JPS638901Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は半導体製造工程で使用されるマスクの
白色欠陥及び黒色欠陥の修理を行なうマスクリペ
ア装置に関するものである。

〔従来の技術〕

化合物蒸気の存在する雰囲気内でサンプルの所
定位置にイオンビームを照射し、照射位置にパタ
ーン膜を形成する方法は、半導体やマスクのリペ
ア方法として注目されている。ところで化合物蒸
気をサンプルの所定位置に供給する方法として
は、新実験化学講座２、丸善．371頁−379頁に述
べられているようなヌツセンセルが使用されてい
る。第２図に示すように、化合物１１を収納した
ヌツセンセル１２は、外周部に設けられたヒータ
ー１３により加熱され、加熱により蒸発した化合
物は、オリフイス１４を通して噴出される。尚ヌ
ツセンセル１２には熱電対１５が設けられ、温度
コントローラにより加熱温度を調整し、化合物蒸
気の噴出量を調整できるようになつている。又、
荷電粒子ビームと化合物蒸気との反応によりパタ
ーン膜を形成する同様な方法として、理化学研究
所第15回シンポジユウム「イオン注入とサブミク
ロン加工」講演予稿集に、第３図に示すように、
化合物ガス１６を試料室１７に設けられたサブ試
料室１８に供給し、電子銃１９より放出された電
子ビーム２０を、サブ試料室１８の小孔２１より
試料２２に照射する方法が提案されている。

〔考案が解決しようとする問題点〕

第２図で説明した方法にいては、オリフイス１
４から噴出する化合物蒸気は指向性を持たず、広
い範囲にわたる。ところがマスクの欠陥の大きさ
は、１mm×１mm以下であるため、欠陥領域以外に
噴出された化合物蒸気は無駄になるだけでなく、
様々な不都合が生じる原因となる。例えば、荷電
粒子ビーム照射位置以外に噴出した化合物ガス
は、荷電粒子照射系を汚染し、ビーム形状の不安
定さをまねくだけでなく、荷電粒子ビームの長時
間安定性が悪くなる。特に電界放出形イオン源を
もちいたマスクリペア装置においては、イオン源
に化合物蒸気が付着し、イオン源の寿命が著しく
短かくなる。又、第２図で説明した方法において
は、試料室内にサブ試料室を設ける方法であるた
め、試料の駆動機構が複雑になるだけでなく、マ
スクの欠陥ケ所の観察がきわめて困難となる。さ
らに、イオンビームを用いたマスクリペア装置は
化合物蒸気とイオンビームの反応により薄膜を形
成させる白色欠陥修理機能と、イオンビームスパ
ツタリングにより不要薄膜を除去する黒色欠陥修
理機能と、二次イオンを使つた試料表面観察機能
が要求される。すなわち、白色欠陥修正時にはサ
ブ試料室内部を化合物蒸気を導入するが、黒色欠
陥修正時にはサブ試料室内部の化合物蒸気の分圧
は充分に低いものでなければならない。そのた
め、サブ試料室を用いた、マスクのリペア装置
は、化合物蒸気のON−OFF制御に時間がかかり
すぎ、迅速性に問題を残している。

〔問題点を解決しようとする手段〕

本考案は、所望の位置に化合物蒸気を吹きつけ
るノズルを、荷電粒子照射点の周囲に複数個配置
し、化合物蒸気の吹付けを所定の領域に限定し、
無駄な化合物蒸気の量を少なくするともに、荷電
粒子照射点に対して、複数方向から、化合物蒸気
を吹付けるため、試料の平坦部分も、パターンに
隣接する凹部分も、同一条件で薄膜を形成させる
ことを可能にしたことを特徴とするマスクリペア
装置である。又、化合物蒸気のON−OFFはノズ
ルを使用しているため、化合物蒸気供給装置のバ
ルブにより、容易に制御可能となつている。

〔実施例〕

以下、図面に従つて本考案の実施例について説
明する。第１図において、イオン源１から放出さ
れたイオンビーム２は、イオンビーム照射系３の
対物レンズ４により試料ステージ５に載せられた
試料６の表面に集束させられる。予め、欠陥検査
装置により求められた欠陥の場所は、試料ステー
ジ６を駆動し、イオンビーム２の走査により、マ
スクの表面を図示されていない観察手段で観察さ
れ、欠陥の形状、位置を求めることができる。欠
陥の形状をイオンビーム制御装置に入力し、イオ
ンビームの走査により、マスクの欠陥は修正され
る。ここで白色欠陥の場合は、化合物蒸気供給装
置７により化合物蒸気を、弁８を通つて、ノズル
９により、イオンビーム照射位置に吹付け、化合
物蒸気と、イオンビームの反応により薄膜を作る
ことにより修正される。又黒色欠陥の場合は、弁
８を閉じることにより化合物蒸気の供給を断ち、
イオンスパタリングの効果により、修正される。

〔考案の効果〕

本考案によれば、所望の位置に複数のノズルに
より吹付けるため、マスクパターンの平坦部だけ
でなく、パターンの影の部分でも、少ない化合物
蒸気の吹付量で薄膜を形成することができる。そ
のため試料室内の汚れが少なくなり、イオン源を
長寿命化できる。又、マスクの欠陥場所の観察
と、黒色欠陥の修正と、白色欠陥の修正を、１台
の装置で実施することができるため、マスクの修
正は、正確に、そして、迅速に実施することがで
きる。なお、本考案によるマスクリペア装置は、
フオトマスクの修正や、Ｘ線マスクの修正だけで
なく、超LSIの配線の接続、切り離しに使用でき
ることが明らかになつている。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本考案にかかるマスクリペア装置で
ある。第２図は、従来の化合物蒸気吹付装置であ
る。第３図は、現在、提案されている荷電粒子
と、化合物蒸気の反応を利用した薄膜形成方法で
ある。 １……イオン源、２……イオンビーム、５……
試料台、８……弁、９……ノズル。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 真空室内にマスクを載せＸ−Ｙ方向に駆動す
   る試料台と、集束荷電粒子照射系とを備えたマ
   スクリペア装置において、試料上の所望の位置
   に化合物蒸気を吹きつけるノズルを、荷電粒子
   照射位置の周囲に複数個配置するようにした事
   を特徴とするマスクリペア装置。 (2) 特許請求の範囲第１項において、荷電粒子照
   射位置に対して、化合物蒸気吹付装置のノズル
   を対向するようにした事を特徴とするマスクリ
   ペア装置。