JPS6273619A - 揮発性物質の気化装置 - Google Patents
揮発性物質の気化装置Info
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- JPS6273619A JPS6273619A JP60212908A JP21290885A JPS6273619A JP S6273619 A JPS6273619 A JP S6273619A JP 60212908 A JP60212908 A JP 60212908A JP 21290885 A JP21290885 A JP 21290885A JP S6273619 A JPS6273619 A JP S6273619A
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、蒸気圧の高い液体状の揮発性物質の気化装置
に関するものである。
に関するものである。
従来の技術
化合物半導体の気相成長（たとえばハライド気相エピタ
キシャル成長法や有機金属気相成長法）。
キシャル成長法や有機金属気相成長法）。
ＣＶＤ法による電極形成（たとえばモリブデン電極の形
成）等、半導体装置の結晶成長やプロセスにおいて、揮
発性物質を気化させて、それを原料として用いているこ
とが多い。
成）等、半導体装置の結晶成長やプロセスにおいて、揮
発性物質を気化させて、それを原料として用いているこ
とが多い。
その−例として、揮発性物質である有機金属（アルキル
化物）を原料と（〜で用いる有機金属気相成長法（Ｍｅ
ｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏ
ｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ 、略してＭＯＣＶＤ）がある
。この場合一般に、高い蒸気圧の液体である１機金属に
キャリアガスを流し込み、その蒸気を含１せて炉へ供給
している。このときの有機金属の気化装置は、第４図１
／Ｃ示すような構造をしている。ギヤリアガスはガス流
入管１を通Ｉ−で有機金属である揮発性物質２の入った
容器３に流入する。ガス流入管１の先端部４は揮発性物
質２の中に挿入されているので、流入したキャリアガス
は気泡となって揮発性物質内を液面まで上ってくる。こ
れをバブリングと呼んでいる。バブリングしたキャリア
ガスは気化した揮発性物質の蒸気を含み、ガス排気管６
を通って容器から排出される。したがってこのような構
造の揮発性物質の気化装置を用いて結晶を気相成長する
場合、ガス流入管１は、気相成長装置のキャリアガス供
給源側、ガス排出管５は、気相成長装置の成長反応部側
のガス管にそれぞれ接続される。そしてキャリアガス供
給源からキャリアガスがガス流入管１に供給されて、バ
ブリングにより揮発性物質が気化する。気化した揮発性
物質は、キャリアガスに含まれてガス排気管６より気相
成長反応部へ供給され、結晶成長反応がおこるわけであ
る。
化物）を原料と（〜で用いる有機金属気相成長法（Ｍｅ
ｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏ
ｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ 、略してＭＯＣＶＤ）がある
。この場合一般に、高い蒸気圧の液体である１機金属に
キャリアガスを流し込み、その蒸気を含１せて炉へ供給
している。このときの有機金属の気化装置は、第４図１
／Ｃ示すような構造をしている。ギヤリアガスはガス流
入管１を通Ｉ−で有機金属である揮発性物質２の入った
容器３に流入する。ガス流入管１の先端部４は揮発性物
質２の中に挿入されているので、流入したキャリアガス
は気泡となって揮発性物質内を液面まで上ってくる。こ
れをバブリングと呼んでいる。バブリングしたキャリア
ガスは気化した揮発性物質の蒸気を含み、ガス排気管６
を通って容器から排出される。したがってこのような構
造の揮発性物質の気化装置を用いて結晶を気相成長する
場合、ガス流入管１は、気相成長装置のキャリアガス供
給源側、ガス排出管５は、気相成長装置の成長反応部側
のガス管にそれぞれ接続される。そしてキャリアガス供
給源からキャリアガスがガス流入管１に供給されて、バ
ブリングにより揮発性物質が気化する。気化した揮発性
物質は、キャリアガスに含まれてガス排気管６より気相
成長反応部へ供給され、結晶成長反応がおこるわけであ
る。
発明が解決しようとする問題点
ところがこのような構造をもつ揮発性物質の気化装置で
は、ガス流入管のガス圧が、キャリアガス供給源のガス
圧低下やガスリーク等何らかの原因で低下した場合やガ
ス排気管のガス圧が、成長反応部側のガス系の詰り等の
原因で上昇した場合において、ガス排出管内のガス圧が
ガス流入管内のガス圧よりも高くなると、容器内の揮発
性物質がガス流入管へ押し出されてしまうという欠点が
あった。
は、ガス流入管のガス圧が、キャリアガス供給源のガス
圧低下やガスリーク等何らかの原因で低下した場合やガ
ス排気管のガス圧が、成長反応部側のガス系の詰り等の
原因で上昇した場合において、ガス排出管内のガス圧が
ガス流入管内のガス圧よりも高くなると、容器内の揮発
性物質がガス流入管へ押し出されてしまうという欠点が
あった。
揮発性物質の気化装置は、通常恒温槽等である一定の温
度に保つことで、その蒸気圧を一定にして、キャリアガ
スの流量によって揮発性物質の供給量を制御する。とこ
ろが前述のようにガス流入管側へ逆流し、管壁に付着し
たり、溜ったりすると、温度が一定に保たれていない揮
発性物質からの気化が生じるため、揮発性物質の供給量
の制御が困難となってしまう。まだ、揮発性物質が有機
金属のように不安定な物質で、空気等と激Ｌ＜反応した
り、自然発火する場合、揮発性物質の気化装置の交換時
に、ガス管をはずすことが非常に危険となる。
度に保つことで、その蒸気圧を一定にして、キャリアガ
スの流量によって揮発性物質の供給量を制御する。とこ
ろが前述のようにガス流入管側へ逆流し、管壁に付着し
たり、溜ったりすると、温度が一定に保たれていない揮
発性物質からの気化が生じるため、揮発性物質の供給量
の制御が困難となってしまう。まだ、揮発性物質が有機
金属のように不安定な物質で、空気等と激Ｌ＜反応した
り、自然発火する場合、揮発性物質の気化装置の交換時
に、ガス管をはずすことが非常に危険となる。
本発明はかかる点を鑑みてなされたもので、揮発性物質
がガス流入管へ押し出され、逆流することを防ぐ揮発性
物質の気化装置を提供することを目的としている。
がガス流入管へ押し出され、逆流することを防ぐ揮発性
物質の気化装置を提供することを目的としている。
問題点を解決するための手段
前述の問題点を解決する本発明の技術的手段は、揮発性
物質中に先端部が突っ込れたガス流入管と、気化した前
記揮発性物質を排気するガス排出管と、前記ガス流入管
と前記ガス排出管のガス圧力の差を検知する差圧計と、
前記ガス流入管に直結し、かつ前記ガス排出管よりも常
に高圧力のガス供給源と接続できる圧力調整用ガス管と
前記圧力調整用ガス管の途中に前記差圧計と連動し、前
記ガス排出管内のガス圧が前記ガス流入管内のガス圧よ
りも高くなったとき、弁が開く圧力調整バルブとを備え
るものである。
物質中に先端部が突っ込れたガス流入管と、気化した前
記揮発性物質を排気するガス排出管と、前記ガス流入管
と前記ガス排出管のガス圧力の差を検知する差圧計と、
前記ガス流入管に直結し、かつ前記ガス排出管よりも常
に高圧力のガス供給源と接続できる圧力調整用ガス管と
前記圧力調整用ガス管の途中に前記差圧計と連動し、前
記ガス排出管内のガス圧が前記ガス流入管内のガス圧よ
りも高くなったとき、弁が開く圧力調整バルブとを備え
るものである。
作 用
この技術的手段による作用は次のようになる。
揮発性物質がガス流入管へ押し出されるような状態、す
なわち、ガス排出管内のガス圧が、ガス流入管内のガス
圧より高くなった・場合に、差圧計がそれを検知し、差
圧計と連動した圧力調整バルブの弁が開き、ガス排気管
のガス圧よりも高圧のガス供給源から圧力調整用ガス管
を通じてガスが、ガス流入管のガス圧がガス排気管のガ
ス圧と同じになるまで流れ込む。双方のガス圧が同じに
なると差圧語が検知して圧力調整バルブの弁が閉じる。
なわち、ガス排出管内のガス圧が、ガス流入管内のガス
圧より高くなった・場合に、差圧計がそれを検知し、差
圧計と連動した圧力調整バルブの弁が開き、ガス排気管
のガス圧よりも高圧のガス供給源から圧力調整用ガス管
を通じてガスが、ガス流入管のガス圧がガス排気管のガ
ス圧と同じになるまで流れ込む。双方のガス圧が同じに
なると差圧語が検知して圧力調整バルブの弁が閉じる。
したがって揮発性物質はガス流入管へ押し出されること
がなくなる。
がなくなる。
実施例
以下、本発明の実施例を添付図面に基づいて説明する。
なお本実施例では、揮発性物質としては有機金属（アル
キル化物）であり、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）
の原料として用いる場合について示すが、揮発性物質は
有機金属に限るものでもなく、また揮発性物質を気化さ
せて用いる装置であれば、いかなる装置にこの気化装置
を接続しても本発明は適用される。
キル化物）であり、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）
の原料として用いる場合について示すが、揮発性物質は
有機金属に限るものでもなく、また揮発性物質を気化さ
せて用いる装置であれば、いかなる装置にこの気化装置
を接続しても本発明は適用される。
本発明の一実施例を第１図に示す。１はキャリアガスの
ガス流入管である。２は揮発性物質であり、容器３に入
っている。ガス流入管１の先端部４は揮発性物質２の中
に挿入されている。一方、５は気化した揮発性物質を含
んだキャリアガスが排出されるガス排気管である。６は
ガス流入管１とガス排出管６のそれぞれのガス圧の差を
検知する差圧計である。７はガス排出管のガス圧よりも
常に高い圧力のガス供給源と接続する圧力調整用ガス管
であり、その途中に差圧計６と連動し、ガス排出管６の
ガス圧がガス流入管のガス圧よりも高くなったとき、弁
が開く圧力調整用バルブ８が備えである。
ガス流入管である。２は揮発性物質であり、容器３に入
っている。ガス流入管１の先端部４は揮発性物質２の中
に挿入されている。一方、５は気化した揮発性物質を含
んだキャリアガスが排出されるガス排気管である。６は
ガス流入管１とガス排出管６のそれぞれのガス圧の差を
検知する差圧計である。７はガス排出管のガス圧よりも
常に高い圧力のガス供給源と接続する圧力調整用ガス管
であり、その途中に差圧計６と連動し、ガス排出管６の
ガス圧がガス流入管のガス圧よりも高くなったとき、弁
が開く圧力調整用バルブ８が備えである。
以上のような構造の揮発性物質の気化装置の作用を次に
説明する。通常はガス流入管１側をガス排出管６側より
もガス圧を高めにして使用する。
説明する。通常はガス流入管１側をガス排出管６側より
もガス圧を高めにして使用する。
したがってキャリアガスはガス流入管１を通って、揮発
性物質２の入った容器に流入し、バブリングして気化し
た揮発性物質を含む。揮発性物質を含んだキャリアガス
はガス排出管５を通って排出される。ところが前述した
ように何らかの原因でガス排出管６側のガス圧がガス流
入管１側のガス圧よりも高くなった場合、それを差圧計
６が検知し、連動して圧力調整バルブの弁が開き、ガス
排気管６のガス圧よりも常に高圧のキャリアガス供給源
に接続された圧力調整用ガス管７を通じてキャリアガス
が、ガス流入管１に流れ、ガス流入管１のガス圧を高め
る。そしてガス排出管６のガス圧と同じになったとき、
差圧計６がそれを検知して圧力調整バルブの弁を閉じ、
圧力調整用ガス管にキャリアガスは流れなくなる。以上
のようにしてガス排出管５側がガス流入管１側のガス圧
より高くなって、揮発性物質２がガス流入管１へ押し出
されることを防止する。
性物質２の入った容器に流入し、バブリングして気化し
た揮発性物質を含む。揮発性物質を含んだキャリアガス
はガス排出管５を通って排出される。ところが前述した
ように何らかの原因でガス排出管６側のガス圧がガス流
入管１側のガス圧よりも高くなった場合、それを差圧計
６が検知し、連動して圧力調整バルブの弁が開き、ガス
排気管６のガス圧よりも常に高圧のキャリアガス供給源
に接続された圧力調整用ガス管７を通じてキャリアガス
が、ガス流入管１に流れ、ガス流入管１のガス圧を高め
る。そしてガス排出管６のガス圧と同じになったとき、
差圧計６がそれを検知して圧力調整バルブの弁を閉じ、
圧力調整用ガス管にキャリアガスは流れなくなる。以上
のようにしてガス排出管５側がガス流入管１側のガス圧
より高くなって、揮発性物質２がガス流入管１へ押し出
されることを防止する。
次に、このような揮発性物質の気化装置の使用例を第２
図に示す。揮発性物質は有機金属のトリエチルインジウ
ム４１ （ＴＥＩ 、 （Ｃ２Ｈ６）３Ｉｎ）およびト
リエチルガリウム４２ （ＴＥＧ 、 （Ｃ２Ｈ６）３
Ｇａ）であり、ＩｎＧａＡｇＰのＭＯＣＶＤ 成長の
原料として用いられる場合を示す。第１図に示した本発
明の一実施例の揮発性物質の気化装置は、４３および４
４の部分に接続されている。キャリアガスである水素（
Ｈ２）はマスフロー４５および４６で、それぞれ３５０
ｃｃ／釧および８０ ｃａｌｍ に制御されてそれ
ぞれの気化装置のガス流入管１を通じてＴＥＩ４１、お
よびＴＥＧ４２へ流れ込み、バブリングして気化させる
。気化したＴＥＩおよびＴＥＧを含んだ水素はそれぞれ
のガス排気管５をおよび水素で６％に希釈したＡ！ｌＨ
３４９（アルシン）が用いられ、それぞれマス７０−５
ｏおよび６１で１７０ ａａ／ｗｉｎおよび１００ Ｃ
Ｃ／Ｈに流量制御されたのち、成長炉４７へ供給される
。成長炉４７では基板６２を６７０°Ｃに加熱し、供給
された原料の熱分解反応によって基板６２上にｒ ｎＧ
ａＡ ｓ Ｐ四元混晶がエピタキシャル成長スる。
図に示す。揮発性物質は有機金属のトリエチルインジウ
ム４１ （ＴＥＩ 、 （Ｃ２Ｈ６）３Ｉｎ）およびト
リエチルガリウム４２ （ＴＥＧ 、 （Ｃ２Ｈ６）３
Ｇａ）であり、ＩｎＧａＡｇＰのＭＯＣＶＤ 成長の
原料として用いられる場合を示す。第１図に示した本発
明の一実施例の揮発性物質の気化装置は、４３および４
４の部分に接続されている。キャリアガスである水素（
Ｈ２）はマスフロー４５および４６で、それぞれ３５０
ｃｃ／釧および８０ ｃａｌｍ に制御されてそれ
ぞれの気化装置のガス流入管１を通じてＴＥＩ４１、お
よびＴＥＧ４２へ流れ込み、バブリングして気化させる
。気化したＴＥＩおよびＴＥＧを含んだ水素はそれぞれ
のガス排気管５をおよび水素で６％に希釈したＡ！ｌＨ
３４９（アルシン）が用いられ、それぞれマス７０−５
ｏおよび６１で１７０ ａａ／ｗｉｎおよび１００ Ｃ
Ｃ／Ｈに流量制御されたのち、成長炉４７へ供給される
。成長炉４７では基板６２を６７０°Ｃに加熱し、供給
された原料の熱分解反応によって基板６２上にｒ ｎＧ
ａＡ ｓ Ｐ四元混晶がエピタキシャル成長スる。
ところが、水素供給源６３のガス圧が何らかの原因で低
下したり、水素供給源５３からガス流入管１の間でガス
リークが生じたり、またはガス排気管５から排ガス処理
装置５４の間でガス管が詰ったりしてガス排出管５のガ
ス圧がガス流入管１のガス圧より高くなると、差圧計６
がそれを検知し、連動して圧力調整バルブ８の弁が開い
て、ガス排気管５のガス圧より常に高い圧力をもつ水素
ガス供給源６６および６６から水素が圧力調整用ガス管
７を通ってガス流入管１に流れ込み、ガス圧を上げる。
下したり、水素供給源５３からガス流入管１の間でガス
リークが生じたり、またはガス排気管５から排ガス処理
装置５４の間でガス管が詰ったりしてガス排出管５のガ
ス圧がガス流入管１のガス圧より高くなると、差圧計６
がそれを検知し、連動して圧力調整バルブ８の弁が開い
て、ガス排気管５のガス圧より常に高い圧力をもつ水素
ガス供給源６６および６６から水素が圧力調整用ガス管
７を通ってガス流入管１に流れ込み、ガス圧を上げる。
そして両者のガス圧力差がなくなると、圧力調整用バル
ブ８の弁は閉じる。これによりＴＥＩ４１やＴＥＧ４２
がガス流入管１へ押し出されることが防げた。なお水素
ガス供給源５３の水素ガス圧力は２Ｋｐ／ｉ 、水素
ガス供給源６６および６６の圧力は７ Ｋ９７ｃｎｉで
あった。
ブ８の弁は閉じる。これによりＴＥＩ４１やＴＥＧ４２
がガス流入管１へ押し出されることが防げた。なお水素
ガス供給源５３の水素ガス圧力は２Ｋｐ／ｉ 、水素
ガス供給源６６および６６の圧力は７ Ｋ９７ｃｎｉで
あった。
本発明の他の実施例を第３図に示す。第１図と同一構成
部には第１図と同じ番号を記す。１はガス流入管であり
、その先端部４は容器３に入った揮発性物質２に挿入さ
れている。６はガス排出管である。次にガス流入管１の
ガス圧を検知する第一の圧力計１１とガス排出管６のガ
ス圧を検知する第２の圧力計１２と、両者の圧力を比べ
る比較器１３とを備える。そして比較器１３と連動し、
ガス排気管６側のガス圧がガス流入管１側より高くなっ
た場合、圧力調整用バルブ８の弁が開きガス排気管のガ
ス圧より常に大きいガス圧をもつキャリアガス供給源か
ら、圧力調整用ガス管７全通してキャリアガスがガス流
入管１内に流入しガス圧を高める。ガス排出管５とのガ
ス圧差が零になると比較器１３が検知し圧力調整バルブ
８の弁が閉じる。よって揮発性物質２がガス流入管１・
＼押し出されることが防止される。まだ、ガス流入管１
には揮発性物質を含まないキャリアガスが流れるので、
ガス流入管１の管壁が揮発性物質で汚れることはない。
部には第１図と同じ番号を記す。１はガス流入管であり
、その先端部４は容器３に入った揮発性物質２に挿入さ
れている。６はガス排出管である。次にガス流入管１の
ガス圧を検知する第一の圧力計１１とガス排出管６のガ
ス圧を検知する第２の圧力計１２と、両者の圧力を比べ
る比較器１３とを備える。そして比較器１３と連動し、
ガス排気管６側のガス圧がガス流入管１側より高くなっ
た場合、圧力調整用バルブ８の弁が開きガス排気管のガ
ス圧より常に大きいガス圧をもつキャリアガス供給源か
ら、圧力調整用ガス管７全通してキャリアガスがガス流
入管１内に流入しガス圧を高める。ガス排出管５とのガ
ス圧差が零になると比較器１３が検知し圧力調整バルブ
８の弁が閉じる。よって揮発性物質２がガス流入管１・
＼押し出されることが防止される。まだ、ガス流入管１
には揮発性物質を含まないキャリアガスが流れるので、
ガス流入管１の管壁が揮発性物質で汚れることはない。
なお、圧力調整バルブ８は差圧計６や比較器１３と連動
して弁が自動的に開閉するものであれば電磁弁でも空気
圧作動パルプ等でも良い。
して弁が自動的に開閉するものであれば電磁弁でも空気
圧作動パルプ等でも良い。
発明の効果
以上のように本発明によれば、揮発性物質の気化装置の
ガス排出管のガス圧がガス流入管のガス圧より高くなり
、揮発性物質がガス流入管へ押し出され、逆流すること
が未然に防止できるため、この事故によりガス流入管側
に揮発性物質が付着したり、溜ったりして揮発性物質の
供給量の制御が困難になったり、オだ気化装置の交換時
の揮発性物質のもれによる危険性を除くことができ、き
わめて有用である。
ガス排出管のガス圧がガス流入管のガス圧より高くなり
、揮発性物質がガス流入管へ押し出され、逆流すること
が未然に防止できるため、この事故によりガス流入管側
に揮発性物質が付着したり、溜ったりして揮発性物質の
供給量の制御が困難になったり、オだ気化装置の交換時
の揮発性物質のもれによる危険性を除くことができ、き
わめて有用である。
第１図は本発明の一実施例の揮発性物質の気化装置の構
造概略図、第２図は本発明の一実施例の一使用例の気相
成長装置のガス系統概略図、第３図は本発明の他の実施
例の揮発性物質の気化装置の構造概略図、第４図は従来
の揮発性物質の気化装置の構造概略図である。 １・・・・・・ガス流入管、２・・・・・・揮発性物質
、４・・・・・・先端部、５・・・・・・ガス排出管、
６・・・・・・差圧計、７・・・・・・圧力調整用ガス
管、８・・・・・・圧力調整バルブ、１１・・・・・・
第１の圧力計、１２・・・・・・第２の圧力計、１３・
・・・・・比較器。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第３図 １Ｉ 第１軌力言士 第４図 ／ Ｓ
造概略図、第２図は本発明の一実施例の一使用例の気相
成長装置のガス系統概略図、第３図は本発明の他の実施
例の揮発性物質の気化装置の構造概略図、第４図は従来
の揮発性物質の気化装置の構造概略図である。 １・・・・・・ガス流入管、２・・・・・・揮発性物質
、４・・・・・・先端部、５・・・・・・ガス排出管、
６・・・・・・差圧計、７・・・・・・圧力調整用ガス
管、８・・・・・・圧力調整バルブ、１１・・・・・・
第１の圧力計、１２・・・・・・第２の圧力計、１３・
・・・・・比較器。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第３図 １Ｉ 第１軌力言士 第４図 ／ Ｓ
Claims (2)
- （１）揮発性物質中に先端部が挿入されたガス流入管と
、気化した前記揮発性物質を含んだガスを排出するガス
排出管と、前記ガス流入管と前記ガス排出管のガス圧力
の差を検知する差圧計と、前記ガス流入管に直結しかつ
前記ガス排出管よりも常に高圧力のガス供給源と接続で
きる圧力調整用ガス管と、前記圧力調整用ガス管の途中
に前記差圧計と連動し、前記ガス排出管内のガス圧が前
記ガス流入管内のガス圧よりも高くなったとき、弁が開
く圧力調整バルブとを備えていることを特徴とする揮発
性物質の気化装置。 - （２）差圧計がガス流入管内のガス圧を検知する第１の
圧力計と、ガス排出管内のガス圧を検知する第２の圧力
計と、両者の圧力計で検知された圧力を比べる比較器と
からなる特許請求の範囲第１項記載の揮発性物質の気化
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60212908A JPS6273619A (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | 揮発性物質の気化装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60212908A JPS6273619A (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | 揮発性物質の気化装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6273619A true JPS6273619A (ja) | 1987-04-04 |
Family
ID=16630272
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60212908A Pending JPS6273619A (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | 揮発性物質の気化装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6273619A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999014396A1 (en) * | 1997-09-12 | 1999-03-25 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for monitoring a vaporizer |
| CN103710681A (zh) * | 2014-01-09 | 2014-04-09 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 一种用于反应源瓶的试验装置及试验方法 |
| JP2021001383A (ja) * | 2019-06-25 | 2021-01-07 | 日本エア・リキード合同会社 | 前駆体供給容器 |
-
1985
- 1985-09-26 JP JP60212908A patent/JPS6273619A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999014396A1 (en) * | 1997-09-12 | 1999-03-25 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for monitoring a vaporizer |
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