JPS628150A - フオトマスク - Google Patents
フオトマスクInfo
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- JPS628150A JPS628150A JP60147713A JP14771385A JPS628150A JP S628150 A JPS628150 A JP S628150A JP 60147713 A JP60147713 A JP 60147713A JP 14771385 A JP14771385 A JP 14771385A JP S628150 A JPS628150 A JP S628150A
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- JP
- Japan
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- photomask
- film
- ultraviolet
- blocking film
- photoresist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
- G03F1/56—Organic absorbers, e.g. of photo-resists
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、紫外線遮断を目的とするフォトマスクの紫
外線遮断膜に関る。
外線遮断膜に関る。
従来、フォトレジストを加工する為に用ｉる。
フォトマスクの紫外線遮断膜にはクロム、ニッケル、酸
化鉄等が用ｉられている。これらの薄膜はあらかじめガ
ラス上全面へ均一に膜付けしたのち、フォトレジストを
用いて加工していたが、全面膜付は時に発生するピンホ
ール欠陥と７オトレジスト塗布時ζ発生するピンホール
欠陥が存在し、フォトマスク製造の歩留りを悪くしてい
た。
化鉄等が用ｉられている。これらの薄膜はあらかじめガ
ラス上全面へ均一に膜付けしたのち、フォトレジストを
用いて加工していたが、全面膜付は時に発生するピンホ
ール欠陥と７オトレジスト塗布時ζ発生するピンホール
欠陥が存在し、フォトマスク製造の歩留りを悪くしてい
た。
また、前記紫外線遮断膜は全て、真空装置等による膜付
は工程と、エツチング工程が必要であり、フォトマスク
製造工程が繁雑になって−る。
は工程と、エツチング工程が必要であり、フォトマスク
製造工程が繁雑になって−る。
そこで本発明の目的とするところは、これら製 □
進上の欠陥の低減と真空製置等による薄膜製造加工工程
の省略によるフォトマスク製造の簡略化を ・提供
するところにある。
進上の欠陥の低減と真空製置等による薄膜製造加工工程
の省略によるフォトマスク製造の簡略化を ・提供
するところにある。
本発明のフォトマスクは、紫外線遮断膜部分を ″
ポジ型フォトレジストの高温焼成により製造することを
特徴としている。
ポジ型フォトレジストの高温焼成により製造することを
特徴としている。
’（実施例〕
この発明の実施例を図をもとに詳しく説明する。
第１図はヘキスト社のＡＺ１３５０Ｊポジ型フォトレジ
ストを２７０（Ｏで３０（分）酸素雰囲気中で焼成した
ときの透過率曲線である。フォトマスクに求められる遮
光波長は約４００（ナノメートル）以下の紫外光で、こ
の焼成によって得られる膜を使ったフォトマスクｆｔ巣
２図に示す。ガラス基板２の上に加工されたフォトレジ
スト１を前記の条件で焼成し、これを用いて受光部アル
カリ水溶液溶出タイプのポジ型フォトレジストであるヘ
キスト社ＡＺ１３５０ＪＣ１，遮光部分の現像後の残膜
率を表１に示す。
ストを２７０（Ｏで３０（分）酸素雰囲気中で焼成した
ときの透過率曲線である。フォトマスクに求められる遮
光波長は約４００（ナノメートル）以下の紫外光で、こ
の焼成によって得られる膜を使ったフォトマスクｆｔ巣
２図に示す。ガラス基板２の上に加工されたフォトレジ
スト１を前記の条件で焼成し、これを用いて受光部アル
カリ水溶液溶出タイプのポジ型フォトレジストであるヘ
キスト社ＡＺ１３５０ＪＣ１，遮光部分の現像後の残膜
率を表１に示す。
表 １
残膜率は９５（イ）であり、本方法により得られた紫外
線遮断膜は、フォトレジスト加工上、十分な遮光能力の
あることがわかる。また表２に示すように、フォトマス
ク紫外線遮断膜面の洗浄用として表 ２ 常時使用されるアセトン拭＠に対する強度でも、全く溶
解せず十分な耐火性がある。
線遮断膜は、フォトレジスト加工上、十分な遮光能力の
あることがわかる。また表２に示すように、フォトマス
ク紫外線遮断膜面の洗浄用として表 ２ 常時使用されるアセトン拭＠に対する強度でも、全く溶
解せず十分な耐火性がある。
本発明に基ずく他の実施例ｔ−第３図に示す、酸化イン
ジウムを２００（オンダストローム）の厚さでガラス上
へ蒸着し、蒸着後ポジ壓フオトレジス）１前述と同様の
条件で加工、焼成し紫外線遮光膜ｔ−影形成る。本実施
例で得られたフォトマスクは表３に示すように耐アルカ
リ水浴液性にも優れ、耐火性が向上される。酸化インジ
ウム膜はガラス基板の光透過性を１５（４）以上そこな
うことがない特ａｔ−もつ為このフォトマスクを使用す
る露光プロセスに支障は無−〇 表 ３ 以上述べたように、本発明によれば、紫外光遮断膜付は
前のガラス基板洗浄工程、遮光膜付は工程、遮光膜エツ
チング、エツチングに用＾たフォトレジストの剥離工程
の省略が可能となる。また、今まで発生していたクロム
、ニッケル等の紫外線遮光膜のピンホールがフォトマス
ク不良項目から除かれる為、遮光パターン部分の不良が
低減され、特に近年針量体勢に入った。大型液晶表示装
置用のフォトマスクとして有効となる。
ジウムを２００（オンダストローム）の厚さでガラス上
へ蒸着し、蒸着後ポジ壓フオトレジス）１前述と同様の
条件で加工、焼成し紫外線遮光膜ｔ−影形成る。本実施
例で得られたフォトマスクは表３に示すように耐アルカ
リ水浴液性にも優れ、耐火性が向上される。酸化インジ
ウム膜はガラス基板の光透過性を１５（４）以上そこな
うことがない特ａｔ−もつ為このフォトマスクを使用す
る露光プロセスに支障は無−〇 表 ３ 以上述べたように、本発明によれば、紫外光遮断膜付は
前のガラス基板洗浄工程、遮光膜付は工程、遮光膜エツ
チング、エツチングに用＾たフォトレジストの剥離工程
の省略が可能となる。また、今まで発生していたクロム
、ニッケル等の紫外線遮光膜のピンホールがフォトマス
ク不良項目から除かれる為、遮光パターン部分の不良が
低減され、特に近年針量体勢に入った。大型液晶表示装
置用のフォトマスクとして有効となる。
更に第１図から、次の事項が可能となることが容易に想
像できる。本究明に用いられる紫外線遮断膜は、可視光
域である４００〜７００（ナノメートル）での透過率が
第１図のとうりで、たとえば６００（ナノメートル）で
約５０（パーセント）ある、したがってフォトマスク下
の処理基板を紫外線遮断膜部を含めた全滅にわたって見
ることができる。これにより、処理基板とフォトマスク
間で位置会わせ作業の必要な場合には有効に利用できる
。
像できる。本究明に用いられる紫外線遮断膜は、可視光
域である４００〜７００（ナノメートル）での透過率が
第１図のとうりで、たとえば６００（ナノメートル）で
約５０（パーセント）ある、したがってフォトマスク下
の処理基板を紫外線遮断膜部を含めた全滅にわたって見
ることができる。これにより、処理基板とフォトマスク
間で位置会わせ作業の必要な場合には有効に利用できる
。
このように、本発明のフォトマスクは、製造上の欠陥が
極めて小さくかつｍｅ工程が簡略化される効果を有する
。
極めて小さくかつｍｅ工程が簡略化される効果を有する
。
第１図は本発明のフォトマスク作図に使用するレジスト
の特注の説明図。 第２図は本発明の詳細な説明図。 ｌ・・高温焼成されたポジ型フォトレジスト２・・ガラ
ス 第３図は本発明の他の実施例の説明図。 ３・・酸化インジウム 以上
の特注の説明図。 第２図は本発明の詳細な説明図。 ｌ・・高温焼成されたポジ型フォトレジスト２・・ガラ
ス 第３図は本発明の他の実施例の説明図。 ３・・酸化インジウム 以上
Claims (2)
- （１）紫外線遮断をパターン状に行なうフォトマスクに
おいて、ポジ型フォトレジストを２００〜４００（℃）
で焼成して得られる膜を前記紫外線遮断の膜として使用
したことを特徴とするフォトマスク。 - （２）紫外線遮断膜とガラス基板の間に、酸化インジウ
ム又は酸化スズの透明薄膜を介したことを特徴とする特
許請求の範囲第一項記載のフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60147713A JPS628150A (ja) | 1985-07-05 | 1985-07-05 | フオトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60147713A JPS628150A (ja) | 1985-07-05 | 1985-07-05 | フオトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS628150A true JPS628150A (ja) | 1987-01-16 |
Family
ID=15436518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60147713A Pending JPS628150A (ja) | 1985-07-05 | 1985-07-05 | フオトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS628150A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002015242A1 (en) * | 2000-08-15 | 2002-02-21 | Hitachi, Ltd. | Method of producing semiconductor integrated circuit device and method of producing multi-chip module |
-
1985
- 1985-07-05 JP JP60147713A patent/JPS628150A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002015242A1 (en) * | 2000-08-15 | 2002-02-21 | Hitachi, Ltd. | Method of producing semiconductor integrated circuit device and method of producing multi-chip module |
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