JPS593540B2 - 窒化膜形成法 - Google Patents
窒化膜形成法Info
- Publication number
- JPS593540B2 JPS593540B2 JP11340179A JP11340179A JPS593540B2 JP S593540 B2 JPS593540 B2 JP S593540B2 JP 11340179 A JP11340179 A JP 11340179A JP 11340179 A JP11340179 A JP 11340179A JP S593540 B2 JPS593540 B2 JP S593540B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nitride film
- laser beam
- semiconductor
- silicon substrate
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C8/00—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
- C23C8/04—Treatment of selected surface areas, e.g. using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C8/00—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
- C23C8/06—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases
- C23C8/36—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases using ionised gases, e.g. ionitriding
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Solid-Phase Diffusion Into Metallic Material Surfaces (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体または金属の表面を窒化させ、窒化膜
を形成する方法に関するものである。
を形成する方法に関するものである。
従来、半導体または金属の表面を窒化させ、窒化膜を形
成する方法として、半導体または金属の表面を直接窒化
する方法と、半導体または金属の表面に、半導体または
金属の窒化膜をデポジット５ する方法とがあつた。表
面を直接窒化する方法として、金属などでは、一部イオ
ン窒化法が開発されているが、実用段階には至つていな
い。また、半導体表面の直接窒化は、通常窒素雰囲気で
熱処理する方法が考えられているが、例えば１２００℃
１０の高温で熱処理しても、窒化反応はほとんど起こら
ず、正規の半導体窒化膜は得られていない。半導体にお
いては、表面に半導体窒化膜をデポジットする方法が実
用化されており、化学的蒸着法（ＣＶＤ法■Ｃｈｅｍｉ
ｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐ０一１５ｓｉｔｉｏｎ法）、ス
パッタリング法、プラズマ、デポジション法など、いく
つかの技術が開発されている。しかしながら、表面に半
導体窒化膜をデポジットする方法では、半導体を直接窒
化するものではないので、半導体と半導体窒化膜との界
面２０に、不純物が堆積しやすく、界面での不対電子な
どに起因する界面電荷が異常に大きくなる。したがつて
、半導体表面にデポジットする方法で形成した半導体窒
化膜は、半導体装置の保護膜として用いられることはあ
つても、半導体装置の活性領２５域として使用すること
は不可能であつた。上記のように、従来の窒化膜形成法
は、ほとんど半導体または、金属の表面に窒化膜をデポ
ジットする方法であり、半導体または金属の表面を直接
に窒化することができなかつたので、不純物の３０堆積
や、界面電荷の増大など避けられない欠点を有していた
。本発明は、半導体または金属の表面に、これらの半導
体または、金属を直接に窒化することによつて、窒化膜
を形成する方法を提供することを目３５的としたもので
ある。
成する方法として、半導体または金属の表面を直接窒化
する方法と、半導体または金属の表面に、半導体または
金属の窒化膜をデポジット５ する方法とがあつた。表
面を直接窒化する方法として、金属などでは、一部イオ
ン窒化法が開発されているが、実用段階には至つていな
い。また、半導体表面の直接窒化は、通常窒素雰囲気で
熱処理する方法が考えられているが、例えば１２００℃
１０の高温で熱処理しても、窒化反応はほとんど起こら
ず、正規の半導体窒化膜は得られていない。半導体にお
いては、表面に半導体窒化膜をデポジットする方法が実
用化されており、化学的蒸着法（ＣＶＤ法■Ｃｈｅｍｉ
ｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐ０一１５ｓｉｔｉｏｎ法）、ス
パッタリング法、プラズマ、デポジション法など、いく
つかの技術が開発されている。しかしながら、表面に半
導体窒化膜をデポジットする方法では、半導体を直接窒
化するものではないので、半導体と半導体窒化膜との界
面２０に、不純物が堆積しやすく、界面での不対電子な
どに起因する界面電荷が異常に大きくなる。したがつて
、半導体表面にデポジットする方法で形成した半導体窒
化膜は、半導体装置の保護膜として用いられることはあ
つても、半導体装置の活性領２５域として使用すること
は不可能であつた。上記のように、従来の窒化膜形成法
は、ほとんど半導体または、金属の表面に窒化膜をデポ
ジットする方法であり、半導体または金属の表面を直接
に窒化することができなかつたので、不純物の３０堆積
や、界面電荷の増大など避けられない欠点を有していた
。本発明は、半導体または金属の表面に、これらの半導
体または、金属を直接に窒化することによつて、窒化膜
を形成する方法を提供することを目３５的としたもので
ある。
以下、実施例に基づいて本発明を説明する。
第１図は、本発明の第１の実施例を実施するための装置
の模式図である。第１図において、１はレーザー発振器
、２はレーザー光線、３は光学レンズ系でめる。４はそ
の表面にシリコン窒化膜が形成されるシリコン基板、５
はプラズマ発生室、６は窒素ガス導入口、７は真空排気
口、８は基板保持台、９は高周波電磁界発生器、１０は
プラズマ発生用コイルである。
の模式図である。第１図において、１はレーザー発振器
、２はレーザー光線、３は光学レンズ系でめる。４はそ
の表面にシリコン窒化膜が形成されるシリコン基板、５
はプラズマ発生室、６は窒素ガス導入口、７は真空排気
口、８は基板保持台、９は高周波電磁界発生器、１０は
プラズマ発生用コイルである。
第１図に示す装置によつて、窒素雰囲気に高周波電磁界
を印加し、窒素ブラズマを発生させる。上記窒素プラズ
マ中のシリコン基板４の表面に、高エネルギー・高出力
のレーザー光線、例えば、ルビー・レーザーからの数ジ
ユール／ＣＴｎ２のエネルギーる持つレーザー光線２を
照射すると、このレーザー光線２は、その波長程度まで
シリコン基板４の内部へ侵透し、レーザー光線２のエネ
ルギーが、シリコン基板４に吸収されて、シリコン基板
４の表面部が瞬間的に、１２００℃〜１５００℃の高温
になる。レーザー光線のエネルギーが十分大きい場合に
は、シリコン基板４の表面部が瞬間的に溶融する場合も
ある。このように１２００℃〜１５００℃程度の高温に
なつたシリコン基板４の表面は、ブラズマ中で励起され
た窒素ラジカルと反応し、シリコン基板４の表面に、シ
リコン窒化膜が形成される。従来の熱処理による表面の
直接窒化では、シリコン基板４全体の温度が高くなるた
め、シリコンが溶融する程度の高温で熱窒化することは
不可能であつた。しかしながら、本発明のレーザー光線
照射によると、シリコン基板４のレーザー光線２の波長
程度までの深さの表面部が瞬間的に、高温になるだけで
あジ、シリコン基板４のレーザー光線２の照射を受けな
い他の部分は何らの影響も受けない。さらに、窒素は、
プラズマによつて励起され、窒素ラジカルとなつている
ので、単なる窒素雰囲気だけの場合に比べて、シリコン
との反応速度は著しく大きくなつている。レーザー光線
２を照射することによつて、シリコン基板４の表面部に
形成されたシリコン窒化膜の厚さと、このレーザー光線
の強度との関係のグラフを第２図に示す。
を印加し、窒素ブラズマを発生させる。上記窒素プラズ
マ中のシリコン基板４の表面に、高エネルギー・高出力
のレーザー光線、例えば、ルビー・レーザーからの数ジ
ユール／ＣＴｎ２のエネルギーる持つレーザー光線２を
照射すると、このレーザー光線２は、その波長程度まで
シリコン基板４の内部へ侵透し、レーザー光線２のエネ
ルギーが、シリコン基板４に吸収されて、シリコン基板
４の表面部が瞬間的に、１２００℃〜１５００℃の高温
になる。レーザー光線のエネルギーが十分大きい場合に
は、シリコン基板４の表面部が瞬間的に溶融する場合も
ある。このように１２００℃〜１５００℃程度の高温に
なつたシリコン基板４の表面は、ブラズマ中で励起され
た窒素ラジカルと反応し、シリコン基板４の表面に、シ
リコン窒化膜が形成される。従来の熱処理による表面の
直接窒化では、シリコン基板４全体の温度が高くなるた
め、シリコンが溶融する程度の高温で熱窒化することは
不可能であつた。しかしながら、本発明のレーザー光線
照射によると、シリコン基板４のレーザー光線２の波長
程度までの深さの表面部が瞬間的に、高温になるだけで
あジ、シリコン基板４のレーザー光線２の照射を受けな
い他の部分は何らの影響も受けない。さらに、窒素は、
プラズマによつて励起され、窒素ラジカルとなつている
ので、単なる窒素雰囲気だけの場合に比べて、シリコン
との反応速度は著しく大きくなつている。レーザー光線
２を照射することによつて、シリコン基板４の表面部に
形成されたシリコン窒化膜の厚さと、このレーザー光線
の強度との関係のグラフを第２図に示す。
第２図において、横軸はレーザー光線強度を示し、縦軸
は窒化膜厚を示す。
は窒化膜厚を示す。
曲線Ａ，ｂ，ｃは、この順序に窒素ブラズマを励起する
高周波電磁界の強度が高くなつている。破線で示す曲線
ｃ１は、後述の第２の実施例のようにシリコン基板を予
備加熱した場合を示している。第２図から、シリコン基
板を予備加熱すると、同一のレーザー光線強度に対する
シリコン窒化膜の厚さが厚くなることが分かる。
高周波電磁界の強度が高くなつている。破線で示す曲線
ｃ１は、後述の第２の実施例のようにシリコン基板を予
備加熱した場合を示している。第２図から、シリコン基
板を予備加熱すると、同一のレーザー光線強度に対する
シリコン窒化膜の厚さが厚くなることが分かる。
この知見に基づいたのが、本発明の第２の実施例である
。第３図は、本発明の第２の実施例を実施するための装
置の模式図である。第３図において、１は基板保持台８
の下から、シリコン基板４を加熱する加熱用ヒーターで
ある。本実施例では加熱用ヒーター１１によつて、シリ
コン基板４を、あらかじめ、数１００℃程度の温度に予
備加熱して、レーザー光線２を照射する。この実施例に
よれば、第２図から分かるように、レーザー光線２の照
射によつてシリコン窒化膜の生成反応が促進され、窒化
膜生成反応が生じるレーザー光線２の臨界強度を低下さ
せることができる。第４図は、本発明の第３の実施例を
実施するときのシリコン基板と、その上に載置された遮
光マスクとを示す断面図である。
。第３図は、本発明の第２の実施例を実施するための装
置の模式図である。第３図において、１は基板保持台８
の下から、シリコン基板４を加熱する加熱用ヒーターで
ある。本実施例では加熱用ヒーター１１によつて、シリ
コン基板４を、あらかじめ、数１００℃程度の温度に予
備加熱して、レーザー光線２を照射する。この実施例に
よれば、第２図から分かるように、レーザー光線２の照
射によつてシリコン窒化膜の生成反応が促進され、窒化
膜生成反応が生じるレーザー光線２の臨界強度を低下さ
せることができる。第４図は、本発明の第３の実施例を
実施するときのシリコン基板と、その上に載置された遮
光マスクとを示す断面図である。
第４図において、１２は、レーザー光線２を遮蔽する物
質、例えば金属からなり、シリコン基板４上に、所定の
パターンに形成された遮光マスクである。第４図の実施
例においては遮光マスク１２をシリコン基板４上に載置
して、レーザー光線２を照射するので、シリコン基板４
の表面部の遮光マスク１２に覆われた部分は、レーザー
光線及び窒素プラズマの作用を受けず、シリコン窒化膜
が形成されない。したがつて、遮光マスク１２に覆われ
ていない部分にのみ、所望のパターンのシリコン窒化膜
を形成することができる。第５図は、本発明の第４の実
施例を実施するための装置の光学系統のみを示す模式図
である。
質、例えば金属からなり、シリコン基板４上に、所定の
パターンに形成された遮光マスクである。第４図の実施
例においては遮光マスク１２をシリコン基板４上に載置
して、レーザー光線２を照射するので、シリコン基板４
の表面部の遮光マスク１２に覆われた部分は、レーザー
光線及び窒素プラズマの作用を受けず、シリコン窒化膜
が形成されない。したがつて、遮光マスク１２に覆われ
ていない部分にのみ、所望のパターンのシリコン窒化膜
を形成することができる。第５図は、本発明の第４の実
施例を実施するための装置の光学系統のみを示す模式図
である。
第５図に卦いて、３ａはレーザー光線２をシリコン基板
４上にて走基させる光学系である。本実施例においては
光学系３ａによつて、レーザー光線２をシリコン基板４
上にて、所望のパターンを描くように走査させ、シリコ
ン基板４の表面のレーザー光線２が走査した部分のみを
窒化させて、所望のパターンのシリコン窒化膜を形成す
ることができる。上記の各実施例においては、シリコン
基板の表面部にシリコン窒化膜を形成する場合について
述べたが、本発明は他の半導体、その他金属からなる基
体の表面部にその基体の構成物質の窒化膜を形成するの
に用いることができる。
４上にて走基させる光学系である。本実施例においては
光学系３ａによつて、レーザー光線２をシリコン基板４
上にて、所望のパターンを描くように走査させ、シリコ
ン基板４の表面のレーザー光線２が走査した部分のみを
窒化させて、所望のパターンのシリコン窒化膜を形成す
ることができる。上記の各実施例においては、シリコン
基板の表面部にシリコン窒化膜を形成する場合について
述べたが、本発明は他の半導体、その他金属からなる基
体の表面部にその基体の構成物質の窒化膜を形成するの
に用いることができる。
以上詳述したように、本発明による窒化膜形成法におい
ては、窒素プラズマ中において、半導体または金属から
なる基体の表向部に、高エネルギー・高出力レーザー光
線を照射し、この照射によつて高温化した基体表面とプ
ラズマ中の励起された窒素とを反応させて、上記基体の
表面部に直接に窒化膜を形成するので、上記基体と上記
窒化膜１との界面に不純物が堆積したり、界面電界が異
常に大きくなるようなことがない。
ては、窒素プラズマ中において、半導体または金属から
なる基体の表向部に、高エネルギー・高出力レーザー光
線を照射し、この照射によつて高温化した基体表面とプ
ラズマ中の励起された窒素とを反応させて、上記基体の
表面部に直接に窒化膜を形成するので、上記基体と上記
窒化膜１との界面に不純物が堆積したり、界面電界が異
常に大きくなるようなことがない。
第１図は本発明の第１の実施例のための装置の模式図、
第２図は生成されるシリコン窒化膜の厚さとレーザー光
線の強度との関係を示すグラフ、第３図は本発明の第２
の実施例のための装置の模式図、第４図は本発明の第３
の実施例に卦いてシリコン基板上に遮光マスクを載置し
た状況を示す断面図、第５図は本発明の第４の実施例の
ための装置の光学系統のみを示す模式図である。 図に｝いて、１はレーザー発振器、２はレーザー光線、
３は光学レンズ系、４はシリコン基板、５はプラズマ発
生室、６はガス導入口、７は真空排気口、８は基板保持
台、９は高周波電磁界発生器、１０はプラズマ発生用コ
イル、１１は基板加熱用ヒーター、１２は遮光マスクで
ある。
第２図は生成されるシリコン窒化膜の厚さとレーザー光
線の強度との関係を示すグラフ、第３図は本発明の第２
の実施例のための装置の模式図、第４図は本発明の第３
の実施例に卦いてシリコン基板上に遮光マスクを載置し
た状況を示す断面図、第５図は本発明の第４の実施例の
ための装置の光学系統のみを示す模式図である。 図に｝いて、１はレーザー発振器、２はレーザー光線、
３は光学レンズ系、４はシリコン基板、５はプラズマ発
生室、６はガス導入口、７は真空排気口、８は基板保持
台、９は高周波電磁界発生器、１０はプラズマ発生用コ
イル、１１は基板加熱用ヒーター、１２は遮光マスクで
ある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 窒素雰囲気に、高周波電磁界を印加して形成した窒
素プラズマ中にて、半導体または金属からなる基体の表
面に、高エネルギー・高出力レーザー光線を照射して、
上記基体表面と、プラズマ中の窒素とを反応させて、上
記基体の上記表面部分に、上記半導体または上記金属に
よる窒化膜を形成することを特徴とする窒化膜形成法。 ２ 基体を予備加熱して、レーザー光線を照射すること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の窒化膜形成法
。 ３ 遮光性マスクを通して、レーザー光線を基体に照射
して所望のパターンの窒化膜を形成することを特徴とす
る特許請求の範囲第１項または第２項記載の窒化膜形成
法。 ４ レーザー光線を所望のパターンを描くように、基体
の表面を走査させて所望のパターンの窒化膜を形成する
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記
載の窒化膜形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11340179A JPS593540B2 (ja) | 1979-09-03 | 1979-09-03 | 窒化膜形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11340179A JPS593540B2 (ja) | 1979-09-03 | 1979-09-03 | 窒化膜形成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5638464A JPS5638464A (en) | 1981-04-13 |
| JPS593540B2 true JPS593540B2 (ja) | 1984-01-24 |
Family
ID=14611354
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11340179A Expired JPS593540B2 (ja) | 1979-09-03 | 1979-09-03 | 窒化膜形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS593540B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5850737A (ja) * | 1981-09-21 | 1983-03-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体素子の製造装置 |
| JPS58199857A (ja) * | 1982-05-04 | 1983-11-21 | マイクル・ポ−ル・ニアリ− | 化学的方法 |
| JPS6050166A (ja) * | 1983-08-26 | 1985-03-19 | Res Dev Corp Of Japan | プラズマ蒸着法及びその装置 |
| JPS60216560A (ja) * | 1984-04-12 | 1985-10-30 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 窒化膜の形成方法 |
| JPS61119676A (ja) * | 1984-11-15 | 1986-06-06 | Ulvac Corp | シ−トプラズマとレ−ザ光を利用した成膜装置 |
| JPS61131431A (ja) * | 1984-11-29 | 1986-06-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置 |
| JPS61196525A (ja) * | 1985-02-26 | 1986-08-30 | Toshiba Corp | 半導体エピタキシヤル成長装置 |
| CA1306632C (en) * | 1986-12-01 | 1992-08-25 | Hironobu Kobayashi | Spectroscope apparatus and reaction apparatus using the same |
| JPH0627346B2 (ja) * | 1989-07-14 | 1994-04-13 | 株式会社日立製作所 | マイクロ波プラズマによる膜形成装置、及びその方法 |
| FR2801905B1 (fr) * | 1999-12-03 | 2002-02-01 | Air Liquide | Procede et installation de traitement de surface selectif |
| AU2178901A (en) * | 1999-12-01 | 2001-06-12 | L'air Liquide, Societe Anonyme A Directoire Et Conseil De Surveillance Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Method and installation for selective surface treatment |
-
1979
- 1979-09-03 JP JP11340179A patent/JPS593540B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5638464A (en) | 1981-04-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101292314B1 (ko) | 다이나믹 표면 어닐링 프로세싱을 위한 흡수층 | |
| JPS593540B2 (ja) | 窒化膜形成法 | |
| US4474831A (en) | Method for reflow of phosphosilicate glass | |
| EP3291279A1 (en) | Diamond manufacturing system and method via chemical vapor deposition assisted with laser initiated plasma fed with microwave energy | |
| JPH0641741A (ja) | 基板加熱機構 | |
| JPH03266424A (ja) | 半導体基板のアニール方法 | |
| JPS5943816B2 (ja) | シリコン製半導体装置の製造方法 | |
| JPH0834191B2 (ja) | 半導体ウエフア中へド−パントを高温ドライブイン拡散する方法 | |
| JPH0677126A (ja) | 凝縮状態を利用した平坦化材料層形成方法 | |
| JPS5852473A (ja) | 金属材料の表面処理法 | |
| JPH02100297A (ja) | レーザ励起型ｘ線の発生方法 | |
| JP2602991B2 (ja) | ダイヤモンド表面改質法 | |
| KR101610260B1 (ko) | 전자빔 어닐링 장치 및 이를 이용한 어닐링 방법 | |
| JPH0133936B2 (ja) | ||
| JP3065760B2 (ja) | 光ｃｖｄ装置 | |
| JPH01152718A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPS60216561A (ja) | 熱処理方法 | |
| JPS62128528A (ja) | レ−ザ表面処理装置 | |
| JPWO2025191681A5 (ja) | ||
| JPH02200782A (ja) | チタン酸鉛薄膜の形成方法 | |
| JPS6244847B2 (ja) | ||
| JPH0563553B2 (ja) | ||
| JPS6377124A (ja) | 化合物半導体装置の熱処理方法 | |
| JPS61199638A (ja) | 絶縁膜の形成方法 | |
| JPH03290927A (ja) | 導電性層形成法 |