JPS5856437U - 半導体接合特性測定装置 - Google Patents

半導体接合特性測定装置

Info

Publication number
JPS5856437U
JPS5856437U JP14949081U JP14949081U JPS5856437U JP S5856437 U JPS5856437 U JP S5856437U JP 14949081 U JP14949081 U JP 14949081U JP 14949081 U JP14949081 U JP 14949081U JP S5856437 U JPS5856437 U JP S5856437U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sample
photon beam
semiconductor junction
transparent electrode
junction characteristic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP14949081U
Other languages
English (en)
Inventor
楝方　忠輔
本間　則秋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP14949081U priority Critical patent/JPS5856437U/ja
Priority to US06/432,805 priority patent/US4563642A/en
Priority to DE8282109245T priority patent/DE3271027D1/de
Priority to EP82109245A priority patent/EP0077021B1/en
Publication of JPS5856437U publication Critical patent/JPS5856437U/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案の原理を説明するための等価回路図、第
２図は光電圧の周波数依存性を示す特性図、第３図は本
考案による半導体接合特性測定装置の基本構成図である
。 １・・・・・・金属製試料台（電極）、２・・・・・・
半導体ウェハ、３・・・・・・透明電極、３′・・・・
・・ガラス基板、４・・・・・・収束レンズ、５・ｏｂ
ｅｓｅ反射鏡、６・・・・・・半透鏡、７・・・・・・
発光素子、８・・・・・・駆動電源、９・・・・・・光
検出器、１０・・・・・・同期整流増幅器、１１．　１
３．　１３′・・・・・・パルスＬ１２・・・・・・同
軸ケーブル、１４・・・・・・信号処理回路。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 １　導電性試料台と、上記試料台上に置かれた接合を有
    する半導体試料と、上記試料に対向するように近接して
    設けられた透明電極と、上記透明電極を介して上記試料
    上に周波数可変のパルス化した光子ビームを照射する手
    段と、上記周波数可変のパルス化した光子ビームを発生
    する手段と、上記光子ビームの照射によって上記試料の
    表裏間に発生する光電圧を取り出すため上記透明電極と
    上記試料台との間に接続された増幅手段と、上記増幅手
    段の出力信号から上記試料における′接合の遮断周波数
    を求衿るための信号処理手段とを備えてなることを特徴
    とする半導体接合特性測定装置。 ２　上記増幅手段示上記光子ビームの光出力信号を参照
    信書とする同期整流増幅器であることを特徴とする第１
    項の半導体接合特性測定装置。
JP14949081U 1981-10-09 1981-10-09 半導体接合特性測定装置 Pending JPS5856437U (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14949081U JPS5856437U (ja) 1981-10-09 1981-10-09 半導体接合特性測定装置
US06/432,805 US4563642A (en) 1981-10-09 1982-10-05 Apparatus for nondestructively measuring characteristics of a semiconductor wafer with a junction
DE8282109245T DE3271027D1 (en) 1981-10-09 1982-10-06 Apparatus for nondestructively measuring characteristics of a semiconductor wafer having a junction
EP82109245A EP0077021B1 (en) 1981-10-09 1982-10-06 Apparatus for nondestructively measuring characteristics of a semiconductor wafer having a junction

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14949081U JPS5856437U (ja) 1981-10-09 1981-10-09 半導体接合特性測定装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5856437U true JPS5856437U (ja) 1983-04-16

Family

ID=29942258

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP14949081U Pending JPS5856437U (ja) 1981-10-09 1981-10-09 半導体接合特性測定装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5856437U (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58155732A (ja) * 1982-03-12 1983-09-16 Hitachi Ltd キヤリア寿命測定装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58155732A (ja) * 1982-03-12 1983-09-16 Hitachi Ltd キヤリア寿命測定装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
MY113350A (en) Semiconductor laser device to detect a divided reflected light beam
JPS5856437U (ja) 半導体接合特性測定装置
JPS56150888A (en) Semiconductor laser device
JPH0160565U (ja)
JPS59178739A (ja) キヤリア移動度測定装置
JPS5928718A (ja) 遅延回路
JPS57168234A (en) Optical analog-to-digital converter
JPS5954811U (ja) カメラの測距装置
JPS6444084A (en) Two-dimensional photoamplifier
JPS5984411U (ja) 距離測定装置
JPH0621239Y2 (ja) ホトタイオ−ドのチツプキヤリア構造
JPS6427289A (en) Semiconductor device
JPS6070009U (ja) 外径変動検出器
JPS5929728U (ja) 光検出装置
JPS5972054U (ja) 信号断検出回路
JPS5929781U (ja) レ−ザ光用距離遅延装置
JPS6399322U (ja)
JPS59161741U (ja) 光電スイツチ
JPH0557687U (ja) 測距センサ
JPS59103433U (ja) 膜厚監視装置
JPS61195529U (ja)
JPS59157238U (ja) フオトカプラ−装置
JPS5888146U (ja) 磁気テ−プの光透過率測定装置
JPS6275325A (ja) 半導体レ−ザ横モ−ド測定装置
JPH0263174A (ja) 半導体受光装置