスなどの稀ガスに対しては殆んどないが、０２
．Ｈ二〇、Ｎ？などに対して極めて大きい。したがって
、導入された稀ガス中、又はイオン源内部から放出され
た吸着ガス中の０２゜Ｈ２Ｏ，Ｎ２などはチタンサブリ
メーションポンプ（１０）によって選択的に排気され、
ガスの精製がなされる。
（実施例）
第１図は一実施例を表わす。
イオン源２としては、−例として電子衝撃型のイオン源
を用いる。１２はフィラメント、１４はグリッドであり
、フィラメント１２からグリッド１４に向って電子が放
出され、イオン源２内のガスがその電子によりイオン化
さ九る。イオン源２↓こはイオン取出し用の小孔（直径
ｄ＋）１６とイオン化される稀ガスが供給されるガス供
給孔（直径ｄ：）１８が設けられている。
を用いる。１２はフィラメント、１４はグリッドであり
、フィラメント１２からグリッド１４に向って電子が放
出され、イオン源２内のガスがその電子によりイオン化
さ九る。イオン源２↓こはイオン取出し用の小孔（直径
ｄ＋）１６とイオン化される稀ガスが供給されるガス供
給孔（直径ｄ：）１８が設けられている。
イオン源２のガス供給孔１８には、イオン源２に接近し
てチタンサブリメーションポンプ１ｏが接続されている
。チタンサブリメーションポンプ１０はチタン棒にてな
る電極２０をもっている。
てチタンサブリメーションポンプ１ｏが接続されている
。チタンサブリメーションポンプ１０はチタン棒にてな
る電極２０をもっている。
チタン電極２０には数Ｖ程度の電圧が印加される。
チタンサブリメーションポンプ１０にはガス導入系４か
ら稀ガスが供給される。
ら稀ガスが供給される。
２０はイオン源２からイオンが照射される試料、２４は
イオン源２のイオン取出し孔１６から引き出されたイオ
ンを試料２２上に収束させるレンズ系である。
イオン源２のイオン取出し孔１６から引き出されたイオ
ンを試料２２上に収束させるレンズ系である。
本実施例の各部の動作圧Ｐ＋ 、Ｐ２．Ｐ３は、イオン
源２内（Ｐ＋）では５ Ｘ １０− ’ ”ｏｒｒ程度
、チタンサブリメーションポンプ１０内（Ｐ ２ ＞
ではＩ Ｘ １０− ’ Ｔｏｒｒ程度、レンズ系２４
や試着２２が設けられている分析部（Ｐ３）では ５×
１０−７Ｔｏｒｒ程度である。
源２内（Ｐ＋）では５ Ｘ １０− ’ ”ｏｒｒ程度
、チタンサブリメーションポンプ１０内（Ｐ ２ ＞
ではＩ Ｘ １０− ’ Ｔｏｒｒ程度、レンズ系２４
や試着２２が設けられている分析部（Ｐ３）では ５×
１０−７Ｔｏｒｒ程度である。
動作時、ガス導入系４からチタンサブリメーションポン
プ１０へアルゴンガスなどの稀ガスが導入される６その
稀ガス中の０２や８２０などの不純物がチタンサブリメ
ーションポンプ１０で除去され、稀ガスのみがガス供給
孔１８からイオン源２内に導入され、イオン化される。
プ１０へアルゴンガスなどの稀ガスが導入される６その
稀ガス中の０２や８２０などの不純物がチタンサブリメ
ーションポンプ１０で除去され、稀ガスのみがガス供給
孔１８からイオン源２内に導入され、イオン化される。
イオンは取出し孔１６から引き出され、レンズ系２４に
より試料２２上に収束する。
より試料２２上に収束する。
（発明の効果）
本発明ではイオン源に供給される稀ガス中の不純物ガス
をチタンサブリメーションポンプで除去するようにした
ので、次のような効果を達成することができる。
をチタンサブリメーションポンプで除去するようにした
ので、次のような効果を達成することができる。
（１）残留ガス成分に大きく影響を受ける二次イオン質
量分析において定量精度が向上する。
量分析において定量精度が向上する。
（２）イオンエツチングにおいて、試料表面を°酸化さ
せない。
せない。
第１図は一実施例を示す概略断面図、第２図は従来のイ
オン銃の一例を示す概略断面図である。 ２・・・・・・イオン源、 ４・・・・・・ガス導入系、 １０・・・・・・チタンサブリメーションポンプ。
オン銃の一例を示す概略断面図である。 ２・・・・・・イオン源、 ４・・・・・・ガス導入系、 １０・・・・・・チタンサブリメーションポンプ。
Claims (1)
- （１）イオン源に接近してチタンサブリメーションポン
プを取りつけ、このチタンサブリメーションポンプを経
由して前記イオン源にイオン化される稀ガスを供給する
ことを特徴とするイオン銃。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60213804A JPS6273544A (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | イオン銃 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60213804A JPS6273544A (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | イオン銃 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6273544A true JPS6273544A (ja) | 1987-04-04 |
Family
ID=16645318
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60213804A Pending JPS6273544A (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | イオン銃 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6273544A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2660485A1 (fr) * | 1990-03-30 | 1991-10-04 | Orsay Physics | Dispositif de focalisation d'un faisceau de particules chargees. |
-
1985
- 1985-09-26 JP JP60213804A patent/JPS6273544A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2660485A1 (fr) * | 1990-03-30 | 1991-10-04 | Orsay Physics | Dispositif de focalisation d'un faisceau de particules chargees. |
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