JPS6276733A - ウエハプロ−ブヘツド - Google Patents
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/073—Multiple probes
- G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
- G01R1/07342—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card the body of the probe being at an angle other than perpendicular to test object, e.g. probe card
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ウェハプローブヘッド、特にＳＡＷデバイス
又は半導体集積回路のウェハの電気的特性を測定評価す
る装置のへ・７ド部に関するものである。
又は半導体集積回路のウェハの電気的特性を測定評価す
る装置のへ・７ド部に関するものである。
本発明は、ウェハプローブヘッドにおいて、絶縁支持板
状部材に感圧米子を被着するごとにより、當に一定の接
触圧で被試験素子のイスＩ・ができるようにしたもので
ある。
状部材に感圧米子を被着するごとにより、當に一定の接
触圧で被試験素子のイスＩ・ができるようにしたもので
ある。
公知の表面弾性波（ＳＡＷ）デバイスは、圧電材料の基
板と、その上に設げられた２個の入カドランスデューサ
及び２個の出カドランスデューサにより構成されている
。各トランスデユーサはほぼ矩形状の接触（接続）バン
ドを有し、そごにワイヤボンディングにより電気的接続
が行なわれている。これら４個のパッドは、同一直線上
でなく矩形状に配置されている。
板と、その上に設げられた２個の入カドランスデューサ
及び２個の出カドランスデューサにより構成されている
。各トランスデユーサはほぼ矩形状の接触（接続）バン
ドを有し、そごにワイヤボンディングにより電気的接続
が行なわれている。これら４個のパッドは、同一直線上
でなく矩形状に配置されている。
ＳＡＷデバイスは、集積回路（ＩＣ）メーカーが使用す
る技法を用いて製造され、基板のウェハ上に同時に極め
て多数（例えば１００個以上）のＳＡＷデバイスを作り
、その後ウェハを切断し、１固々のＳＡＷデバイスとし
てパッケージするのが１通である。これらのＳＡＷデバ
イスは、つ、−／＼切断及びパッケージの後に、これら
デハ・イス・＼の電気的接続を行なうボンドワイヤを用
いてテストすることもできるが、当業者にはよく分かる
ように、切断する前のウェハ状態でＳＡＷデバイスのテ
ストを実施するのが望ましい。
る技法を用いて製造され、基板のウェハ上に同時に極め
て多数（例えば１００個以上）のＳＡＷデバイスを作り
、その後ウェハを切断し、１固々のＳＡＷデバイスとし
てパッケージするのが１通である。これらのＳＡＷデバ
イスは、つ、−／＼切断及びパッケージの後に、これら
デハ・イス・＼の電気的接続を行なうボンドワイヤを用
いてテストすることもできるが、当業者にはよく分かる
ように、切断する前のウェハ状態でＳＡＷデバイスのテ
ストを実施するのが望ましい。
ウェハ状のＩＣをテストするのに開発されたウェハプロ
ーバ（ｗａｆｅｒ ｐｒｏｂｅｒ）は＼ウェハを載置す
るＸ−Ｙ面をもつステージ（又はテーブル）、各ＩＣの
接触パッドに当てるためのプローブチップを有するプロ
ーブヘッド、及びプローブヘッドをＸ、Ｙ及びＺ方向へ
移動する駆動機構より構成されている。この駆動機構は
、ＩＣのＸ及びＹ方向のピッチについてプログラムされ
ている。また、初期設定の際、プローブヘッドをＺ方向
に動かし操作者が受容できると考える力でプローブヘッ
ドを所定ＩＣの接触パッドに当接ないし押圧する。
ーバ（ｗａｆｅｒ ｐｒｏｂｅｒ）は＼ウェハを載置す
るＸ−Ｙ面をもつステージ（又はテーブル）、各ＩＣの
接触パッドに当てるためのプローブチップを有するプロ
ーブヘッド、及びプローブヘッドをＸ、Ｙ及びＺ方向へ
移動する駆動機構より構成されている。この駆動機構は
、ＩＣのＸ及びＹ方向のピッチについてプログラムされ
ている。また、初期設定の際、プローブヘッドをＺ方向
に動かし操作者が受容できると考える力でプローブヘッ
ドを所定ＩＣの接触パッドに当接ないし押圧する。
この位五社プローバのＺ軸を調整した後、プローバを使
用する。プローバ駆動機構は、プローブヘッドを持ち上
げてＸ及び（又は）Ｙ方向に動かし、初期設定で決めた
Ｚ軸位置に下ろすことにより、ダイ（ｄｉｅ ）からダ
イへ自動的にプローブヘッドを進める。
用する。プローバ駆動機構は、プローブヘッドを持ち上
げてＸ及び（又は）Ｙ方向に動かし、初期設定で決めた
Ｚ軸位置に下ろすことにより、ダイ（ｄｉｅ ）からダ
イへ自動的にプローブヘッドを進める。
従来のウェハプローバは、プローブチップがＩＣの接触
パッドへ加える圧力を決める手段を全くもたなかった。
パッドへ加える圧力を決める手段を全くもたなかった。
もし深作者が初期設定を誤ると、接触圧が大きすぎてウ
ェハ又はプローブヘッドを破損する虞れがある。従来の
ウェハプローバをＳＡＷデバイスのテストに使用する場
合、接触（押圧）力を測定する信頼し得る手段がないた
めウェハ毎に接触圧が異なり、また、ウェハがＺ軸と正
しく垂直にない場合にはダイ毎に異なることになる。
ェハ又はプローブヘッドを破損する虞れがある。従来の
ウェハプローバをＳＡＷデバイスのテストに使用する場
合、接触（押圧）力を測定する信頼し得る手段がないた
めウェハ毎に接触圧が異なり、また、ウェハがＺ軸と正
しく垂直にない場合にはダイ毎に異なることになる。
ＳＡＷデバイスは圧力に極めて敏感であるので、接触圧
が変化すると誤った測定結果を生じる。
が変化すると誤った測定結果を生じる。
従来のＩＣのダイ （単位片）は矩形であるが、４つの
各辺に沿って２０以上の接触パッドがある場合がある。
各辺に沿って２０以上の接触パッドがある場合がある。
１つの辺に沿う接触パッドは、−直線上に並んでいる。
従来のＩＣ用ウェハプローバは、ダイの４辺にそれぞれ
対応する４個のプローブヘッドを使用している。１９８
４年１１月１６日に提出した米国特許出馴第６７２，８
４６号のプローブヘッドはセラミック製の板状支持部材
を有するが、この支持部材は少し撓（たわ）む程度に薄
いものである。
対応する４個のプローブヘッドを使用している。１９８
４年１１月１６日に提出した米国特許出馴第６７２，８
４６号のプローブヘッドはセラミック製の板状支持部材
を有するが、この支持部材は少し撓（たわ）む程度に薄
いものである。
各プローブヘッドのプローブチップは直線上に配列され
ており、例えば金−・１Ｊのビーズ（ｂｅａｄｓ ）で
ある。金の順応性と支持部材の若干の可撓性により、各
接触パッドと十分に高信頼性の接触が可能である。接触
パッドの比較的少ないＳＡＷデバイスでは、単一のプロ
ーブヘッドを使用するのが望ましいが、接触パッドが一
線上に並んでいないので、支持部材の可撓性だけではプ
ローブチップのプローブ表面を含む面の標準位置からの
ずれを補償できない。更に、従来のＩＣの接触パッド材
料にはよく金が用いられるが、ＳＡＷデバイスでは接触
バンドにアルミニウムを使用するのが普通である。よっ
て、プローブチップは、アルミニウム製接触バット上に
形成されるパシヘーション層を貫通するため、ニッケル
等の硬くて順応性のない金属とするのがよい。
ており、例えば金−・１Ｊのビーズ（ｂｅａｄｓ ）で
ある。金の順応性と支持部材の若干の可撓性により、各
接触パッドと十分に高信頼性の接触が可能である。接触
パッドの比較的少ないＳＡＷデバイスでは、単一のプロ
ーブヘッドを使用するのが望ましいが、接触パッドが一
線上に並んでいないので、支持部材の可撓性だけではプ
ローブチップのプローブ表面を含む面の標準位置からの
ずれを補償できない。更に、従来のＩＣの接触パッド材
料にはよく金が用いられるが、ＳＡＷデバイスでは接触
バンドにアルミニウムを使用するのが普通である。よっ
て、プローブチップは、アルミニウム製接触バット上に
形成されるパシヘーション層を貫通するため、ニッケル
等の硬くて順応性のない金属とするのがよい。
本発明によるウニハブ〔Ｉ−ブヘソドは、チップ部及び
取付は部を有する絶縁（誘電）体の板状支持部材を有す
る。この支持部材のチップ部には少なくとも１つの導電
性プローブチップがあり、この支持部材のチップ部と離
れた場所にコネクタが設けられる。このプローブチップ
は、コネクタに電気的にｔＵ ＆％される。そして、取
付は部と被試験デバイス又は素子（ＤＵＴ）間の相対運
動によりプローブチップがＤＵＴに押圧される力の変化
を測定する手段が設けられる。
取付は部を有する絶縁（誘電）体の板状支持部材を有す
る。この支持部材のチップ部には少なくとも１つの導電
性プローブチップがあり、この支持部材のチップ部と離
れた場所にコネクタが設けられる。このプローブチップ
は、コネクタに電気的にｔＵ ＆％される。そして、取
付は部と被試験デバイス又は素子（ＤＵＴ）間の相対運
動によりプローブチップがＤＵＴに押圧される力の変化
を測定する手段が設けられる。
本発明をＳＡＷデバイス試験用に実施した例を第１図及
び第２図に示す。プローブヘッドは、アルミナセラミッ
ク製の支持板（２）と取付はブロック（４）を有する。
び第２図に示す。プローブヘッドは、アルミナセラミッ
ク製の支持板（２）と取付はブロック（４）を有する。
このブロック（４）に、例えば接着剤により支持板（２
）が固定される。ブロック（４）の底面（６）は、使用
時に、取付は構体（９）の上面（８）に係合させてプロ
ーブへソドをウェハプローバに取付ける。
）が固定される。ブロック（４）の底面（６）は、使用
時に、取付は構体（９）の上面（８）に係合させてプロ
ーブへソドをウェハプローバに取付ける。
面（８）は、プローハのテーブルの上面（１０）に対し
て正確に平行に維持される。また、プローブヘットは４
個のプローブチップ（１２）を有する。プローブチップ
はニッケル製であり、その先端は第３図の（１４）に示
すように尖らせである。各プローブチップの下部は直線
状であり、チップ下端は同一平面上において矩形状に配
置される。プローブチップの中の２（固はそれぞれ５０
Ωのマイクロストリップ導体（１５）に接続され、その
導体はそれぞれ同軸コネクタ（Ｉ８）の中心導体に従来
どおり接続される。支持部材（２）の下側（１９）は、
メタライズされてコネクタ（１８）の外部シールド導体
に従来どおり接続され、接地面となる。この接地面は、
メタライズしたスルーホール（２０）を介して他の２個
のブローブチ・／ブ（１２）に接続される。
て正確に平行に維持される。また、プローブヘットは４
個のプローブチップ（１２）を有する。プローブチップ
はニッケル製であり、その先端は第３図の（１４）に示
すように尖らせである。各プローブチップの下部は直線
状であり、チップ下端は同一平面上において矩形状に配
置される。プローブチップの中の２（固はそれぞれ５０
Ωのマイクロストリップ導体（１５）に接続され、その
導体はそれぞれ同軸コネクタ（Ｉ８）の中心導体に従来
どおり接続される。支持部材（２）の下側（１９）は、
メタライズされてコネクタ（１８）の外部シールド導体
に従来どおり接続され、接地面となる。この接地面は、
メタライズしたスルーホール（２０）を介して他の２個
のブローブチ・／ブ（１２）に接続される。
膜状変換器（トランスデユーサ）（２２）を板状部材（
２）の上面に形成し、ワイヤ（２４）及び他の導体（図
示せず）により抵抗ブリッジ回路の１辺として接続する
。この変換器（２２）は、歪みゲージとなる。このブリ
ッジ回路の出力は、ブローμの取付は構体（９）の２方
向運動制御回路に接続する。
２）の上面に形成し、ワイヤ（２４）及び他の導体（図
示せず）により抵抗ブリッジ回路の１辺として接続する
。この変換器（２２）は、歪みゲージとなる。このブリ
ッジ回路の出力は、ブローμの取付は構体（９）の２方
向運動制御回路に接続する。
こうして、使用時には、構体（９）をＺ方向に動かしプ
ローブチップ（１２）の下端（１４）がＤＵＴ（２８）
の接触バンド（２６）と接触するようにする。ブローブ
チ、ブの先端（１４）がＤＵＴ（２８）の接触パッドに
当接すると、板状体（２）は少し撓み、このため変換器
（２２）の低抗値が変わる。ブリッジ回路は、接触圧が
所定値（例えば約１．４Ｋｇ）のとき平衡状態（０出力
）となるよう校正されている。接触圧がこの設定値に達
しないとき出力電圧が正であると仮定すると、ブローμ
のＺ方向運動制御回路は、プローブヘッドを出力電圧が
０となるまでＺ方向に前進させる。出力電圧がＯになる
とＺ方向の運動は止まり、そこでＤＵＴにつき所望のテ
ストを行なう。
ローブチップ（１２）の下端（１４）がＤＵＴ（２８）
の接触バンド（２６）と接触するようにする。ブローブ
チ、ブの先端（１４）がＤＵＴ（２８）の接触パッドに
当接すると、板状体（２）は少し撓み、このため変換器
（２２）の低抗値が変わる。ブリッジ回路は、接触圧が
所定値（例えば約１．４Ｋｇ）のとき平衡状態（０出力
）となるよう校正されている。接触圧がこの設定値に達
しないとき出力電圧が正であると仮定すると、ブローμ
のＺ方向運動制御回路は、プローブヘッドを出力電圧が
０となるまでＺ方向に前進させる。出力電圧がＯになる
とＺ方向の運動は止まり、そこでＤＵＴにつき所望のテ
ストを行なう。
変換器（２２）の使用により、取付は構体（９）のテー
ブル（１０）に対する実際のＺ方同位五とは無関係に、
接触圧を実質的に変化することなく次々と測定を行なう
ことが可能となる。
ブル（１０）に対する実際のＺ方同位五とは無関係に、
接触圧を実質的に変化することなく次々と測定を行なう
ことが可能となる。
第３図は、プローブチップ（１２）を板状部材（２）に
取付ける方法を示す。まず、板状部材（２）が取付けら
れている取付はブロック（４）を水平な上面（３２）を
有する板（３０）にボルトで止める。ブロック（３４）
は、面（３２）に平行な相対的直線運動はできるが、面
（３２）と垂直な運動及び面（３２）内の軸を中心とす
る回転運動はできないように板（３０）に結合されてい
る。ブロック（３４）の上面は而（３２）と平行である
。板（３６）には、その下面（４０）に垂直な４個の貫
通孔（３８）が設けられている。このＦｊ、（３６）は
、その下面（４０）をブロック（３４）の上面と接触さ
せてブロック（３４）に取付け、孔（３８）が面（４０
）と垂直方向になるようにする。支持部材（２）に取付
けられるプローブチップ（１２）は孔（３８）に挿入し
、ブロック（３４）は１（３０）に対してＸ−７面上を
移動させ、プローブチップの上端を支持部材（２）のチ
ップ部の所定位置にもってくる。所望の位置関係を確認
した後、プローブチップを支持部材に半田付けする。次
に、取付はブロック（４）を板（３０）から取外し、プ
ローブチップを孔（３８）から抜く。孔（３８）は、プ
ローブチップ（１２）の直径よりご＜ ｆｙｉかに大き
くしである。例えば、プローブチップの直径が１０＜ル
（１ミル＝ １／１０００インチー ０．０２５甑）
の場合、孔（３８）の直径は１０．５ミルである。板（
３６）は約１００ ミルの厚さであり、ブローブチ、プ
（１２）の尖端（１４）は急傾斜としである。したがっ
て、プローブチップを孔（３８）ｌこ挿入する場合、プ
ローブチップと孔（３８）の内面間の間隙が伍かである
ため、両者は正確に平行となり、プｌコープチップの直
径とプローブチップが水平移動する長さの関係は制限を
受ける。更に、プローブチップの先端は同一平面上にあ
るので、先端の共通面ば面（３２）と平行である。
取付ける方法を示す。まず、板状部材（２）が取付けら
れている取付はブロック（４）を水平な上面（３２）を
有する板（３０）にボルトで止める。ブロック（３４）
は、面（３２）に平行な相対的直線運動はできるが、面
（３２）と垂直な運動及び面（３２）内の軸を中心とす
る回転運動はできないように板（３０）に結合されてい
る。ブロック（３４）の上面は而（３２）と平行である
。板（３６）には、その下面（４０）に垂直な４個の貫
通孔（３８）が設けられている。このＦｊ、（３６）は
、その下面（４０）をブロック（３４）の上面と接触さ
せてブロック（３４）に取付け、孔（３８）が面（４０
）と垂直方向になるようにする。支持部材（２）に取付
けられるプローブチップ（１２）は孔（３８）に挿入し
、ブロック（３４）は１（３０）に対してＸ−７面上を
移動させ、プローブチップの上端を支持部材（２）のチ
ップ部の所定位置にもってくる。所望の位置関係を確認
した後、プローブチップを支持部材に半田付けする。次
に、取付はブロック（４）を板（３０）から取外し、プ
ローブチップを孔（３８）から抜く。孔（３８）は、プ
ローブチップ（１２）の直径よりご＜ ｆｙｉかに大き
くしである。例えば、プローブチップの直径が１０＜ル
（１ミル＝ １／１０００インチー ０．０２５甑）
の場合、孔（３８）の直径は１０．５ミルである。板（
３６）は約１００ ミルの厚さであり、ブローブチ、プ
（１２）の尖端（１４）は急傾斜としである。したがっ
て、プローブチップを孔（３８）ｌこ挿入する場合、プ
ローブチップと孔（３８）の内面間の間隙が伍かである
ため、両者は正確に平行となり、プｌコープチップの直
径とプローブチップが水平移動する長さの関係は制限を
受ける。更に、プローブチップの先端は同一平面上にあ
るので、先端の共通面ば面（３２）と平行である。
板（３６）内の孔（３８）は、プローブチップの先端が
ＤＵＴのパッドに接触するように配置される。
ＤＵＴのパッドに接触するように配置される。
更に、接地されるプローブチップと導体（１５）に接続
されるプローブチップとの間隔を適当に選択することに
より、コネクタ（１８）からプローブチップまでの全長
にわたり−・様な５０Ωの特性インピーダンスを維持で
きる。
されるプローブチップとの間隔を適当に選択することに
より、コネクタ（１８）からプローブチップまでの全長
にわたり−・様な５０Ωの特性インピーダンスを維持で
きる。
以上、本発明のウェハプローブヘッドを好適実施例に基
づき説明したが、本発明は何らこれらの実施例に限定さ
れるものではなく、本発明の要旨を逸脱することなく種
々の変形、変更か可能であリ、本発明の技術的範囲にこ
のような変形、変更及びそれらの均等物も包含されるこ
とはいうまでもない。変換器は圧電型のものを使用する
ことも可能である。ＤＯＴに対してプローブチップの接
触圧を計測し、この接触圧に基づきＺ軸方向の移動量を
制御する技術は、プローブチップの先端を共面的にする
方法とは無関係のものである。本発明のウェハプローブ
ヘッドは、ＳＡＷデバイス以外のＩＣ等のテストに使用
しうるちのである。
づき説明したが、本発明は何らこれらの実施例に限定さ
れるものではなく、本発明の要旨を逸脱することなく種
々の変形、変更か可能であリ、本発明の技術的範囲にこ
のような変形、変更及びそれらの均等物も包含されるこ
とはいうまでもない。変換器は圧電型のものを使用する
ことも可能である。ＤＯＴに対してプローブチップの接
触圧を計測し、この接触圧に基づきＺ軸方向の移動量を
制御する技術は、プローブチップの先端を共面的にする
方法とは無関係のものである。本発明のウェハプローブ
ヘッドは、ＳＡＷデバイス以外のＩＣ等のテストに使用
しうるちのである。
本発明のウェハプローブヘッドによると、感圧素子（変
換器）によりプローブチップと接触パッドとの接触圧を
検知するので、當に一定の接触圧でＤＵＴのテストが可
能であり、正確な測定結果が得られる。したがって、特
に圧力に敏感である高周波ＳＡＷデバイスをウニハレー
・ルでテストする場合に、極めて有効である。
換器）によりプローブチップと接触パッドとの接触圧を
検知するので、當に一定の接触圧でＤＵＴのテストが可
能であり、正確な測定結果が得られる。したがって、特
に圧力に敏感である高周波ＳＡＷデバイスをウニハレー
・ルでテストする場合に、極めて有効である。
第１図及び第２図はそれぞれ本発明のウェハプローブヘ
ッドの一実施例を示す側面図及び平面図、第３図はプロ
ーブヘノ［組立方法を示す拡大側面図である。 （２）は支持板状部材、（１２）はプローブチップ、（
１８）はコネクタ、（２２）は感圧素子、（２８）は被
試験素子を示す。
ッドの一実施例を示す側面図及び平面図、第３図はプロ
ーブヘノ［組立方法を示す拡大側面図である。 （２）は支持板状部材、（１２）はプローブチップ、（
１８）はコネクタ、（２２）は感圧素子、（２８）は被
試験素子を示す。
Claims (1)
- 絶縁支持板状部材と、該板状部材の一端に設けられたプ
ローブチップと、上記板状部材の他端に設けられたコネ
クタと、上記板状部材に被着された上記プローブチップ
の被試験素子に対する押圧力を測定するための感圧素子
とを具えたウェハプローブヘッド。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US78115385A | 1985-09-26 | 1985-09-26 | |
| US781153 | 1985-09-26 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6276733A true JPS6276733A (ja) | 1987-04-08 |
Family
ID=25121861
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61223473A Pending JPS6276733A (ja) | 1985-09-26 | 1986-09-20 | ウエハプロ−ブヘツド |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0220830A3 (ja) |
| JP (1) | JPS6276733A (ja) |
| IL (1) | IL79820A0 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63262849A (ja) * | 1987-04-21 | 1988-10-31 | Tokyo Electron Ltd | プロ−ブカ−ド |
| JP2003084010A (ja) * | 2001-09-13 | 2003-03-19 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波プローブ |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2736387B2 (ja) * | 1988-07-27 | 1998-04-02 | 日本特殊陶業株式会社 | 転がり軸受材料用窒化珪素基焼結体及びその製造方法 |
| US5621333A (en) * | 1995-05-19 | 1997-04-15 | Microconnect, Inc. | Contact device for making connection to an electronic circuit device |
| US6046599A (en) * | 1996-05-20 | 2000-04-04 | Microconnect, Inc. | Method and device for making connection |
| US6343369B1 (en) | 1998-09-15 | 2002-01-29 | Microconnect, Inc. | Methods for making contact device for making connection to an electronic circuit device and methods of using the same |
| US6496026B1 (en) | 2000-02-25 | 2002-12-17 | Microconnect, Inc. | Method of manufacturing and testing an electronic device using a contact device having fingers and a mechanical ground |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54158175A (en) * | 1978-02-21 | 1979-12-13 | Texas Instruments Inc | Four quadrant detector |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3446065A (en) * | 1965-08-11 | 1969-05-27 | Transistor Automation Corp | Automatic probing apparatus |
| GB2014315B (en) * | 1978-01-30 | 1983-02-02 | Texas Instruments Inc | Determining probe contact |
| US4523144A (en) * | 1980-05-27 | 1985-06-11 | Japan Electronic Materials Corp. | Complex probe card for testing a semiconductor wafer |
| EP0127295B1 (en) * | 1983-05-03 | 1987-07-29 | Wentworth Laboratories, Inc. | Test probe assembly for ic chips |
-
1986
- 1986-08-25 IL IL79820A patent/IL79820A0/xx unknown
- 1986-09-20 JP JP61223473A patent/JPS6276733A/ja active Pending
- 1986-09-23 EP EP86307316A patent/EP0220830A3/en not_active Withdrawn
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54158175A (en) * | 1978-02-21 | 1979-12-13 | Texas Instruments Inc | Four quadrant detector |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS63262849A (ja) * | 1987-04-21 | 1988-10-31 | Tokyo Electron Ltd | プロ−ブカ−ド |
| JP2003084010A (ja) * | 2001-09-13 | 2003-03-19 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波プローブ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0220830A3 (en) | 1987-10-21 |
| EP0220830A2 (en) | 1987-05-06 |
| IL79820A0 (en) | 1986-11-30 |
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