JPS6281018A - 常圧ｃｖｄ装置 - Google Patents
常圧ｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPS6281018A JPS6281018A JP22001285A JP22001285A JPS6281018A JP S6281018 A JPS6281018 A JP S6281018A JP 22001285 A JP22001285 A JP 22001285A JP 22001285 A JP22001285 A JP 22001285A JP S6281018 A JPS6281018 A JP S6281018A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- semiconductor wafer
- reaction products
- pressure cvd
- reaction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、反応ガスの導入に好適な常圧ＣＶＤ装置に関
するものである。
するものである。
従来の代表的な常圧ＣＶＤ装置の基本的な全体構成を第
１図に示す。常圧ＣＶＤ装置では、半導体ウェハ５が移
動可能なトレイ４の上に載置されて、二連のディスパー
ジョンヘッド１の下を通過することにより、半導体ウェ
ハ５上に所望の薄膜が形成される。第２図に、ディスパ
ージョンヘッド１の詳細を示す。第２＠に示す様に吸気
口６より流入した反応性ガス（ＰＨａ、 Ｓ ｉ Ｈａ
）は、矢印で示す様に、ディスパージョンヘッド１の下
方より半導体ウェハ５上を反応を起こしながら噴出する
。その結果半導体ウェハ５上に薄膜か形成されると共に
反応生成物（Ｓ ｉ Ｏｘの固体微粒子）が多量に発生
する。また、流入した反応性ガスが全て反応を起こすわ
けではなく一部未反応なガスが残留する。この未反応ガ
スと反応生成物は、外部に設けられる吸引ポンプ（図示
せず）によりディスパージョンヘッド１とヘッドカバー
３により形成される排出流路７を通り排気口８より強制
的に外部に排出される。第３図にガス流れの詳細を示す
、第３図に示す様に、未反応ガスと反応生成物がヘッド
カバー３の裾とトレイ４の隙間を通って外部に漏洩しな
い様にするために、未反応ガス、反応生成物と共に外部
空気をヘッドカバー３の裾より吸い込んでいる。そのた
め未反応ガスが空気中の酸素と新たに反応し、さらに双
葉の反応生成物が発生することになる。その結果、これ
らの反応生成物９が第３図に示す様にヘッドカバー３及
びディスパージョンヘッド１の角の部分に大量に堆積す
る。この堆積した反応生成物９が、ディスパージョンヘ
ッド１の下をトレイ４に乗って通過する半導体ウェハ５
上に落下する。また堆積が進むと、半導体ウェハ５と堆
積した反応生成物９が接触する。これらのことにより、
半導体ウェハ５が損傷を受けてＣＶＤプロセスにおける
半導体ウェハ５の歩留りが低下する。この低下を防止す
るために、定期的に反応生成物を取り除く作業を行って
いる。そのため稼働率が低下するという問題がある。
１図に示す。常圧ＣＶＤ装置では、半導体ウェハ５が移
動可能なトレイ４の上に載置されて、二連のディスパー
ジョンヘッド１の下を通過することにより、半導体ウェ
ハ５上に所望の薄膜が形成される。第２図に、ディスパ
ージョンヘッド１の詳細を示す。第２＠に示す様に吸気
口６より流入した反応性ガス（ＰＨａ、 Ｓ ｉ Ｈａ
）は、矢印で示す様に、ディスパージョンヘッド１の下
方より半導体ウェハ５上を反応を起こしながら噴出する
。その結果半導体ウェハ５上に薄膜か形成されると共に
反応生成物（Ｓ ｉ Ｏｘの固体微粒子）が多量に発生
する。また、流入した反応性ガスが全て反応を起こすわ
けではなく一部未反応なガスが残留する。この未反応ガ
スと反応生成物は、外部に設けられる吸引ポンプ（図示
せず）によりディスパージョンヘッド１とヘッドカバー
３により形成される排出流路７を通り排気口８より強制
的に外部に排出される。第３図にガス流れの詳細を示す
、第３図に示す様に、未反応ガスと反応生成物がヘッド
カバー３の裾とトレイ４の隙間を通って外部に漏洩しな
い様にするために、未反応ガス、反応生成物と共に外部
空気をヘッドカバー３の裾より吸い込んでいる。そのた
め未反応ガスが空気中の酸素と新たに反応し、さらに双
葉の反応生成物が発生することになる。その結果、これ
らの反応生成物９が第３図に示す様にヘッドカバー３及
びディスパージョンヘッド１の角の部分に大量に堆積す
る。この堆積した反応生成物９が、ディスパージョンヘ
ッド１の下をトレイ４に乗って通過する半導体ウェハ５
上に落下する。また堆積が進むと、半導体ウェハ５と堆
積した反応生成物９が接触する。これらのことにより、
半導体ウェハ５が損傷を受けてＣＶＤプロセスにおける
半導体ウェハ５の歩留りが低下する。この低下を防止す
るために、定期的に反応生成物を取り除く作業を行って
いる。そのため稼働率が低下するという問題がある。
この解決策の一例として、反応生成物が堆積しやすい部
位の壁面より、多数の微細孔を通して窒素ガスをシート
状に噴出させている。この様にすることにより、壁面へ
の反応生成物の付着がある程度防止されるものと考えら
れるが完全ではない。
位の壁面より、多数の微細孔を通して窒素ガスをシート
状に噴出させている。この様にすることにより、壁面へ
の反応生成物の付着がある程度防止されるものと考えら
れるが完全ではない。
また、この方法では、ディスパージョンヘッド１の構造
が複雑になることや、微細孔が目づまりを起こしたりす
るなどの問題がありあまり実用的ではないと考えられる
。なお、この種の装置に関連するものには特公昭５５−
４６０５６号がある。
が複雑になることや、微細孔が目づまりを起こしたりす
るなどの問題がありあまり実用的ではないと考えられる
。なお、この種の装置に関連するものには特公昭５５−
４６０５６号がある。
（発明の目的〕
本発明の目的は、ＣＶＤプロセスにおける半導体ウェハ
の反応生成物による損傷を極力防止して、半導体ウェハ
の歩留りを向上させると共に、反応生成物除去作業回数
を低減して、保守９点検作業を容易にしたＣＶＤ装置を
提供することにある。
の反応生成物による損傷を極力防止して、半導体ウェハ
の歩留りを向上させると共に、反応生成物除去作業回数
を低減して、保守９点検作業を容易にしたＣＶＤ装置を
提供することにある。
従来装置の排出流路内のガスの流れを数値計算により解
析した。その結果を第４図に示す。
析した。その結果を第４図に示す。
排出流路７内において未反応ガスの流れを剥離している
場所と実際の装置の反応生成物の堆積場所が一致してい
ることから、ガス流れの剥離領域Ｘを減少させることが
反応生成物の堆積防止につながると考えらる。そこで、
本発明では反応ガスを半導体ウェハ上に噴出させるため
のディスパージョンヘッドと、反応ガスが外部に漏洩し
ないようにすると共に反応生成物及び未反応ガスの排出
流路を形成するためのヘッドカバーとより構成される常
圧ＣＶＤ装置において、反応ガスの流入方向を半導体ウ
ェハ面に対して水平方向より流入させるように構成し、
上記目的を達成するようにしたものである。
場所と実際の装置の反応生成物の堆積場所が一致してい
ることから、ガス流れの剥離領域Ｘを減少させることが
反応生成物の堆積防止につながると考えらる。そこで、
本発明では反応ガスを半導体ウェハ上に噴出させるため
のディスパージョンヘッドと、反応ガスが外部に漏洩し
ないようにすると共に反応生成物及び未反応ガスの排出
流路を形成するためのヘッドカバーとより構成される常
圧ＣＶＤ装置において、反応ガスの流入方向を半導体ウ
ェハ面に対して水平方向より流入させるように構成し、
上記目的を達成するようにしたものである。
以下、本発明の実施例を第５図を用いて説明する。第５
図に示すように、ディスパージョンヘッド１を２個対向
させて、半導体ウェハ５面に対して水平方向に設置する
。従って反応ガスは１反応ガス吸気口１０より供給され
てディスパージョンヘッド１を経由して、トレイ４に乗
って動く半導体ウェハ５の面に沿って流れて、ガス排出
流路１１を通り外部に排出される。
図に示すように、ディスパージョンヘッド１を２個対向
させて、半導体ウェハ５面に対して水平方向に設置する
。従って反応ガスは１反応ガス吸気口１０より供給され
てディスパージョンヘッド１を経由して、トレイ４に乗
って動く半導体ウェハ５の面に沿って流れて、ガス排出
流路１１を通り外部に排出される。
このような構造にすることにより、ガス排出流路１１を
滑らかな形状とすることができるので、剥離の発生が抑
制でき反応生成物の局所的な堆積防止ができる。従って
、従来装置に見られたような半導体ウェハ５への反応生
成物の落下や接触による半導体ウェハ５の損傷が防止で
きるので、ＣＶＤプロセスにおける歩留りの向上が計れ
る。
滑らかな形状とすることができるので、剥離の発生が抑
制でき反応生成物の局所的な堆積防止ができる。従って
、従来装置に見られたような半導体ウェハ５への反応生
成物の落下や接触による半導体ウェハ５の損傷が防止で
きるので、ＣＶＤプロセスにおける歩留りの向上が計れ
る。
また合せて１反応生成物の除去作業の回数が低減できる
ので、ＣＶＤ装置の稼働率が向上するという大きな効果
がある。
ので、ＣＶＤ装置の稼働率が向上するという大きな効果
がある。
本発明によれば、ＣＶＤ装置における局所的な反応生成
物の堆積を防止することができるので、半導体ウェハの
ＣＶＤプロセスにおける歩留りの向上及び反応生成物の
除去作業に伴うＣＶＤ装置の稼働率の低下を防止できる
という効果がある。
物の堆積を防止することができるので、半導体ウェハの
ＣＶＤプロセスにおける歩留りの向上及び反応生成物の
除去作業に伴うＣＶＤ装置の稼働率の低下を防止できる
という効果がある。
第１図は、常圧ＣＶＤ装置の部分断面図、第２図は、Ｃ
ＶＤ装置ディスパージョンヘッドの部分断面図、第３図
は、ディスパージョンヘッドの縦断面図、第４図は、ガ
ス流れの解析結果の説明図、第５図は、本発明の実施例
の縦断面図である。 １・・・ディスパージョンヘッド、３・・・ヘッドカバ
ー、４・・・トレイ、５・・・半導体ウェハ、９・・・
反応生成物。 １０・・・吸気口、１１・・・排出流路。 ’Ａｚ図 ｆ ３ 図
ＶＤ装置ディスパージョンヘッドの部分断面図、第３図
は、ディスパージョンヘッドの縦断面図、第４図は、ガ
ス流れの解析結果の説明図、第５図は、本発明の実施例
の縦断面図である。 １・・・ディスパージョンヘッド、３・・・ヘッドカバ
ー、４・・・トレイ、５・・・半導体ウェハ、９・・・
反応生成物。 １０・・・吸気口、１１・・・排出流路。 ’Ａｚ図 ｆ ３ 図
Claims (1)
- 反応ガスを半導体ウェハ上に噴出させるためのディスパ
ージョンヘッドと、反応ガスが外部に漏洩しないように
すると共に反応生成物及び未反応ガスの排出流路を形成
するためのヘッドカバーとより構成される常圧ＣＶＤ装
置において、反応ガスの流入方向を半導体ウェハ面に対
して水平方向より流入させるように構成したことを特徴
とする常圧ＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22001285A JPS6281018A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 常圧ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22001285A JPS6281018A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 常圧ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6281018A true JPS6281018A (ja) | 1987-04-14 |
Family
ID=16744546
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22001285A Pending JPS6281018A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 常圧ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6281018A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100037820A1 (en) * | 2008-08-13 | 2010-02-18 | Synos Technology, Inc. | Vapor Deposition Reactor |
| US8691669B2 (en) | 2008-08-13 | 2014-04-08 | Veeco Ald Inc. | Vapor deposition reactor for forming thin film |
| US8840958B2 (en) | 2011-02-14 | 2014-09-23 | Veeco Ald Inc. | Combined injection module for sequentially injecting source precursor and reactant precursor |
| US8851012B2 (en) | 2008-09-17 | 2014-10-07 | Veeco Ald Inc. | Vapor deposition reactor using plasma and method for forming thin film using the same |
| US8871628B2 (en) | 2009-01-21 | 2014-10-28 | Veeco Ald Inc. | Electrode structure, device comprising the same and method for forming electrode structure |
| US8877300B2 (en) | 2011-02-16 | 2014-11-04 | Veeco Ald Inc. | Atomic layer deposition using radicals of gas mixture |
| US8895108B2 (en) | 2009-02-23 | 2014-11-25 | Veeco Ald Inc. | Method for forming thin film using radicals generated by plasma |
| US9163310B2 (en) | 2011-02-18 | 2015-10-20 | Veeco Ald Inc. | Enhanced deposition of layer on substrate using radicals |
-
1985
- 1985-10-04 JP JP22001285A patent/JPS6281018A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100037820A1 (en) * | 2008-08-13 | 2010-02-18 | Synos Technology, Inc. | Vapor Deposition Reactor |
| US8691669B2 (en) | 2008-08-13 | 2014-04-08 | Veeco Ald Inc. | Vapor deposition reactor for forming thin film |
| US8851012B2 (en) | 2008-09-17 | 2014-10-07 | Veeco Ald Inc. | Vapor deposition reactor using plasma and method for forming thin film using the same |
| US8871628B2 (en) | 2009-01-21 | 2014-10-28 | Veeco Ald Inc. | Electrode structure, device comprising the same and method for forming electrode structure |
| US8895108B2 (en) | 2009-02-23 | 2014-11-25 | Veeco Ald Inc. | Method for forming thin film using radicals generated by plasma |
| US8840958B2 (en) | 2011-02-14 | 2014-09-23 | Veeco Ald Inc. | Combined injection module for sequentially injecting source precursor and reactant precursor |
| US8877300B2 (en) | 2011-02-16 | 2014-11-04 | Veeco Ald Inc. | Atomic layer deposition using radicals of gas mixture |
| US9163310B2 (en) | 2011-02-18 | 2015-10-20 | Veeco Ald Inc. | Enhanced deposition of layer on substrate using radicals |
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