JPS6275325A - 半導体レ−ザ横モ−ド測定装置 - Google Patents
半導体レ−ザ横モ−ド測定装置Info
- Publication number
- JPS6275325A JPS6275325A JP60217042A JP21704285A JPS6275325A JP S6275325 A JPS6275325 A JP S6275325A JP 60217042 A JP60217042 A JP 60217042A JP 21704285 A JP21704285 A JP 21704285A JP S6275325 A JPS6275325 A JP S6275325A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- transverse mode
- measuring device
- photodetector
- mode measuring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体レーザの横モード測定装置に関する。
従来の技術
近年、光通信、光情報処理分野の発展は目ざましく、こ
れに使用される半導体レーザも重要性を増しつつある。
れに使用される半導体レーザも重要性を増しつつある。
これに伴い、その特性測定も、手軽でかつ迅速に行える
必要性が増している。
必要性が増している。
従来の半導体レーザ（以下ＬＤ）横モード測定法は、例
えば、光産業技術振興協会報告書「オプトエレクトロニ
クスの日本工業規格（ＪＩＳ）化に関する調査研究Ｉｌ
ｌ Ｊ （５９−００４）１２８ページに見られるよう
に、ＬＤを中心として光検知器を回転させ、その時の検
知光出力の回転角依存性より読むものである。他の方式
としては、光検知器を固定して、対向させたＬＤを回転
させるものもある。
えば、光産業技術振興協会報告書「オプトエレクトロニ
クスの日本工業規格（ＪＩＳ）化に関する調査研究Ｉｌ
ｌ Ｊ （５９−００４）１２８ページに見られるよう
に、ＬＤを中心として光検知器を回転させ、その時の検
知光出力の回転角依存性より読むものである。他の方式
としては、光検知器を固定して、対向させたＬＤを回転
させるものもある。
発明が解決しようとする問題点
いずれにしても、ＬＤ、光検知器はリード線を有し、位
置調整のためゴニオメータ上に位置し、測定はゆっくり
行うため所要時間が大きい。
置調整のためゴニオメータ上に位置し、測定はゆっくり
行うため所要時間が大きい。
本発明は、上記欠点を解決し、迅速かつ手軽にＬＤの横
モード測定を行う装置を与えることを目的とする。
モード測定を行う装置を与えることを目的とする。
問題点を解決するだめの手段
本発明は、近接した位置にＬＤ、光検知器を配置し、か
つ、これに対向するように反射鏡を置き、この反射鏡が
ＬＤ、光検知器のまわりに回転するようにした横モード
測定装置により上記目的を達成せんとする。
つ、これに対向するように反射鏡を置き、この反射鏡が
ＬＤ、光検知器のまわりに回転するようにした横モード
測定装置により上記目的を達成せんとする。
作 用
反射鏡をＬＤおよび光検知器のまわりに回転するように
し、可動部分を小さな反射鏡のみとすることによって、
高速回転を可能にして極めて短時間の測定を可能にする
ことができる。
し、可動部分を小さな反射鏡のみとすることによって、
高速回転を可能にして極めて短時間の測定を可能にする
ことができる。
実施例
以下、図面を参照しながら本発明の実施例について説明
する。本発明のＬＤ横モード測定装置の第１図に示す。
する。本発明のＬＤ横モード測定装置の第１図に示す。
図において、１は測定にかがるＬＤ、２は光検知器、３
は２への入射光をしぼるだめの絞り、４は反射鏡、５は
反射鏡を回転させるためのモータ系、６は４の回転に伴
う軌跡を表している。７はＬＤの発振光の、反射鏡へ入
射する成分、８はその反射光を表すとする。また、９は
回転位置検出のため使用される発光素子、１゜は９の発
光をしぼるための絞りである。４の回転に対して１，２
．９などは切り離されている。
は２への入射光をしぼるだめの絞り、４は反射鏡、５は
反射鏡を回転させるためのモータ系、６は４の回転に伴
う軌跡を表している。７はＬＤの発振光の、反射鏡へ入
射する成分、８はその反射光を表すとする。また、９は
回転位置検出のため使用される発光素子、１゜は９の発
光をしぼるための絞りである。４の回転に対して１，２
．９などは切り離されている。
本実施例の動作原理を以下に説明する。まず、ＬＤｌを
設置し、所定電流を印加し発振を起させ、同時に反射鏡
４を回転し、発光素子９を点灯しておく。９は高輝度Ｌ
ＥＤ、またはＬＤを使用するのが望ましい。反射鏡４の
各位置に対応して反射光８が光検知器２に連続的に検知
される。一方、ＬＥＤ９の発光を検知した時刻と、モー
タ系５の回転数を制御することで反射鏡４の回転速度が
知れることから、発振光出射方向θ（図中に表示）が知
れる。この三者をオシロスコープによす表示すれば、所
望のＬＤの横モード特性が得られる。
設置し、所定電流を印加し発振を起させ、同時に反射鏡
４を回転し、発光素子９を点灯しておく。９は高輝度Ｌ
ＥＤ、またはＬＤを使用するのが望ましい。反射鏡４の
各位置に対応して反射光８が光検知器２に連続的に検知
される。一方、ＬＥＤ９の発光を検知した時刻と、モー
タ系５の回転数を制御することで反射鏡４の回転速度が
知れることから、発振光出射方向θ（図中に表示）が知
れる。この三者をオシロスコープによす表示すれば、所
望のＬＤの横モード特性が得られる。
なお、測定精度を上げるためには、図示の例の１と２と
の横並びの配置に対して、縦に重ねる配置の方が好まし
い。また、θが大きくなった時２の出力が余弦効果で減
少するのをさけるために、２の出力の下段に補正回路を
付加することが有効である。
の横並びの配置に対して、縦に重ねる配置の方が好まし
い。また、θが大きくなった時２の出力が余弦効果で減
少するのをさけるために、２の出力の下段に補正回路を
付加することが有効である。
更に、別の機能として、２の背面（″または横。
または縦に重ねる位置）に２とは反対方向を向いたもう
一つの光検知器を配置すれば、ＬＤチップの背面光も、
前面光７と同時に測定することが可能である。
一つの光検知器を配置すれば、ＬＤチップの背面光も、
前面光７と同時に測定することが可能である。
発明の効果
本発明においては、可動部分が小さな反射鏡のみである
ため、反射鏡４の回転は高速にすることができるので、
測定開始後非常に短時間で横モード特性を得ることがで
きる。
ため、反射鏡４の回転は高速にすることができるので、
測定開始後非常に短時間で横モード特性を得ることがで
きる。
図は本発明の一実施例における半導体レーザ測定装置の
構成図である。 １・・・・・・ＬＤ、２・・・・・・光検知器、４・・
−・・・反射鏡、９・・・・・・回転位置検出のだめの
発光素子。
構成図である。 １・・・・・・ＬＤ、２・・・・・・光検知器、４・・
−・・・反射鏡、９・・・・・・回転位置検出のだめの
発光素子。
Claims (2)
- （１）近接した位置に半導体レーザ、光検知器を配置し
、かつ、これに対向するように反射鏡を置き、この反射
鏡がＬＤ、前記光検知器のまわりに回転するようにした
半導体レーザ横モード測定装置。 - （２）半導体レーザ、光検知器に 近接して反対方向を向いたもう一つの光検知器を配置し
た特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザ横モード測
定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60217042A JPS6275325A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 半導体レ−ザ横モ−ド測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60217042A JPS6275325A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 半導体レ−ザ横モ−ド測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6275325A true JPS6275325A (ja) | 1987-04-07 |
Family
ID=16697925
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60217042A Pending JPS6275325A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 半導体レ−ザ横モ−ド測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6275325A (ja) |
-
1985
- 1985-09-30 JP JP60217042A patent/JPS6275325A/ja active Pending
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