JPS6273725A - 半導体装置製造用プラズマ灰化装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造装置に関し、特に半導体基板
表面の感光剤を除去する目的で汎用されるプラズマ灰化
装置に関するものである。

〔従来の技術〕

従来、この種のプラズマ灰化装置は減圧装置にＪ４り内
部を減圧された密閉容器内に処理用ガスを導入し、高周
波電力発生装置と接続された電極により、密閉容器内の
処理ガスを活性化し、半導体基板の表面処理を行ってい
た。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上述した従来のプラズマ灰化装置は減圧装置と処理用密
閉容器（以下チャンバーと称す）が直接配管により接続
されているため、チャンバー内の圧力は減圧装置の排気
能力と外部より導入される処理ガスの流量によって決定
される。したがって、高周波電力による処理ガスの活性
化効率が最も高い処理ガスの流量及び圧力を設定するこ
とは困難であったため、灰化効率が悪く、プラズマ灰化
装置の処理能力上重大な欠点があった。

さらに、半導体製造工程におけるプラズマ灰化工程の処
理能力を向上させる手段として、装置台数を増した場合
、一般に単位面積当りの建造価格が高価とされている半
導体装置の製造用家屋の床面積の装置占有率が高くなり
、床面積の有効利用上も重大な欠点があった。

本発明は前記問題点を解消し、灰化効率を向上し、かつ
床面積を有効利用できるプラズマ灰化装置を提供するも
のである。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は減圧装置により内部を減圧された密閉容器内に
処理用ガスを導入し、高周波電力発生装置に接続された
電極により密閉容器内の処理ガスを活性化し、半導体基
板の表面処理を行うプラズマ灰化装置において、前記減
圧装置と密閉容器の間に容器内の圧力を制御する圧力調
整弁を設けたことを特徴とする半導体装置製造用のプラ
ズマ灰化装置である。

〔実施例〕

次に、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。

第１図は本発明の一実施例の構成図である。第１図にお
いて、本発明のプラズマ灰化装置は、処理すべき半導体
基板１を格納したチャンバー２を、圧力検出装置３と制
御装置４により作動せしめられる圧力調整弁５を介して
減圧装置６に接続したものであジ、またチャンバー２ｉ
ｄ流量調整弁７を介して処理ガス供給源８に接続され、
さらに高周波電力発生装置９に接続された電極１０ａ、
１０ｂを備えている。

実施例において、チャンバ−２内部を連続的に圧力検出
装置３により検出し、その検出された圧力の信号と制御
装置４により設定値と同一圧力になるように圧力調整弁
５を作動させ、チャンバ−２内部の圧力を制御す名。し
たがってチャンバー２の内圧は処理ガスの流量及び減圧
装置６の能力に関係なく、一定の圧力洗保持される。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は処理ガスが高周波電力によ
り最も効率よく活性化されるチャンバー圧力、処理ガス
流量を単独に設定することにより、半導体基板上の感光
剤の灰化速度を高め、灰化装置の処理能力を向上できる
ばかりでなく、一般に建造価格が高価とされている、半
導体装置の製造用家屋の床面積の有効利用ができる効果
がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のプラズマ灰化装置の構成図である。 １・・・半導体基板、２・・・チャンバー、３・・・圧
力検出装置、４・・・制御装置、５・・・圧力調整弁、
６・・・減圧装置、７・・・流量調整弁、８・・・処理
ガス供給源、９・・・高周波電力発生装置 特許出願人　　九州日本電気株式会社 策１図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）減圧装置により内部を減圧された密閉容器内に処
   理用ガスを導入し、高周波電力発生装置に接続された電
   極により密閉容器内の処理用ガスを活性化し、半導体基
   板の表面処理を行うプラズマ灰化装置において、前記減
   圧装置と密閉容器との間に、密閉容器内の圧力を制御す
   る圧力調整弁を設けたことを特徴とする半導体装置製造
   用プラズマ灰化装置。