JPS6279465A - マスク白色欠陥修正方法 - Google Patents
マスク白色欠陥修正方法Info
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- JPS6279465A JPS6279465A JP60219845A JP21984585A JPS6279465A JP S6279465 A JPS6279465 A JP S6279465A JP 60219845 A JP60219845 A JP 60219845A JP 21984585 A JP21984585 A JP 21984585A JP S6279465 A JPS6279465 A JP S6279465A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
- G03F1/74—Repair or correction of mask defects by charged particle beam [CPB], e.g. focused ion beam
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
Ａ 産業上の利用分野
本発明はイオンビーム走査照射により半導体素子製造用
フォトマスクやレチクル〔以下単にマスクという〕のバ
タン欠損欠陥Ｃ以下白色欠陥という〕を正確に特定した
後、ガス銃で有機化合物蒸気を吹き付け同時にイオンビ
ームを走査しながら繰り返し照射し、遮光性の膜ヲ白色
欠陥部に形成してマスクの白色欠陥を修正する方法に関
する。
フォトマスクやレチクル〔以下単にマスクという〕のバ
タン欠損欠陥Ｃ以下白色欠陥という〕を正確に特定した
後、ガス銃で有機化合物蒸気を吹き付け同時にイオンビ
ームを走査しながら繰り返し照射し、遮光性の膜ヲ白色
欠陥部に形成してマスクの白色欠陥を修正する方法に関
する。
Ｂ 発明の概要
本発明はイオンビームを走査しながらマスクに照射して
白色欠陥の位置を特定したのちガス銃により白色欠陥部
に有機化合物蒸気を吹き付け同時にイオンビームを走査
して繰り返し照射して膜付けを行ない白色欠陥を修正す
る方法において、ガス銃の噴射ノズルをマスク表面に接
近させた状態でイオンビームを走査照射して白色欠陥部
の像観察及び膜付範囲の特定を行ない、この状態で有機
化合物蒸気の吹付け及びイオンビーム走査照射による有
機化合物の炭化又はポリマー化膜付けを行なうことによ
り。白色欠陥像観察位置特定に用いるイオンビームの軌
跡と、膜付けに用いられるイオンビームの軌跡が常に一
致させ正確な膜付けができるという効果がある。
白色欠陥の位置を特定したのちガス銃により白色欠陥部
に有機化合物蒸気を吹き付け同時にイオンビームを走査
して繰り返し照射して膜付けを行ない白色欠陥を修正す
る方法において、ガス銃の噴射ノズルをマスク表面に接
近させた状態でイオンビームを走査照射して白色欠陥部
の像観察及び膜付範囲の特定を行ない、この状態で有機
化合物蒸気の吹付け及びイオンビーム走査照射による有
機化合物の炭化又はポリマー化膜付けを行なうことによ
り。白色欠陥像観察位置特定に用いるイオンビームの軌
跡と、膜付けに用いられるイオンビームの軌跡が常に一
致させ正確な膜付けができるという効果がある。
０ 従来の技術
従来ガス銃をマスク表面に近接させず後退させた状態で
、白色欠陥の像観察を行ない、その後ガス銃を接近させ
て白色欠陥の腹付けを行なうマスク白色欠陥修正方法が
知られていた。
、白色欠陥の像観察を行ない、その後ガス銃を接近させ
て白色欠陥の腹付けを行なうマスク白色欠陥修正方法が
知られていた。
Ｄ 発明が解決しようとする問題点
しかし従来の方法には以下の問題点があった。
第２図に従って説明する。第２図６）は白色欠陥の像観
務時、マスク平面（図示せず］を上から観察したときの
図でちる。１はマスク表面に照射されるイオンビームの
スポットを表わす、イオンビームスポット１から放出さ
れる２次荷電粒子（マスクパタンがクロム金属膜よりな
るときはＯ＋＋イオ ン図示せず］は検出器２によってその強度が検出される
。検出器２は検出器カバー８と、その内部にある引出電
極４と、チャンネルトロン等の２次荷電粒子検出器（図
示せず〕よりなる。２次荷電粒子を有効に検出器に取り
入れるため、接地電位の検出２）ケース３に対して、引
出電極４に強い負の電圧（例えば−ＩＫＶ）ｔ−印加し
である。第２図（ト）にその等電位線５が示されている
。第２図（ト）は脛付けを行なうためガス銃のノズル６
を近接させた図である。ノズル６は接地されている。こ
れが接近するため等電位線６が歪む０等電位線が歪むと
イオンビームの軌跡に影響がでる。第２図［Ｆ］はノズ
ル６が存在する場合としない場合のイオンビームの軌跡
を示めす、イオンビーム８はノズル６が近傍に存在しな
い場合で例えば直進している、イオンビーム８１はノズ
ル６が近傍に存在している場合で１例えば左側に曲って
いる。その結果基板７上のスポット位置と、白色欠陥膜
付け時のスポット位置がズしているため、観察時に特定
した画像情報に従って、白色欠陥部に膜付けしようとし
ても、正確な腹付けができないという問題点があった。
務時、マスク平面（図示せず］を上から観察したときの
図でちる。１はマスク表面に照射されるイオンビームの
スポットを表わす、イオンビームスポット１から放出さ
れる２次荷電粒子（マスクパタンがクロム金属膜よりな
るときはＯ＋＋イオ ン図示せず］は検出器２によってその強度が検出される
。検出器２は検出器カバー８と、その内部にある引出電
極４と、チャンネルトロン等の２次荷電粒子検出器（図
示せず〕よりなる。２次荷電粒子を有効に検出器に取り
入れるため、接地電位の検出２）ケース３に対して、引
出電極４に強い負の電圧（例えば−ＩＫＶ）ｔ−印加し
である。第２図（ト）にその等電位線５が示されている
。第２図（ト）は脛付けを行なうためガス銃のノズル６
を近接させた図である。ノズル６は接地されている。こ
れが接近するため等電位線６が歪む０等電位線が歪むと
イオンビームの軌跡に影響がでる。第２図［Ｆ］はノズ
ル６が存在する場合としない場合のイオンビームの軌跡
を示めす、イオンビーム８はノズル６が近傍に存在しな
い場合で例えば直進している、イオンビーム８１はノズ
ル６が近傍に存在している場合で１例えば左側に曲って
いる。その結果基板７上のスポット位置と、白色欠陥膜
付け時のスポット位置がズしているため、観察時に特定
した画像情報に従って、白色欠陥部に膜付けしようとし
ても、正確な腹付けができないという問題点があった。
Ｅ 問題点を解決するための手段
本発明は上記の問題点を解決するため以下のマスク白色
欠陥修正方法とした。すなわちあらかじめガス銃のノズ
ルをマスク近傍に近接させておきこの状態でイオンビー
ムをマスクに照射走査させて白色欠陥の像観察１位置特
定を行なう。その後回−の状態でガス銃のノズルから有
機化合物蒸気を噴射し、先に得られた白色欠陥位置情報
に従ってイオンビームを走査照射し、白色欠陥部に膜付
けを行なう。
欠陥修正方法とした。すなわちあらかじめガス銃のノズ
ルをマスク近傍に近接させておきこの状態でイオンビー
ムをマスクに照射走査させて白色欠陥の像観察１位置特
定を行なう。その後回−の状態でガス銃のノズルから有
機化合物蒸気を噴射し、先に得られた白色欠陥位置情報
に従ってイオンビームを走査照射し、白色欠陥部に膜付
けを行なう。
１ 作用
本発明によれば白色欠陥像観察時と白色欠陥膜付け時に
おいて、イオンビームは同一の等電位分布空間を通過す
る。従って像観察時のイオンビームと膜付け時のイオン
ビームは同一の軌跡を通過し、イオンビームスポット位
置に誤差は生じないＧ 実施例 以下図面に基いて本発明の実施例を詳細に説明する。
おいて、イオンビームは同一の等電位分布空間を通過す
る。従って像観察時のイオンビームと膜付け時のイオン
ビームは同一の軌跡を通過し、イオンビームスポット位
置に誤差は生じないＧ 実施例 以下図面に基いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第１図は本発明にかかるマスク白色欠陥修正方法を実施
するためのマスクリペア装置の全体構成図である。９は
イオン源であってイオンビーム８を発する。イオン源と
しては例えばガリウム液体金属イオン源が使われる。
１０は焦束レンズであってイオンビームを細くするもの
である。１１は走査電極でありＸ及びＹ［ｉからなり、
イオンビームスポットをマスク１２のＸＹ平面上でラス
タスキャンするもｑである。１３は走査回路であって、
走査電極１１に走査電圧を供給する。１４は対物レンズ
でアラティオンビームスポットをマスク１２の平面上に
結像させる。２は検出器であって、イオンビームにより
マスクパタンからたたき出された２次荷電粒子１６（マ
スクパタンがクロムよりできている場合はＯ＋イオン］
の強度を検出する。１５は演算デ 回路であり、検出器２の出力を分析し、白色欠陥範囲１
位置を特定する。この演算回Ｐｒ１５の出力によって走
査回路１３が制御され所定の白色欠陥範囲にイオンビー
ムを照射させ膜付けをする。１７はＸＹステージであっ
てマスク１２を載置する。１８はガス銃であってノズル
６の先端から有機化合物蒸気１９ヲマスクに向かって噴
射する。２０はエアシリンダであって制御回路２１の制
御に従ってノズル６を前後に移動さ一１ｊる。２４はコ
ンダクタンスバルブであってノズル６とガス留２５をつ
ないでおり蒸気１９の噴射を制御する。２２はチャンバ
ーであってイオンビーム照射系、検出系、ガス銃及びＸ
Ｙステージを高真空中に保持するものであり、真空ポン
プｎで高真空に引かれる。
するためのマスクリペア装置の全体構成図である。９は
イオン源であってイオンビーム８を発する。イオン源と
しては例えばガリウム液体金属イオン源が使われる。
１０は焦束レンズであってイオンビームを細くするもの
である。１１は走査電極でありＸ及びＹ［ｉからなり、
イオンビームスポットをマスク１２のＸＹ平面上でラス
タスキャンするもｑである。１３は走査回路であって、
走査電極１１に走査電圧を供給する。１４は対物レンズ
でアラティオンビームスポットをマスク１２の平面上に
結像させる。２は検出器であって、イオンビームにより
マスクパタンからたたき出された２次荷電粒子１６（マ
スクパタンがクロムよりできている場合はＯ＋イオン］
の強度を検出する。１５は演算デ 回路であり、検出器２の出力を分析し、白色欠陥範囲１
位置を特定する。この演算回Ｐｒ１５の出力によって走
査回路１３が制御され所定の白色欠陥範囲にイオンビー
ムを照射させ膜付けをする。１７はＸＹステージであっ
てマスク１２を載置する。１８はガス銃であってノズル
６の先端から有機化合物蒸気１９ヲマスクに向かって噴
射する。２０はエアシリンダであって制御回路２１の制
御に従ってノズル６を前後に移動さ一１ｊる。２４はコ
ンダクタンスバルブであってノズル６とガス留２５をつ
ないでおり蒸気１９の噴射を制御する。２２はチャンバ
ーであってイオンビーム照射系、検出系、ガス銃及びＸ
Ｙステージを高真空中に保持するものであり、真空ポン
プｎで高真空に引かれる。
次に本発明にかかるマスク白色欠陥修正方法を説明する
。
。
１、ノズル６を後退させた状態で、ＸＹステージ１７に
載置されたマスクを移動させ、白色欠陥が存在する部分
をイオンビーム系の直下にもっていく。この場合ノズル
６を後退させておくのは、ノズル先端とマスクのガイド
（図示せｔ″〕が衝突しないようにするためである。勿
論ガス銃のコンダクタンスバルブ２４は閉状態にある。
載置されたマスクを移動させ、白色欠陥が存在する部分
をイオンビーム系の直下にもっていく。この場合ノズル
６を後退させておくのは、ノズル先端とマスクのガイド
（図示せｔ″〕が衝突しないようにするためである。勿
論ガス銃のコンダクタンスバルブ２４は閉状態にある。
２、ガス銃１８のノズル６を前進させ１スフ表面に近接
させる。ノズル６の先端とマスク１２の表面間距離は７
ｗ以下が好ましい。
させる。ノズル６の先端とマスク１２の表面間距離は７
ｗ以下が好ましい。
８、イオンビームを走査しながらマスク表面を照射する
。
。
４、検出器２により２次荷電粒子１６の平面強度分布を
知り、演算回路１５により白色欠陥像の位置、範囲の特
定をする。。
知り、演算回路１５により白色欠陥像の位置、範囲の特
定をする。。
５、ガス銃１８のコンダクタンスバルブ為を開き、有機
化合物蒸気１９（例えばピレン］を白色欠陥部に吹き付
け、ピレンの吸Ｎ層を作る。ノズル６をマスク表面に近
接させるのは、できるだけ蒸気１９の喰射量を少なく押
え、真空ポンプの負担を軽減し、チャンバｎ内を汚染さ
せないためである。
化合物蒸気１９（例えばピレン］を白色欠陥部に吹き付
け、ピレンの吸Ｎ層を作る。ノズル６をマスク表面に近
接させるのは、できるだけ蒸気１９の喰射量を少なく押
え、真空ポンプの負担を軽減し、チャンバｎ内を汚染さ
せないためである。
６、同時に演算回路１５の情報に基き、イオンビームを
走査して、白色欠陥部に正確に照射し、ピレン付ｙａｐ
を炭化ポリマー化させる。この操作を繰り返して、遮光
性の良を白色欠陥部に付ける。
走査して、白色欠陥部に正確に照射し、ピレン付ｙａｐ
を炭化ポリマー化させる。この操作を繰り返して、遮光
性の良を白色欠陥部に付ける。
７、膜付け修正を終えたらノズル６を後退させ、併せて
コンダクタンスバルブ２４を閉じる。そして次の新たな
修正作業に移る。
コンダクタンスバルブ２４を閉じる。そして次の新たな
修正作業に移る。
Ｈ０発明の効果
以上述べたように本発明によれば、白色欠陥像観察時と
白色欠陥膜付時において、ノズル、マスク、検出器が同
一の配置状態にあるため、検出器の作る等電位分布が等
しい、従って像観察時のイオンビームと膜付け時のイオ
ンビームは同一の軌跡を通過し、イオンビームスポット
位置に誤差は生じない。従って白色欠陥像観察データに
基いて正ｉａｉ付けができるという効果が生じる。
白色欠陥膜付時において、ノズル、マスク、検出器が同
一の配置状態にあるため、検出器の作る等電位分布が等
しい、従って像観察時のイオンビームと膜付け時のイオ
ンビームは同一の軌跡を通過し、イオンビームスポット
位置に誤差は生じない。従って白色欠陥像観察データに
基いて正ｉａｉ付けができるという効果が生じる。
【図面の簡単な説明】
第１図は不発明にかかるマスク白色欠陥修正方法を実施
する九めのマスクリペア装置の全体構成図、冥２図は従
来の方法の説明図である。 ２ 検出器 ６ ノズル ８ イオンビーム ９ イオン源 １１ 走査電極 １２ マスク １３ 走査回路 １５ 演算回路 １７ ＸＹステージ １８ ガス銃 １９ 有機化合物蒸気 加 エアシリンダ ２１ 制御回路 ２４ コンダクタンスバルブ 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 従来の方法の盲愛、Ｕ月旧 第２図
する九めのマスクリペア装置の全体構成図、冥２図は従
来の方法の説明図である。 ２ 検出器 ６ ノズル ８ イオンビーム ９ イオン源 １１ 走査電極 １２ マスク １３ 走査回路 １５ 演算回路 １７ ＸＹステージ １８ ガス銃 １９ 有機化合物蒸気 加 エアシリンダ ２１ 制御回路 ２４ コンダクタンスバルブ 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 従来の方法の盲愛、Ｕ月旧 第２図
Claims (1)
- マスクにイオンビームを走査しながら照射し２次荷電粒
子を検出することにより白色欠陥位置の特定をした後、
ガス銃で有機化合物蒸気を白色欠陥部に吹き付け同時に
イオンビームを走査しながら繰り返し白色欠陥部に照射
し、遮光性の膜を付けるマスク白色欠陥修正方法におい
て、ガス銃のコンダクタンスバルブを閉状態にしてガス
銃をマスク表面に前進接近させ、イオンビームを走査し
ながらマスクに照射し白色欠陥の位置を特定し、ガス銃
のコンダクタンスバルブを開状態にして有機化合物蒸気
を白色欠陥部に吹き付け、イオンビームを走査しながら
繰り返し白色欠陥部に照射し膜付けを行なつた後、ガス
銃を後退させるとともにガス銃のコンダクタンスバルブ
を開状態にすることを特徴とするマスク白色欠陥修正方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60219845A JPS6279465A (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | マスク白色欠陥修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60219845A JPS6279465A (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | マスク白色欠陥修正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6279465A true JPS6279465A (ja) | 1987-04-11 |
| JPH0135342B2 JPH0135342B2 (ja) | 1989-07-25 |
Family
ID=16741960
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60219845A Granted JPS6279465A (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | マスク白色欠陥修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6279465A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0218561A (ja) * | 1988-07-06 | 1990-01-22 | Seiko Instr Inc | 集束イオンビーム装置 |
| EP1079273A3 (en) * | 1999-08-27 | 2001-05-02 | Lucent Technologies Inc. | Mask repair |
| KR100700408B1 (ko) * | 1998-03-06 | 2007-03-27 | 에스아이아이 나노 테크놀로지 가부시키가이샤 | 집속 이온 빔 시스템 |
-
1985
- 1985-10-02 JP JP60219845A patent/JPS6279465A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0218561A (ja) * | 1988-07-06 | 1990-01-22 | Seiko Instr Inc | 集束イオンビーム装置 |
| KR100700408B1 (ko) * | 1998-03-06 | 2007-03-27 | 에스아이아이 나노 테크놀로지 가부시키가이샤 | 집속 이온 빔 시스템 |
| EP1079273A3 (en) * | 1999-08-27 | 2001-05-02 | Lucent Technologies Inc. | Mask repair |
| US6368753B1 (en) * | 1999-08-27 | 2002-04-09 | Agere Systems Guardian Corp. | Mask repair |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0135342B2 (ja) | 1989-07-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
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