JPS6279624A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPS6279624A JPS6279624A JP21934185A JP21934185A JPS6279624A JP S6279624 A JPS6279624 A JP S6279624A JP 21934185 A JP21934185 A JP 21934185A JP 21934185 A JP21934185 A JP 21934185A JP S6279624 A JPS6279624 A JP S6279624A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafers
- processing gas
- wafer
- speed
- flow
- Prior art date
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- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、例えば半導体装置の製造に用いるホトレジ
ストを除去するプラズマ処理装置に関するものである、 第２因は例えば特公昭５７−１２２８９号公報に示され
た従来のプラズマ処理装置を示す断面図であり、図（二
おいて、（１１は石英ガラスからなるチャンバー、（２
）は処理ガスを導入する導入口、（３）は上記チャンバ
ー（１１の内部を減圧し、かつ処理ガスを排気する排気
口、（４）及び（５）はチャンバ−（１）内部を放電さ
せるための一対の電極、（６）は上記電極（４）゛（５
１間に高周波電圧を印加させるための高周波電源、（７
）はウェハ、（８）はウェハ（７）を等間隔に配置して
支持するウェハ支持台である。
ストを除去するプラズマ処理装置に関するものである、 第２因は例えば特公昭５７−１２２８９号公報に示され
た従来のプラズマ処理装置を示す断面図であり、図（二
おいて、（１１は石英ガラスからなるチャンバー、（２
）は処理ガスを導入する導入口、（３）は上記チャンバ
ー（１１の内部を減圧し、かつ処理ガスを排気する排気
口、（４）及び（５）はチャンバ−（１）内部を放電さ
せるための一対の電極、（６）は上記電極（４）゛（５
１間に高周波電圧を印加させるための高周波電源、（７
）はウェハ、（８）はウェハ（７）を等間隔に配置して
支持するウェハ支持台である。
次に動作について説明する。まず、チャンバー（１１内
部にホトレジストが塗布されたウェハ（７）が配置され
たウェハ支持台（８）がそう人される。次にチャンバー
（１１内部を減圧するためＣ二排気口（２）よりチャン
バー（１）内部の空気示排気される。チャンバ−ｆｉｌ
の内部の圧力が設定値に達すると導入口（２）より処理
ガスが導入される。ここで、高周波電源（６）が動作し
て一対の電極＋４１１５１ Ｃ高周波電力が印加され各
電極＋４１１５１間にプラズマが発生する。このプラズ
マによって周知の様に、ホトレジストが灰化されてウェ
ハ（７）表面より除去される。灰化して除去された物質
はそのまま排気口（３）より排気される。
部にホトレジストが塗布されたウェハ（７）が配置され
たウェハ支持台（８）がそう人される。次にチャンバー
（１１内部を減圧するためＣ二排気口（２）よりチャン
バー（１）内部の空気示排気される。チャンバ−ｆｉｌ
の内部の圧力が設定値に達すると導入口（２）より処理
ガスが導入される。ここで、高周波電源（６）が動作し
て一対の電極＋４１１５１ Ｃ高周波電力が印加され各
電極＋４１１５１間にプラズマが発生する。このプラズ
マによって周知の様に、ホトレジストが灰化されてウェ
ハ（７）表面より除去される。灰化して除去された物質
はそのまま排気口（３）より排気される。
従来のプラズマ処理装置は以上のようにウェハが均一に
配列されているので、導入口付近のウェハと、排気口付
近のウェハと、中央付近のウェハとでＩＬ、ウェハ相互
間を流れる処理ガスの流速が異なり、各ウェハ（二対し
、例えばホトレジストの除去スピードにばらつきが発生
し、場合によっては不良ウェハが生じることがあった。
配列されているので、導入口付近のウェハと、排気口付
近のウェハと、中央付近のウェハとでＩＬ、ウェハ相互
間を流れる処理ガスの流速が異なり、各ウェハ（二対し
、例えばホトレジストの除去スピードにばらつきが発生
し、場合によっては不良ウェハが生じることがあった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、各ウェハ相互間ｆ二均−にガス−を導入でき
、各ウェハに対し、プラズマ処理のばらつきを抑制でき
るプラズマ処理装置を得ることを目的とする。
たもので、各ウェハ相互間ｆ二均−にガス−を導入でき
、各ウェハに対し、プラズマ処理のばらつきを抑制でき
るプラズマ処理装置を得ることを目的とする。
この発明に係るプラズマ処理装置は、処理ガスの流速が
速い範囲のウェハ相互間隔寸法に対し、流速が遅い範囲
のウェハ相互間隔寸法を大なる様にウェハな配置するウ
ェハ支持台を設けたものである。
速い範囲のウェハ相互間隔寸法に対し、流速が遅い範囲
のウェハ相互間隔寸法を大なる様にウェハな配置するウ
ェハ支持台を設けたものである。
し作用〕
この発明におけるプラズマ処理装置は、処理ガスの流速
が速い範囲のウェハ相互間では、処理ガスの流速が抑制
され、処理ガスの流速が遅い範囲のウェハ相互間では、
処理ガスの流速が早められ、それぞれのウェハ相互間の
流速が略均−とナリ、ウェハ表面上のホトレジストの除
去処理速度が均一になる。
が速い範囲のウェハ相互間では、処理ガスの流速が抑制
され、処理ガスの流速が遅い範囲のウェハ相互間では、
処理ガスの流速が早められ、それぞれのウェハ相互間の
流速が略均−とナリ、ウェハ表面上のホトレジストの除
去処理速度が均一になる。
す、下、この発明の一実施例を図について説明する。第
１図において、（８０）はウェハ（７）を支持するウェ
ハ支持台で、処理ガスの流速が速い範囲Ａ。
１図において、（８０）はウェハ（７）を支持するウェ
ハ支持台で、処理ガスの流速が速い範囲Ａ。
Ｃのウェハ相互間隔寸法（二対し、流速が遅い範囲Ｂの
ウェハ相互間隔寸法を大なる様に構成されている。その
他の符号の説明は従来と同様であり説明を省略する。
ウェハ相互間隔寸法を大なる様に構成されている。その
他の符号の説明は従来と同様であり説明を省略する。
次に動作（二ついて説明する。チャンバー（１）内にお
いては、ガスの導入口（２）の付近Ａと排気口（：３）
の付近Ｃの範囲を流れる処理ガスの流速は、Ｂ付近を流
れる処理ガスの流速に比べると速い。しかし、ウェハ支
持台（８０）はウェハ（７）の相互間隔が、ＡとＣの付
近では狭く、Ｂの付近では広く構成されているので、Ａ
、０付近のウェハ（７）の相互間を流れる処理ガスの流
速は抑制され、Ｂ付近のウニ／％（７）の相互間を流れ
る処理ガスの流速は促進されるため、ウェハ支持台（８
０）上のそれぞれのウェハ相互間Ｃ：流れる処理ガスの
流速は均一になる。よって、各ウェハ（７）表面上（＝
塗布されたホトレジストの除去処理速度も均一になる。
いては、ガスの導入口（２）の付近Ａと排気口（：３）
の付近Ｃの範囲を流れる処理ガスの流速は、Ｂ付近を流
れる処理ガスの流速に比べると速い。しかし、ウェハ支
持台（８０）はウェハ（７）の相互間隔が、ＡとＣの付
近では狭く、Ｂの付近では広く構成されているので、Ａ
、０付近のウェハ（７）の相互間を流れる処理ガスの流
速は抑制され、Ｂ付近のウニ／％（７）の相互間を流れ
る処理ガスの流速は促進されるため、ウェハ支持台（８
０）上のそれぞれのウェハ相互間Ｃ：流れる処理ガスの
流速は均一になる。よって、各ウェハ（７）表面上（＝
塗布されたホトレジストの除去処理速度も均一になる。
以上のように、この発明によれば処理ガスの流速が速い
範囲のウェハ相互間隔寸法に対し、流速が遅い範囲のウ
ェハ相互間隔寸法を大なる様（：ウエハ支持台を構成し
たので、ウェハ支持台上のそれぞれのウェハ間（＝流れ
る処理ガスの流速は均一となり、例えばそれぞれのウェ
ハ表面上（＝塗布されたホトレジストの除去処理速度も
均一となる効果がある。
範囲のウェハ相互間隔寸法に対し、流速が遅い範囲のウ
ェハ相互間隔寸法を大なる様（：ウエハ支持台を構成し
たので、ウェハ支持台上のそれぞれのウェハ間（＝流れ
る処理ガスの流速は均一となり、例えばそれぞれのウェ
ハ表面上（＝塗布されたホトレジストの除去処理速度も
均一となる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例を示す断面側面図、第２図
は従来のプラズマ処理装置を示す断面図である。 図中、（１１はチャンバー、（２１は導入口、（３）は
排気口、（４１支び（５）は電極、（６）は高周波電源
、（７］はウェハ、（８０）はウェハ支持台である。 なお、各図中同一符号は同一、又は相当部分な°示す。
は従来のプラズマ処理装置を示す断面図である。 図中、（１１はチャンバー、（２１は導入口、（３）は
排気口、（４１支び（５）は電極、（６）は高周波電源
、（７］はウェハ、（８０）はウェハ支持台である。 なお、各図中同一符号は同一、又は相当部分な°示す。
Claims (1)
- 内部を排気減圧するための排気口と処理ガスを導入する
導入口を有するチャンバ、このチャンバ内に互いに対向
して設けられた一対の電極、この電極間に高周波電圧を
印加して一方の電極から他方の電極へ荷電粒子を移動さ
せる高周波電源、及び上記処理ガスの流速が速い範囲の
ウエハ相互間隔寸法に対し、流速が遅い範囲のウエハ相
互間隔寸法を大なる様にウエハを配置するウエハ支持台
を備えたプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21934185A JPS6279624A (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21934185A JPS6279624A (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6279624A true JPS6279624A (ja) | 1987-04-13 |
Family
ID=16733933
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21934185A Pending JPS6279624A (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6279624A (ja) |
-
1985
- 1985-10-02 JP JP21934185A patent/JPS6279624A/ja active Pending
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