JPH04298001A - 高抵抗体組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は抵抗器、混成集積回路基
板に用いる抵抗体、特に、その抵抗値が１００〜１０ｋ
Ω／□の高抵抗体組成物に関する。

【０００２】

【従来の技術】混成集積回路基板は、セラミック基板上
にスクリーン印刷及び焼成により導体や抵抗体を形成し
た厚膜基板が広く使用されている。一般に、導体材料と
しては、銀、パラジウム及び金等の貴金属材料を用いた
ものが多用されている。一方、その導体材料に接続する
抵抗体としては、酸化ルテニウム（ＲｕＯ２　）と酸化
鉛（ＰｂＯ）系ガラスフリットとの組成物から成る抵抗
体が用いられていた。

【０００３】しかし、上述の導体材料は高価であること
や、近時、導体の高密度化によるマイグレーションの発
生などの理由から高密度集積化の混成集積回路基板には
、実用上の制限が多かった。

【０００４】そこで近年、安価でマイグレーションが起
こりにくい導体材料である銅（Ｃｕ）の実用化が検討さ
れている。しかしＣｕは、酸化されやすいという理由か
ら、導体に接続する抵抗体には、非酸化性雰囲気下で焼
成可能な金属珪化物、例えばＭｏＳｉ２　、ＴａＳｉ２
　、ＭｇＳｉ２　等とＢａＯ、Ｂ２　Ｏ３　、ＳｉＯ２
　、ＣａＯ、ＭｇＯ等のガラス材料とからなる珪化物−
ガラス系の抵抗材料が提案されている（たとえば特公昭
６０−５５９６１号公報参照）　。さらに、金属珪化物
とガラス材料とのヌレ性を向上させ、抵抗値を安定にす
べく、本発明者らは、組成物中の非還元性ガラスに酸化
タンタルを含めておくことを提案した（例えば特願平１
−２５６３３４）。

【０００５】

【従来技術の課題】しかしながら、上述の抵抗体では、
通常厚膜抵抗体として、多用される１００〜１０ｋΩ／
□の範囲で、安定した抵抗値、熱特性が充分に得られず
、限られた条件下でしか使用できないという問題点があ
った。

【０００６】そこで、本発明者らは金属珪化物と非還元
性ガラスの重量比率、及び夫々の比表面を種々検討した
結果、Ｃｕの導体と接続可能な１００〜１０ｋΩ／□の
範囲の抵抗体で、且つ安定した抵抗値、熱特性が得られ
、さらに、抵抗体を保護ガラスで覆って、さらにレーザ
トリミングで目標通りの抵抗値が容易に達成できる抵抗
体を知見した。

【０００７】即ち、本発明は、上述の知見に基づくもの
で、その目的は、安定した抵抗値、熱特性に優れ、オー
バーコートガラスを形成しても抵抗値変化が少なく、且
つレーザトリミングが目標値通り行う事ができ、ショー
トタイムドリフトのない抵抗体を提供するものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、金属珪
化物を主成分とする導電性微粉末が固体分量基準で５〜
７０重量％と、残部が非還元性ガラスを主成分とした無
機バインダからなり、両者を焼結して抵抗値が１００〜
１０ｋΩ／□の抵抗体組成物であって、前記導電性微粉
末はの粉末比表面積がｍ２　／ｃｍ３　以上であり、且
つ前記無機バインダの粉末比表面積が２．０ｍ２　／ｃ
ｍ３　以下であることを特徴とする高抵抗体組成物であ
る。

【０００９】

【作用】本発明の高抵抗体組成物は、金属珪化物を主成
分とする導電性微粉末と、非還元性ガラスを主成分とし
た無機バインダとからなるものである。本発明に用いら
れる導電性微粉末は、元素周期表において、４族、５族
及び６族に属する金属（モリブデン、タングステン、バ
ナジウム、チタン、ジルコニア、クロム、タンタル）と
珪素の化合物から成る。

【００１０】この様な化合物としては、例えばタンタル
の場合、ＴａＳｉ２、Ｔａ５　Ｓｉ３　、Ｔａ５　Ｓｉ
２　、Ｔａ５　Ｓｉが例示でき、非還元性ガラス成分と
混合して焼成した場合、ＴａＳｉ２　が最も安定である
。

【００１１】具体的には、珪化タンタルはＴａとＳｉの
微粉末を適当な比率で混合し、非酸化性雰囲気下におい
て８００〜１４００℃の範囲で焼成して化合物を作成し
、さらに粉砕することにより製造することが出来る。 例えば、Ｔａの微粉末とＳｉの微粉末との混合比を１：
２（原子％比）になるように混合し真空中において１４
００℃で焼成するとＴａＳｉ２　の粉末が得られる。

【００１２】ここで示す比表面積とは、１ｃｍ３　の試
料のもつ総表面積を示し、以下の式（化１）で表される
。

【００１３】

【化１】

【００１４】ここで、ｄは、レーザの前方散乱光による
フラウンホーファ回折現象を用いて測定した粒子の代表
径であり、対応するＶは体積割合をあらわす。

【００１５】一般的に比表面積は吸着等温線から１ｇの
試料の持つ総表面積を指すが本組成物はコンポジットで
あり、比重の異なるものを混合している為、その混合度
合い、充填度合いを知る上でも、体積を基準にした方が
好ましいと判断した。

【００１６】導電粒子の比表面積は４ｍ２　／ｃｍ３　
以下では、重量の変化による抵抗値の変動が極めて大き
く、所期の抵抗値を得るための重量管理が極めて困難で
ある。更に好適な範囲として、比表面積が７ｍ２　／ｃ
ｍ３　以上である。即ち、７ｍ２　／ｃｍ３　以上では
、重量比率の変化に対して、抵抗値の変動や熱特性の変
動が鈍いため、重量比率の変化を代えることにより、簡
単に抵抗値が１００〜１０ｋΩ／□の抵抗体が得られる
ことになる。

【００１７】比表面積を大きくするためには粉砕をより
激しくすればよいが、この際不純物濃度をが高くならな
い様に注意を払う必要がある。

【００１８】このように、比表面積が大きい程、再現性
よく無機バインダ中に分散させことができ、例えば、こ
の抵抗体上に保護ガラスを被覆したとき、被覆後の抵抗
値のばらつきが少なく、レーザトリミングが目標値通り
行う事ができ、ショートタイムドリフトのない抵抗体が
可能となる。

【００１９】また、本発明に用いられる無機バインダを
構成する非還元性ガラスは、金属珪化物に対し、９００
℃程度の温度条件下で安定な金属酸化物を有する硼素酸
系のガラス、硼素酸系のアルカリ土類金属塩ガラスが用
いられる。

【００２０】この金属酸化物としては、分子中の金属酸
素結合１個当りの９００℃に於けるギブスの標準生成自
由エネルギーが約−７０ｋｃａｌ／ｍｏｌ以下のものが
好ましい。この金属酸化物としては、例えばＣａＯ、Ｍ
ｇＯ、ＢａＯ、ＺｒＯ２　、Ａｌ２　Ｏ３　、ＴｉＯ２
　、ＳｉＯ２　、Ｂ２　Ｏ３　、Ｔａ２　Ｏ２等を例示
できる。

【００２１】非還元性ガラスは、ＳｉＯ２　、Ｂ２　Ｏ
３を中心として、前記金属酸化物を任意の割合で混合す
ることにより得ることのできる硼素酸系のガラス、例え
ば硼素酸系のアルカリ土類金属塩のガラスであり、熱履
歴などを考慮すると結晶性ガラスが好ましい。

【００２２】抵抗体を焼成した後、抵抗体中に、Ｍｇ０
・Ａｌ２　Ｏ３　・ＳｉＯ２　、ＢａＯ２　・Ａｌ２　
Ｏ３　・２ＳｉＯ２　、ＣａＯ・Ｍｇ０・Ａｌ２　Ｏ３
　・ＳｉＯ２　、ＣａＯ・２Ｔａ２　Ｏ５　などが析出
されるよにすれば、特に抵抗体の抵抗値変化を極小化で
きる。

【００２３】無機バインダの粉末の比表面積も導電性微
粉末同様重要である。

【００２４】安定した抵抗体を得るためには、その無機
バインダの粉末比表面積は、０．１〜２．０ｍ２　／ｃ
ｍ３　に設定することが重要である。更に好適には０．
５〜１．０ｍ２　／ｃｍ３　以上１．０ｍ２　／ｃｍ３
　以下である。

【００２５】比表面積が０．１ｍ２　／ｃｍ３　未満で
あれば、抵抗体ペーストを作成し、厚膜印刷した際に印
刷性の問題が発生する。

【００２６】また、比表面積が２．０ｍ２　／ｃｍ３　
を越えるものであれば、高抵抗値域で安定した特性が得
られなくなる。

【００２７】更に無機バインダーには、酸化タンタルを
含有させた方がよい。これは、導電性粉末の例えばＴａ
と無機バインダのＢとの反応（例えばＴａＢ）を促進さ
せ、ヌレ性を向上させて、金属珪化物の特性を充分引き
出すためである。尚、酸化タンタルは無機バインダー中
に０．５〜１．２モル％含有させることが望ましい。

【００２８】本発明の抵抗体組成物は、前記導電性微粉
末と前記無機バインダとエチルセルロース、アクリル樹
脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体等の有機樹脂、α−
ターピネオール、２，２，４−トリメチル−１，３−ベ
ンタンジオールモノイソプチレート等の有機溶剤を混練
したペーストから形成される。このペーストを例えばセ
ラミック基板上にスクリーン印刷等の周知手段により所
定のパターンで印刷した後、乾燥し、焼成することによ
って抵抗体が得られる。尚、有機樹脂、有機溶剤は前記
乾燥・焼成工程で焼失してしまい、抵抗体としては実質
的には、導電性微粉末と無機バインダ成分とで形成され
る。

【００２９】導電性微粉末と無機バインダとの混合割合
は、所期の抵抗値によって決められる。即ち、抵抗値を
小さくする場合は無機バインダの割合を小さくし、抵抗
値を大きくする場合は、無機バインダの割合を大きくす
る。通常、金属珪化物は、抵抗体組成物全体の５〜７０
重量％程度混合される。５重量％未満であると抵抗値が
大きくなりすぎて、絶縁状態となる。

【００３０】逆に、７０重量％を超えると、金属珪化物
が無機バインダ成分中に均等に分配されにくく、電気的
には、抵抗値のばらつきが大きくなったり、ノイズが生
じるという問題がある。

【００３１】以上のように、導電性微粉末と無機バイン
ダとの比表面積及び重量比率を設定することにより、抵
抗値が１００〜１０ｋΩ／□の抵抗体で、抵抗値のばら
つき（（標準σ／平均抵抗値）×１００）が±１０％以
内、高温（２５〜１２５℃）の温度特性が±３５０ｐｐ
ｍ／℃、保護ガラスで被覆した後の抵抗変化率が±５％
以内、トリミング時における短時間変化率が±１％以内
の安定した抵抗体が達成できる。

【００３２】

【実施例】以下、本発明の抵抗体を図面に基づいて説明
する。尚、厚膜集積回路基板に適用した抵抗体について
説明する。

【００３３】図中、１は多層配線回路基板であり、多層
配線回路基板１には表面導体２、３、本発明の抵抗体４
、及び保護ガラス５が形成されている。

【００３４】多層配線回路基板１はガラス−セラミック
グリーンシート１０・・・を焼結して得られる。具体的
には、ガラス−セラミックグリーンシート１０・・・に
ビアホール１２を形成し、ガラス−セラミックグリーン
シート１０上にＡｇペーストで内部電極パターン１１を
印刷し、同時にビアホール１２にＡｇペーストを充填す
る。その後、所定パターンのＡｇ内部電極１１が形成さ
れたガラス−セラミックグリーンシート１０・・・を、
所定数積層し、乾燥後、酸化雰囲気中で焼成する。

【００３５】表面導体２、３は、基本的に２種類の導体
が使用される。

【００３６】第１の表面導体２は、焼結した多層配線回
路基板１上に形成されるものであり、耐マイグレーョン
性に優れた銅ペーストを印刷、乾燥、焼成によって形成
される。

【００３７】第２の表面導体３は多層配線回路基板１上
に露出しているビアホール１２と第１の表面導体２や抵
抗体４とを電気的に接続するために形成され、低温焼成
（６００℃）可能な銅ペーストが使用される。例えばデ
ュポン社製＃６０００１が例示される。

【００３８】抵抗体４は、上述の抵抗体組成物から作成
された抵抗ペーストを焼成して形成されるものであり、
表面導体３の一部に接続して形成される。

【００３９】保護ガラス５は、表面導体２、３、抵抗体
４上に被覆されるものであり、硼珪酸鉛系ガラスが使用
される。

【００４０】具体的な製造方法は、先ず多層配線回路基
板１上に第１の表面導体２となる銅ペーストを所定回路
パターンに印刷し、乾燥後、焼成還元性雰囲気中、９０
０℃で焼成する。次に本発明の抵抗体４となる抵抗体ペ
ーストを所定形状に印刷し、乾燥後、還元性である窒素
雰囲気中でピーク温度が９００℃、１０分間焼成する。 尚、抵抗体４の形成にあたり、前記表面導体２の銅ペー
ストを印刷・乾燥した後に抵抗体ペーストを所定形状に
印刷し、乾燥後、同時に焼成しても構わない。また、抵
抗体４を先に形成し、第１の表面導体２を後に形成して
も構わない。

【００４１】次に、多層配線回路基板１の表面に露出し
たビアホール１２と第１の表面導体２とを接続するため
に、第２の表面導体を低温焼成可能な銅ペーストでもっ
て印刷して、還元性雰囲気中、６００℃で焼成する。

【００４２】次に、多層配線回路基板１の表面に必要箇
所、例えば表面導体２、３及び抵抗体４のみを完全に覆
うように保護ガラス５を印刷し、乾燥後、還元性雰囲気
中、６００℃で焼成する。

【００４３】最後に、保護ガラス５上からＹＡＧレーザ
ーにより抵抗体４の一部を除去して、抵抗体４の抵抗値
を所期抵抗値に修正する。

【００４４】次に、本発明の抵抗体４について詳述する
。まず、抵抗体４用の抵抗ペーストとして、無機バイン
ダを作成するにあたり、下記組成の非還元性ガラスの結
晶体を析出した。

【００４５】 ＢａＯ　　　　・・・・１８．８０モル％Ｂ２　Ｏ３　
　　・・・・４２．３０モル％ＳｉＯ２　　　・・・・
２１．６０モル％ＭｇＯ　　　　・・・・　　４．７０
モル％ＮｉＯ　　　　・・・・４２．３０モル％Ｔａ２
　Ｏ５　・・・・１８．８０モル％ＺｒＯ２　　　・・
・・４２．３０モル％

【００４６】次に、上述の非還元
性ガラス体をアルミナボールによる回転ボールミル粉砕
し、４種類の比表面積、１．０６ｍ２　／ｃｍ３　、１
．９８ｍ２　／ｃｍ３　、３．２９ｍ２　／ｃｍ３　、
４．１９ｍ２　／ｃｍ３　の無機バインダを作成した。 尚、比表面積の測定は日機装社製マイクロトラック７９
９５−３０−３ＳＰＡを用いた。

【００４７】また、導電性微粉末として、金属珪化物を
珪化タンタルを用い、６種類の比表面積が０．３６ｍ２
　／ｃｍ３　、０．９７ｍ２　／ｃｍ３　、２．０３ｍ
２　／ｃｍ３　、４．１９ｍ２　／ｃｍ３　、４．８５
ｍ２　／ｃｍ３　、７．９１ｍ２　／ｃｍ３　の珪化タ
ンタルを作成した。

【００４８】これらの珪化タンタルの導電性微粉末と非
還元性ガラスの無機バインダーとを所定表１に示めす重
量比率になるように、混合し、有機樹脂、有機溶剤に分
散した。

【００４９】このようにして作成した抵抗体ペーストを
上述の多層配線基板１上に印刷・乾燥・焼成し、２０ケ
の試料を作成した。

【００５０】得られた抵抗体４について、抵抗値及び抵
抗値のばらつき、高温温度特性、保護ガラス５を被覆後
の抵抗値の変化、トリミングによる抵抗値の変化を夫々
調べた。

【００５１】抵抗値Ｒ（Ω／□）は次の式により基準化
した。 抵抗値Ｒ（Ω／□）＝Ｘｓ　×Ｄ／１５Ｘｓ　：抵抗体
４の測定値 Ｄ　　：抵抗体４の膜厚 即ち、抵抗値（Ω／□）は、抵抗体４の膜厚Ｄによる変
動があるため、１５μｍで基準化した。

【００５２】抵抗値のばらつきは、次の式により基準化
し、ＣＶ値（％）とした。 ＣＶ値（％）＝１００×σ／Ｘ σ：標準偏差（Ω／□） Ｘ：平均抵抗値（Ω／□）

【００５３】温度特性に関しては、高温温度特性ＨＴＣ
Ｒ値（ｐｐｍ）次の式に従い計測した。 ＨＴＣＲ値（ｐｐｍ）＝１００００×（Ｘ１２５　−Ｘ
　２５　）／Ｘ　２５ 　　　　　　　　　　　　　　Ｘ１２５　：１２５℃に
おける抵抗値（Ω／□） Ｘ２５　　：２５℃における抵抗値（Ω／□）

【００５
４】保護ガラス５の被覆による抵抗値変化率ＯＧΔＲ（
％）を次の式に従い計測した。

【００５５】抵抗値変化率ＯＧΔＲ（％）＝１００×（
ＸＧ　−Ｘｓ　）／Ｘｓ 　　　　　　　　　　　　　　ＸＧ　　　：保護ガラス
５を被覆後の抵抗値（Ω／□）

【００５６】トリミング直後の抵抗値に対し、トリミン
グ後１時間して計測した抵抗値の変化率であるトリミン
グ短時間変化率ＴＳＴＤ（％）を次の式に従い計測した
。 ＴＳＴＤ値（％）＝１００×（ＸＴＳ−ＸＴ　）／ＸＴ
　　　　　　　　　　　　　　ＸＴＳ　　：トリミング
１時間後の抵抗値（Ω／□） ＸＴ　　　：トリミング直後の抵抗値（Ω／□）

【００
５７】ここで、抵抗値Ｒ（Ω／□）は１００〜１０ｋΩ
／□を本発明の範囲とする。これは厚膜抵抗体として、
多用される抵抗値である。

【００５８】また、ＣＶ値（％）は±１０％を良品の範
囲とした。即ち、この範囲を越えてしまうと、抵抗体４
の抵抗値のばらつきが大きくなり、再現性のよい抵抗体
４が得られなくなり、トリミングによる抵抗値修正の修
正許容範囲を越える場合も生じる。

【００５９】ＨＴＣＲ値は±３５０ｐｐｍを良品の範囲
とした。抵抗の公差が大きく変動し、例えば、回路定数
を大きく変化させてしまう可能性がある。抵抗値変化率
ＯＧΔＲ（％）は保護ガラス５を被覆による抵抗値の安
定度合いを示すものであり、実用的には±５％を良品の
範囲とした。この範囲を越えるとＣＶ値（％）と同様再
現性のよい抵抗体４が得られなくなり、トリミングによ
る抵抗値修正の修正許容範囲を越える場合も生じる。

【００６０】ＴＳＴＤ値（％）はトリミング安定度合い
をあらわし、±１％を良品の範囲とした。トリミングは
、実質的に最終的な抵抗調整であるため、この範囲を越
えると完成品において、抵抗値のばらつきが発生してし
まうという致命的な欠陥と成ってしまう。尚、トリミン
グは、テラダイン社製ＴＩＰＥ４１９を用い、レーザパ
ワーは３Ｗ、Ｑ−ＲＡＴＥは（３、２、２）で行った。

【００６１】その結果を、試料番号１〜３５を表１で示
す。

【００６２】

【表１】

【００６３】試料番号１〜１１は、比表面積が０．３６
〜４．１９ｍ２　／ｃｍ３　の金属珪化物と比表面積が
３．２９ｍ２　／ｃｍ３　の無機バインダーとを、抵抗
値１００〜１０ｋΩ／□の抵抗体４を作成するため、夫
々の重量率を変化させた。

【００６４】試料番号１〜６では、１００〜１０ｋΩ／
□の抵抗値で、ＣＶ値が１８．４％以上になり、ばらつ
きが大きい抵抗体となってしまう。

【００６５】試料番号１０では、１００〜１０ｋΩ／□
の抵抗体が得られるものの、ＣＶ値が１０．１％と良品
の範囲を外れてしまう。

【００６６】試料番号１１では、重量比率の変化に対し
て抵抗値の変化が大きくて、所期の抵抗値を得るための
重量比率が極めて困難なものとなってしまう。

【００６７】試料番号１２〜１４は、比表面積が４ｍ２
　／ｃｍ３　を超える４．１９ｍ２　／ｃｍ３　の金属
珪化物と比表面積が１ｍ２　／ｃｍ３　を超える１．０
６ｍ２　／ｃｍ３　の無機バインダとを混合して、１０
０〜１０ｋΩ／□の抵抗体４を形成するために、重量比
率を変化させた。

【００６８】試料番号１２、１３は、抵抗値２０５Ω／
□、２．８ｋΩ／□の抵抗体となり、ＣＶ値、ＨＣＴＲ
値、ＯＧΔＲ値、ＴＳＴＤ値がともに良品の範囲となる
。

【００６９】試料番号１４では、１０ｋΩ／□を越えて
しまう抵抗体となり、ＣＶ値が３０．４％、ＨＣＴＲ値
が−３５６ｐｐｍ、ＯＧΔＲ値が２３．２％、ＴＳＴＤ
値が−２０．０％とともに良品の範囲外となってしまう
。

【００７０】試料番号１５〜１７は、比表面積が４．１
９ｍ２　／ｃｍ３　の金属珪化物と比表面積が１ｍ２　
／ｃｍ３　を超える１．０６ｍ２　／ｃｍ３　の無機バ
インダーのを混合して１００〜１０ｋΩ／□の抵抗体４
を形成するために、重量比率を変化させた。

【００７１】試料番号１５、１６は、抵抗値１３８Ω／
□、４．５ｋΩ／□の抵抗体となり、ＣＶ値、ＨＣＴＲ
値、ＯＧΔＲ値、ＴＳＴＤ値がともに良品の範囲となる
。

【００７２】試料番号１７では、１０ｋΩ／□を越えて
しまう抵抗体となり、試料番号１４と同様にＣＶ値が１
０．０％、ＨＣＴＲ値が−５２５７ｐｐｍ、ＯＧΔＲ値
が１２．３％、ＴＳＴＤ値が−５．３％とともに良品の
範囲外となってしまう。

【００７３】試料番号１８〜２０は、比表面積が４．８
５ｍ２　／ｃｍ３　の金属珪化物と比表面積が１．０６
ｍ２　／ｃｍ３　の無機バインダーのを混合して１００
〜１０ｋΩ／□の抵抗体４を形成するために、重量比率
を変化させた。

【００７４】試料番号１８、１９は、抵抗値１２０Ω／
□、８９７Ω／□の抵抗体となり、ＣＶ値、ＨＣＴＲ値
、ＯＧΔＲ値、ＴＳＴＤ値がともに良品の範囲となる。

【００７５】試料番号２０では、１０ｋΩ／□を越えて
しまう抵抗体となり、試料番号１４、１７と同様にＣＶ
値、ＨＣＴＲ値、ＯＧΔＲ値、ＴＳＴＤ値がとともに大
きく良品の範囲から外れる。

【００７６】試料番号２１〜２３は、比表面積が４．８
５ｍ２　／ｃｍ３　の金属珪化物と比表面積が１．９８
ｍ２　／ｃｍ３　の無機バインダーのを混合して１００
〜１０ｋΩ／□の抵抗体４を形成するために、重量比率
を変化させた。

【００７７】試料番号２１、２２は、抵抗値１１１Ω／
□、１．３ｋΩ／□の抵抗体となり、ＣＶ値、ＨＣＴＲ
値、ＯＧΔＲ値、ＴＳＴＤ値がともに良品の範囲となる
。

【００７８】試料番号２３では、１０ｋΩ／□を越えて
しまう抵抗体となり、試料番号１４、１７、試料番号２
０と同様にＣＶ値、ＨＣＴＲ値、ＯＧΔＲ値、ＴＳＴＤ
値がとともに大きく良品の範囲から外れる。

【００７９】試料番号２４〜２９は、比表面積が７．９
１ｍ２　／ｃｍ３　の金属珪化物と比表面積が１．０６
又は１．９８ｍ２　／ｃｍ３　の無機バインダーのを混
合して１００〜１０ｋΩ／□の抵抗体４を形成するため
に、重量比率を変化させた。

【００８０】試料番号２４〜２９について、抵抗値１１
０Ω／□〜３．９ｋΩ／□の抵抗体となり、ＣＶ値、Ｈ
ＣＴＲ値、ＯＧΔＲ値、ＴＳＴＤ値がともに良品の範囲
となる。

【００８１】試料番号３０〜３５は、比表面積が４．１
９又は４．８５ｍ２　／ｃｍ３　と設定範囲内の金属珪
化物と比表面積が２．０ｍ２　／ｃｍ３　を越えた４．
１９ｍ２　／ｃｍ３　の無機バインダーのを混合して１
００〜１０ｋΩ／□の抵抗体４を形成するために、重量
比率を変化させた。

【００８２】しかし、試料番号３２、３５については抵
抗値が１０ｋΩ／□以上の抵抗体となる上、ＣＶ値、Ｈ
ＣＴＲ値、ＯＧΔＲ値などが良品の範囲外となる。また
試料番号３０についてはＣＶ値が１０．１％となり、試
料番号３１についてはＣＶ値、ＨＣＴＲ値、ＯＧΔＲ値
が良品の範囲を越えてしまう。さらに試料番号３３につ
いてはＯＧΔＲ値が−５．２％となり、試料番号３４に
ついてはＣＶ値が１４．８％となる。

【００８３】結局、ＣＶ値が±１０％、ＨＣＴＲ値が±
３５０ｐｐｍ、ＯＧΔＲ値が±５％、ＴＳＴＤ値が±１
％の範囲の抵抗体４を作成するには、抵抗値が１００〜
１０ｋΩ／□で、金属珪化物の比表面積が４．００ｍ２
　／ｃｍ３　以上に、無機バインダーの比表面積が１．
００〜２．００ｍ２　／ｃｍ３　に設定することが重要
である。

【００８４】上述の金属珪化物として珪化タンタルを用
いたが、ＭｏＳｉ２、ＴａＳｉ２　、ＭｇＳｉ２　を用
いても、同様の結果が得られることを本発明者らは確認
した。

【００８５】以上のように、このような金属珪化物と還
元性ガラスからなる無機バインダーを混合して抵抗体を
作ることにより、図中、表面導体２、３にマイグレーシ
ョン性に優れるが、酸化されやすい銅やニッケルととも
にしらうすることに適し、１００〜１０ｋΩ／□という
厚膜抵抗体として、多用される抵抗値域において、安定
した抵抗値、熱特性に優れ、保護ガラスを形成しても抵
抗値変化が少なく、且つレーザトリミングが目標値通り
行う事ができ、ショートタイムドリフトのない抵抗体が
達成される。

【００８６】尚、上述の実施例において、本発明の抵抗
体を多層配線基板上に形成した例をしめしたが、その他
にチップ抵抗器、ヒータ、厚膜回路基板などに広く使用
されるものである。

【００８７】

【発明の効果】以上のように、本発明では金属珪化物導
電粒子と無機バインダの比表面積を規定することにより
、１００〜１０ｋΩ／□の厚膜抵抗体が安定した抵抗値
で、熱特性に優れ、保護ガラスを形成しても抵抗値変化
が少なく、且つレーザトリミングが目標値通り行うこと
が容易となり、トリミング後のショートタイムドリフト
のない抵抗体が達成される。

【００８８】更に、本抵抗体は非酸化性雰囲気で焼成す
ることが出来るため、抵抗体の電極や回路基板の配線材
料に銅等の安価な材料を用いることが出来る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る抵抗体を用いた多層配線回路基板
の断面図である。

【符号の説明】

１　　　　　　　　多層配線回路基板 ２、３　　　　表面導体 ４　　　　　　　　抵抗体 ５　　　　　　　　保護ガラス

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】金属珪化物を主成分とする導電性微粉末が
   固体分量基準で５〜７０重量％と、残部が非還元性ガラ
   スを主成分とした無機バインダからなり、両者を焼結し
   て抵抗値が１００〜１０ｋΩ／□の抵抗体組成物であっ
   て、前記導電性微粉末はの粉末比表面積が４ｍ２　／ｃ
   ｍ３　以上であり、且つ前記無機バインダの粉末比表面
   積が２．０ｍ２　／ｃｍ３以下であることを特徴とする
   高抵抗体組成物。