JPS5812827Y2 - 気相成長用飽和器 - Google Patents
気相成長用飽和器Info
- Publication number
- JPS5812827Y2 JPS5812827Y2 JP10112478U JP10112478U JPS5812827Y2 JP S5812827 Y2 JPS5812827 Y2 JP S5812827Y2 JP 10112478 U JP10112478 U JP 10112478U JP 10112478 U JP10112478 U JP 10112478U JP S5812827 Y2 JPS5812827 Y2 JP S5812827Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- saturator
- vapor phase
- phase growth
- container
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、シリコンやＩＩＩ−Ｖ化合物などの半導体を
気相エピタキシャル成長させる場合のキャリアガス中に
原料ガスを混入飽和させる飽和器に関するものである。
気相エピタキシャル成長させる場合のキャリアガス中に
原料ガスを混入飽和させる飽和器に関するものである。
従来より気相成長法でシリコンやｔｔｔ−ｖ化合物など
のエピタキシャル結晶層を成長させる技術は周知である
。
のエピタキシャル結晶層を成長させる技術は周知である
。
１ｎ−ｖ化合物の例として砒化ガリウム考えると、その
成長には原料としてガリウム、三塩化砒素を用い、キャ
リアガスとして水素を用いる方法が最も一般的である。
成長には原料としてガリウム、三塩化砒素を用い、キャ
リアガスとして水素を用いる方法が最も一般的である。
ガリウムは成長用反応管の中に置かれるが、三塩化砒素
は常温付近では液体であり、容器に貯められ、水素ガス
をこの容器の中に通し、三塩化砒素蒸気を水素ガス中に
飽和せしめ反応系に導入される。
は常温付近では液体であり、容器に貯められ、水素ガス
をこの容器の中に通し、三塩化砒素蒸気を水素ガス中に
飽和せしめ反応系に導入される。
第１図は従来より用いられている最も一般的な飽和器の
概略図である。
概略図である。
パイプ１から送り込１れた水素ガスは、容器２に貯めら
れた液体状の三塩化砒素３の中で泡となシ、上方に昇り
、その間に三塩化砒素蒸気を飽和させ、パイプ４から排
出され反応系に導かれる。
れた液体状の三塩化砒素３の中で泡となシ、上方に昇り
、その間に三塩化砒素蒸気を飽和させ、パイプ４から排
出され反応系に導かれる。
この構造に釦いては、液体中でガスを放出するため泡が
発生し、そのためガスの流れは不連続となり、特にガス
の流量が少い場合にはガスの流れは断続的になる欠点が
あった。
発生し、そのためガスの流れは不連続となり、特にガス
の流量が少い場合にはガスの流れは断続的になる欠点が
あった。
また、流量が多い場合には大きな泡が発生するために三
塩化砒素が飛び散り、排出用パイプの横腕の部分に溜會
るなどの悪影響があった。
塩化砒素が飛び散り、排出用パイプの横腕の部分に溜會
るなどの悪影響があった。
本考案の目的は、原料ガスのキャリアガス中の飽和が完
全であり、さらに、このときの飽和度が常に一定であり
、飽和器を通過させたガスは平滑な流れをする構造を持
つ半導体気相成長用飽和器を提供することにある。
全であり、さらに、このときの飽和度が常に一定であり
、飽和器を通過させたガスは平滑な流れをする構造を持
つ半導体気相成長用飽和器を提供することにある。
本考案によれば、原料ガスが飽和するのに十分な大きさ
の容器に複数個の小さな穴のあいた仕切り板を複数個設
置し、該容器にキャリアガス導入パイプと排出パイプが
設けられ、前記容器に原料物質を入れ、導入パイプより
キャリアガス流し、原料蒸気を飽和させるようにした半
導体気相成長用飽和器が得られる。
の容器に複数個の小さな穴のあいた仕切り板を複数個設
置し、該容器にキャリアガス導入パイプと排出パイプが
設けられ、前記容器に原料物質を入れ、導入パイプより
キャリアガス流し、原料蒸気を飽和させるようにした半
導体気相成長用飽和器が得られる。
本考案の飽和器によれば、ガスの流れは極めて平滑なも
のである。
のである。
以下、本考案について図面を参照しながら詳細に説明す
る。
る。
第２図は本考案の一実施例の概略図で、ａは縦断面図で
あり、ｂばａのＡ −ＡＦｒｆｆｉ図を示す。
あり、ｂばａのＡ −ＡＦｒｆｆｉ図を示す。
第２図たおいて、参照番号の１〜４は第１図と同様に、
１は、容器２の底部近くに開口をもったキャリアガス導
入パイプ、３は、容器２内に収容されている気相成長原
料物質の三塩化砒素、４は容器２の上部側面から横方向
に延びさらに上方に向けて曲げられた排出用パイプであ
るが、本考案ではさらに、導入パイプ１の外径と容器２
の内径との間にわたり導入パイプの下端部から容器高さ
のほぼ中間位置までの間に３段の仕切υ板５が設けられ
ている。
１は、容器２の底部近くに開口をもったキャリアガス導
入パイプ、３は、容器２内に収容されている気相成長原
料物質の三塩化砒素、４は容器２の上部側面から横方向
に延びさらに上方に向けて曲げられた排出用パイプであ
るが、本考案ではさらに、導入パイプ１の外径と容器２
の内径との間にわたり導入パイプの下端部から容器高さ
のほぼ中間位置までの間に３段の仕切υ板５が設けられ
ている。
仕切り板５は、容器と同じ高純度石英からなり、直径約
２Ｗｔ１１１の多数の小穴６があけられている。
２Ｗｔ１１１の多数の小穴６があけられている。
仕切板５が容器と同じ材料からなるのは、もち論、この
仕切板によシ原料物質の汚染などが起らないようにする
ためである。
仕切板によシ原料物質の汚染などが起らないようにする
ためである。
このような本考案の気相成長用飽和器においては、原料
は容器（内径５５ｍｍ、高さ１３０ｍｍ、の円筒型の高
純度石英）内に７０％程度（三塩化砒素４００ｇ）に満
たしである。
は容器（内径５５ｍｍ、高さ１３０ｍｍ、の円筒型の高
純度石英）内に７０％程度（三塩化砒素４００ｇ）に満
たしである。
パイプ１から入ったキャリアガスは、容器２に貯められ
た液体状の三塩化砒素３の中で泡となり上方に昇るが途
中に多数の小さな穴のあいた仕切り板５が設けられてい
るので、泡の状態は極めて円滑になり、キャリアガスの
流量が少ない場合でも、この仕切り板５によって断続的
にならなくなり、流量が多い場合も大きな泡が仕切す板
５で釦さえられ、三塩化砒素液が排出用パイプ４の横腕
の部分に飛び散り、溜まった液などの影響で排出用パイ
プと反応管内に導くパイプの継ぎ手の腐食などが少なく
なった。
た液体状の三塩化砒素３の中で泡となり上方に昇るが途
中に多数の小さな穴のあいた仕切り板５が設けられてい
るので、泡の状態は極めて円滑になり、キャリアガスの
流量が少ない場合でも、この仕切り板５によって断続的
にならなくなり、流量が多い場合も大きな泡が仕切す板
５で釦さえられ、三塩化砒素液が排出用パイプ４の横腕
の部分に飛び散り、溜まった液などの影響で排出用パイ
プと反応管内に導くパイプの継ぎ手の腐食などが少なく
なった。
筐た、キャリアガス中の飽和度は高くなった。
第１図は従来の飽和器の動作状態を説明するための縦断
面図、第２図は本考案による飽和器の一例の動作状態を
説明するための断面図であり、ａは縦断面図、ｂばａの
Ａ−Ａ断面図を示す。 １・・・・・・キャリアガス導入パイプ、２・・・・・
・容器、３・・・・・・気相成長用原料物質、４・・・
・・・排出用パイプ、５・・・・・・仕切板、６・・・
・・・仕切板にあけられた小穴。
面図、第２図は本考案による飽和器の一例の動作状態を
説明するための断面図であり、ａは縦断面図、ｂばａの
Ａ−Ａ断面図を示す。 １・・・・・・キャリアガス導入パイプ、２・・・・・
・容器、３・・・・・・気相成長用原料物質、４・・・
・・・排出用パイプ、５・・・・・・仕切板、６・・・
・・・仕切板にあけられた小穴。
Claims (1)
- 気相成長用原料物質を収容する容器にガス導入パイプと
排出パイプが設けられ、該導入パイプからキャリアガス
を流し込み、前記排出パイプから前記原料の飽和ガスを
排出する気相成長用飽和器に釦いて、前記導入パイプか
ら入ったガスが前記排出パイプに至る経路に多数の小穴
をあけた仕切り板を設けたことを特徴とする気相成長用
飽和器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10112478U JPS5812827Y2 (ja) | 1978-07-21 | 1978-07-21 | 気相成長用飽和器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10112478U JPS5812827Y2 (ja) | 1978-07-21 | 1978-07-21 | 気相成長用飽和器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5519146U JPS5519146U (ja) | 1980-02-06 |
| JPS5812827Y2 true JPS5812827Y2 (ja) | 1983-03-11 |
Family
ID=29039470
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10112478U Expired JPS5812827Y2 (ja) | 1978-07-21 | 1978-07-21 | 気相成長用飽和器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5812827Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60131973A (ja) * | 1983-12-19 | 1985-07-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機金属の気化方法 |
-
1978
- 1978-07-21 JP JP10112478U patent/JPS5812827Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5519146U (ja) | 1980-02-06 |
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