JPS6281008A - 非晶質高飽和磁束密度材料 - Google Patents
非晶質高飽和磁束密度材料Info
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- JPS6281008A JPS6281008A JP60220112A JP22011285A JPS6281008A JP S6281008 A JPS6281008 A JP S6281008A JP 60220112 A JP60220112 A JP 60220112A JP 22011285 A JP22011285 A JP 22011285A JP S6281008 A JPS6281008 A JP S6281008A
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- JP
- Japan
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- magnetic
- amorphous
- alloy
- flux density
- magnetic flux
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
- H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
- H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
- H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
- H01F1/14—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials metals or alloys
- H01F1/147—Alloys characterised by their composition
- H01F1/153—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals
- H01F1/15316—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals based on Co
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は高飽和磁束密度と低い保磁力を有する非晶質磁
性材料に係り、特に薄膜磁気ヘッド用コアに用いるのに
好適なコバルト合金に関する。
性材料に係り、特に薄膜磁気ヘッド用コアに用いるのに
好適なコバルト合金に関する。
従来、薄膜磁気ヘッド用コア材に適用される保磁力Ｈｅ
の小さい軟磁性材料には、Ｎ ｉ −Ｆ ｅ合金に代表
される結晶質磁性材料と、Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒ合金等の非
晶質材料が使われている。Ｎｉ−Ｆｅ合金は化学的、熱
的に安定であり、一方Ｃ０−Ｎｂ−Ｚｒ合金は作製し易
く、透磁率が高い。
の小さい軟磁性材料には、Ｎ ｉ −Ｆ ｅ合金に代表
される結晶質磁性材料と、Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒ合金等の非
晶質材料が使われている。Ｎｉ−Ｆｅ合金は化学的、熱
的に安定であり、一方Ｃ０−Ｎｂ−Ｚｒ合金は作製し易
く、透磁率が高い。
これら材料の飽和磁化は、いずれもｔｏｏｏｏガウス程
度である。
度である。
しかし、近年磁気記録装置は大容量化し、一方で装置自
体の省スペース、低コスト化が求められている。このた
め磁気記録密度の増大が重要な課題となってきた。記録
密度の増大は、第１図にＴｗで示すトラック幅の減少に
よるトラック密度の増大及び記録ビット長の縮小による
線密度の増大により実現される。ここで媒体への記録波
長の減少には、薄膜磁気ヘッドのコア厚の減少が必要で
あることが特公昭５８−４０２４５号公報に示されてい
る。すなわち、第２図の薄膜磁気ヘッド断面において、
上部コア厚ｔｕ、下部コア厚１ｍ、ギャップ長ｔｇ、記
録波長λとの間に、λ）１．＋ｔ、＠＋ｔｍなる関係が
成立する。このため記録波長λを減少させるには、コア
厚ｔｕ及びｔａ、ギャップ長ｔｇの減少が必要である。
体の省スペース、低コスト化が求められている。このた
め磁気記録密度の増大が重要な課題となってきた。記録
密度の増大は、第１図にＴｗで示すトラック幅の減少に
よるトラック密度の増大及び記録ビット長の縮小による
線密度の増大により実現される。ここで媒体への記録波
長の減少には、薄膜磁気ヘッドのコア厚の減少が必要で
あることが特公昭５８−４０２４５号公報に示されてい
る。すなわち、第２図の薄膜磁気ヘッド断面において、
上部コア厚ｔｕ、下部コア厚１ｍ、ギャップ長ｔｇ、記
録波長λとの間に、λ）１．＋ｔ、＠＋ｔｍなる関係が
成立する。このため記録波長λを減少させるには、コア
厚ｔｕ及びｔａ、ギャップ長ｔｇの減少が必要である。
しかしコア厚を減少させると、書込時ヘッド先端より媒
体に放出される書込磁界が減少する。このためコイル３
に流す書込電流を増加させると磁気コア１内で磁束が飽
和し、充分な書込磁界が得られないこととなる。符号２
はコイル端子、４は基板を示している。磁気コア内での
磁束の飽和限度は、コア形状が同じならコア材料の飽和
密度が大きいほど高い。
体に放出される書込磁界が減少する。このためコイル３
に流す書込電流を増加させると磁気コア１内で磁束が飽
和し、充分な書込磁界が得られないこととなる。符号２
はコイル端子、４は基板を示している。磁気コア内での
磁束の飽和限度は、コア形状が同じならコア材料の飽和
密度が大きいほど高い。
薄膜磁気ヘッド用８０％ＮｉＦｅ合金（パーマロイ）の
飽和磁束密度は１００００ガウスであり、高記録密度化
に伴うコア厚減少を補うためにはパーマロイ以上の飽和
磁束密度を有する、高飽和磁束密度材料を磁気コアに採
用する必要がある。また同時に読出しに充分な透磁率を
確保するため、コア材料の保磁力Ｈｅは３０ｅ以下とす
る必要がある。
飽和磁束密度は１００００ガウスであり、高記録密度化
に伴うコア厚減少を補うためにはパーマロイ以上の飽和
磁束密度を有する、高飽和磁束密度材料を磁気コアに採
用する必要がある。また同時に読出しに充分な透磁率を
確保するため、コア材料の保磁力Ｈｅは３０ｅ以下とす
る必要がある。
結晶質材料で飽和磁束密度（以下Ｂｓと略す）がｔｏｏ
ｏｏ以上となるのは、Ｆｅを中心とした合金系であるＦ
ｅ−８ｉ、Ｆｅ−Ｔｉ等であるが、これらは本質的にさ
び易い欠点がある。これに対しＣＯを主成分とし添加元
素を１０原子％以下加えて非晶質化したＣＯ系非晶質磁
性合金がある。
ｏｏ以上となるのは、Ｆｅを中心とした合金系であるＦ
ｅ−８ｉ、Ｆｅ−Ｔｉ等であるが、これらは本質的にさ
び易い欠点がある。これに対しＣＯを主成分とし添加元
素を１０原子％以下加えて非晶質化したＣＯ系非晶質磁
性合金がある。
Ｇｏ−Ｚｒ系が代表的であり、Ｃ０−５％Ｚｒにおいて
Ｂ ｓ １５０００ガウスを得ている。非晶質材料は結
晶質材料に比べ、以下の特徴がある。すなわち１）非晶
質であり結晶磁気異方性がない。２）非晶質金属は結晶
質に比べ３〜５倍電気抵抗が高い。３）硬度が高い等で
ある。このため非晶質磁性材料には１）より結晶粒径、
配向制御の煩しさがなく、２）により渦電流損失に伴う
高周波透磁率低下が少なく、３）により耐久性に優れる
利点が生ずる。
Ｂ ｓ １５０００ガウスを得ている。非晶質材料は結
晶質材料に比べ、以下の特徴がある。すなわち１）非晶
質であり結晶磁気異方性がない。２）非晶質金属は結晶
質に比べ３〜５倍電気抵抗が高い。３）硬度が高い等で
ある。このため非晶質磁性材料には１）より結晶粒径、
配向制御の煩しさがなく、２）により渦電流損失に伴う
高周波透磁率低下が少なく、３）により耐久性に優れる
利点が生ずる。
非晶質磁性合金には作製法により、溶湯急冷法を用い作
製された金属−メタロイド系非晶質合金とスパッタリン
グ法または真空蒸着法により作製された金属−金属系非
晶質合金がある。前者は主にトランス及びバルク型磁気
ヘッドの積層コアに用いられているが、この方法では薄
膜磁気ヘッドは作製できない、後者はＦｅ、Ｃｏ及びＮ
ｉにそれらより原子半径の大きい金属を合金化させ、非
晶質化するものである。スパッタリング法では、Ｆｅ、
Ｇｏ及びＮｉでターゲットを作製しターゲット表面に添
加元素のチップを置きスパッタリングすることにより合
金膜を作製し、真空蒸着法では、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉと
合金成分を同時に蒸発させ、基板上で合金化させる。単
純金属の飽和磁化はＦ ｅ （２２０００ガウス）
、 Ｃｏ （１７０００ガウス）、及びＮｉ （６
０００ガウス）であり、高ＢＳ材料の開発にはＦｅ及び
ｃｏが選択される。しかし、Ｆｅを基体とした合金は耐
食性に問題があり、高Ｂｓ材料として検討されているの
はほとんどｃ。
製された金属−メタロイド系非晶質合金とスパッタリン
グ法または真空蒸着法により作製された金属−金属系非
晶質合金がある。前者は主にトランス及びバルク型磁気
ヘッドの積層コアに用いられているが、この方法では薄
膜磁気ヘッドは作製できない、後者はＦｅ、Ｃｏ及びＮ
ｉにそれらより原子半径の大きい金属を合金化させ、非
晶質化するものである。スパッタリング法では、Ｆｅ、
Ｇｏ及びＮｉでターゲットを作製しターゲット表面に添
加元素のチップを置きスパッタリングすることにより合
金膜を作製し、真空蒸着法では、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉと
合金成分を同時に蒸発させ、基板上で合金化させる。単
純金属の飽和磁化はＦ ｅ （２２０００ガウス）
、 Ｃｏ （１７０００ガウス）、及びＮｉ （６
０００ガウス）であり、高ＢＳ材料の開発にはＦｅ及び
ｃｏが選択される。しかし、Ｆｅを基体とした合金は耐
食性に問題があり、高Ｂｓ材料として検討されているの
はほとんどｃ。
系非晶質合金である。
ＣＯ系非晶質合金はスパッタリング法により作製された
Ｇｏ−Ｚｒ、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｔａ等が検討されている。Ｚ
ｒに加え、Ｔａを合金化させるのはＣｏ−Ｚｒの磁歪２
Ｘ１０−８が大きく、膜応力との磁気弾性効果により磁
気ヘッドの磁気特性を低下させる場合があるため、磁歪
を負にする働きのあるＴａを合金化させ磁歪を低減する
目的がある。Ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、５５ （１９８
４） 、 １７６９に示されるようにＣｏ−Ｎｂ＋ Ｃ
ｏ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｗ非晶質合金の磁歪は負であり、同じ
５Ａ、６Ａ族であるＶ、Ｃ：ｒ、’Ｍｏも非晶質Ｇｏ合
金の磁歪を負にする働きがある。これら５Ａ、６Ａ族元
素をＣｏ−Ｚｒに添加することにより磁歪を低減できる
が、添加した元素量に応じＢｓは低下する。
Ｇｏ−Ｚｒ、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｔａ等が検討されている。Ｚ
ｒに加え、Ｔａを合金化させるのはＣｏ−Ｚｒの磁歪２
Ｘ１０−８が大きく、膜応力との磁気弾性効果により磁
気ヘッドの磁気特性を低下させる場合があるため、磁歪
を負にする働きのあるＴａを合金化させ磁歪を低減する
目的がある。Ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、５５ （１９８
４） 、 １７６９に示されるようにＣｏ−Ｎｂ＋ Ｃ
ｏ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｗ非晶質合金の磁歪は負であり、同じ
５Ａ、６Ａ族であるＶ、Ｃ：ｒ、’Ｍｏも非晶質Ｇｏ合
金の磁歪を負にする働きがある。これら５Ａ、６Ａ族元
素をＣｏ−Ｚｒに添加することにより磁歪を低減できる
が、添加した元素量に応じＢｓは低下する。
ところで、同じ非晶質ＣＯ系磁性合金でありながら全く
性質の異なる合金系がある。希土類−〇〇系非晶質合金
は光磁気記録媒体として研究されており、垂直磁気異方
性を持ち、保磁力は数百エルステッドと大きい。Ｇｄ−
Ｃｏ、Ｄｙ−Ｃｏ。
性質の異なる合金系がある。希土類−〇〇系非晶質合金
は光磁気記録媒体として研究されており、垂直磁気異方
性を持ち、保磁力は数百エルステッドと大きい。Ｇｄ−
Ｃｏ、Ｄｙ−Ｃｏ。
Ｈｏ −Ｇ Ｏ等が代表的なものである。この系の合金
としてＰｈｙｓ、Ｒｅｖ、Ｂよ７ （１９７８） 、
２２１５にＧ ｏ −Ｙ、Ｃｏ−Ｌａ、及びＣｏ −
Ｓ ｃ系非晶質磁性合金の磁気モーメントを調べた例が
あるが、高ＣＯ側の磁気特性については不明であった。
としてＰｈｙｓ、Ｒｅｖ、Ｂよ７ （１９７８） 、
２２１５にＧ ｏ −Ｙ、Ｃｏ−Ｌａ、及びＣｏ −
Ｓ ｃ系非晶質磁性合金の磁気モーメントを調べた例が
あるが、高ＣＯ側の磁気特性については不明であった。
本発明の目的は高い飽和磁束密度を有する磁気コア用軟
磁性材料を提供することにある。
磁性材料を提供することにある。
本発明者らは高ＣＯ濃度の希土類−〇〇系合金の光磁気
効果を調査するため、Ｃｏ −Ｙ系合金をスパッタリン
グ法により作製しその磁気特性を調べＧｏ−Ｙ系非晶質
合金の困難軸方向の保磁力が２０ｅ以下になることを見
出した。ＹはＧｄ。
効果を調査するため、Ｃｏ −Ｙ系合金をスパッタリン
グ法により作製しその磁気特性を調べＧｏ−Ｙ系非晶質
合金の困難軸方向の保磁力が２０ｅ以下になることを見
出した。ＹはＧｄ。
Ｄｙ及びＨａと同じ希土類に属し、Ｇ ｄ Ｃｏ ｓと
同じ＜ Ｙ Ｃｏ ｓ等の金属間化合物を形成すること
から、Ｇｏ−Ｙ系非晶質合金が軟磁性を示すことは推測
され難い。そこでＧｏ−Ｙ系合金が軟磁性を示す原因を
考察する。
同じ＜ Ｙ Ｃｏ ｓ等の金属間化合物を形成すること
から、Ｇｏ−Ｙ系非晶質合金が軟磁性を示すことは推測
され難い。そこでＧｏ−Ｙ系合金が軟磁性を示す原因を
考察する。
希土類元素は表１に示すようにイオン半径がＣＯ８＋の
０．５３（人）に比べ大きい。一般に非晶質を形成する
合金系は、互いのイオン半径が大きいことが必要でその
差が大きいほど非晶質を形成する濃度差が広い。すなわ
Ｃｏとのイオン半径差が大きい元素はど少量の添加量で
ＣＯを非晶質化する。従って希土類元素は、ＣＯを非晶
質化し易いと考えられる。ところで表１より、Ｙ、Ｌａ
。
０．５３（人）に比べ大きい。一般に非晶質を形成する
合金系は、互いのイオン半径が大きいことが必要でその
差が大きいほど非晶質を形成する濃度差が広い。すなわ
Ｃｏとのイオン半径差が大きい元素はど少量の添加量で
ＣＯを非晶質化する。従って希土類元素は、ＣＯを非晶
質化し易いと考えられる。ところで表１より、Ｙ、Ｌａ
。
Ｅｕ及びＬｕは磁気モーメントを持たない。一方。
光磁気記録媒体に用いられるＧｄ、Ｔｂ、Ｈａ等はすべ
て磁気モーメントを持つ。希土類とＧｏの磁気モーメン
トは互いに逆方向を向き、磁化を相殺し合うので１合金
金体は自発磁化の低いフェリ磁性体となることが知られ
ている。すなわち。
て磁気モーメントを持つ。希土類とＧｏの磁気モーメン
トは互いに逆方向を向き、磁化を相殺し合うので１合金
金体は自発磁化の低いフェリ磁性体となることが知られ
ている。すなわち。
Ｇｄ等希土類イオンの持つ磁気モーメントは、周囲のＣ
Ｏイオンの持つ磁気モーメントと干渉し合い（交換相互
作用）互いの磁化を逆に向けようとする。従っである希
土類イオンの磁気モーメントを反転させるためには、そ
の囲りの多数のＣＯイオンの磁気モーメントも同時に反
転させることが必要となり、従って保磁力は増大すると
考えられる。一方、Ｙ、Ｌａ、Ｅｕ及びＬｕでは希土類
−Ｃｏ間の相互作用はなく、磁化反転は容易と考えられ
その結果磁力が低下する。このことを確認するため、磁
気モーメントを有するＳｍと磁気モーメントのないＬａ
をＣＯに合金化させた非晶質材料につき、それらの磁気
特性を調査した（実施例２及び３）。その結果、Ｇ ｏ
−Ｓ ｍ系では軟磁性は得られず、Ｃｏ −Ｌ ａ系
では保磁力３０ｅ以下、Ｂ ｓ １６０００ガウスを得
た。この値はＧｏ−Ｚｒ系のＢ ｓ １５０００ガウス
を上回る。以上により、Ｅｕ及びＬｕでも同様にＣｏを
非晶質化し、軟磁気特性を得られると推定される。
Ｏイオンの持つ磁気モーメントと干渉し合い（交換相互
作用）互いの磁化を逆に向けようとする。従っである希
土類イオンの磁気モーメントを反転させるためには、そ
の囲りの多数のＣＯイオンの磁気モーメントも同時に反
転させることが必要となり、従って保磁力は増大すると
考えられる。一方、Ｙ、Ｌａ、Ｅｕ及びＬｕでは希土類
−Ｃｏ間の相互作用はなく、磁化反転は容易と考えられ
その結果磁力が低下する。このことを確認するため、磁
気モーメントを有するＳｍと磁気モーメントのないＬａ
をＣＯに合金化させた非晶質材料につき、それらの磁気
特性を調査した（実施例２及び３）。その結果、Ｇ ｏ
−Ｓ ｍ系では軟磁性は得られず、Ｃｏ −Ｌ ａ系
では保磁力３０ｅ以下、Ｂ ｓ １６０００ガウスを得
た。この値はＧｏ−Ｚｒ系のＢ ｓ １５０００ガウス
を上回る。以上により、Ｅｕ及びＬｕでも同様にＣｏを
非晶質化し、軟磁気特性を得られると推定される。
表１ 希土類元素の磁気モーメント
（イオンは３価イオンの値）
〔発明の実施例〕
以下、本発明の詳細な説明する。
実施例１
純度９９．９％のＣＯツタ−ゲット上直径４インチ）に
、純度９９．９％のＹ板（４Ｘ４Ｘ１ｍｍ）を２０〜４
０枚、純度９９．９％のＷ板（４×４ＸＩＩｍ）を０〜
３０枚置き、直径３インち、厚さ５ｍのガラス基板上に
Ｃｏ−Ｙ（−Ｗ）膜をスパッタリングした。組成変化は
各板の枚数を変化させた。Ａｒガス圧は５ Ｘ １’Ｏ
−’Ｔｏｒｒ 、投入電力は３７ ｋＷ／ｒｒｒであっ
た。ブリスパッタは３時間行った。スパッタアップ方式
であり、ガラス基板はターゲット上方７０ｒｍの水冷さ
れたバッフル板に直接ワックスで貼り付けた。基板には
一対のマグネットにより一方向磁場を印加した。膜の構
造はＸ線回折で、磁気特性はＢ−Ｈメータ及び振動試料
型磁力計で調べた。その結果を表２に示す。
、純度９９．９％のＹ板（４Ｘ４Ｘ１ｍｍ）を２０〜４
０枚、純度９９．９％のＷ板（４×４ＸＩＩｍ）を０〜
３０枚置き、直径３インち、厚さ５ｍのガラス基板上に
Ｃｏ−Ｙ（−Ｗ）膜をスパッタリングした。組成変化は
各板の枚数を変化させた。Ａｒガス圧は５ Ｘ １’Ｏ
−’Ｔｏｒｒ 、投入電力は３７ ｋＷ／ｒｒｒであっ
た。ブリスパッタは３時間行った。スパッタアップ方式
であり、ガラス基板はターゲット上方７０ｒｍの水冷さ
れたバッフル板に直接ワックスで貼り付けた。基板には
一対のマグネットにより一方向磁場を印加した。膜の構
造はＸ線回折で、磁気特性はＢ−Ｈメータ及び振動試料
型磁力計で調べた。その結果を表２に示す。
実施例２
純度９９．９％のＣＯメタ−ット（直径４インチ）上に
、純度９９．９％のＳｍ板（４Ｘ４Ｘ１ｒｒｎ）と純度
９９．９％のＴａ板（４Ｘ４Ｘ１ｎｎ）を置き、１と同
条件でスパッタリングした。その結果を表３に示す。
、純度９９．９％のＳｍ板（４Ｘ４Ｘ１ｒｒｎ）と純度
９９．９％のＴａ板（４Ｘ４Ｘ１ｎｎ）を置き、１と同
条件でスパッタリングした。その結果を表３に示す。
実施例３
純度９９．９％のｃｏツタ−ット（直径４インチ）上に
、純度９９．９％のＬａ板（４ｘ４ｘｌｒｍ）及び純度
９９．９％のＴａ板（４Ｘ４Ｘ１ｍａ＋）を置き、１と
同条件でスパッタリングした。その構造及び磁気特性を
表４に示す。
、純度９９．９％のＬａ板（４ｘ４ｘｌｒｍ）及び純度
９９．９％のＴａ板（４Ｘ４Ｘ１ｍａ＋）を置き、１と
同条件でスパッタリングした。その構造及び磁気特性を
表４に示す。
表２Ｇｏ−Ｙ−Ｗ系合金の磁気特性
表３Ｃｏ−８ｍ−Ｔａ系合金の磁気特性表４Ｃｏ−Ｌａ
−Ｔａ系合金の磁気特性〔発明の効果〕 本発明によれば、従来のＮｉＦｅ、Ｃｏ−Ｚｒ等より大
きな飽和磁束密度（１５０００〜１６０００ガウス）を
有する磁気コア用磁性材料を提供できるので、より高密
度記録の可能な薄膜磁気ヘッドを実現できる。
−Ｔａ系合金の磁気特性〔発明の効果〕 本発明によれば、従来のＮｉＦｅ、Ｃｏ−Ｚｒ等より大
きな飽和磁束密度（１５０００〜１６０００ガウス）を
有する磁気コア用磁性材料を提供できるので、より高密
度記録の可能な薄膜磁気ヘッドを実現できる。
第１図は薄膜磁気ヘッド外観図、第２図は薄膜磁気ヘッ
ド磁気コア部断面図である。 １・・磁気コア、２・・・コイル端子、３・・・コイル
、４・・・基板。
ド磁気コア部断面図である。 １・・磁気コア、２・・・コイル端子、３・・・コイル
、４・・・基板。
Claims (1)
- １、Ｃｏ＿１＿−＿ａ＿−＿ｂＭ＿ａＸ＿ｂなる組成式
を有し、０≦ａ、ｂ≦０．１、０．０４≦ａ＋ｂ≦０．
１を満す非晶質コバルト合金であり、ＭはＹとＬａの少
なくとも１つ、ＸはＴａとＷとＮｂとＭｏとＶ及びＣｒ
の少なくとも１つよりなることを特徴とする非晶質高飽
和磁束密度材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60220112A JPS6281008A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 非晶質高飽和磁束密度材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60220112A JPS6281008A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 非晶質高飽和磁束密度材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6281008A true JPS6281008A (ja) | 1987-04-14 |
Family
ID=16746099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60220112A Pending JPS6281008A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 非晶質高飽和磁束密度材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6281008A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6436740A (en) * | 1987-07-31 | 1989-02-07 | Kazuaki Fukamichi | Amorphous alloy and its production |
-
1985
- 1985-10-04 JP JP60220112A patent/JPS6281008A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6436740A (en) * | 1987-07-31 | 1989-02-07 | Kazuaki Fukamichi | Amorphous alloy and its production |
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