JPS6280955A - 半導体装置の内部電位波形観察装置 - Google Patents
半導体装置の内部電位波形観察装置Info
- Publication number
- JPS6280955A JPS6280955A JP60219335A JP21933585A JPS6280955A JP S6280955 A JPS6280955 A JP S6280955A JP 60219335 A JP60219335 A JP 60219335A JP 21933585 A JP21933585 A JP 21933585A JP S6280955 A JPS6280955 A JP S6280955A
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- Japan
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- semiconductor device
- internal potential
- potential waveform
- ion beam
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- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
半導体装置の内部電位波形観察装置に関するものである
。
。
第３図は従来のスト−ボスコピツク走丘型電子順微ｗ１
．（以下ストロボＳＥＭという）の−例を示す構成図で
あり、図において、１はＳＥＭきょう体、２は電子銃、
３は前Ｉ！ｃ８％子耽２より射出された一次電子ヒーム
、４は＋１＋−一次域子ヒーム３のブランキングｆｅ［
で、−次電子ビーム３ｔストロボスコピックにチ、、ブ
する。５はコンデンサレンズおよび対？１ＪＶンズ、６
は別記−次電子ビーム３の位置決めを行５ビーム偏向器
、Ｔは仮測定半導体装置、８は二次電子、Ｓは二次電子
検出器、１０は０１１記被測定半導体装置７の駆動装置
としてのテスタ、１１はストロボコントローラである。
．（以下ストロボＳＥＭという）の−例を示す構成図で
あり、図において、１はＳＥＭきょう体、２は電子銃、
３は前Ｉ！ｃ８％子耽２より射出された一次電子ヒーム
、４は＋１＋−一次域子ヒーム３のブランキングｆｅ［
で、−次電子ビーム３ｔストロボスコピックにチ、、ブ
する。５はコンデンサレンズおよび対？１ＪＶンズ、６
は別記−次電子ビーム３の位置決めを行５ビーム偏向器
、Ｔは仮測定半導体装置、８は二次電子、Ｓは二次電子
検出器、１０は０１１記被測定半導体装置７の駆動装置
としてのテスタ、１１はストロボコントローラである。
次に動作について説明する。
電子銃２から射出された一次電子ビーム３はフランキン
グ装置４によりストロホスコピツクにチ、ツブされる。
グ装置４によりストロホスコピツクにチ、ツブされる。
このチ、ツブされた一次電子ビーム３はコンデンサレン
ズおよび対物Ｖンズ５によって絞られるとともにビーム
偏向器６によって被測定半導体装［７の所定の位置に照
射される。そして、この被測定半導体装１ｔ７のこの位
置の六回電位波形は、二次電子８を二次電子検出器９に
よって構出することにより観察される。こ°のとぎ被測
足手導体＊ｍｙはテスタ１０によって駆動され、−次電
子ビーム３と同期して動作している。したかって、ちょ
うどサンプリングオシロスコープのごとく被測定半導体
装ｔ１ｔ、Ｔの任意の箇所の表ｔｈＩ電位波形が得られ
る。
ズおよび対物Ｖンズ５によって絞られるとともにビーム
偏向器６によって被測定半導体装［７の所定の位置に照
射される。そして、この被測定半導体装１ｔ７のこの位
置の六回電位波形は、二次電子８を二次電子検出器９に
よって構出することにより観察される。こ°のとぎ被測
足手導体＊ｍｙはテスタ１０によって駆動され、−次電
子ビーム３と同期して動作している。したかって、ちょ
うどサンプリングオシロスコープのごとく被測定半導体
装ｔ１ｔ、Ｔの任意の箇所の表ｔｈＩ電位波形が得られ
る。
上記のような従来のストロボＳＥＭでは、通常は弐面篭
位のみしか検出できないため、被測定半導体装１１７内
の所望の構成層の電位波形ン蜆察するためには、その上
部層を除去して構成層を露出させることが必要であった
。しかし、この除去は被測定半導体装ｍｙｖ動作状態に
おいたまま行わなければならないため困碌であるうえ、
臀に下層の電位波形観察を行うための除去は不可能に近
く、事実上被測定半導体装置７の内部電位波形の観察を
行えないという問題点があった。
位のみしか検出できないため、被測定半導体装１１７内
の所望の構成層の電位波形ン蜆察するためには、その上
部層を除去して構成層を露出させることが必要であった
。しかし、この除去は被測定半導体装ｍｙｖ動作状態に
おいたまま行わなければならないため困碌であるうえ、
臀に下層の電位波形観察を行うための除去は不可能に近
く、事実上被測定半導体装置７の内部電位波形の観察を
行えないという問題点があった。
この発明は、かかる問題点を解決するためになされたも
ので、被測定半導体装置の所望の位置の所望の偽成層の
電位波形を観察することができる半導体装置の内部電位
波形観察装置を得ることを目的とする。
ので、被測定半導体装置の所望の位置の所望の偽成層の
電位波形を観察することができる半導体装置の内部電位
波形観察装置を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体装置の内部電位波形観察装置は、
ストロボＳＥＭにイオン銃と、このイオン銃より射出さ
れるイオンビームの位置制御ヲ行うイオンビームコント
ローラとを備えたものである。
ストロボＳＥＭにイオン銃と、このイオン銃より射出さ
れるイオンビームの位置制御ヲ行うイオンビームコント
ローラとを備えたものである。
この発明においては、イオン銃から射出されるイオンビ
ームによって被測定半導体装置の所望の位置に微小な窓
が開孔され、ｆ９′ｒ望の構成層が露出される。
ームによって被測定半導体装置の所望の位置に微小な窓
が開孔され、ｆ９′ｒ望の構成層が露出される。
第１図はこの発明の半導体装置の内部電位波形観察装置
の一実施か［を示す構成図で、第３図と同一符号は同一
部分を示し、１２はイオン銃、１３はＩｌｌ記イオン絖
１２より射出されたシリコンイオンビーム、１４はｇＯ
ｋ２シリコンイオンビーム１３の位ｔｆ＆めのためのコ
ントローラである。
の一実施か［を示す構成図で、第３図と同一符号は同一
部分を示し、１２はイオン銃、１３はＩｌｌ記イオン絖
１２より射出されたシリコンイオンビーム、１４はｇＯ
ｋ２シリコンイオンビーム１３の位ｔｆ＆めのためのコ
ントローラである。
また第２図は被測定半導体装置１のｌ＃ｒ面図で、２１
はｐ−８ｉＮ、２２はＡＥ配酎耐２３は不純物仏散層、
２４は５ｉ０２膜を示している。
はｐ−８ｉＮ、２２はＡＥ配酎耐２３は不純物仏散層、
２４は５ｉ０２膜を示している。
次に、内部電位波形＊祭の動作について説明する。
微小な窓２５を開孔し、所望の構成層が露出するように
する。電子＠２から射出されブランキング装置ｌ１４に
よりストロボスコピックにチ、クプされた一次電子ビー
ム３はコンデンサレンズおよび対物ノンズ５によって絞
られたのち、ビーム偏向器６によって被測定半導体装置
７の窓２５に照射される。すなわち、この被測定半導体
装［ｉｆ７の窓２５に露出された構成層の表面電位波形
は、二次電子８を二次電子検出器９によって検出するこ
とにより内部電位波形として観察される。
する。電子＠２から射出されブランキング装置ｌ１４に
よりストロボスコピックにチ、クプされた一次電子ビー
ム３はコンデンサレンズおよび対物ノンズ５によって絞
られたのち、ビーム偏向器６によって被測定半導体装置
７の窓２５に照射される。すなわち、この被測定半導体
装［ｉｆ７の窓２５に露出された構成層の表面電位波形
は、二次電子８を二次電子検出器９によって検出するこ
とにより内部電位波形として観察される。
なお、シリコンイオンビーム１３によつて窓２５を開孔
する位置は、イオンビームコントローラ１４により梢＠
に制御され、その深さは、例えば第１表に示すようなエ
ツチングレートを′：４ＭＬして制御される。
する位置は、イオンビームコントローラ１４により梢＠
に制御され、その深さは、例えば第１表に示すようなエ
ツチングレートを′：４ＭＬして制御される。
第 １ 表
またイオン他、としては、シリコンイオン以外でも被測
定半導体装ｔｉ１７の動作に影響を与えない限り何であ
ってもよい。
定半導体装ｔｉ１７の動作に影響を与えない限り何であ
ってもよい。
この発明は以上説明したとおり、ストロボＳＥＭにイオ
ン銃と、このイオン銃より射出されるイオンビームの位
置制御を行うイオンビームコントローラとを備えたので
、被測定半導体装置の所望の位置に微小な窓を開孔して
所望の構成層を露出でき、内部電位波形を表向電位波形
と同様に容易に観察できるという効果がある。
ン銃と、このイオン銃より射出されるイオンビームの位
置制御を行うイオンビームコントローラとを備えたので
、被測定半導体装置の所望の位置に微小な窓を開孔して
所望の構成層を露出でき、内部電位波形を表向電位波形
と同様に容易に観察できるという効果がある。
第１図はこの発明の半導体装置の内部電位波形観察装置
の−実り例を示す構成図、第２図は被揃足手導体装置の
断面図、第３図は従来のストロボＳＥＭの一例を示す構
成因である。 図において、１はＳＥＭきょう体、２は電子甑、３は一
次電子ビーム、４はブランキング装置、５はコンデンサ
Ｖンズおよび対物レンズ、６はビーム偏向器、７は被測
定半導体装置、８は二次電子、９は二次電子検出器、１
０はテスタ、１１はストロホコントローラ、１２はイオ
ン銃、１３はシリコ／イオンビーム、１４はイ、オンビ
ームコントローラ、２５は窓である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩増 雄 （外２名） 第１図
の−実り例を示す構成図、第２図は被揃足手導体装置の
断面図、第３図は従来のストロボＳＥＭの一例を示す構
成因である。 図において、１はＳＥＭきょう体、２は電子甑、３は一
次電子ビーム、４はブランキング装置、５はコンデンサ
Ｖンズおよび対物レンズ、６はビーム偏向器、７は被測
定半導体装置、８は二次電子、９は二次電子検出器、１
０はテスタ、１１はストロホコントローラ、１２はイオ
ン銃、１３はシリコ／イオンビーム、１４はイ、オンビ
ームコントローラ、２５は窓である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩増 雄 （外２名） 第１図
Claims (1)
- 半導体装置の内部電位波形を観察するストロボスコピッ
ク走査型電子顕微鏡において、前記半導体装置にイオン
ビームを照射し所定の部位に窓を開孔するイオン銃と、
このイオン銃より射出されるイオンビームの位置制御を
行うイオンビームコントローラとを備えたことを特徴と
する半導体装置の内部電位波形観察装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60219335A JPS6280955A (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | 半導体装置の内部電位波形観察装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60219335A JPS6280955A (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | 半導体装置の内部電位波形観察装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6280955A true JPS6280955A (ja) | 1987-04-14 |
Family
ID=16733847
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60219335A Pending JPS6280955A (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | 半導体装置の内部電位波形観察装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6280955A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH022649A (ja) * | 1988-06-15 | 1990-01-08 | Nec Corp | 半導体装置の故障解析方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5974644A (ja) * | 1982-09-22 | 1984-04-27 | シ−メンス・アクチエンゲゼルシヤフト | 埋もれている固体物質における電位の測定方法 |
-
1985
- 1985-10-02 JP JP60219335A patent/JPS6280955A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5974644A (ja) * | 1982-09-22 | 1984-04-27 | シ−メンス・アクチエンゲゼルシヤフト | 埋もれている固体物質における電位の測定方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH022649A (ja) * | 1988-06-15 | 1990-01-08 | Nec Corp | 半導体装置の故障解析方法 |
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