JPS6273735A - ウエハ処理用キヤリア - Google Patents
ウエハ処理用キヤリアInfo
- Publication number
- JPS6273735A JPS6273735A JP60212556A JP21255685A JPS6273735A JP S6273735 A JPS6273735 A JP S6273735A JP 60212556 A JP60212556 A JP 60212556A JP 21255685 A JP21255685 A JP 21255685A JP S6273735 A JPS6273735 A JP S6273735A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carrier
- carrier body
- resin
- present
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/10—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof using carriers specially adapted therefor, e.g. front opening unified pods [FOUP]
- H10P72/15—Horizontal carrier comprising wall type elements whereby the substrates are vertically supported, e.g. comprising sidewalls
- H10P72/155—Horizontal carrier comprising wall type elements whereby the substrates are vertically supported, e.g. comprising sidewalls characterised by a material, a roughness, a coating or the like
Landscapes
- Packaging Frangible Articles (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
半導体製造工程で使用されるものである。
従来、ウェハ処理用キャリアとしては例えば第１図に示
すものが知られている。
すものが知られている。
図中の１は、樹脂製のキャリア本体である。
このキャリア本体１には半導体ウェハ２を収納するため
の空洞部３が設けられ、該空洞部３の内壁には前記クエ
へ２を１枚１枚離間してセットするための溝４・・・が
設けである。
の空洞部３が設けられ、該空洞部３の内壁には前記クエ
へ２を１枚１枚離間してセットするための溝４・・・が
設けである。
ところで、前記キャリア本体１は、従来テフロン樹脂粉
末例えばＴＦＢ（四フッ化エチレン）あるいはＰＦ人（
四フッ化エチレン＋パーフロロアルキルビニルエーテル
共重合）ｔ−射出成形することによシ製作されている。
末例えばＴＦＢ（四フッ化エチレン）あるいはＰＦ人（
四フッ化エチレン＋パーフロロアルキルビニルエーテル
共重合）ｔ−射出成形することによシ製作されている。
このため、粉末粒子間には０．２〜２μｍ近傍の空隙が
存在する。これは、走査型電子顕微鏡ｃｉｏｏｏ倍）に
よυ撮影したキャリア本体表面の写真よシ明らかである
。第３図はこの写真の特徴を模式的に示す図であるおこ
こで１図中の５は粒子を。
存在する。これは、走査型電子顕微鏡ｃｉｏｏｏ倍）に
よυ撮影したキャリア本体表面の写真よシ明らかである
。第３図はこの写真の特徴を模式的に示す図であるおこ
こで１図中の５は粒子を。
６は空隙を示す。従って、前記キャリアを用いてウェハ
２を薬液（例えばＨ，８０，、ＨＣ／）によシ処理する
際、薬液が空隙６に浸透し１時間経過とともに内部よシ
塩素イオンｃｃｔ−）、硫酸イオン（８０，−２）等が
析出する。七の結果、前記ウェハ２の表面が第２図に示
す如く汚染されたシ、キャリア本体１の表面に塩化物が
析出する等の問題があった。なお、図中の７は、キャリ
ア本体１の溝４の形状と合致した変色部分である。
２を薬液（例えばＨ，８０，、ＨＣ／）によシ処理する
際、薬液が空隙６に浸透し１時間経過とともに内部よシ
塩素イオンｃｃｔ−）、硫酸イオン（８０，−２）等が
析出する。七の結果、前記ウェハ２の表面が第２図に示
す如く汚染されたシ、キャリア本体１の表面に塩化物が
析出する等の問題があった。なお、図中の７は、キャリ
ア本体１の溝４の形状と合致した変色部分である。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので。
薬液のキャリア本体表面への浸透を防止するとともに１
重金属の析出を防止し得るウェハ処理用キャリアを提供
することを目的とする。
重金属の析出を防止し得るウェハ処理用キャリアを提供
することを目的とする。
本発明は、樹脂製又は表面に樹脂層をコーティングした
キャリア本体の表面を加熱処理、具体的には水素バーナ
、高周波コイルが加熱等によシ溶融することによシ、キ
ャリア本体の表層の空隙を消滅させ、もって薬液の浸透
防止、樹脂内に固溶されている重金属の析出防止を図り
たことを骨子とする。
キャリア本体の表面を加熱処理、具体的には水素バーナ
、高周波コイルが加熱等によシ溶融することによシ、キ
ャリア本体の表層の空隙を消滅させ、もって薬液の浸透
防止、樹脂内に固溶されている重金属の析出防止を図り
たことを骨子とする。
以下５本発明の一実施例について図を参照して説明する
。ここで、従来（第１図）と同部材は同符号を付して説
明を省略する。
。ここで、従来（第１図）と同部材は同符号を付して説
明を省略する。
本発明に係るキャリア本体１の表面は、水素・ぐ−ナ、
高周波コイル加熱等の手法によ−り表層のみ溶融されて
いる。この溶融の具体的な手順は１例えばテフロン樹脂
を射出成形し、更に離形剤等の除去を行なった後に水素
バーナ等で溶融させるものである。
高周波コイル加熱等の手法によ−り表層のみ溶融されて
いる。この溶融の具体的な手順は１例えばテフロン樹脂
を射出成形し、更に離形剤等の除去を行なった後に水素
バーナ等で溶融させるものである。
本発明によれば、キャリア本体１の表面が溶融されてい
るため、キャリア本体１の材料でちる樹脂の内部が密に
なる。従って、従来のように粉末粒子間に空隙が発生せ
ず、半導体ウェハ２を薬液で処理してもキャリア本体１
０表面に薬液が浸透することを防止できるとともに、樹
脂内に固溶されている重金属の析出を防止できる。事実
、水素バーナーでキャリア本体の表面を焼き、これを電
子走査型顕微鏡（７００倍）で観察したとごろ、第４図
のような写真の模式図が得られた。なお１図中１１は粉
末粒子である。この模式図より本発明の場合空隙がない
ことが明白でおる。
るため、キャリア本体１の材料でちる樹脂の内部が密に
なる。従って、従来のように粉末粒子間に空隙が発生せ
ず、半導体ウェハ２を薬液で処理してもキャリア本体１
０表面に薬液が浸透することを防止できるとともに、樹
脂内に固溶されている重金属の析出を防止できる。事実
、水素バーナーでキャリア本体の表面を焼き、これを電
子走査型顕微鏡（７００倍）で観察したとごろ、第４図
のような写真の模式図が得られた。なお１図中１１は粉
末粒子である。この模式図より本発明の場合空隙がない
ことが明白でおる。
また、従来及び本発明に係るキャリアを用いてウェハ２
の変色の発生率を調べたところ、第５図に示す結果が得
られた。ここで、ウェハ２はキャリアにセットした状態
で温度５０℃で２４時間保持し、洗浄に使用した液は
Ｈ，０：ＨオＯｔ：Ｈｔｏ＝＝１：１：６ の混合液で
ある。また。
の変色の発生率を調べたところ、第５図に示す結果が得
られた。ここで、ウェハ２はキャリアにセットした状態
で温度５０℃で２４時間保持し、洗浄に使用した液は
Ｈ，０：ＨオＯｔ：Ｈｔｏ＝＝１：１：６ の混合液で
ある。また。
ウェハ２は５枚づつ観察した１表お、図中の（イ）は本
発明による場合（水素バーナー使用）、（ロ）は従来に
よる場合を示す、同図よυ、従来の場合洗浄使用回数が
増すにつれて変色の発生率が罵くなるが１本発明の場合
はとんどかわらないことが明らかである。
発明による場合（水素バーナー使用）、（ロ）は従来に
よる場合を示す、同図よυ、従来の場合洗浄使用回数が
増すにつれて変色の発生率が罵くなるが１本発明の場合
はとんどかわらないことが明らかである。
なお、上記実施例では、キャリア本体が樹脂製の場合に
ついて述べたが、これに限らず、表面に樹脂層をコーテ
ィングしたキャリア本体くついても同様に適用できる。
ついて述べたが、これに限らず、表面に樹脂層をコーテ
ィングしたキャリア本体くついても同様に適用できる。
以上詳述した如く本発明によれば、薬液のキャリア本体
表面への析出の防止、及び重金属の析出の防止をなし得
る高信頼性のウェハ処理用キャリアを提供できる。
表面への析出の防止、及び重金属の析出の防止をなし得
る高信頼性のウェハ処理用キャリアを提供できる。
第１図はウェハ処理用キャリアの説明図、第２図は変色
した半導体ウニへの平面図、第３図は従来技術の問題点
を説明するための図、第４図は本発明に係るキャリア本
体の表面を走査型電子顕微鏡により撮影した写真の模式
図、第５図は従来及び本発明に係るウェハ処理用ギヤリ
アによる半導体クエへの変色の発生率特性図である。 １・・・キャリア本体、２・・・半導体ウェハ、３・・
・空洞部、４・・・溝、１ノ・・・粉末粒子。
した半導体ウニへの平面図、第３図は従来技術の問題点
を説明するための図、第４図は本発明に係るキャリア本
体の表面を走査型電子顕微鏡により撮影した写真の模式
図、第５図は従来及び本発明に係るウェハ処理用ギヤリ
アによる半導体クエへの変色の発生率特性図である。 １・・・キャリア本体、２・・・半導体ウェハ、３・・
・空洞部、４・・・溝、１ノ・・・粉末粒子。
Claims (1)
- 半導体製造工程で使用されるウェハ処理用キャリアに
おいて、樹脂製又は表面に樹脂層をコーテングしたキャ
リア本体と、このキャリア本体に設けられ半導体ウェハ
を収納する空洞部とを具備し、前記キャリア本体の表面
が加熱処理により溶融されていることを特徴とするウェ
ハ処理用キャリア。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60212556A JPS6273735A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | ウエハ処理用キヤリア |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60212556A JPS6273735A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | ウエハ処理用キヤリア |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6273735A true JPS6273735A (ja) | 1987-04-04 |
Family
ID=16624641
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60212556A Pending JPS6273735A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | ウエハ処理用キヤリア |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6273735A (ja) |
-
1985
- 1985-09-27 JP JP60212556A patent/JPS6273735A/ja active Pending
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