JPS6280268A - 微細加工用真空装置 - Google Patents
微細加工用真空装置Info
- Publication number
- JPS6280268A JPS6280268A JP22009585A JP22009585A JPS6280268A JP S6280268 A JPS6280268 A JP S6280268A JP 22009585 A JP22009585 A JP 22009585A JP 22009585 A JP22009585 A JP 22009585A JP S6280268 A JPS6280268 A JP S6280268A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum chamber
- chamber
- vacuum
- workpiece
- microfabrication
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は微細加工用真空装置に係り、特に、被処理物で
ある基板にスパッタ、あるいはイオンビーム加工などの
処理をするに好適な微細加工用真空装置に関する。
ある基板にスパッタ、あるいはイオンビーム加工などの
処理をするに好適な微細加工用真空装置に関する。
一般に、真空状態に保持された室容で、被処理物の基板
にスパッタ、あるいはイオンビーム加工などの処理を施
す装置では、処理性能を向上、あるいは安定させるため
、スパッタ、あるいはイオンビーム加工をする処理室は
、常に真空状態を保ちかつ、処理室以外に予備真空室を
設けて処理すべき基板の仕込、及び取出しを行っている
・このような装置としては、例えば特開昭59−208
836号公報に開示されているが、通常、複数の真空室
で構成され、各真空室はゲート弁で仕切られている。
にスパッタ、あるいはイオンビーム加工などの処理を施
す装置では、処理性能を向上、あるいは安定させるため
、スパッタ、あるいはイオンビーム加工をする処理室は
、常に真空状態を保ちかつ、処理室以外に予備真空室を
設けて処理すべき基板の仕込、及び取出しを行っている
・このような装置としては、例えば特開昭59−208
836号公報に開示されているが、通常、複数の真空室
で構成され、各真空室はゲート弁で仕切られている。
第7図に上記した構成の詳細を示す。該図において、2
は真空室である処理室で、この処理室2内には微細加工
を施すターゲット13とヒータ14とが対向配置されて
いると共に、このターゲット13とヒータ14との間に
基板保持板9bを移送するための搬送装置5が設置され
ている。一方、1は予備真空室である仕込室で、この仕
込室1内には搬送装置4が設置されており、処理すべき
基板を保持している基板保持板9aを搬送装置4で処理
室2へ移送するか、又は処理された基板保持板9aを処
理室2から取出すためのものである。
は真空室である処理室で、この処理室2内には微細加工
を施すターゲット13とヒータ14とが対向配置されて
いると共に、このターゲット13とヒータ14との間に
基板保持板9bを移送するための搬送装置5が設置され
ている。一方、1は予備真空室である仕込室で、この仕
込室1内には搬送装置4が設置されており、処理すべき
基板を保持している基板保持板9aを搬送装置4で処理
室2へ移送するか、又は処理された基板保持板9aを処
理室2から取出すためのものである。
そして、との仕込室1と処理室2とはゲート弁7で仕切
られている。
られている。
次に動作を詳細に説明する。まず、ゲート弁7を閉じた
状態で、処理室2を真空状態にし、仕込室1内の搬送装
@4に基板保持板9aを設置する。
状態で、処理室2を真空状態にし、仕込室1内の搬送装
@4に基板保持板9aを設置する。
仕込室1を真空状態にした後、ゲート弁7を開放し、搬
送装置4により基板保持板9aは、処理室2に移送され
、搬送装置5によって処理室2内の所定の位置に移送さ
れて基板保持板9bとなる。
送装置4により基板保持板9aは、処理室2に移送され
、搬送装置5によって処理室2内の所定の位置に移送さ
れて基板保持板9bとなる。
ここで必要な加工(スパッタ、あるいはイオンビーム加
工)処理の後、基板保持板9bは搬送装置5により仕込
室1に戻され、ゲート弁7を閉じて。
工)処理の後、基板保持板9bは搬送装置5により仕込
室1に戻され、ゲート弁7を閉じて。
装置外に取出される。この処理プロセスにより、処理室
2は常に真空状態が保持されるため、安定した加工処理
が可能になる。
2は常に真空状態が保持されるため、安定した加工処理
が可能になる。
しかし、このような従来装置では、高価なゲート弁7が
必要となる他、仕込室し、処理室2にそれぞれ搬送装置
4,5が必要であり、仕込室1から処理室2にゲート弁
7を越えて基板保持板を搬送する機構が必要である。
必要となる他、仕込室し、処理室2にそれぞれ搬送装置
4,5が必要であり、仕込室1から処理室2にゲート弁
7を越えて基板保持板を搬送する機構が必要である。
第8図に生産性を向上させるため、第7図に示した構成
に、処理された基板保持板を取出す取出し室3を仕込室
1を別に設けた例を示す。この取出し室3にも搬送装置
6があり、処理室2とはゲート弁8で仕切られている。
に、処理された基板保持板を取出す取出し室3を仕込室
1を別に設けた例を示す。この取出し室3にも搬送装置
6があり、処理室2とはゲート弁8で仕切られている。
この例では搬送装置が3組必要で、ゲート弁も2個所と
なり、構造は更に複雑となるため、上述した問題点が更
に顕著となる。
なり、構造は更に複雑となるため、上述した問題点が更
に顕著となる。
本発明は上述の点に鑑み成されたもので、その目的とす
るところは、高価なゲート弁を使用しないで、かつ、1
つの搬送装置で所定の機能が達成できる微細加工用真空
装置を提供するにある。
るところは、高価なゲート弁を使用しないで、かつ、1
つの搬送装置で所定の機能が達成できる微細加工用真空
装置を提供するにある。
本発明は被処理物を微細加工する真空室内に設置されて
いる搬送装置の上方に、微細加工する前の被処理物を仕
込むか、又は微細加工した後の被処理物を取出す予備真
空室を配置することにより、所期の目的を達成するよう
に成したものである。
いる搬送装置の上方に、微細加工する前の被処理物を仕
込むか、又は微細加工した後の被処理物を取出す予備真
空室を配置することにより、所期の目的を達成するよう
に成したものである。
以下、図面の実施例に基づいて本発明の詳細な説明する
。尚、符号は従来と同一のものは同符号を使用する。
。尚、符号は従来と同一のものは同符号を使用する。
第1図に本発明の一実施例を示す。該図の如く本実施例
では処理室2内に配置されている搬送装置5の端部上方
に仕込室1を設置し、処理室2と仕込室1とは弁体10
で仕切って構成している。
では処理室2内に配置されている搬送装置5の端部上方
に仕込室1を設置し、処理室2と仕込室1とは弁体10
で仕切って構成している。
即ち、断面長方形状の左上方部に仕込室2を形成し、こ
の仕込室2が搬送装置5の端部に位置するようにして、
仕込室2と処理室1とを弁体10で仕切っているもので
ある。そして、仕込室2内には搬送装置が設置されてい
ない。他の構成は従来のものと同様である。
の仕込室2が搬送装置5の端部に位置するようにして、
仕込室2と処理室1とを弁体10で仕切っているもので
ある。そして、仕込室2内には搬送装置が設置されてい
ない。他の構成は従来のものと同様である。
このような構成において、弁体10は、垂直方向に運動
して開閉動作を行い。弁体10が閉じた状態で処理室2
を真空状態にし、基板保持板9aを弁体10の上に設置
する。次に、仕込室1を真空状態にした後、弁体10を
下方向に運動させ、搬送装置5に基板保持板9aを移し
、搬送装置5により、基板保持板9bの状態とし、必要
な加工処理を行う、処理後、基板保持板9bを弁体10
の上に戻し、弁体10を上方に動作してシールした後、
基板保持板9aを取出す。
して開閉動作を行い。弁体10が閉じた状態で処理室2
を真空状態にし、基板保持板9aを弁体10の上に設置
する。次に、仕込室1を真空状態にした後、弁体10を
下方向に運動させ、搬送装置5に基板保持板9aを移し
、搬送装置5により、基板保持板9bの状態とし、必要
な加工処理を行う、処理後、基板保持板9bを弁体10
の上に戻し、弁体10を上方に動作してシールした後、
基板保持板9aを取出す。
第2図〜第5図に弁体10の開閉状態を示す。
第2図、及び第3図は弁体10を閉じた状態、第4図、
及び第5図は弁体10が開放した状態で、搬送装置5は
紙面に垂直な方向に基板保持板9を搬送する。基板保持
板9は、実際には第2図、及び第3図に示すように、弁
体10上の支持装置12に設置され、弁体10の開放状
態では、第4図、及び第5図に示すように、支持装@1
2が90°回転し5基板保持板9を搬送装置5に移送す
る。
及び第5図は弁体10が開放した状態で、搬送装置5は
紙面に垂直な方向に基板保持板9を搬送する。基板保持
板9は、実際には第2図、及び第3図に示すように、弁
体10上の支持装置12に設置され、弁体10の開放状
態では、第4図、及び第5図に示すように、支持装@1
2が90°回転し5基板保持板9を搬送装置5に移送す
る。
このような本実施例の構成とすることにより、高価なゲ
ート弁を使用する必要がなく、通常の弁体を用いて行え
、かつ、1組の搬送装置で所定の処理プロセスが達成で
きる。従って、経済性に優れていると共に、1つの搬送
装置でよいため、その制御が容易であり信頼性が向上す
る。
ート弁を使用する必要がなく、通常の弁体を用いて行え
、かつ、1組の搬送装置で所定の処理プロセスが達成で
きる。従って、経済性に優れていると共に、1つの搬送
装置でよいため、その制御が容易であり信頼性が向上す
る。
第6図に本発明に他の実施例を示す。該図の実施例は、
基板保持板9bの取出し室3を、仕込室1とは反対側の
搬送装置5の上方に設置しているものである。
基板保持板9bの取出し室3を、仕込室1とは反対側の
搬送装置5の上方に設置しているものである。
このように構成してもその効果は上述した実施例と同様
であり、3つの室で構成された場合には、効果はさらに
大きなものになる。
であり、3つの室で構成された場合には、効果はさらに
大きなものになる。
以上説明した本発明の微細加工用真空装置によれば、被
処理物を微細加工する真空室内に設置されている搬送装
置の上方に、微細加工する前の被処理物を仕込むか、又
は微細加工した後の被処理物を取出す予備真空室を配置
したものであるから、高価なゲート弁を使用することな
しに、かつ、1つの搬送装置で所定の機構が達成できる
ので、此種微細加用真空装置に採用する場合には非常に
有効である。
処理物を微細加工する真空室内に設置されている搬送装
置の上方に、微細加工する前の被処理物を仕込むか、又
は微細加工した後の被処理物を取出す予備真空室を配置
したものであるから、高価なゲート弁を使用することな
しに、かつ、1つの搬送装置で所定の機構が達成できる
ので、此種微細加用真空装置に採用する場合には非常に
有効である。
第1図は本発明の微細加工用真空装置の一実施例を示す
断面図、第2図は第1図に示す実施例における弁体が閉
じた状態の平面図、第3図はその断面図、第4図は第1
図に示す実施例における弁体が開放した状態の平面図、
第5図はその断面図、第6図は本発明の他の実施例を示
す断面図、第7図、及び第8図は)れぞれ従来例を示す
断面図である。 1・・・仕込室、2・・・処理室、3・・・取出し室、
4,5゜6・・・搬送装置、7,8・・・ゲート弁、9
,9a、9b・・・基板保持板、10.11・・・弁体
、12・・・支持装置、13・・・ターゲット、14・
・・モータ。
断面図、第2図は第1図に示す実施例における弁体が閉
じた状態の平面図、第3図はその断面図、第4図は第1
図に示す実施例における弁体が開放した状態の平面図、
第5図はその断面図、第6図は本発明の他の実施例を示
す断面図、第7図、及び第8図は)れぞれ従来例を示す
断面図である。 1・・・仕込室、2・・・処理室、3・・・取出し室、
4,5゜6・・・搬送装置、7,8・・・ゲート弁、9
,9a、9b・・・基板保持板、10.11・・・弁体
、12・・・支持装置、13・・・ターゲット、14・
・・モータ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、被処理物を微細加工する真空室と、該真空室と隣接
配置され、微細加工する前の前記被処理物を仕込むか、
又は微細加工した後の前記被処理物を取り出す予備真空
室と、該予備真空室から真空室への被処理物の搬送、又
は前記真空室から予備真空室への被処理物の搬送を行う
搬送装置とを備え、前記各室が所定の真空状態に保持さ
れている微細加工用真空装置において、前記真空室内の
搬送装置の上方に、前記予備真空室を配置したことを特
徴とする微細加工用真空装置。 2、前記予備真空室の底部は、該予備真空室と前記真空
室との間を真空シールし、かつ、ほぼ上下方向に動作す
る弁体で構成され、該弁体に設置された前記被処理物は
、前記弁体の開放動作による下降運動によって前記予備
真空室から前記真空室内の搬送装置に移送されるか、又
は前記弁体の閉止動作である上昇運動によって前記真空
室内の搬送装置から前記予備真空室に移送されることを
特徴とする微細加工用真空装置。 3、前記予備真空室は、微細加工する前の前記被処理物
を仕込む仕込室と微細加工した後の前記被処理物を取出
す取出し室とから成り、該仕込室と取出し室を、前記真
空室内の搬送装置へ端部上方にほぼ平行して設けたこと
を特徴とする特許請求の範囲第1項、又は第2項記載の
微細加工用真空装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22009585A JPS6280268A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 微細加工用真空装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22009585A JPS6280268A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 微細加工用真空装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6280268A true JPS6280268A (ja) | 1987-04-13 |
Family
ID=16745846
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22009585A Pending JPS6280268A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 微細加工用真空装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6280268A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0158660U (ja) * | 1987-10-05 | 1989-04-12 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61130485A (ja) * | 1984-11-28 | 1986-06-18 | Mitsubishi Electric Corp | 真空モニタ装置 |
-
1985
- 1985-10-04 JP JP22009585A patent/JPS6280268A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61130485A (ja) * | 1984-11-28 | 1986-06-18 | Mitsubishi Electric Corp | 真空モニタ装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0158660U (ja) * | 1987-10-05 | 1989-04-12 |
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