JPS6280054A - インクジェット式印字ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
インクジェット式印字ヘッド及びその製造方法Info
- Publication number
- JPS6280054A JPS6280054A JP61212529A JP21252986A JPS6280054A JP S6280054 A JPS6280054 A JP S6280054A JP 61212529 A JP61212529 A JP 61212529A JP 21252986 A JP21252986 A JP 21252986A JP S6280054 A JPS6280054 A JP S6280054A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- manifold
- substrate
- ink
- wafer
- channel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 238000007639 printing Methods 0.000 title claims description 13
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 103
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 90
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 70
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 37
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 31
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 20
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 20
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 13
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 11
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 6
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 claims description 6
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims 1
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 75
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 29
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 description 14
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- 238000003491 array Methods 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- HIVGXUNKSAJJDN-UHFFFAOYSA-N [Si].[P] Chemical compound [Si].[P] HIVGXUNKSAJJDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1601—Production of bubble jet print heads
- B41J2/1604—Production of bubble jet print heads of the edge shooter type
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1623—Manufacturing processes bonding and adhesion
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1626—Manufacturing processes etching
- B41J2/1628—Manufacturing processes etching dry etching
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1626—Manufacturing processes etching
- B41J2/1629—Manufacturing processes etching wet etching
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1631—Manufacturing processes photolithography
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1635—Manufacturing processes dividing the wafer into individual chips
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/164—Manufacturing processes thin film formation
- B41J2/1642—Manufacturing processes thin film formation thin film formation by CVD [chemical vapor deposition]
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/17—Ink jet characterised by ink handling
- B41J2/175—Ink supply systems ; Circuit parts therefor
- B41J2/17563—Ink filters
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
- Ink Jet (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、インクジェット式印字装置、より詳細には内
蔵インク・フィルタを備えたサーマル・インクジェット
式印字ヘッドとその製造方法に関するものである。
蔵インク・フィルタを備えたサーマル・インクジェット
式印字ヘッドとその製造方法に関するものである。
(従来の技術)
一般に、ドロップオンデマンド形サーマル・インクジェ
ット式印字装置は、熱エネルギー・パルスを使用してイ
ンクの満ちたチャンネル内に気泡を発生させ、チャンネ
ルのノズルからインク滴を噴射させるようになっている
。この方式のインクジェット式印字は、サーマル・イン
クジェット式印字またはバブル・インクジェット式印字
と呼ばれ、これが本発明の対象である。従来のサーマル
・インクジェット式プリンタでは、米国特許第4.46
3,359号に開示されているように、その印字ヘッド
は一端に比較的小さいインク供給室に通じている1個ま
たはそれ以上のインクの満ちたチャンネルを有し、他端
にノズルと呼ばれるオリフィスを有している。熱エネル
ギー発生供給、通例、発熱抵抗体は、チャンネル内に、
ノズルに近い所定の距離に配置されている。発熱抵抗体
が電流パルスで個別にアドレスされると、インクが瞬時
に沸騰してインク滴を噴出させる気泡が発生する。
ット式印字装置は、熱エネルギー・パルスを使用してイ
ンクの満ちたチャンネル内に気泡を発生させ、チャンネ
ルのノズルからインク滴を噴射させるようになっている
。この方式のインクジェット式印字は、サーマル・イン
クジェット式印字またはバブル・インクジェット式印字
と呼ばれ、これが本発明の対象である。従来のサーマル
・インクジェット式プリンタでは、米国特許第4.46
3,359号に開示されているように、その印字ヘッド
は一端に比較的小さいインク供給室に通じている1個ま
たはそれ以上のインクの満ちたチャンネルを有し、他端
にノズルと呼ばれるオリフィスを有している。熱エネル
ギー発生供給、通例、発熱抵抗体は、チャンネル内に、
ノズルに近い所定の距離に配置されている。発熱抵抗体
が電流パルスで個別にアドレスされると、インクが瞬時
に沸騰してインク滴を噴出させる気泡が発生する。
気泡が増大すると、インクはノズルから膨れ、インクの
表面張力によって凸状(メニスカス)になる。気泡が収
縮し始めると、ノズルと気泡の間のチャンネル内のイン
クが、収縮する気泡に向って動き始め、ノズルの所で体
積のくずれが生じるので、凸状のインクが分離して滴に
なる。気泡が増大しているとき、ノズルの中から外にイ
ンクが加速され、運動量と速度が与えられた滴は、記録
媒体たとえば紙に向ってほぼ一直線に進む。
表面張力によって凸状(メニスカス)になる。気泡が収
縮し始めると、ノズルと気泡の間のチャンネル内のイン
クが、収縮する気泡に向って動き始め、ノズルの所で体
積のくずれが生じるので、凸状のインクが分離して滴に
なる。気泡が増大しているとき、ノズルの中から外にイ
ンクが加速され、運動量と速度が与えられた滴は、記録
媒体たとえば紙に向ってほぼ一直線に進む。
米国特許第4.463,359号は、平管作用で供給さ
れる1個またはそれ以上のインク・チャンネルを有する
サーマル・インクジェット式プリンタを開示している。
れる1個またはそれ以上のインク・チャンネルを有する
サーマル・インクジェット式プリンタを開示している。
各ノズルに生じたメニスカス(表面張力によって凸状ま
たは凹状になること)が、ノズルからインクが流出する
のを阻止する作用をする。発熱抵抗体、すなわち加熱器
は、各チャンネル内のノズルから所定の距離に配置され
ている。
たは凹状になること)が、ノズルからインクが流出する
のを阻止する作用をする。発熱抵抗体、すなわち加熱器
は、各チャンネル内のノズルから所定の距離に配置され
ている。
データ信号を表わす電流パルスが発熱抵抗体に加えられ
ると、抵抗体に接触しているインクが瞬時に沸騰して、
各電流パルスに対し1つの気泡が発生する。気泡の増大
により、一定量のインクがノズルの外に膨れ、気泡の収
縮が始まると、滴にちぎれ、その結果、各ノズルからイ
ンク滴が噴射される。各インク滴が噴射されたあと、メ
ニスカスが破れてチャンネルの中に後退しすぎないよう
に、電流パルスの形が決められている。サーマル・イン
クジェット装置の直線アレイの種々の実施例として、た
とえば、ヒートシンク基板の上下に直線アレイがジクザ
グに配置されたものや多色印刷のため種々のカラー・イ
ンクを有するものが開示されている。ある実施例では、
両端にノズルを有する比較的短かいチャンネルの中央に
発熱抵抗体が配置されている。開端のチャンネルに接続
された別の通路はチャンネルに対し垂直でT形構造を形
成している。インクはこの通路から毛管作用で開端チャ
ンネルに供給される。したがって、開端チャンネルの中
で気泡を発生させれば、2つの異なる記憶媒体を同時に
印字することができる。
ると、抵抗体に接触しているインクが瞬時に沸騰して、
各電流パルスに対し1つの気泡が発生する。気泡の増大
により、一定量のインクがノズルの外に膨れ、気泡の収
縮が始まると、滴にちぎれ、その結果、各ノズルからイ
ンク滴が噴射される。各インク滴が噴射されたあと、メ
ニスカスが破れてチャンネルの中に後退しすぎないよう
に、電流パルスの形が決められている。サーマル・イン
クジェット装置の直線アレイの種々の実施例として、た
とえば、ヒートシンク基板の上下に直線アレイがジクザ
グに配置されたものや多色印刷のため種々のカラー・イ
ンクを有するものが開示されている。ある実施例では、
両端にノズルを有する比較的短かいチャンネルの中央に
発熱抵抗体が配置されている。開端のチャンネルに接続
された別の通路はチャンネルに対し垂直でT形構造を形
成している。インクはこの通路から毛管作用で開端チャ
ンネルに供給される。したがって、開端チャンネルの中
で気泡を発生させれば、2つの異なる記憶媒体を同時に
印字することができる。
米国特許第4,275,290号はインク溜めの水平壁
面に複数のオリフィスを有する熱活性インク液(the
rmally activated 1iquid 1
nk)式印字へ。
面に複数のオリフィスを有する熱活性インク液(the
rmally activated 1iquid 1
nk)式印字へ。
ドを開示している。動作中、電流パルスは、選択された
各オリフィスを囲んでいる発熱抵抗体を加熱して非導電
性インクを沸騰させる。その蒸気はインク溜めの上方に
間隔をおいて平行に置かれた紙などの記録媒体の上に凝
結するので、画素すなわちピクセルを表わす黒点または
着色点が生じる。
各オリフィスを囲んでいる発熱抵抗体を加熱して非導電
性インクを沸騰させる。その蒸気はインク溜めの上方に
間隔をおいて平行に置かれた紙などの記録媒体の上に凝
結するので、画素すなわちピクセルを表わす黒点または
着色点が生じる。
代りに、インクの部分的沸騰によってインクをオリフィ
スの上に押し気泡で与えられる圧力によってインクを移
動させることができる。また、インクを部分的、または
完全に沸騰させる代りに、インクの表面張力を下げるこ
とによってインクをオリフィスから流出させることがで
きる。すなわち、オリフィス内でインクを加熱すると、
表面張力係数が低下してメニスカスの曲率が増大するの
で、最後には紙面に達して点が印字される。インクに変
動圧力を加えるために、インク溜めに振動装置を取り付
けることができる。発熱抵抗体に対する電流パルスは、
振動によって生じる最大圧力に一致している。
スの上に押し気泡で与えられる圧力によってインクを移
動させることができる。また、インクを部分的、または
完全に沸騰させる代りに、インクの表面張力を下げるこ
とによってインクをオリフィスから流出させることがで
きる。すなわち、オリフィス内でインクを加熱すると、
表面張力係数が低下してメニスカスの曲率が増大するの
で、最後には紙面に達して点が印字される。インクに変
動圧力を加えるために、インク溜めに振動装置を取り付
けることができる。発熱抵抗体に対する電流パルスは、
振動によって生じる最大圧力に一致している。
特許出願昭49−51160号(特開昭56−0078
74号)は、1個またはそれ以上のノズルすなわちオリ
フィスを有するインクジェット・ノズル板を製造する方
法を開示している。その方法は、低抵抗シリコン基板の
上に高抵抗シリコン単結晶層を生成させること、高抵抗
シリコン単結晶を形成すべき円錐状オリフィスのエツチ
ング・パターンを有する窒化珪素(SiJ4)でマスク
すること、高抵抗シリコンを結晶軸依存性エツチング液
で腐食させ円錐状孔を形成すること、高抵抗シリコンの
表面を酸化させること、および低抵抗シリコンを除去す
ること、の工程から成っている。
74号)は、1個またはそれ以上のノズルすなわちオリ
フィスを有するインクジェット・ノズル板を製造する方
法を開示している。その方法は、低抵抗シリコン基板の
上に高抵抗シリコン単結晶層を生成させること、高抵抗
シリコン単結晶を形成すべき円錐状オリフィスのエツチ
ング・パターンを有する窒化珪素(SiJ4)でマスク
すること、高抵抗シリコンを結晶軸依存性エツチング液
で腐食させ円錐状孔を形成すること、高抵抗シリコンの
表面を酸化させること、および低抵抗シリコンを除去す
ること、の工程から成っている。
米国特許第4,362,599号は、高電圧半導体素子
を作る方法を開示している。その半導体素子は、(10
0)結晶面の表面を有する翼体タイプのシリコン基板を
製作すること、(100)結晶軸に平行な辺を有する長
方形窓をあけること、長方形窓の内部を異方性エツチン
グ液で腐食させシリコン基板に凹部を形成すること、酸
化膜を除去し、基板の全表面に基板のそれとは反対の導
体タイプのシリコンのエピタキシャル層を生成させるこ
と、および凹部をマスクし、エピタキシャル層を異方性
エツチング液で腐食させエピタキシャル層の表面を平坦
にすることの諸工程によって製造される。
を作る方法を開示している。その半導体素子は、(10
0)結晶面の表面を有する翼体タイプのシリコン基板を
製作すること、(100)結晶軸に平行な辺を有する長
方形窓をあけること、長方形窓の内部を異方性エツチン
グ液で腐食させシリコン基板に凹部を形成すること、酸
化膜を除去し、基板の全表面に基板のそれとは反対の導
体タイプのシリコンのエピタキシャル層を生成させるこ
と、および凹部をマスクし、エピタキシャル層を異方性
エツチング液で腐食させエピタキシャル層の表面を平坦
にすることの諸工程によって製造される。
大部分の半導体素子は、平坦にされたエピタキシャル層
の上に作られる。
の上に作られる。
米国特許第4,106,976号は、シリコンなどの単
結晶基板の平坦な表面の上に二酸化シリコンまたは窒化
シリコンなどの一様な非有機薄膜材料層を形成すること
、薄膜のある表面の反対側の表面から基板を腐食させて
貫通孔を形成すること、および薄膜を腐食させて基板の
孔と同心のオリフィスを形成すること、の諸工程から成
るノズル・アレイ構造製造方法を開示している。基板の
両表面は平行であり、”00)結晶軸方向に向いている
。
結晶基板の平坦な表面の上に二酸化シリコンまたは窒化
シリコンなどの一様な非有機薄膜材料層を形成すること
、薄膜のある表面の反対側の表面から基板を腐食させて
貫通孔を形成すること、および薄膜を腐食させて基板の
孔と同心のオリフィスを形成すること、の諸工程から成
るノズル・アレイ構造製造方法を開示している。基板の
両表面は平行であり、”00)結晶軸方向に向いている
。
米国特許第4,157,935号は、表面が平行でない
シリコン・ウェーハからインクジェット式プリンタの印
字ノズルアレイを製造する方法を開示している。その方
法は、マスクを通してウェーハを光源にさらすこと(ウ
ェーハ構造に対し所定の角度で光源から円柱光を送り、
光源とウェーハとの管に相対運動を生じさせる)、非露
出領域のみが異方性エツチングを受けるようにウェーハ
を処理すること、およびウェーハを異方性エツチングし
てマスクに対応する一様なオリフィスを生しさせること
、の諸工程から成っている。
シリコン・ウェーハからインクジェット式プリンタの印
字ノズルアレイを製造する方法を開示している。その方
法は、マスクを通してウェーハを光源にさらすこと(ウ
ェーハ構造に対し所定の角度で光源から円柱光を送り、
光源とウェーハとの管に相対運動を生じさせる)、非露
出領域のみが異方性エツチングを受けるようにウェーハ
を処理すること、およびウェーハを異方性エツチングし
てマスクに対応する一様なオリフィスを生しさせること
、の諸工程から成っている。
IBM Technical Disclosure
Bulletin、 Vol。
Bulletin、 Vol。
21、N11L6(1978年11月)は、(100)
結晶軸方向のシリコン・ウェーハの両面に相互に垂直な
溝をディファレンシャル・エツチングすることを開示し
ている。溝の深さがウェーハの厚さの半分になると、ノ
ズル・アレイが形成される。
結晶軸方向のシリコン・ウェーハの両面に相互に垂直な
溝をディファレンシャル・エツチングすることを開示し
ている。溝の深さがウェーハの厚さの半分になると、ノ
ズル・アレイが形成される。
アーネストバッサウス(Ernest Ba5sous
)の論文r (110)および(110)シリコンの異
方性エツチングによる新規な三次元微細構造の製造」I
E E E Transactions on E
lectron Devices。
)の論文r (110)および(110)シリコンの異
方性エツチングによる新規な三次元微細構造の製造」I
E E E Transactions on E
lectron Devices。
Vol、ED−25,11hlo、(1978年10月
)は、(100)および(+10)結晶方向の単結晶シ
リコンの異方性エツチングと三種類の微細構造、すなわ
ち(1)インクジェット・ノズルとして使用される薄膜
内の高精度円形オリフィス、(2)極低温使用に適して
いる8個の面から成る空胴を有する多受口小形電気コネ
クタ、+31(100)および(110)シリコン内の
多重チャンネルの製造、を論じている。上記の構造のい
くつかを作るために、シリコン・ウェーハと燐ガラスと
を溶着する新規な接合技術が開発された円形オリフィス
を有する薄膜型ノズルは、エツチング液の中で濃くドー
ピングされたP゛シリコン耐食性を利用するプロセスと
開孔を異方性エツチングするプロセスとを組み合わせて
製作されている。
)は、(100)および(+10)結晶方向の単結晶シ
リコンの異方性エツチングと三種類の微細構造、すなわ
ち(1)インクジェット・ノズルとして使用される薄膜
内の高精度円形オリフィス、(2)極低温使用に適して
いる8個の面から成る空胴を有する多受口小形電気コネ
クタ、+31(100)および(110)シリコン内の
多重チャンネルの製造、を論じている。上記の構造のい
くつかを作るために、シリコン・ウェーハと燐ガラスと
を溶着する新規な接合技術が開発された円形オリフィス
を有する薄膜型ノズルは、エツチング液の中で濃くドー
ピングされたP゛シリコン耐食性を利用するプロセスと
開孔を異方性エツチングするプロセスとを組み合わせて
製作されている。
米国特許第4,438.191号は、多数個部品組立を
作るため接着剤を使う必要のない一体構造のバブル駆動
インクジェット式印字ヘッドを製造する方法を開示して
いる。その方法による層構造は、標準形集積回路とプリ
ント回路処理技術によって製作することが可能である。
作るため接着剤を使う必要のない一体構造のバブル駆動
インクジェット式印字ヘッドを製造する方法を開示して
いる。その方法による層構造は、標準形集積回路とプリ
ント回路処理技術によって製作することが可能である。
基本的には、バブル発生用発熱抵抗体と個別にアドレス
される電極を有する基板の内部に、通常の半導体処理に
よってインク室とノズルが形成される。
される電極を有する基板の内部に、通常の半導体処理に
よってインク室とノズルが形成される。
(発明の目的と構成)
本発明の第1の目的は、フィルタを印字ヘッド内に配置
することによって最大の効果が得られる、インクジェッ
ト式印字ヘッドのインク濾過装置を提供することである
。
することによって最大の効果が得られる、インクジェッ
ト式印字ヘッドのインク濾過装置を提供することである
。
本発明の第2の目的は、フィルタの全流れ断面積を印字
ヘッドのノズルのそれよりも大きくすることによって印
字ヘッドを通るインクの流れが妨げられないようにする
ことである。
ヘッドのノズルのそれよりも大きくすることによって印
字ヘッドを通るインクの流れが妨げられないようにする
ことである。
本発明の第3の目的は、最小限のコスト上昇で、内部に
一体構造のフィルタが組み入れられた印字ヘッドを提供
することである。
一体構造のフィルタが組み入れられた印字ヘッドを提供
することである。
本発明の第4の目的は、各々が複数組のインク・チャン
ネルおよび関連するマニホルドと内蔵濾過装置を有し、
各チャンネルが最大1000点/インチ(spi )の
画素密度に対応するピッチ、すなわち中心間距離と高度
に一様な寸法と形状を有している構造のチャンネル板を
一括製造する方法、および1枚のチャンネル板と1枚の
発熱要素基板とを重ね合せ、相互に接着して、内蔵フィ
ルタを有する複数の印字ヘッドを形成するために、複数
の基板の上に複数組の発熱要素とアドレス電極を一括製
造する方法を提供することである。
ネルおよび関連するマニホルドと内蔵濾過装置を有し、
各チャンネルが最大1000点/インチ(spi )の
画素密度に対応するピッチ、すなわち中心間距離と高度
に一様な寸法と形状を有している構造のチャンネル板を
一括製造する方法、および1枚のチャンネル板と1枚の
発熱要素基板とを重ね合せ、相互に接着して、内蔵フィ
ルタを有する複数の印字ヘッドを形成するために、複数
の基板の上に複数組の発熱要素とアドレス電極を一括製
造する方法を提供することである。
本発明の第5の目的は、最初にウェーハに異方性エツチ
ングを行ない、次に、等方性エツチングを行ない、最後
に、第2の異方性エツチング処理を行なうことにより、
シリコン・ウェーハの上にチャンネル板を一括製造する
方法を提供することである。
ングを行ない、次に、等方性エツチングを行ない、最後
に、第2の異方性エツチング処理を行なうことにより、
シリコン・ウェーハの上にチャンネル板を一括製造する
方法を提供することである。
本発明においては、2枚の(100)シリコンウェーハ
から内蔵フィルタを存する複数のインクジェット式印字
ヘッドが製造される。係属中の米国特許第719,41
0号(1985年4月3日出願)の場合と同様に、好ま
しい実施例では、印字ヘッドはサーマル・ドロップオン
デマンド型で、キャリッジ印字に適している。一方のウ
ェーハの表面には、複数組の発熱要素と個別にアドレス
する電極が形成され、他方のウェーハの表面には、粒子
フィルタを有する凹形マニホルドに通じている複数組の
平行なインク・チャンネルが異方性エツチングと等方性
エツチングによって形成される。チャンネルを有するウ
ェーハの他の表面には充てん孔と整合孔がエツチングさ
れる。発熱要素を有するウェーハの表面には、所定の場
所に接合マークが形成される。チャンネルを有するウェ
ーハの表面と発熱要素を有するウェーハの表面は、整合
孔と整合マークを介して整合され、互いに接着される。
から内蔵フィルタを存する複数のインクジェット式印字
ヘッドが製造される。係属中の米国特許第719,41
0号(1985年4月3日出願)の場合と同様に、好ま
しい実施例では、印字ヘッドはサーマル・ドロップオン
デマンド型で、キャリッジ印字に適している。一方のウ
ェーハの表面には、複数組の発熱要素と個別にアドレス
する電極が形成され、他方のウェーハの表面には、粒子
フィルタを有する凹形マニホルドに通じている複数組の
平行なインク・チャンネルが異方性エツチングと等方性
エツチングによって形成される。チャンネルを有するウ
ェーハの他の表面には充てん孔と整合孔がエツチングさ
れる。発熱要素を有するウェーハの表面には、所定の場
所に接合マークが形成される。チャンネルを有するウェ
ーハの表面と発熱要素を有するウェーハの表面は、整合
孔と整合マークを介して整合され、互いに接着される。
この接着された2枚のウェーハをさいの目に切り分ける
ことによって、複数の独立した印字ヘッドができる。内
蔵フィルタを除けば、印字ヘッドとその製造方法は前記
の米国特許出願第719.410号に記載されているも
のと同じである。
ことによって、複数の独立した印字ヘッドができる。内
蔵フィルタを除けば、印字ヘッドとその製造方法は前記
の米国特許出願第719.410号に記載されているも
のと同じである。
各印字ヘッドは、マニホルド充てん孔が露出した状態で
、L形電掻すなわち娘基板の1つの縁固定して配置され
、チャンネルのノズルは娘基板と平行している。印字ヘ
ッドの電極は、娘基板上の対応する電極にワイヤボンデ
ィングされる。印字ヘッドを有する娘基板はインク供給
カートリッジに取り付けられる。このインク供給カート
リ、7ジは、随時使い捨てることができる。インクが印
字ヘッドのマニホルドおよびそれらの関連する毛管作用
インク・チャンネルを満し、保持されるように、印字ヘ
ッドの充てん孔はカートリッジの開口にぴったり合わさ
れ、密封されている。
、L形電掻すなわち娘基板の1つの縁固定して配置され
、チャンネルのノズルは娘基板と平行している。印字ヘ
ッドの電極は、娘基板上の対応する電極にワイヤボンデ
ィングされる。印字ヘッドを有する娘基板はインク供給
カートリッジに取り付けられる。このインク供給カート
リ、7ジは、随時使い捨てることができる。インクが印
字ヘッドのマニホルドおよびそれらの関連する毛管作用
インク・チャンネルを満し、保持されるように、印字ヘ
ッドの充てん孔はカートリッジの開口にぴったり合わさ
れ、密封されている。
印字ヘッドと娘基板とカートリッジの組合せは、たとえ
ば、紙などの記録媒体の表面を横切って往復動できるよ
うに構成されたインクジェット式プリンタのキャリッジ
に取り付けることができる。
ば、紙などの記録媒体の表面を横切って往復動できるよ
うに構成されたインクジェット式プリンタのキャリッジ
に取り付けることができる。
別の行を印字するため印字ヘッドの移動方向が変るたび
に所定の距離だけ紙がステップ送りされる。
に所定の距離だけ紙がステップ送りされる。
この形態の印字ヘッドノズル・アレイは、記録媒体の移
動方向と平行しており、キャリッジの横断方向に対し垂
直である。プリンタの制御装置がデジタルデータ信号を
受信すると、それに応じて制御装置から各チャンネル内
の発熱要素へ選択的に電流パルスが印加される。ページ
幅のアレイ構造の場合には、もちろん、アレイは固定し
て、記録媒体の移動方向に垂直な向きに、配置され、印
字動作中、記録媒体は一定速度で連続的に移動する。
動方向と平行しており、キャリッジの横断方向に対し垂
直である。プリンタの制御装置がデジタルデータ信号を
受信すると、それに応じて制御装置から各チャンネル内
の発熱要素へ選択的に電流パルスが印加される。ページ
幅のアレイ構造の場合には、もちろん、アレイは固定し
て、記録媒体の移動方向に垂直な向きに、配置され、印
字動作中、記録媒体は一定速度で連続的に移動する。
周知のように、電流パルスにより、発熱要素は熱エネル
ギーをインクへ伝達し、インクを沸騰させて瞬時に気泡
を発生させる。発熱要素は電流パルスが通過したあと冷
却し、気泡が収縮する。気泡の発生と膨張によって、イ
ンク滴が発生し、記録媒体に向けて飛ばされる。
ギーをインクへ伝達し、インクを沸騰させて瞬時に気泡
を発生させる。発熱要素は電流パルスが通過したあと冷
却し、気泡が収縮する。気泡の発生と膨張によって、イ
ンク滴が発生し、記録媒体に向けて飛ばされる。
上述のようなインクジェット式プリンタにおいては、印
字用の小さなインク滴を発生させるためには、1〜4平
方ミル(625〜2500平方ミクロン)程度の流れ断
面積を有する非常に細いノズルが必要である。このよう
な微細ノズルを使用する場合には、汚染粒子でノズルが
閉塞されないように、細目の濾過装置を使用する必要が
ある。
字用の小さなインク滴を発生させるためには、1〜4平
方ミル(625〜2500平方ミクロン)程度の流れ断
面積を有する非常に細いノズルが必要である。このよう
な微細ノズルを使用する場合には、汚染粒子でノズルが
閉塞されないように、細目の濾過装置を使用する必要が
ある。
最大の効果を得るには、濾過はノズルの近くで行なわね
ばならないが、インクの流れを妨げてはならない。本発
明は、印字ヘッド自体に濾過装置を一体構造で組み入れ
ることによって前述の諸口的を実現しており、さらに、
フィルタは特別な処理工程を伴うことなく印字ヘッド内
に一体構造で製造されるので、印字ヘッドの製造コスト
上昇は最小限ですむ。
ばならないが、インクの流れを妨げてはならない。本発
明は、印字ヘッド自体に濾過装置を一体構造で組み入れ
ることによって前述の諸口的を実現しており、さらに、
フィルタは特別な処理工程を伴うことなく印字ヘッド内
に一体構造で製造されるので、印字ヘッドの製造コスト
上昇は最小限ですむ。
(実施例)
第1図は、典型的なキャリフジ形多色サーマル・インク
ジ呈ント式印字装置10を示す。インク滴発生チャンネ
ルの直線アレイは、随時使い捨てることができる各イン
ク供給キャリッジ12の各印字ヘッド11の中にある。
ジ呈ント式印字装置10を示す。インク滴発生チャンネ
ルの直線アレイは、随時使い捨てることができる各イン
ク供給キャリッジ12の各印字ヘッド11の中にある。
案内レール15の上で矢印13の方面に前後に往復する
キャリッジ装置14に、1個またはそれ以上のインク供
給キャリッジが交換できるように取り付けられる。チャ
ンネルはキャリッジの往復方向に垂直にかつ記録媒体1
6たとえば紙のステップ送り方向に平行に、−列に並ん
だオリフィスすなわちノズルで終っている。したがって
、印字ヘッドは、一方向に動くとき、静止している記録
媒体の上にある幅の情報を印字する。キャリッジと印字
ヘッドが方向を変える前に、印字装置によって矢印17
の方向に印字された前記情報幅に等しい距離だけ記録媒
体がステップ送りされ、そのあと印字ヘッドが逆方向に
移動して別の情報の幅を印字する。滴18は印字装置の
制御装置(図示せず)が受は取ったデジタルデータ信号
に応じてノズルから記録媒体に向って噴射される。制御
装置は、デジタルデータ信号に応じて、印字ヘッドチャ
ンネル内のノズルから所定の距離の所に配置された個々
の発熱要素を電流パルスで選択的にアドレスする。発熱
要素を通過する電流パルスは発熱要素に接しているイン
クを沸騰させ、瞬時に気泡を発生させ、ノズルからイン
ク滴を噴射させる。代りに、数個の印字ヘッドを正確に
並置して、ページ幅のノズル・アレイ (図示せず)を
作ることができる。この場合には、ノズルが静置され、
紙がそこを通過することになる。
キャリッジ装置14に、1個またはそれ以上のインク供
給キャリッジが交換できるように取り付けられる。チャ
ンネルはキャリッジの往復方向に垂直にかつ記録媒体1
6たとえば紙のステップ送り方向に平行に、−列に並ん
だオリフィスすなわちノズルで終っている。したがって
、印字ヘッドは、一方向に動くとき、静止している記録
媒体の上にある幅の情報を印字する。キャリッジと印字
ヘッドが方向を変える前に、印字装置によって矢印17
の方向に印字された前記情報幅に等しい距離だけ記録媒
体がステップ送りされ、そのあと印字ヘッドが逆方向に
移動して別の情報の幅を印字する。滴18は印字装置の
制御装置(図示せず)が受は取ったデジタルデータ信号
に応じてノズルから記録媒体に向って噴射される。制御
装置は、デジタルデータ信号に応じて、印字ヘッドチャ
ンネル内のノズルから所定の距離の所に配置された個々
の発熱要素を電流パルスで選択的にアドレスする。発熱
要素を通過する電流パルスは発熱要素に接しているイン
クを沸騰させ、瞬時に気泡を発生させ、ノズルからイン
ク滴を噴射させる。代りに、数個の印字ヘッドを正確に
並置して、ページ幅のノズル・アレイ (図示せず)を
作ることができる。この場合には、ノズルが静置され、
紙がそこを通過することになる。
第1図には、数個のインク供給カートリッジ12と固定
して取り付けられた電極基板すなわち娘基板19が図示
されているが、両者の間に点線で示した印字へノド11
が各1個はさまれている。
して取り付けられた電極基板すなわち娘基板19が図示
されているが、両者の間に点線で示した印字へノド11
が各1個はさまれている。
印字へノド11は娘基板に永久的に取り付けられており
、それらの対応する電極は互いにワイヤボンディングさ
れている。あとでより詳細に述べる印字ヘッドの充てん
孔はカートリッジの開口(図示せず)にぴったり合わせ
て密封されているので、印字装置の動作中、カートリッ
ジからのインクはマニホルドを介してインク・チャンネ
ルへ連続的に供給される。このカートリッジは米国特許
出願筒677、426号(1984年12月3日出願)
に詳しく記載されているものと同じである。キャリッジ
組立14の雌型リセプタクル(図示せず)に対する差込
みを容易にするため、各娘基板19の下部分20には、
カートリッジの底面22より下に伸びた電極端子21が
付いていることに注目されたい。好ましい実施例におい
ては、約300点/インチ(spi )の解像度で印字
するため、印字ヘッドは約3ミル(75ミクロン)の中
心間間隔で少なくとも48個のチャンネルを有している
。各娘基板上のこのような高密度のアドレス電極23は
、一部の電極を両側面で終らせることによって都合よく
処理されている。第1図において、側面24は印字ヘッ
ドが含まれている側面の反対側である。電極はすべて印
字へ・ノドのある側面から始まっているが、一部は娘基
板を貫通じている。すべての電極23は娘基板の端20
で柊っている。
、それらの対応する電極は互いにワイヤボンディングさ
れている。あとでより詳細に述べる印字ヘッドの充てん
孔はカートリッジの開口(図示せず)にぴったり合わせ
て密封されているので、印字装置の動作中、カートリッ
ジからのインクはマニホルドを介してインク・チャンネ
ルへ連続的に供給される。このカートリッジは米国特許
出願筒677、426号(1984年12月3日出願)
に詳しく記載されているものと同じである。キャリッジ
組立14の雌型リセプタクル(図示せず)に対する差込
みを容易にするため、各娘基板19の下部分20には、
カートリッジの底面22より下に伸びた電極端子21が
付いていることに注目されたい。好ましい実施例におい
ては、約300点/インチ(spi )の解像度で印字
するため、印字ヘッドは約3ミル(75ミクロン)の中
心間間隔で少なくとも48個のチャンネルを有している
。各娘基板上のこのような高密度のアドレス電極23は
、一部の電極を両側面で終らせることによって都合よく
処理されている。第1図において、側面24は印字ヘッ
ドが含まれている側面の反対側である。電極はすべて印
字へ・ノドのある側面から始まっているが、一部は娘基
板を貫通じている。すべての電極23は娘基板の端20
で柊っている。
第2図は印字ヘッド11の前面の拡大斜視図で、娘基板
19に取り付けられた印字ヘッドと滴を噴射するノズル
アレイ27を示す。電気的に絶縁された下部基板28は
その表面にパターンに従って作られた発熱要素とアドレ
ス電極33を有し、他方、上部基板31は一方向に伸び
て上部基板の前面29を貫通し断面が三角形の平行な溝
を有している。溝の他端は、この図には示してないが、
共通の内部凹部に通じている。内部凹部の床面には、イ
ンク充てん孔25として使われる開口が開いている。平
行溝が設けられた上部基板表面は、あとで述べるように
、下部基板2日に整合されて接着され、溝と下部基板と
によって形成された各チャンネルの中に、それぞれ1個
の発熱要素が配置される。インクは、凹部と下部基板と
によって生じたマニホルドに入り、インク充てん孔を通
り、毛管作用によってチャンネルを満す。インクは各ノ
ズルの所でメニスカスを形成し、その表面張力のため、
ノズルから流れ出ることはない。下部基板28上のアド
レス電極33は端子32で終っている。電極端子32を
露出させ、それらを印字ヘッド11を永久的に取り付け
ている娘基板19の電極にワイヤボンディングすること
ができるように、上部基板すなわちチャンネル板31は
、下部基板すなわち発熱要素板28より小さい。
19に取り付けられた印字ヘッドと滴を噴射するノズル
アレイ27を示す。電気的に絶縁された下部基板28は
その表面にパターンに従って作られた発熱要素とアドレ
ス電極33を有し、他方、上部基板31は一方向に伸び
て上部基板の前面29を貫通し断面が三角形の平行な溝
を有している。溝の他端は、この図には示してないが、
共通の内部凹部に通じている。内部凹部の床面には、イ
ンク充てん孔25として使われる開口が開いている。平
行溝が設けられた上部基板表面は、あとで述べるように
、下部基板2日に整合されて接着され、溝と下部基板と
によって形成された各チャンネルの中に、それぞれ1個
の発熱要素が配置される。インクは、凹部と下部基板と
によって生じたマニホルドに入り、インク充てん孔を通
り、毛管作用によってチャンネルを満す。インクは各ノ
ズルの所でメニスカスを形成し、その表面張力のため、
ノズルから流れ出ることはない。下部基板28上のアド
レス電極33は端子32で終っている。電極端子32を
露出させ、それらを印字ヘッド11を永久的に取り付け
ている娘基板19の電極にワイヤボンディングすること
ができるように、上部基板すなわちチャンネル板31は
、下部基板すなわち発熱要素板28より小さい。
第3図を参照すると、複数組の気泡発生用発熱要素34
とアドレス電極33が、片面研磨の(100)シリコン
・ウェーハ36の研磨面にパターンに従って形成されて
いる。拡大図示されているのは、1個のインクジェット
式印字ヘッドに適した下部基板すなわち発熱要素板2日
と呼ばれるウェーハ36の一部に形成された1組の発熱
要素34とアドレス電極33である。複数組の印字ヘッ
ド電極33、発熱要素として働く抵抗体、共通帰線35
をパターンに従って形成する前に、発熱要素とアドレス
電極を受は取る研磨面は、厚さ5000人〜1ミクロン
のアンダグリーズ層(図示せず)たとえばSin、で被
覆される。発熱抵抗体は、化学気相蒸着(cV D :
Chemical Vapor Depositio
n)によって蒸着することができるドーピングされた多
結晶シリコンでもよいし、または他の周知の抵抗体のど
れか、たとえばZrB、でもよい。
とアドレス電極33が、片面研磨の(100)シリコン
・ウェーハ36の研磨面にパターンに従って形成されて
いる。拡大図示されているのは、1個のインクジェット
式印字ヘッドに適した下部基板すなわち発熱要素板2日
と呼ばれるウェーハ36の一部に形成された1組の発熱
要素34とアドレス電極33である。複数組の印字ヘッ
ド電極33、発熱要素として働く抵抗体、共通帰線35
をパターンに従って形成する前に、発熱要素とアドレス
電極を受は取る研磨面は、厚さ5000人〜1ミクロン
のアンダグリーズ層(図示せず)たとえばSin、で被
覆される。発熱抵抗体は、化学気相蒸着(cV D :
Chemical Vapor Depositio
n)によって蒸着することができるドーピングされた多
結晶シリコンでもよいし、または他の周知の抵抗体のど
れか、たとえばZrB、でもよい。
好ましい実施例では、ポリシリコン発熱要素が使用され
、SiO□熱酸化層(図示せず)は高温蒸気の中でポリ
シリコンから生成される。この熱酸化層は、発熱要素を
導電性インクから保護、絶縁するために、一般に0.5
〜1.0ミクロンの厚さまで生成させる。アドレス電極
と共通帰線を取り付けるため、ポリシリコン発熱要素の
縁の所で熱酸化層が除去され、そのあとアドレス電極と
共通帰線がパターンに従って蒸着される。ZrBzなど
の抵抗体を発熱要素として使用する場合には、その上の
保護層として他の適当な周知の絶縁材料を使用すること
ができる。
、SiO□熱酸化層(図示せず)は高温蒸気の中でポリ
シリコンから生成される。この熱酸化層は、発熱要素を
導電性インクから保護、絶縁するために、一般に0.5
〜1.0ミクロンの厚さまで生成させる。アドレス電極
と共通帰線を取り付けるため、ポリシリコン発熱要素の
縁の所で熱酸化層が除去され、そのあとアドレス電極と
共通帰線がパターンに従って蒸着される。ZrBzなど
の抵抗体を発熱要素として使用する場合には、その上の
保護層として他の適当な周知の絶縁材料を使用すること
ができる。
共通帰線とアドレス電極は、アンダグレーズ層および発
熱要素の縁の上に蒸着されたアルミニウム・リードであ
る。共通帰線の端37とアドレス電極の端子32は、チ
ャンネル板31が取り付けられて印字ヘッドができあが
ったあと娘基板の電極32にワイヤボンディングするた
めの空間がある所定の場所に配置されている(第10図
参照)。
熱要素の縁の上に蒸着されたアルミニウム・リードであ
る。共通帰線の端37とアドレス電極の端子32は、チ
ャンネル板31が取り付けられて印字ヘッドができあが
ったあと娘基板の電極32にワイヤボンディングするた
めの空間がある所定の場所に配置されている(第10図
参照)。
共通帰線35とアドレス電極33は、0.5〜3.0ミ
クロンの厚さに蒸着されるが、好ましい厚さは1.5ミ
クロンである。
クロンの厚さに蒸着されるが、好ましい厚さは1.5ミ
クロンである。
電極のパ・7シベーシヨン処理の前に、印字ヘッドの動
作中インク気泡の収縮によって発生したキャビテーショ
ン力に対する特別保護として発熱要素保護層したとえば
、熱酸化層1の上にタンタル(Ta )層(図示せず)
を、随意に、約1ミクロンの厚さまで蒸着することがで
きる。このTa層は、たとえばCf 4 / 02プラ
ズマ・エツチングによって、発熱要素を直接おおってい
る保護層を除いて、すべて取り除かれる。
作中インク気泡の収縮によって発生したキャビテーショ
ン力に対する特別保護として発熱要素保護層したとえば
、熱酸化層1の上にタンタル(Ta )層(図示せず)
を、随意に、約1ミクロンの厚さまで蒸着することがで
きる。このTa層は、たとえばCf 4 / 02プラ
ズマ・エツチングによって、発熱要素を直接おおってい
る保護層を除いて、すべて取り除かれる。
TIWAのパッシベーションのため、複数組の発熱要素
とアドレス電極を含むウェーハ表面全体にわたって2ミ
クロンの厚さの燐ドーピングされたCVD Si0g
膜(図示せず)が蒸着されるが、このSiO□膜は、続
いてワイヤボンディングによって娘基板の電極に接続さ
れる共通帰線とアドレス電極の端子および発熱要素すな
わちTa[からエツチングで除去される。このエツチン
グはウェットまたはドライ・エツチング法のどちらでも
よい。代りに、Si:+N4をプラズマ蒸着して電極の
パッシベーションを行なうことができる。
とアドレス電極を含むウェーハ表面全体にわたって2ミ
クロンの厚さの燐ドーピングされたCVD Si0g
膜(図示せず)が蒸着されるが、このSiO□膜は、続
いてワイヤボンディングによって娘基板の電極に接続さ
れる共通帰線とアドレス電極の端子および発熱要素すな
わちTa[からエツチングで除去される。このエツチン
グはウェットまたはドライ・エツチング法のどちらでも
よい。代りに、Si:+N4をプラズマ蒸着して電極の
パッシベーションを行なうことができる。
アンダグレーズ層を付着させたあと都合のよい時に、ウ
ェーハ36を構成している個々の下部基板28の所定の
場所にフォトリソグラフィ (写真印刷)によって少な
(とも2個の整合マーク38が形成される。これらの整
合マークは、ウェーハ39を構成している複数のチャン
ネル板ずなわち上部基板31と下部基板28上の複数の
発熱要素とを整合するために使われる。あどで説明する
ように、複数組の発熱要素とアドレス電極を含むウェー
ハ36の表面は、両ウェーハの整合後、ウェ−ハ39に
接着される。
ェーハ36を構成している個々の下部基板28の所定の
場所にフォトリソグラフィ (写真印刷)によって少な
(とも2個の整合マーク38が形成される。これらの整
合マークは、ウェーハ39を構成している複数のチャン
ネル板ずなわち上部基板31と下部基板28上の複数の
発熱要素とを整合するために使われる。あどで説明する
ように、複数組の発熱要素とアドレス電極を含むウェー
ハ36の表面は、両ウェーハの整合後、ウェ−ハ39に
接着される。
第4図において、両面が研摩された(100)シリコン
・ウェーハ39を使って、印字ヘッド用の複数の上部基
板31が作られる。ウェーハの化学洗浄後、マスキング
層、たとえば熱分解CVD窒化シリコン層41 (第5
図参照)が両面に堆積される。通常の写真印刷(フォト
リソグラフィ)を使用して、第4図に示した面とは反対
のウェーハ面42の上に、複数の上部基板の各々に充て
ん孔25のための開孔(V ia)と整合孔40のため
の少なくとも2個の開孔(Via)が所定の場所にパタ
ーンに従って作られる。充てん孔および整合孔を表わす
開孔パターンから窒化シリコンがプラズマ・エツチング
によって除去される。次に、水酸化カリウム(KOH)
異方性エツチング液を使用して充てん孔と整合孔がエツ
チングされる。この場合には、(100)ウェーへの(
111)面はウェーハの表面と54.7°の角度をなし
ている。
・ウェーハ39を使って、印字ヘッド用の複数の上部基
板31が作られる。ウェーハの化学洗浄後、マスキング
層、たとえば熱分解CVD窒化シリコン層41 (第5
図参照)が両面に堆積される。通常の写真印刷(フォト
リソグラフィ)を使用して、第4図に示した面とは反対
のウェーハ面42の上に、複数の上部基板の各々に充て
ん孔25のための開孔(V ia)と整合孔40のため
の少なくとも2個の開孔(Via)が所定の場所にパタ
ーンに従って作られる。充てん孔および整合孔を表わす
開孔パターンから窒化シリコンがプラズマ・エツチング
によって除去される。次に、水酸化カリウム(KOH)
異方性エツチング液を使用して充てん孔と整合孔がエツ
チングされる。この場合には、(100)ウェーへの(
111)面はウェーハの表面と54.7°の角度をなし
ている。
充てん孔は一辺が約20ミル(0,5m)の小さい正方
形の表面パターンであり、整合孔は一辺が約60〜80
ミル(1,5〜2.0m)の正方形である。
形の表面パターンであり、整合孔は一辺が約60〜80
ミル(1,5〜2.0m)の正方形である。
したがって、整合孔は厚さ1鶴のウェーハを完全に貫通
してエツチングされるのに対し、充てん孔はウェーハの
厚さの約1/2〜3/4の所の頂点までしかエツチング
されない。比較的小さい正方形の充てん孔は、エツチン
グを続けても、それ以上大きさは増大せず、したがって
、整合孔と充てん孔のエツチングには、それ程の時間は
かからない。このエツチングは約二時間かかるが、多数
のウェーハを同時に処理することが可能である。
してエツチングされるのに対し、充てん孔はウェーハの
厚さの約1/2〜3/4の所の頂点までしかエツチング
されない。比較的小さい正方形の充てん孔は、エツチン
グを続けても、それ以上大きさは増大せず、したがって
、整合孔と充てん孔のエツチングには、それ程の時間は
かからない。このエツチングは約二時間かかるが、多数
のウェーハを同時に処理することが可能である。
次に、基準として前にエツチングされた整合孔を使って
、ウェーハ39の反対側の面44の上に、複数組の凹部
を異方性エツチングするための開孔が窒化シリコン層に
パターンに従って作られる。
、ウェーハ39の反対側の面44の上に、複数組の凹部
を異方性エツチングするための開孔が窒化シリコン層に
パターンに従って作られる。
ウェーハ39を構成している各チャンネル板の比較的大
きな長方形凹部45は、最終的に、印字ヘッドのマニホ
ルドになる。マニホルド凹部45の内側には、上面に小
さいほぼ長方形または正方形の開口55を有する狭い壁
パターンが形成される。
きな長方形凹部45は、最終的に、印字ヘッドのマニホ
ルドになる。マニホルド凹部45の内側には、上面に小
さいほぼ長方形または正方形の開口55を有する狭い壁
パターンが形成される。
これらの内部壁パターンは、各マニホルド凹部の内側に
、充てん孔25を含む内部隔室56を形成している。あ
とで説明するが、インクは内部隔室からマニホルドへ動
くときに、濾過される。同様に、各基本31のマニホル
ドの間には、マニホルド凹部の短かい方の壁51の近く
に、2個のスペス凹部46がパターンに従って形成され
ている。
、充てん孔25を含む内部隔室56を形成している。あ
とで説明するが、インクは内部隔室からマニホルドへ動
くときに、濾過される。同様に、各基本31のマニホル
ドの間には、マニホルド凹部の短かい方の壁51の近く
に、2個のスペス凹部46がパターンに従って形成され
ている。
各長いマニホルド凹部壁52に平行で、それに隣接して
いる平行な細長い溝53は、ウェーハ表面44を完全に
横切り、隣りの基板31のマニホルド凹部45の間に伸
びている。しかし、この細長い溝53はあとで説明する
理由により、ウェーハの縁面に抜けていない。マニホル
ド凹部の一方の壁52には、窒化シリコン層41に48
個または以上の平行な狭い幅の開孔パターンが形成され
ており、このパターンは、エツチング後、最終的にイン
ク滴を噴射する印字ヘッドのチャンネルの役目をする1
組のチャンネル溝54を形成する。
いる平行な細長い溝53は、ウェーハ表面44を完全に
横切り、隣りの基板31のマニホルド凹部45の間に伸
びている。しかし、この細長い溝53はあとで説明する
理由により、ウェーハの縁面に抜けていない。マニホル
ド凹部の一方の壁52には、窒化シリコン層41に48
個または以上の平行な狭い幅の開孔パターンが形成され
ており、このパターンは、エツチング後、最終的にイン
ク滴を噴射する印字ヘッドのチャンネルの役目をする1
組のチャンネル溝54を形成する。
マニホルド凹部と内部隔室凹部を形作っている壁ノラノ
ド部48すなわち上面は、元のウェーハ面44の一部で
あり、まだ窒化シリコン層41が付いている。これらの
ランド部48は、2枚のつ工−ハ36と39を接着する
とき接着剤が塗付される区域になる。好ましい実施例に
おいては、接着剤が塗付される前に、窒化シリコン[4
1が除去される。細長い溝53と凹部46は、あとで述
べるワイヤポンディング工程のとき印字ヘッドの電極端
子に対し余裕空間を提供する。
ド部48すなわち上面は、元のウェーハ面44の一部で
あり、まだ窒化シリコン層41が付いている。これらの
ランド部48は、2枚のつ工−ハ36と39を接着する
とき接着剤が塗付される区域になる。好ましい実施例に
おいては、接着剤が塗付される前に、窒化シリコン[4
1が除去される。細長い溝53と凹部46は、あとで述
べるワイヤポンディング工程のとき印字ヘッドの電極端
子に対し余裕空間を提供する。
点線49.50.50aは、第1O図についてあとで述
べるように、使用しないウェーハ材料を除去するときの
フライス削りまたはダイシング(さいの目切断)の境界
線を示す。点線49は、チャンネル54に平行であり、
点線50.50aは点線49に直交している。点線50
aに沿うダイシングによってチャンネルが開かれ、ノズ
ル27が生じる。このノズル解放は、接着された2枚の
ウェーハを個々の印字ヘッドに切り分けるとき、達成さ
れることが好ましい。
べるように、使用しないウェーハ材料を除去するときの
フライス削りまたはダイシング(さいの目切断)の境界
線を示す。点線49は、チャンネル54に平行であり、
点線50.50aは点線49に直交している。点線50
aに沿うダイシングによってチャンネルが開かれ、ノズ
ル27が生じる。このノズル解放は、接着された2枚の
ウェーハを個々の印字ヘッドに切り分けるとき、達成さ
れることが好ましい。
第4図に示すように、異方性エツチング液たとえば水酸
化カリウム(K OH)を使用して、マニホルド凹部4
5、内部隔室56、チャンネル溝54、スペース凹部4
6.53、および内部隔室を形成している壁57の上面
のピット55が同時にエツチングされる。マニホルドお
よび内部隔室を形成する開孔の寸法に対し、エツチング
処理を調時して凹部の深さを停止させなければならない
。
化カリウム(K OH)を使用して、マニホルド凹部4
5、内部隔室56、チャンネル溝54、スペース凹部4
6.53、および内部隔室を形成している壁57の上面
のピット55が同時にエツチングされる。マニホルドお
よび内部隔室を形成する開孔の寸法に対し、エツチング
処理を調時して凹部の深さを停止させなければならない
。
そうしないと、パターンの寸法が大きいので、エツチン
グ液がウェーハを腐食し完全に貫通してしまうことにな
ろう。マニホルド凹部と内部隔室56の両方の床面58
は、エツチング処理を停止させた時点の深さで決まる。
グ液がウェーハを腐食し完全に貫通してしまうことにな
ろう。マニホルド凹部と内部隔室56の両方の床面58
は、エツチング処理を停止させた時点の深さで決まる。
床面58の深さは、充てん孔の凹部と出合い、かつイン
ク充てん孔として適当な開口25が生じるように、充て
ん孔凹部を少し越える程度である。前に触れた米国特許
出願筒719,410号に記載されているように、壁5
2をエツチングする代りに、ダイシング加工によってチ
ャンネルを作ることもできるし、あるいは、充てん孔2
5と整合孔40をマニホルド凹部やその他の凹部と共に
、片面研磨のウェーハ面からすべてを同時に異方性エツ
チングすることもできる。
ク充てん孔として適当な開口25が生じるように、充て
ん孔凹部を少し越える程度である。前に触れた米国特許
出願筒719,410号に記載されているように、壁5
2をエツチングする代りに、ダイシング加工によってチ
ャンネルを作ることもできるし、あるいは、充てん孔2
5と整合孔40をマニホルド凹部やその他の凹部と共に
、片面研磨のウェーハ面からすべてを同時に異方性エツ
チングすることもできる。
(100)シリコン・ウェーハの異方性エツチングは、
エツチングが(111)面に沿うように、必らず正方形
または長方形の開孔を通して行なわなければならない。
エツチングが(111)面に沿うように、必らず正方形
または長方形の開孔を通して行なわなければならない。
この結果、各凹部または孔はウェーハの表面に対し54
.7°の角度で相互に向って収束する壁を有している。
.7°の角度で相互に向って収束する壁を有している。
正方形または長方形の開孔がウェーハの厚さに対し小さ
い場合には、凹部ができる。たとえば、小さい長方形の
表面形状は、すべての壁がウェファ表面に対し54.7
゜の角度をなしている細長い■形溝の凹部を作るが、小
さい正方形の表面は、頂点を有する逆ピラミッド形の凹
部を作る。周知のように、内隅だけは、異方性エツチン
グすることが可能であるが、外隅すなわち凸形隅はエツ
チングを案内する(111)面を有していないので、エ
ツチング液はそのような隅を非常に速く除去してしまう
。これが、チャンネル凹部54や内部隔室56をそれら
の端の所で開くことができず、すなわち外隅をもつこと
ができず、代りに別の処理工程によって補完しなければ
ならない理由である。
い場合には、凹部ができる。たとえば、小さい長方形の
表面形状は、すべての壁がウェファ表面に対し54.7
゜の角度をなしている細長い■形溝の凹部を作るが、小
さい正方形の表面は、頂点を有する逆ピラミッド形の凹
部を作る。周知のように、内隅だけは、異方性エツチン
グすることが可能であるが、外隅すなわち凸形隅はエツ
チングを案内する(111)面を有していないので、エ
ツチング液はそのような隅を非常に速く除去してしまう
。これが、チャンネル凹部54や内部隔室56をそれら
の端の所で開くことができず、すなわち外隅をもつこと
ができず、代りに別の処理工程によって補完しなければ
ならない理由である。
第5図は、第4図のチャンネル板31の拡大図の線5−
5に沿った断面図である。異方性エツチングの深さはエ
ツチング液にさらされるウェーハの表面面積によって決
まるので、チャンネル凹部54や内部隔室壁57のピッ
ト55は(111)面に沿って収束し、それ以上進まな
いが、マニホールド凹部45や内部隔室凹部56におけ
るより大きな表面面積のエツチングは、凹部の(111
)面が収束し、エツチング液がウェーハを貫通するか、
あるいはエツチング処理を調時して停止させるまで、腐
食し続ける。好ましい実施例の場合は、マニホルド凹部
と内部隔室凹部の共面の床58が、充てん孔25の凹部
と出合うことができる深さに達すると、エツチング処理
が停止される。
5に沿った断面図である。異方性エツチングの深さはエ
ツチング液にさらされるウェーハの表面面積によって決
まるので、チャンネル凹部54や内部隔室壁57のピッ
ト55は(111)面に沿って収束し、それ以上進まな
いが、マニホールド凹部45や内部隔室凹部56におけ
るより大きな表面面積のエツチングは、凹部の(111
)面が収束し、エツチング液がウェーハを貫通するか、
あるいはエツチング処理を調時して停止させるまで、腐
食し続ける。好ましい実施例の場合は、マニホルド凹部
と内部隔室凹部の共面の床58が、充てん孔25の凹部
と出合うことができる深さに達すると、エツチング処理
が停止される。
第6図は、第4図の円で囲んだ領域6−6で示した、内
部隔室の壁57の一部の拡大平面図である。マニホルド
凹部の壁51につながっている壁57aの延長部は、以
下述べる理由のため、ピット55と内部隔室の壁57と
の間の厚さにほぼ等しいx″で示した厚さを有している
。
部隔室の壁57の一部の拡大平面図である。マニホルド
凹部の壁51につながっている壁57aの延長部は、以
下述べる理由のため、ピット55と内部隔室の壁57と
の間の厚さにほぼ等しいx″で示した厚さを有している
。
マニホルド凹部45に対するチャンネル凹部54と内部
隔室56の開放は、最初に短時間、たとえば2分間等方
性エツチング液で窒化物の薄いマスクをアンダカットし
、続いて短時間たとえば5分間のKOH異方性エツチン
グ液でチャンネル凹部と内部隔室をマニホルド凹部に対
し開くことによって達成することができる。等方性エツ
チングは同じ時間に全方向に等しく腐食するので、前に
触れた米国特許出願筒719,410号に述べられてい
るように、異方性エツチングを計画するときには、この
シリコン除去を考慮に入れなければならない。チャンネ
ルと内部隔室は、等方性エツチング次に異方性エツチン
グによって腐食されて開放されるので、チャンネルの壁
は短かくなるが、まだ、望ましい20ミル(0,5n+
)の長さの範囲内にある。第8b図は第6図の′fIA
8b −、s bに沿ったピット55における等方性エ
ツチングのアンダカットを示す。第8a図は第7図の線
3a−3aに沿った断面図であり、等方性エツチング液
程により窒化マスク41をアンダカットする前のピソト
55を示す。第8a図において、内部隔室の壁57は、
窒化マスク41と連続している。距離“y”で示した壁
の厚さは、ピット55の各辺と内部隔室の壁57の外側
表面との間の距離“X”で示した厚さよりかなり大きい
ので、窒化マスク41は内部隔室の壁57の他の場所で
なく、ピット55の所だけが内部隔室の壁を完全に横断
しでアンダカットされる。第5図から第7図を参照する
と、壁の延長部57aはピット55と内部隔室の壁57
の外側表面の間の厚さとほぼ同じ厚さを有するので、延
長部57aもまた完全にアンダカットされ、したがって
次の異方性エツチングによってこの延長部57aが除去
されて、内部隔室はマニホルド凹部によって完全に取り
囲まれた状態になる。
隔室56の開放は、最初に短時間、たとえば2分間等方
性エツチング液で窒化物の薄いマスクをアンダカットし
、続いて短時間たとえば5分間のKOH異方性エツチン
グ液でチャンネル凹部と内部隔室をマニホルド凹部に対
し開くことによって達成することができる。等方性エツ
チングは同じ時間に全方向に等しく腐食するので、前に
触れた米国特許出願筒719,410号に述べられてい
るように、異方性エツチングを計画するときには、この
シリコン除去を考慮に入れなければならない。チャンネ
ルと内部隔室は、等方性エツチング次に異方性エツチン
グによって腐食されて開放されるので、チャンネルの壁
は短かくなるが、まだ、望ましい20ミル(0,5n+
)の長さの範囲内にある。第8b図は第6図の′fIA
8b −、s bに沿ったピット55における等方性エ
ツチングのアンダカットを示す。第8a図は第7図の線
3a−3aに沿った断面図であり、等方性エツチング液
程により窒化マスク41をアンダカットする前のピソト
55を示す。第8a図において、内部隔室の壁57は、
窒化マスク41と連続している。距離“y”で示した壁
の厚さは、ピット55の各辺と内部隔室の壁57の外側
表面との間の距離“X”で示した厚さよりかなり大きい
ので、窒化マスク41は内部隔室の壁57の他の場所で
なく、ピット55の所だけが内部隔室の壁を完全に横断
しでアンダカットされる。第5図から第7図を参照する
と、壁の延長部57aはピット55と内部隔室の壁57
の外側表面の間の厚さとほぼ同じ厚さを有するので、延
長部57aもまた完全にアンダカットされ、したがって
次の異方性エツチングによってこの延長部57aが除去
されて、内部隔室はマニホルド凹部によって完全に取り
囲まれた状態になる。
周知の等方性エツチング液は、たとえば、HF/HNO
3、/C2H402の混合液である。このようなエツチ
ング液は、接触している表面からすべての方向に等しく
シリコンを除去する、したがって、チャンネルの内端は
、計画的に、より長い距離“Y”で示した他の端より狭
くしであるので(第5図および第7図参照)、異方性エ
ツチングのためのマスクを形成している窒化シリコン層
41は、チャンネルの内端(すなわち、距離“X”で示
したマニホルド凹部に近い端)の所でアンダカットされ
る。
3、/C2H402の混合液である。このようなエツチ
ング液は、接触している表面からすべての方向に等しく
シリコンを除去する、したがって、チャンネルの内端は
、計画的に、より長い距離“Y”で示した他の端より狭
くしであるので(第5図および第7図参照)、異方性エ
ツチングのためのマスクを形成している窒化シリコン層
41は、チャンネルの内端(すなわち、距離“X”で示
したマニホルド凹部に近い端)の所でアンダカットされ
る。
第7図は、異方性エツチング後のチャンネル仮31の部
分拡大平面図であり、点線は等方性エツチングと2回目
の異方性エツチングを示す。等方性エツチング液は全表
面領域を腐食させるが、図はチャンネル凹部54の内側
側壁とピット55を含む領域のみを示す。異方性エツチ
ング用のマスクを形成しかつ接着剤塗付用のランド48
の役目を果す窒化シリコン層41は、マニホルド凹部4
5に隣接しているチャンネル凹部の端の所が非常に狭い
。この距離は“X”で表示されており、一般に、0.2
〜1.0ミル(5〜25ミクロン)の範囲内にある。最
終的にノズルとなる他端における距離“Y”は、距離“
X”の少なくとも2倍である。したがって、等方性エツ
チングは、チャンネルの内端で窒化シリコン層を除去し
てアンダカットするけれども、よ゛り広い他端ではアン
ダカ、7トできない。チャンネルの拡張と短縮とをあら
かじめ見越した上で、等方性エツチング次に異方性エツ
チングを行なってチャンネルをマニホルドに対し開く方
法を使用すれば、一部の他の工程、たとえばチャンネル
の内端をマニホルドに対して開くためダイシングを使用
することが省ける。この同じ手法を同時に使って、内部
隔室の凹部56とマニホルドの凹部45との間に通路が
開かれる。
分拡大平面図であり、点線は等方性エツチングと2回目
の異方性エツチングを示す。等方性エツチング液は全表
面領域を腐食させるが、図はチャンネル凹部54の内側
側壁とピット55を含む領域のみを示す。異方性エツチ
ング用のマスクを形成しかつ接着剤塗付用のランド48
の役目を果す窒化シリコン層41は、マニホルド凹部4
5に隣接しているチャンネル凹部の端の所が非常に狭い
。この距離は“X”で表示されており、一般に、0.2
〜1.0ミル(5〜25ミクロン)の範囲内にある。最
終的にノズルとなる他端における距離“Y”は、距離“
X”の少なくとも2倍である。したがって、等方性エツ
チングは、チャンネルの内端で窒化シリコン層を除去し
てアンダカットするけれども、よ゛り広い他端ではアン
ダカ、7トできない。チャンネルの拡張と短縮とをあら
かじめ見越した上で、等方性エツチング次に異方性エツ
チングを行なってチャンネルをマニホルドに対し開く方
法を使用すれば、一部の他の工程、たとえばチャンネル
の内端をマニホルドに対して開くためダイシングを使用
することが省ける。この同じ手法を同時に使って、内部
隔室の凹部56とマニホルドの凹部45との間に通路が
開かれる。
すなわち、ピット55から内部隔室の壁57までの距離
は距離“X”だけであるが、壁57の厚さは距離“Y”
であるために、各ピット55の所に通路59(点線で示
す)が形成される。同様に、第8b図を参照すると、内
部隔室の凹部56とマニホルドの凹部45との間に通路
が形成されることがわかる。好ましい実施例においては
、前に触れたように、ランド48に接着剤を塗付する前
に、窒化シリコン層41が除去される。
は距離“X”だけであるが、壁57の厚さは距離“Y”
であるために、各ピット55の所に通路59(点線で示
す)が形成される。同様に、第8b図を参照すると、内
部隔室の凹部56とマニホルドの凹部45との間に通路
が形成されることがわかる。好ましい実施例においては
、前に触れたように、ランド48に接着剤を塗付する前
に、窒化シリコン層41が除去される。
第7図かられかるように、距離“a”で示したピット5
5の各辺は、距離“b”で示したチャンネル凹部54の
幅よりかなり小さい。ここで、“b”は、常に“amの
寸法の約2倍である。ピット間の距離Z1とチャンネル
間の距AI Z 2はほぼ等しく、両者共約1ミル(2
5ミクロン)である。距離ZIと72は距離”Y”にほ
ぼ等しい、すなわち距離“X”のほぼ2倍である。窒化
シリコン層41が除去される好ましい実施例とは異なる
が、ウェーハ44上の窒化シリコン層41を接着表面に
してもよい、その場合には、接着剤が溝54や他の凹部
に流入したり、拡がらないような仕方で、接着剤たとえ
ば熱可塑性エポキシ膜が接着表面に塗付される。ウェー
ハ36とウェーハ39は、整合孔40と整合マーク38
を介して、たとえば真空チャック式整合装置で整合され
る。
5の各辺は、距離“b”で示したチャンネル凹部54の
幅よりかなり小さい。ここで、“b”は、常に“amの
寸法の約2倍である。ピット間の距離Z1とチャンネル
間の距AI Z 2はほぼ等しく、両者共約1ミル(2
5ミクロン)である。距離ZIと72は距離”Y”にほ
ぼ等しい、すなわち距離“X”のほぼ2倍である。窒化
シリコン層41が除去される好ましい実施例とは異なる
が、ウェーハ44上の窒化シリコン層41を接着表面に
してもよい、その場合には、接着剤が溝54や他の凹部
に流入したり、拡がらないような仕方で、接着剤たとえ
ば熱可塑性エポキシ膜が接着表面に塗付される。ウェー
ハ36とウェーハ39は、整合孔40と整合マーク38
を介して、たとえば真空チャック式整合装置で整合され
る。
両ウェーハは正確に合わされ、接着剤の部分硬化により
粘着される。上述の代りに、上述36.39に精密にダ
イスした縁を付け、そのあと手動または自動的に精密治
具の中で整合してもよい。
粘着される。上述の代りに、上述36.39に精密にダ
イスした縁を付け、そのあと手動または自動的に精密治
具の中で整合してもよい。
どちらの整合方法であっても、各溝54は、チャンネル
牟反の端面29にあるノズルすなわちオリフィスから所
定の距離の所に発熱要素をもつように、自動的に配置さ
れる(第2図参照)。2枚のウェーハは炉または貼合せ
機の中で硬化され、永久的に接合され、そのあと、第1
0図に示すように、チャンネル板ウェーハ39がフライ
ス削りされ、発熱要素板ウェーハ39の上にマニホルド
とインク・チャンネルを有する個々の上部基板が形成さ
れる。このとき、ノズルのない3つの側面を取り囲む露
出した印字ヘッドの電極端子32を削らないように注意
が払われるが、スペース凹部46と細長い溝53は、上
部基板と印字ヘッドの電極33や端子32.37との間
にすきまを与えるので、それらの損傷を防止する上で非
常に役立っている。
牟反の端面29にあるノズルすなわちオリフィスから所
定の距離の所に発熱要素をもつように、自動的に配置さ
れる(第2図参照)。2枚のウェーハは炉または貼合せ
機の中で硬化され、永久的に接合され、そのあと、第1
0図に示すように、チャンネル板ウェーハ39がフライ
ス削りされ、発熱要素板ウェーハ39の上にマニホルド
とインク・チャンネルを有する個々の上部基板が形成さ
れる。このとき、ノズルのない3つの側面を取り囲む露
出した印字ヘッドの電極端子32を削らないように注意
が払われるが、スペース凹部46と細長い溝53は、上
部基板と印字ヘッドの電極33や端子32.37との間
にすきまを与えるので、それらの損傷を防止する上で非
常に役立っている。
次に、ウェファ36がさいの目に切られ、複数の独立し
た印字ヘッドに切り分けられる。印字ヘッドを娘基板に
接着したあと、娘基板の電極に印字ヘッドの電極端子が
ワイヤボンディングされる。
た印字ヘッドに切り分けられる。印字ヘッドを娘基板に
接着したあと、娘基板の電極に印字ヘッドの電極端子が
ワイヤボンディングされる。
チャンネルの外側側面に対する切削は、個々の印字ヘッ
ドをさいの目に切り分ける工程のとき実行され、したが
って、この時点で、チャンネルが開かれ、第2図および
第11図に示すように、チャンネル板(上部基板)31
の端面29にノズル27が形成される。第11図は、見
易いように発熱要素板(下部基板)28を除いた状態で
、■形インク・チャンネル54を示す。
ドをさいの目に切り分ける工程のとき実行され、したが
って、この時点で、チャンネルが開かれ、第2図および
第11図に示すように、チャンネル板(上部基板)31
の端面29にノズル27が形成される。第11図は、見
易いように発熱要素板(下部基板)28を除いた状態で
、■形インク・チャンネル54を示す。
第9図は、別の実施例を示す。図中、同じ構成部品は同
じ参照番号で表示しである。図を見ると、内部隔室の周
囲長さを大きく伸ばし、したがってピット55の数を増
して内部隔室56とそれを取り囲んでいるマニホルド4
5との間の通路59の数を大きく増すために、内部隔室
56を形作っている壁57は、曲がりくねった構造を有
していることがわかる。各通路59(図示せず)の大き
さは、常に各チャンネル54より小さい。しかし、印字
ヘッドの正常な動作のためには、通路の全流れ断面積は
インク・チャンネルの全流れ断面積よりも大きくなけれ
ばならない。もしそうでないと、特に、多数のノズルが
同時に滴を噴射している場合には、インクの補給が妨げ
られよう。始めに窒化シリコン層をアンダカットする等
方性エツチングにおいて、次にそれをほぼ完全に除去す
る異方性エッチング工程によって腐食される一部の延長
部57aは、当初の異方性エツチング工程後に現われる
チャンネルを示すために点線で示しである。
じ参照番号で表示しである。図を見ると、内部隔室の周
囲長さを大きく伸ばし、したがってピット55の数を増
して内部隔室56とそれを取り囲んでいるマニホルド4
5との間の通路59の数を大きく増すために、内部隔室
56を形作っている壁57は、曲がりくねった構造を有
していることがわかる。各通路59(図示せず)の大き
さは、常に各チャンネル54より小さい。しかし、印字
ヘッドの正常な動作のためには、通路の全流れ断面積は
インク・チャンネルの全流れ断面積よりも大きくなけれ
ばならない。もしそうでないと、特に、多数のノズルが
同時に滴を噴射している場合には、インクの補給が妨げ
られよう。始めに窒化シリコン層をアンダカットする等
方性エツチングにおいて、次にそれをほぼ完全に除去す
る異方性エッチング工程によって腐食される一部の延長
部57aは、当初の異方性エツチング工程後に現われる
チャンネルを示すために点線で示しである。
上に述べたように、本発明の印字ヘッドの形態は、ノズ
ルのすぐ近くに、印字ヘッドと一体構造の濾過装置を備
えており、濾過装置のために特別のハウジングやシーリ
ングは不要であり、その上、異方性エツチングと等方性
エツチングによって、インク・チャンネルとマニホルド
を形成すに同一工程でフィルタも形成されるから、通常
の印字ヘッド製造コストに追加されるフィルタ製造コス
トは無視することができる。唯一の特別な努力は、マニ
ホルドとチャンネルのマスクにフィルタ構造を含めるこ
とである。さらに、1枚のシリコン・ウェーハに多数の
フィルタ内蔵チャンネル板31を、少なくとも1ウェー
ハにつき180個のチャンネル板31を作ることが可能
である。25ウェーハのバッチを同時に処理することが
可能であるから、1バツチにつき、4500個の上部基
板すなわちチャンネル板を製造することが可能である。
ルのすぐ近くに、印字ヘッドと一体構造の濾過装置を備
えており、濾過装置のために特別のハウジングやシーリ
ングは不要であり、その上、異方性エツチングと等方性
エツチングによって、インク・チャンネルとマニホルド
を形成すに同一工程でフィルタも形成されるから、通常
の印字ヘッド製造コストに追加されるフィルタ製造コス
トは無視することができる。唯一の特別な努力は、マニ
ホルドとチャンネルのマスクにフィルタ構造を含めるこ
とである。さらに、1枚のシリコン・ウェーハに多数の
フィルタ内蔵チャンネル板31を、少なくとも1ウェー
ハにつき180個のチャンネル板31を作ることが可能
である。25ウェーハのバッチを同時に処理することが
可能であるから、1バツチにつき、4500個の上部基
板すなわちチャンネル板を製造することが可能である。
(発明の効果)
要約すると、一端に滴噴射ノズルを有する毛管作用イン
ク・チャンネルよりも常に断面積が小さい複数の通路を
有する内部隔室も各マニホルドに組み入れることによっ
て、はとんどコストを増すことなく、内部隔室装置を備
えた多数の印字ヘッドを製造することができる。したが
って、チャンネルを通過する前のインク内の全ての汚染
粒子は、内部隔室とそれを取囲んでいるマニホルドとを
連絡している通路によって事前に濾過される。すなわち
阻止される。これは、インクが最初に内部隔室に流入し
、次に通路を通ってマニホルドへ、最後にチャンネルに
入るようになっているためであり、さらに重要なことと
して、通路が常にチャンネルよりも細いためである。通
路の多少の詰りは、インクジェット印字の品質に影響し
ないが、印字ヘッドのチャンネルの詰りははっきり印字
の品質に影なする。
ク・チャンネルよりも常に断面積が小さい複数の通路を
有する内部隔室も各マニホルドに組み入れることによっ
て、はとんどコストを増すことなく、内部隔室装置を備
えた多数の印字ヘッドを製造することができる。したが
って、チャンネルを通過する前のインク内の全ての汚染
粒子は、内部隔室とそれを取囲んでいるマニホルドとを
連絡している通路によって事前に濾過される。すなわち
阻止される。これは、インクが最初に内部隔室に流入し
、次に通路を通ってマニホルドへ、最後にチャンネルに
入るようになっているためであり、さらに重要なことと
して、通路が常にチャンネルよりも細いためである。通
路の多少の詰りは、インクジェット印字の品質に影響し
ないが、印字ヘッドのチャンネルの詰りははっきり印字
の品質に影なする。
以上の説明から多くの修正や変更をだれでも思い浮べる
であろうが、そのような修正や変更は、すべて本発明の
範囲に含まれるべきものと考える。
であろうが、そのような修正や変更は、すべて本発明の
範囲に含まれるべきものと考える。
第1図は本発明を組み入れたキャリッジ形サーマル・イ
ンクジェット式印字装置の斜視図、第2図はインク滴噴
射ノズルが図示されている娘基板に取り付けられた印字
ヘッドの部分拡大斜視図、 第3図は複数の発熱要素アレイと関連アドレス電極を有
するウェーハの略平面図と、拡大図示された発熱要素ア
レイと拡大図示された整合マーク、第4図は複数のイン
クマニホルド凹部を有し、各マニホルドが同時に異方性
エツチングされたチャンネル・アレイと濾過壁とをもつ
ウェーハの略平面図と、拡大図示されたマニホルド凹部
と拡大図示された整合孔、 第5図はチャンネル壁と濾過壁を示す、第4図の線5−
5に沿ったウェーハの拡大断面図、第6図は第4図の円
6−6で囲まれたウェーハの一部の拡大図、 第7図は異方性エツチングで形成された(次の等方性エ
ツチングされる部分は点線で示す)チャンネルと濾過ピ
ットの部分拡大平面図、第8a図は第7図のb’A8a
−8aに沿って見た濾過壁の部分断面図、 第8b図は等方性エツチングされた保護窒化シリコン層
のアンダカットを示す、第6図の線8b−8bに沿って
見た濾過壁の部分断面図、第9図は第4図の拡大ウェー
ハ部分の別の実施例の拡大平面図、 第10図はウェーハを多数の独立した印字ヘッドに切り
分ける前に、印字ヘッドの電極端子を露頭させるため不
要なチャンネルウェーハ材料を除去したあとの、発熱要
素板ウェーハに接着されたチャンネル・マニホルド板ウ
ェーハの拡大斜視図、および 第11図は第2図の印字ヘッドのエツチングされた1組
のチャンネルの部分斜視図(チャンネルをフライス削り
で開いてノズルを形成したあとのチャンネルを見易くす
るため、発熱要素を取り除いである)である。 10・・・キャリッジ形多色サーマルインクジェット式
印字装置、 11・・・印字ヘッド、12・・・イン
ク供給キャリッジ、 13・・・移動方向、14・・
・キャリッジ組立、 15・・・案内レール、16・
・・記録媒体、 17・・・移動方向、18・・・イン
ク滴、 19・・・娘基板(電極基板)、20・・・下
部、 21・・・電極端子、22・・・キャリッジ底面
、 23・・・アドレス電極、24・・・側面、 2
5・・・インク充てん孔、27・・・ノズル、 28・
・・下部基板(発熱要素板)、29・・・端面、 30
・・・表面、 31・・・上部基板(チャンネル板)、 32・・・
端子、33・・・アドレス電極、 34・・・発熱要
素、35・・・共通帰線、 36・・・(100)シリコン・ウェーハ、37・・・
共通帰線端、 38・・・整合マーク、39・・・(
100)シリコン・ウェーハ、40・・・整合孔、 4
1・・・窒化シリコン層、42・・・ウェーハ面、
44・・・ウェーハ面、45・・・長方形凹部、 46
・・・スペーサ凹部、49.50.50a・・・不要の
ウェファ材料を除去するフライス削りの境界線、 51.52・・・マニホルド凹部壁、
ンクジェット式印字装置の斜視図、第2図はインク滴噴
射ノズルが図示されている娘基板に取り付けられた印字
ヘッドの部分拡大斜視図、 第3図は複数の発熱要素アレイと関連アドレス電極を有
するウェーハの略平面図と、拡大図示された発熱要素ア
レイと拡大図示された整合マーク、第4図は複数のイン
クマニホルド凹部を有し、各マニホルドが同時に異方性
エツチングされたチャンネル・アレイと濾過壁とをもつ
ウェーハの略平面図と、拡大図示されたマニホルド凹部
と拡大図示された整合孔、 第5図はチャンネル壁と濾過壁を示す、第4図の線5−
5に沿ったウェーハの拡大断面図、第6図は第4図の円
6−6で囲まれたウェーハの一部の拡大図、 第7図は異方性エツチングで形成された(次の等方性エ
ツチングされる部分は点線で示す)チャンネルと濾過ピ
ットの部分拡大平面図、第8a図は第7図のb’A8a
−8aに沿って見た濾過壁の部分断面図、 第8b図は等方性エツチングされた保護窒化シリコン層
のアンダカットを示す、第6図の線8b−8bに沿って
見た濾過壁の部分断面図、第9図は第4図の拡大ウェー
ハ部分の別の実施例の拡大平面図、 第10図はウェーハを多数の独立した印字ヘッドに切り
分ける前に、印字ヘッドの電極端子を露頭させるため不
要なチャンネルウェーハ材料を除去したあとの、発熱要
素板ウェーハに接着されたチャンネル・マニホルド板ウ
ェーハの拡大斜視図、および 第11図は第2図の印字ヘッドのエツチングされた1組
のチャンネルの部分斜視図(チャンネルをフライス削り
で開いてノズルを形成したあとのチャンネルを見易くす
るため、発熱要素を取り除いである)である。 10・・・キャリッジ形多色サーマルインクジェット式
印字装置、 11・・・印字ヘッド、12・・・イン
ク供給キャリッジ、 13・・・移動方向、14・・
・キャリッジ組立、 15・・・案内レール、16・
・・記録媒体、 17・・・移動方向、18・・・イン
ク滴、 19・・・娘基板(電極基板)、20・・・下
部、 21・・・電極端子、22・・・キャリッジ底面
、 23・・・アドレス電極、24・・・側面、 2
5・・・インク充てん孔、27・・・ノズル、 28・
・・下部基板(発熱要素板)、29・・・端面、 30
・・・表面、 31・・・上部基板(チャンネル板)、 32・・・
端子、33・・・アドレス電極、 34・・・発熱要
素、35・・・共通帰線、 36・・・(100)シリコン・ウェーハ、37・・・
共通帰線端、 38・・・整合マーク、39・・・(
100)シリコン・ウェーハ、40・・・整合孔、 4
1・・・窒化シリコン層、42・・・ウェーハ面、
44・・・ウェーハ面、45・・・長方形凹部、 46
・・・スペーサ凹部、49.50.50a・・・不要の
ウェファ材料を除去するフライス削りの境界線、 51.52・・・マニホルド凹部壁、
Claims (13)
- (1)毛管作用で充てんされる複数のインク・チャンネ
ルを有し、その各インク・チャンネルは一端がノズルで
終っており、ノズルは同一面内に並んでおり、各インク
・チャンネルの他端はインクの入ったマニホルドと通じ
ており、そのマニホルドは入口を通じてインク供給源に
密封して接続されており、各インク・チャンネルはノズ
ルから所定の距離に個別にアドレス可能な発熱要素を有
している形式のサーマル・インクジェット式印字ヘッド
であって、印字ヘッドのマニホルドの中に粒子フィルタ
が配置されていることを特徴とする前記の印字ヘッド。 - (2)前記粒子フィルタは前記マニホルドの入口を取り
囲み前記マニホルドの中に内部隔室を形成しているので
、粒子フィルタを隔ててマニホルド入口の反対側のマニ
ホルドには、インク・チャンネルを詰らせることのない
濾過されたインクが入ることを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載の印字ヘッド。 - (3)前記粒子フィルタの濾過通路は、個々には各イン
ク・チャンネルより小さいけれども、粒子フィルタにお
ける過大の圧力低下を防止し、かつマニホルドの再充て
ん時間をできるだけ短かくするために、濾過通路の合計
流れ断面積はチャンネルすなわちノズルの合計流れ断面
積よりも大きいことを特徴とする特許請求の範囲第2項
記載の印字ヘッド。 - (4)(a)第1及び第2基板、 (b)各発熱要素が独立したアドレス電極を有し、発熱
要素とアドレス電極がパッシベーション層で被覆されて
おり、複数の発熱要素の直線アレイが設けられた前記第
1基板の一方の表面、 (c)一端が前記第2基板の端面に対し開き他端が共通
マニホルド凹部と通じている平行なチャンネル凹部の直
線アレイ、マニホルド凹部の内側の周囲壁によって形成
されマニホルド凹部によって取り囲まれた内部隔室凹部
、および前記内部隔室壁に対し垂直に形成され前記内部
隔室と前記マニホルドとを連絡する複数の通路凹部を含
む凹部パターンが設けられた前記第2基板の一方の表面
、 (d)前記第2基板を貫通し、一端が前記内部隔室凹部
の中にあるインク充てん孔、 (e)各インク・チャンネルの滴噴射ノズルの役目をす
るチャンネル開端から所定の距離に1個の発熱要素が配
置されるように、凹部を有する前記第2基板の表面に整
合され、接着される、発熱要素とアドレス電極を有する
前記第1基板の表面、 (f)インクが充てん孔を通って内部隔室に入り通路を
通ってマニホルドに入りマニホルドからインク・チャン
ネルを満たして各ノズルでメニスカスを形成するように
、インクを所定の圧力で充てん孔へ供給する手段、 (g)前記通路の合計流れ断面積がインク・チャンネル
の合計流れ断面積より大きいが、各通路の流れ断面積が
各インク・チャンネルの流れ断面積より小さいために、
前記通路を通るときに濾過されるインク、および (h)パッシベーション処理された発熱要素に接触して
いるインクを瞬時に沸騰させ、選ばれた発熱要素のある
ノズルからインク滴を噴射させる気泡を発生させるため
、アドレス電極にデジタル・データ信号を表わす電極パ
ルスを選択的に加える手段、から成ることを特徴とする
インクジェット式印字ヘッド。 - (5)一端にノズルを有し、他端にインクの入ったマニ
ホルドに通じている入口を有する複数のインク・チャン
ネルおよびインク・チャンネル入口のすぐ近くに一体構
造の粒子フィルタとを有するサーマルインクジェット式
印字ヘッドを製造する方法であって、 (a)第1{100}シリコン基板に写真印刷でマスク
層のパターンを作り、所定の形状を有する複数の開孔を
形成すること、 (b)フィルタ内にある外隅を寸法的に制御するため、
前記第1シリコン基板を連続的に異方性エッチング、等
方性エッチング、そして異方性エッチングして、少なく
ともマニホルドと、マニホルド内の一体構造の粒子フィ
ルタとを同時にエッチングすること、 (c)一端がマニホルドに対し開き、他端が第1基板の
縁面に抜けている、等間隔に配置された平行溝の直線ア
レイを第1基板に形成すること、 (d)第2シリコン基板の絶縁性表面に発熱要素として
使用する抵抗体の等間隔直列アレイを、発熱要素間の距
離が第1基板の溝間の距離と同じであるように形成し、
同じ第2基板の表面に、電流パルスで各発熱要素を選択
的にアドレスすることを可能にする電極パターンを形成
すること、 (e)マニホルドと粒子フィルタと溝を有する第1基板
の表面と発熱要素と電極を有する第2基板の表面とが向
か合うようにし、粒子フィルタと共にマニホルドが包囲
され、かつ発熱要素が各溝内の、マニホルドから所定の
距離に、つまり第1基板の縁面に抜けている溝端から所
定の距離に置かれるようにし、2枚の基板が溝からイン
ク・チャンネルを形成し、第1基板の縁面に抜けている
溝からノズルを形成するように、第1基板と第2基板と
を整合し、互いに接着すること、 の諸工程から成ることを特徴とする前記の方法。 - (6)前記溝はダイシングによって作られることを特徴
とする特許請求の範囲第5項記載の方法。 - (7)前記工程(c)の溝は、溝が第1基板のマニホル
ドまたは縁面に抜けていないことを除き、エッチング工
程(b)のときマニホルドや粒子フィルタと共に同時に
形成され、(すなわち、工程(b)と(c)が一緒に行
なわれる)、さらに、溝に直角な1回のダイシング・カ
ットによって、接合された第1基板と第2基板の両方の
一部分をマニホルドから所定の距離で切除して、ノズル
を形成する工程(f)を含んでいることを特徴とする特
許請求の範囲第5項記載の方法。 - (8)インクジェット式印字装置に使用される、一体構
造の濾過手段を有する印字ヘッドを製造する方法であっ
て、 (a)第1および第2平行表面を有する第1シリコン基
板と、{100}面である第1および第2平行表面を有
する第2シリコン基板を洗浄すること、 (b)第1基板の少なくとも第1表面に絶縁材料層を形
成し、第2基板の両表面に、第2基板の表面に対し良好
な接着性を有し異方性エッチングによる腐食に対し抵抗
性を有するマスク材料層を形成すること、 (c)第1基板の第1表面に発熱要素として使用する、
等間隔に配置された抵抗体の直線アレイを形成し、次に
同じ基板表面に電流パルスによる各発熱要素の個別アド
レス指定を可能にする電極パターンを形成すること、 (d)第2基板の第2表面上に写真印刷でマスク層のパ
ターンを作り、印字ヘッドの充てん孔として使用される
場所に所定のサイズの開孔を形成すること、 (e)第2基板の第2表面を異方性エッチングして第2
基板の厚さより浅い、{111}面の側壁で仕切られた
充てん孔凹部を形成すること、 (f)第2基板の第1表面に写真印刷でマスク層のパタ
ーンを作り、選択された場所に複数の開孔を形成するこ
と、(ここで、各開孔の形状は第2基板の第1表面の露
出した部分の異方性エッチングに対しあらかじめ定めら
れており、前記複数の開孔にはマニホルド用の開孔、イ
ンク・チャンネル用の所定の数の細長い平行な開孔、マ
ニホルド用の開孔の内側にあって全体に取り囲まれた内
部隔室を作るとき使用すに壁パターンの輪郭を定める1
組の開孔が含まれており、内部隔室の壁パターンにはそ
の上面に多数のピットをエッチングするとき使われる小
さな開孔が含まれており、細長い平行な開孔はマニホル
ド用の開孔の一辺に対し垂直でそこから所定の距離に配
置されており、マニホルド用開孔からチャンネル用開孔
の一端までの距離は第2基板の1つの縁からチャンネル
用開孔の他端までの距離より短かく、マニホルド用開孔
および内部隔室用開孔からピット用開孔までの距離はチ
ャンネル用開孔からマニホルド用開孔までの距離にほぼ
等しく、ピット用開孔の幅はチャンネル用開孔の幅より
狭い)、 (g)第2基板の第1表面を所定の時間異方性エッチン
グし、開孔パターンに従って凹部を形成すること(ここ
で、各凹部は{111}面の側壁で仕切られており、エ
ッチング時間はマニホルド凹部と内部隔室凹部の深部と
充てん孔凹部の深部とが交差してそれらの間に連絡路が
生じる十分な時間である。)、 (h)チャンネル凹部とマニホルド凹部の間、およびピ
ット凹部と内部隔室の対向する側壁との間のマスク層を
完全にアンダカットできる十分な時間第2基板を等方性
エッチングすること、 (i)第2基板を洗浄して等方性エッチング処理を停止
させること、 (j)チャンネル凹部をマニホルド凹部に対して開き、
かつ内部隔室とそれを取り囲むマニホルド間のアンダカ
ットされたピット凹部の所に通路を形成するため、所定
の時間、第2基板を再度異方性エッチングすること、 (k)接着剤がどれかの凹部に流入しないように注意し
て、第2基板の第1表面上のマスク層に接着剤を塗付す
ること、 (l)第1基板と第2基板の各々の第1表面を対向させ
、整合し、接触させて、各発熱要素を各チャンネル凹部
の中に入れること、 (m)接着剤を硬化させ、第1基板と第2基板とを接合
し、印字ヘッドを形成すること、 (n)チャンネルに垂直な面内でダイシングしてチャン
ネルを開くこと、(これにより、開端はその上流の所定
の位置に発熱要素が配置された状態でノズルの役目をし
、充てん孔から内部隔室に入ったインクは内部隔室とマ
ニホルド間の通路を通り、ここで通路の流れ断面積がチ
ャンネルのそれより狭いために濾過が行なわれ、マニホ
ルドからチャンネルへ濾過されたインクが供給される。 )、 の諸工程から成ることを特徴とする前記の方法。 - (9)さらに、接着剤塗付工程(k)に先立って第2基
板の第1表面から絶縁層を除去する工程を含んでいるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第8項記載の方法。 - (10)細長いチャンネルのパターン形成とエッチング
が省略され、代りに、接着剤塗付工程(k)に先立って
ダイシングによりチャンネルが形成され、次に工程(h
)のダイシングによってチャンネルに垂直な面内に、適
当な方向を有し発熱要素から正しい間隔をおいてノズル
が形成されることを特徴とする特許請求の範囲第8項記
載の方法。 - (11)第1および第2平行表面を有する第1シリコン
・ウェーハおよび{100}面である第1および第2平
行表面を有する第2シリコン・ウェーハから複数のサー
マル・インクジェット式印字ヘッドを製造する方法であ
って、 (a)第1ウェーハの少なくとも第1表面に絶縁材料層
を形成し、第2ウェーハの両表面にマスキング材料層を
形成すること、 (b)第1ウェーハの第1表面に発熱要素として使用す
る等間隔に配置された抵抗体の直線アレイを形成し、次
に同一ウェーハ表面に電流パルスによる各発熱要素の個
別アドレス指定を可能にする複数の電極パターンを形成
し、少なくとも2つの整合マークを所定の場所に形成す
ること、 (c)第2ウェーハの第2(100)表面に、写真印刷
でマスク層のパターンを作り、各印字ヘッドの充てん孔
として使用される複数の所定サイズの開孔を所定場所に
形成し、かつ第2ウェーハを第1ウェーハ上の整合マー
クに整合するとき使用する少なくとも2個の所定サイズ
の整合孔を所定場所に形成すること、(d)第2ウェー
ハの第2表面を異方性エッチングして、第2ウェーハの
厚さ以下の深さをもつ複数の充てん孔凹部を形成し、前
記第2ウェーハを貫通する少なくとも2個の整合孔を形
成すること、 (e)第2ウェーハの第1表面に写真印刷でマスク層の
パターンを作り、複数組の開孔を形成すること(ここで
、各組の各開孔の形状と場所は、第2ウェーハの第1表
面の露出した部分の異方性エッチングのための開孔パタ
ーンに外隅が含まれていないように計画されており、前
記各組の開孔には、マニホルド凹部用の開孔、所定の数
のインク・チャンネル凹部用の細長い平行な開孔、1個
の印字ヘッドの一部を形成するウェーハの表面の各部分
の輪郭を定め、取り囲んでいる4個の仕切り凹部、およ
び前記マニホルド凹部の内側にあって全体に取り囲まれ
た内部隔室を形成するときに使用される壁パターンの輪
郭を定めている1組の開孔が含まれており、内部隔室用
の壁パターンには、その上面に複数のピットを作るとき
に使用される複数の小さい開孔が含まれており、細長い
チャンネル用開孔はマニホルド用開孔の一辺に対し垂直
にかつそこから所定の距離をおいて配置されており、マ
ニホルド用開孔からチャンネル用開孔の一端までの距離
は仕切り凹部の1つからチャンネル開孔の他端までの距
離より短かく、そしてマニホルド用開孔および内部隔室
用開孔からピット用開孔までの距離はチャンネル用開孔
からマニホルド用開孔までの距離にほぼ等しく、ピット
用開孔の幅はチャンネル用開孔の幅より狭い。)、 (f)第2ウェーハの第1表面を所定の時間異方性エッ
チングして、前記開孔パターンに従って凹部を形成する
こと(ここで、各凹部は {111}面の側壁によって仕切られ、エッチング時間
は内部隔室凹部の深部が充てん孔凹部の深部を交差して
両者の間に連絡通路が開かれる十分な時間である)、 (g)第2ウェーハの第1表面を十分な時間等方性エッ
チングして、チャンネル凹部とマニホルド凹部の間およ
びピット凹部と内部隔室の対向する側壁との間のマスク
層を完全にアンダカットすること、 (h)第2ウェーハを洗浄して等方性エッチング処理を
停止させること、 (i)再び第2ウェーハの第1表面を所定の時間異方性
エッチングして、チャンネル凹部をマニホルド凹部へ開
き、かつ内部隔室とそれを取り囲むマニホルドとの間の
アンダカットされたピット凹部の所に通路を形成するこ
と、(j)接着剤がどれかの凹部に流入しないように注
意して、第2ウェーハの第1表面上のマスク層に接着剤
を塗付すること、 (k)発熱要素が各チャンネル凹部内にマニホルドから
所定の距離の所に配置されるように、整合マークと整合
孔を使って第1ウェーハと第2ウェーハを整合し、両者
の第1表面を向い合わせ、互いに接触させること、 (l)接着剤を硬化させ、第1ウェーハと第2ウェーハ
を接合し、複数の印字ヘッドを形成すること、 (m)第1ウェーハには及ばないダイシング工程によっ
て、4つの仕切り凹部付近の第2ウェーハの不要部分を
除去すること、 (n)第1ウェーハをダイシングして複数の独立した印
字ヘッドに切り分けること(ここで、第1ウェーハおよ
び第2ウェーハの縁面を含み、チャンネルに垂直な平面
に沿った方向のダイシングによってマニホルドの反対側
のチャンネルの端が一斉に開かれてインク噴射ノズルが
形成され、発熱要素はノズルから所定の距離にあり、充
てん孔から内部隔室に入り、内部隔室とマニホルド間の
壁内の通路を通ったあとチャンネルに入るインクは、各
通路の流れ断面積がチャンネルのそれより小さいために
濾過される)、 の諸工程から成ることを特徴とする前記の方法。 - (12)さらに、接着剤を塗付する前記工程(j)の前
に、第2ウェーハの第1表面上のマスク層を除去する工
程を含んでいることを特徴とする特許請求の範囲第11
項記載の方法。 - (13)前記工程(e)は、工程(f)の最初の異方性
エッチングにおいてすべての外隅がないようにするため
、内部隔室とマニホルドとを連絡する比較的薄い帯状マ
スクの輪郭を定める開孔を含んでおり、前記工程(f)
において比較的薄い連絡壁が形成され、前記連絡壁は、
内部隔室の周囲のマニホルド内のインクの流れが防げら
れないように、工程(g)で除去されることを特徴とす
る特許請求の範囲第11項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/781,554 US4639748A (en) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | Ink jet printhead with integral ink filter |
| US781554 | 1985-09-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6280054A true JPS6280054A (ja) | 1987-04-13 |
| JPH078570B2 JPH078570B2 (ja) | 1995-02-01 |
Family
ID=25123116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61212529A Expired - Fee Related JPH078570B2 (ja) | 1985-09-30 | 1986-09-09 | インクジェット式印字ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4639748A (ja) |
| JP (1) | JPH078570B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02164549A (ja) * | 1988-09-22 | 1990-06-25 | Xerox Corp | フィルター付き流体処理装置およびその製造方法 |
| JPH02184451A (ja) * | 1988-11-25 | 1990-07-18 | Xerox Corp | 熱インクジェットプリントヘッドを形成する方法 |
| JP2005177752A (ja) * | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Xerox Corp | 内部流体フィルタ |
Families Citing this family (71)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USRE32572E (en) * | 1985-04-03 | 1988-01-05 | Xerox Corporation | Thermal ink jet printhead and process therefor |
| US4774530A (en) * | 1987-11-02 | 1988-09-27 | Xerox Corporation | Ink jet printhead |
| US4786357A (en) * | 1987-11-27 | 1988-11-22 | Xerox Corporation | Thermal ink jet printhead and fabrication method therefor |
| US4829324A (en) * | 1987-12-23 | 1989-05-09 | Xerox Corporation | Large array thermal ink jet printhead |
| USH597H (en) | 1988-03-31 | 1989-03-07 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Method of etching zirconium diboride |
| US4863560A (en) * | 1988-08-22 | 1989-09-05 | Xerox Corp | Fabrication of silicon structures by single side, multiple step etching process |
| US4875968A (en) * | 1989-02-02 | 1989-10-24 | Xerox Corporation | Method of fabricating ink jet printheads |
| DE59009749D1 (de) * | 1990-07-24 | 1995-11-09 | Eastman Kodak Co | Anordnung für die Tintenzuführung in einen Tintenschreibkopf. |
| US5124717A (en) * | 1990-12-06 | 1992-06-23 | Xerox Corporation | Ink jet printhead having integral filter |
| EP0500068B1 (en) * | 1991-02-20 | 1996-10-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink jet recording head, recording apparatus using same and method for manufacturing same |
| US5204690A (en) * | 1991-07-01 | 1993-04-20 | Xerox Corporation | Ink jet printhead having intergral silicon filter |
| US5141596A (en) * | 1991-07-29 | 1992-08-25 | Xerox Corporation | Method of fabricating an ink jet printhead having integral silicon filter |
| US5154815A (en) * | 1991-10-23 | 1992-10-13 | Xerox Corporation | Method of forming integral electroplated filters on fluid handling devices such as ink jet printheads |
| US5258781A (en) * | 1992-04-08 | 1993-11-02 | Xerox Corporation | One-step encapsulation, air gap sealing and structure bonding of thermal ink jet printhead |
| US5610645A (en) * | 1993-04-30 | 1997-03-11 | Tektronix, Inc. | Ink jet head with channel filter |
| US5489930A (en) * | 1993-04-30 | 1996-02-06 | Tektronix, Inc. | Ink jet head with internal filter |
| US5463413A (en) * | 1993-06-03 | 1995-10-31 | Hewlett-Packard Company | Internal support for top-shooter thermal ink-jet printhead |
| FR2727648B1 (fr) | 1994-12-01 | 1997-01-03 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication micromecanique de buses pour jets de liquide |
| US6023091A (en) * | 1995-11-30 | 2000-02-08 | Motorola, Inc. | Semiconductor heater and method for making |
| US5847737A (en) * | 1996-06-18 | 1998-12-08 | Kaufman; Micah Abraham | Filter for ink jet printhead |
| WO1998001228A2 (en) | 1996-07-08 | 1998-01-15 | Corning Incorporated | Rayleigh-breakup atomizing devices and methods of making rayleigh-breakup atomizing devices |
| JP2000515417A (ja) | 1996-07-08 | 2000-11-21 | コーニング インコーポレイテッド | ガス補助型噴霧装置 |
| US6352209B1 (en) | 1996-07-08 | 2002-03-05 | Corning Incorporated | Gas assisted atomizing devices and methods of making gas-assisted atomizing devices |
| US5901425A (en) | 1996-08-27 | 1999-05-11 | Topaz Technologies Inc. | Inkjet print head apparatus |
| FR2761199B1 (fr) | 1997-03-21 | 1999-04-16 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation de deux cavites communicantes dans un substrat en materiau monocristallin par gravure chimique anisotrope |
| US6312085B1 (en) * | 1997-06-26 | 2001-11-06 | Pelikan Produktions Ag | Ink jet printing head with elements made of organosilicic compounds |
| US6907921B2 (en) | 1998-06-18 | 2005-06-21 | 3M Innovative Properties Company | Microchanneled active fluid heat exchanger |
| US6431695B1 (en) * | 1998-06-18 | 2002-08-13 | 3M Innovative Properties Company | Microstructure liquid dispenser |
| US6514412B1 (en) | 1998-06-18 | 2003-02-04 | 3M Innovative Properties Company | Microstructured separation device |
| US6290685B1 (en) | 1998-06-18 | 2001-09-18 | 3M Innovative Properties Company | Microchanneled active fluid transport devices |
| US6420622B1 (en) | 1997-08-01 | 2002-07-16 | 3M Innovative Properties Company | Medical article having fluid control film |
| US6375871B1 (en) | 1998-06-18 | 2002-04-23 | 3M Innovative Properties Company | Methods of manufacturing microfluidic articles |
| US6524488B1 (en) | 1998-06-18 | 2003-02-25 | 3M Innovative Properties Company | Method of filtering certain particles from a fluid using a depth loading filtration media |
| US6264309B1 (en) | 1997-12-18 | 2001-07-24 | Lexmark International, Inc. | Filter formed as part of a heater chip for removing contaminants from a fluid and a method for forming same |
| US6267251B1 (en) * | 1997-12-18 | 2001-07-31 | Lexmark International, Inc. | Filter assembly for a print cartridge container for removing contaminants from a fluid |
| US6170931B1 (en) | 1998-06-19 | 2001-01-09 | Lemark International, Inc. | Ink jet heater chip module including a nozzle plate coupling a heater chip to a carrier |
| US6449831B1 (en) | 1998-06-19 | 2002-09-17 | Lexmark International, Inc | Process for making a heater chip module |
| US6039439A (en) * | 1998-06-19 | 2000-03-21 | Lexmark International, Inc. | Ink jet heater chip module |
| US6499839B1 (en) | 1999-02-09 | 2002-12-31 | Source Technologies, Inc. | Acicular particle ink formulation for an inkjet printer system |
| US6234623B1 (en) | 1999-06-03 | 2001-05-22 | Xerox Corporation | Integral ink filter for ink jet printhead |
| US7223364B1 (en) | 1999-07-07 | 2007-05-29 | 3M Innovative Properties Company | Detection article having fluid control film |
| US6454839B1 (en) | 1999-10-19 | 2002-09-24 | 3M Innovative Properties Company | Electrofiltration apparatus |
| US6260957B1 (en) | 1999-12-20 | 2001-07-17 | Lexmark International, Inc. | Ink jet printhead with heater chip ink filter |
| US6616066B2 (en) * | 2000-01-29 | 2003-09-09 | Daimlerchrysler Ag | Injection valve |
| US6679587B2 (en) * | 2001-10-31 | 2004-01-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fluid ejection device with a composite substrate |
| US6669336B1 (en) | 2002-07-30 | 2003-12-30 | Xerox Corporation | Ink jet printhead having an integral internal filter |
| KR100446634B1 (ko) * | 2002-10-15 | 2004-09-04 | 삼성전자주식회사 | 잉크젯 프린트헤드 및 그 제조방법 |
| KR100499132B1 (ko) * | 2002-10-24 | 2005-07-04 | 삼성전자주식회사 | 잉크젯 프린트헤드 및 그 제조방법 |
| US6739693B1 (en) | 2003-01-15 | 2004-05-25 | Xerox Corporation | Systems and methods for operating fluid ejection systems using a print head preparatory firing sequence |
| US6916090B2 (en) | 2003-03-10 | 2005-07-12 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Integrated fluid ejection device and filter |
| US7101030B2 (en) * | 2003-05-21 | 2006-09-05 | Xerox Corporation | Formation of novel ink jet filter printhead using transferable photopatterned filter layer |
| US7036913B2 (en) * | 2003-05-27 | 2006-05-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Ink-jet printhead |
| US6998008B2 (en) * | 2003-07-15 | 2006-02-14 | Lexmark International, Inc. | Method and apparatus for attaching an ink jet filter to an ink cartridge |
| US7258434B2 (en) * | 2003-11-24 | 2007-08-21 | Lexmark International, Inc. | Inkjet printheads having multiple label placement positions for air diffusion vents |
| US7018032B2 (en) * | 2004-01-08 | 2006-03-28 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Internal venting structure for fluid tanks |
| US20050167043A1 (en) * | 2004-02-02 | 2005-08-04 | Xerox Corporation | Formation of photopatterned ink jet nozzle modules using photopatternable nozzle-forming bonding layer |
| US7354522B2 (en) * | 2004-08-04 | 2008-04-08 | Eastman Kodak Company | Substrate etching method for forming connected features |
| US20110205306A1 (en) * | 2010-02-25 | 2011-08-25 | Vaeth Kathleen M | Reinforced membrane filter for printhead |
| US20110204018A1 (en) * | 2010-02-25 | 2011-08-25 | Vaeth Kathleen M | Method of manufacturing filter for printhead |
| US8523327B2 (en) * | 2010-02-25 | 2013-09-03 | Eastman Kodak Company | Printhead including port after filter |
| US8534818B2 (en) | 2010-04-27 | 2013-09-17 | Eastman Kodak Company | Printhead including particulate tolerant filter |
| US8562120B2 (en) | 2010-04-27 | 2013-10-22 | Eastman Kodak Company | Continuous printhead including polymeric filter |
| US8267504B2 (en) | 2010-04-27 | 2012-09-18 | Eastman Kodak Company | Printhead including integrated stimulator/filter device |
| US8287101B2 (en) | 2010-04-27 | 2012-10-16 | Eastman Kodak Company | Printhead stimulator/filter device printing method |
| US8806751B2 (en) | 2010-04-27 | 2014-08-19 | Eastman Kodak Company | Method of manufacturing printhead including polymeric filter |
| US8919930B2 (en) | 2010-04-27 | 2014-12-30 | Eastman Kodak Company | Stimulator/filter device that spans printhead liquid chamber |
| US8277035B2 (en) | 2010-04-27 | 2012-10-02 | Eastman Kodak Company | Printhead including sectioned stimulator/filter device |
| USD660354S1 (en) * | 2010-07-16 | 2012-05-22 | Linx Printing Technologies Limited | Filter module for printing machine |
| JP5881000B2 (ja) * | 2011-09-15 | 2016-03-09 | 株式会社リコー | 液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置 |
| CN202278834U (zh) * | 2011-10-31 | 2012-06-20 | 珠海天威飞马打印耗材有限公司 | 喷墨打印机 |
| CN107192714B (zh) * | 2017-06-01 | 2020-03-27 | 首钢集团有限公司 | 一种测量浸入式水口堵塞程度的方法及系统 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5840509A (ja) * | 1981-09-03 | 1983-03-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光フアイバケ−ブル収容体 |
| JPS5919465A (ja) * | 1982-07-22 | 1984-01-31 | Canon Inc | 情報読取り装置 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4106976A (en) * | 1976-03-08 | 1978-08-15 | International Business Machines Corporation | Ink jet nozzle method of manufacture |
| US4278987A (en) * | 1977-10-17 | 1981-07-14 | Hitachi, Ltd. | Junction isolated IC with thick EPI portion having sides at least 20 degrees from (110) orientations |
| US4157935A (en) * | 1977-12-23 | 1979-06-12 | International Business Machines Corporation | Method for producing nozzle arrays for ink jet printers |
| DE2945658A1 (de) * | 1978-11-14 | 1980-05-29 | Canon Kk | Fluessigkeitsstrahl-aufzeichnungsverfahren |
| US4463359A (en) * | 1979-04-02 | 1984-07-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Droplet generating method and apparatus thereof |
| JPS567874A (en) * | 1979-06-29 | 1981-01-27 | Toyobo Co Ltd | Yarn doubling method |
| JPS5675867A (en) * | 1979-11-22 | 1981-06-23 | Seiko Epson Corp | Ink jet recorder |
| US4438191A (en) * | 1982-11-23 | 1984-03-20 | Hewlett-Packard Company | Monolithic ink jet print head |
| US4532530A (en) * | 1984-03-09 | 1985-07-30 | Xerox Corporation | Bubble jet printing device |
| US4571599A (en) * | 1984-12-03 | 1986-02-18 | Xerox Corporation | Ink cartridge for an ink jet printer |
| US4601777A (en) * | 1985-04-03 | 1986-07-22 | Xerox Corporation | Thermal ink jet printhead and process therefor |
-
1985
- 1985-09-30 US US06/781,554 patent/US4639748A/en not_active Expired - Lifetime
-
1986
- 1986-09-09 JP JP61212529A patent/JPH078570B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5840509A (ja) * | 1981-09-03 | 1983-03-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光フアイバケ−ブル収容体 |
| JPS5919465A (ja) * | 1982-07-22 | 1984-01-31 | Canon Inc | 情報読取り装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02164549A (ja) * | 1988-09-22 | 1990-06-25 | Xerox Corp | フィルター付き流体処理装置およびその製造方法 |
| JPH02184451A (ja) * | 1988-11-25 | 1990-07-18 | Xerox Corp | 熱インクジェットプリントヘッドを形成する方法 |
| JP2005177752A (ja) * | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Xerox Corp | 内部流体フィルタ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4639748A (en) | 1987-01-27 |
| JPH078570B2 (ja) | 1995-02-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6280054A (ja) | インクジェット式印字ヘッド及びその製造方法 | |
| JP3325602B2 (ja) | インクジェット式印字ヘッド | |
| US4638337A (en) | Thermal ink jet printhead | |
| US4612554A (en) | High density thermal ink jet printhead | |
| US4774530A (en) | Ink jet printhead | |
| EP0322228B1 (en) | Large array thermal ink jet printhead | |
| US5459501A (en) | Solid-state ink-jet print head | |
| US6158846A (en) | Forming refill for monolithic inkjet printhead | |
| US5041190A (en) | Method of fabricating channel plates and ink jet printheads containing channel plates | |
| JPH078569B2 (ja) | 感熱インクジエツト用印字ヘツドの製造方法 | |
| US5132707A (en) | Ink jet printhead | |
| JPH01166965A (ja) | インク・ジェット印字ヘッド製造方法 | |
| US4899178A (en) | Thermal ink jet printhead with internally fed ink reservoir | |
| US4994826A (en) | Thermal ink jet printhead with increased operating temperature and thermal efficiency | |
| JPH1058685A (ja) | シリコン内に表面配列されて形成されたチャネルを有するインクジェットプリントヘッド | |
| US4835553A (en) | Thermal ink jet printhead with increased drop generation rate | |
| CA2134385C (en) | Method and apparatus for elimination of misdirected satellite drops in thermal ink jet printhead | |
| JP2004136679A (ja) | インクジェットプリントヘッド及びその製造方法 | |
| JP3564864B2 (ja) | インクジェットヘッドの製造方法 | |
| JPH11245419A (ja) | パタ―ニング可能なインクチャネル構造を有するインクジェット・プリントヘッド及びその製造方法 | |
| KR100421027B1 (ko) | 잉크젯 프린트헤드 및 그 제조방법 | |
| JPH07205426A (ja) | インクジェットプリントヘッド及びサーマルインクジェットプリントヘッドの製造方法 | |
| JP2000355104A (ja) | 低漏出インク経路を有するインクジェット方式印刷ヘッド |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |