JPS6282415A - メモリシ−トの保管システム - Google Patents

メモリシ−トの保管システム

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Publication number
JPS6282415A
JPS6282415A JP60223222A JP22322285A JPS6282415A JP S6282415 A JPS6282415 A JP S6282415A JP 60223222 A JP60223222 A JP 60223222A JP 22322285 A JP22322285 A JP 22322285A JP S6282415 A JPS6282415 A JP S6282415A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
memory
memory sheet
sheet
power supply
power
Prior art date
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Pending
Application number
JP60223222A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshikazu Ikenoue
義和 池ノ上
Satoshi Yoshida
聡 吉田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Minolta Co Ltd
Original Assignee
Minolta Co Ltd
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Filing date
Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はメモリシートの保管システムに関し、さらに詳
しくは、内部にランダムアクセスメモリ及びこのランダ
ムアクセスメモリをバックアップするバッテリを備えた
メモリシートの保管システムに関する。
従来の技術 近年、パーソナルコンピュータや0A(i器、FA機器
等の情報処理装置の外部記憶装置としてランダムアクセ
スメモリ(RAM)及びそのRA Mをバックアップす
るためのバッテリを備えたメモリシート(メモリカード
あるいはICカード)なるものが提供されている。
発明が解決しようとする問題点 このメモリシートはフロッピィディスク装置と比較し、
高速にアクセスでき、持ち運びに便利であるし、また、
その記憶内容を容易に変更できるといった利点がある。
しかし−力、メモリシー ト内に内蔵されているバッテ
リによりRA Mのバックアップを行っているため、メ
モリシート保管中 /Nツテリの寿命がくると、R,A
 Mに記憶されている情報か消失して1、まっといった
不都合があり、このため、古くなっL−メモリシートに
記憶されている情報は、そのバックアップ用の内蔵バッ
テリの寿命がくる商に新しいメモリシートに記憶し直さ
なければならなかった。
そこで本発明は(て4[[i1情9ど鑑み、メモリシー
トを保管l−る際、その内蔵バッテリの寿命切れにより
、記憶情報が損なわれるといった不都合を極力防止し、
また、内蔵バッテリの消費を少なくすることの11能な
メモリシートの保管システムを提供することを目的とす
る。
問題点を解決するための手段 以上の問題点を解決するため本発明においては、ランダ
ムアクセスメモリと、該ランダノ、アクセスメモリにバ
ックアップ用電力を供給する/Nツテリと、外部電源か
らの電力を受ける電極部と、該電極部に外部からの″電
力を受けているとき、1゜記ランタムアクセスメモリの
バックアップ月1電力を外部電源からの電力とするバッ
クアップ用電力切り換え手段とを備えたメモリシー ト
1こおいて、該メモリシートを収納可能な収納部と、該
収納部へのメモリシートの収納状η1において、1−記
メモリシートの電極部と接するように配設された電極部
と、該電極部よりメモリシートの電極部へ電力を供給す
る電力供給手段とを有する電lJn装置の−f二足収納
部に、上記メモリシートが情報処理装置面等に接続され
ていない時、」−記メモリンートを収納することによっ
て保管することを特徴とする。
作   用 ランタムアクセスメモリ(1ζA M )と、l(A、
 Mのバックアップをするバッテリと、外部電源からの
電力を受ける電極部と、この電極部に外部からの電力を
受けているとき弁RA Mのバックアップ用電力を外部
電源からの電力とする)<ツクγツブ用電力切り換え手
段とを備えたメモリシートを、メモリシートが他の情報
処理装置に接続されていtイい時、電源装置の収納部に
収納することによって保管する。この時、メモリシート
の電極部は、電源装置の電極部と接続され、メモリシー
トの電極部に電源装置から電力が供給され、この電力に
よってメモリシートのRA八へのバックアップがなされ
る。
実  施  例 第1図、第2図はメモリシート(1)の外観内及びその
構造を示す分解図である。
第2図中(2)はランダムアクセスメモリ(jl&RA
Mと呼ぶ)や制御用マイクロプロセッサ(以後M P 
[+と呼ぶ)等を実装したフレキシブル基板であり、(
3)は主に上記RA Mの記憶内容のバックアップを行
なうためのペーパーバッテリーである。
これらフレキシブル基板(2)及びバッテリー(3)は
構造体(4)に穿設された穴(4a)に重ね合わされた
状態で位置決めされ、保護シート(5)と(6)とに挾
持されてメモリシート(1)を形成している。
また、保護シー) (51、(61の端部の同じ位置に
は、メモリシート(])を後述するバインダー型電源装
置(1,00)に収納出来る様に、2つの穴(7) 、
 (81がそれぞれに穿設されており、この穴(71、
(81の位置に対応する構造体(4)端部にも長方形状
の穴(41))、(4C)が穿設されている。さらに、
穴(4h)、(4C)には上記保護シート(51、(6
1に設けられている穴(71、(81と同径の穴(9)
、(10)を有する入出力端−P In 、 +12+
が設けられている。この入出力端子+11+ 、 ++
2)は後述するバインダー型電源装置(10(1)等の
外部電源端子と接続された時、この外部電源端子よりR
AMのバックアップの電力供給を受けるための電極(1
3+ 。
(14)と、外部装置と光通信を行うための受光素子(
15) 。
発光素子(16)とからなっており、その受光素子(1
5)の受光面(15a)と発光素−f16)の発光面(
16a) LL上記入出力端子+Ill 、 ++2)
ζこ穿設された穴(9+ 、 1IO)の内面にそれぞ
れ位置している。(第3面参照)第4図はメモリシー1
−(11内の回路構成を示すブロック図である。R,A
 M ’l)は内部パス(21)によりMPUと接続さ
れており、M P (、、+ (22)からの1’−5
AVE信号により待機状態となる。また、M P U+
22+にはシリアルインターフェイスが内蔵されており
、−[ニ配光通信用の受光素子(15)及び発光素子(
16)により外部装置との通信が可能である。(23)
はメモリシート(1)の電源制御部であり、電極(13
+ 、 +1111を介して供給される外部電源からの
電力と、内蔵バッテリー(3)からの電力とを切り換え
たり、M P U f22)にRESET信号を出力し
たり、才だ、M P U (22)からは(、−BUS
Y信号が入力される。ここで、RESET信号とはMP
U(22)にリセットをかける信号であり、−L”レベ
ルのときM T’ TJ (221にリセットがかかる
。また、C−BUSY信号とはM T’ I、J (2
21の状態を示す信号であり、”■−”レベルのときM
 P U (,71は作動中であることを示す。
第5図は電源制御部(23)の回路図、第6図はその動
作のタイミングチャートである。メモリシート(1)が
他の電源装置と接続されておらず、メモリシート(11
が用地であり、外部電力が出入力端子(111。
)12)の電極に供給されていない場合(第6図中【0
〜L+)は、0点の電圧がツェナーダイオード(zn)
で設定される所定の電圧(VZ)より低く、トランジス
タ(Q)は動作せず、図中0点での電位が“■・”レベ
ルとなり、インバータ(G+)を介してNANDゲー)
(G2)の入力端子に“II”レベルの信号が人力され
る。この時、NANDゲート(G2)のもう一方の入力
端子に入力されているC−1uJSY信号が11”レベ
ルであれは、即ち、M I” tI(22)が内部処理
をしていなければ、N A N f’)ゲー1−(G2
)の出力端子から出力されるR I籠S 1ζ1゛信号
が−1−”レベルとなり、M P U (22)にリセ
ットがかけられる。さらに、この時、kA M (20
) +c 対t ルP−sAvE信号も0FFL、Mp
Uf22)とともにRA M f20)も待機状態とな
る。
メモリシート(1)か外部装置と接続され、外部電力が
電極(13) 、 (141に供給され、0点の電圧が
ツェナーダイオード(Z l) )で設定される所定の
電圧(V 7. )を越えた時(第6図中【1〜15)
、トランジスタ(Q)かONシ、0点での電位が”tI
”レベルとなり、インバータ(G1)を介してNAND
ゲート(G2)の入力端子に”■・”レベルの信号が入
力サレ、N A N I)ゲート(G2)の出力端子か
らのRE S E ’I−信号が・r−1“レベルにな
って、M P U (4)が動作を開始する。
この時、電力は外部装置から供給されており、バッチI
J −(3+の電力は消費されていない。
マタ、M P U (221が動作中に外部装置からの
電力供給がOFFされた場合(第6図中15〜t6)に
は、あらかじめMPTJ(22)が処理中であることを
示す信号(C−ISUSY、、=−L″)がNANDゲ
ート(G2)の入力端子に入力されているため、途中で
M P U (22+にリセットがかかることを防止し
ている。
このような電源制御回路において、(Gl)は電極++
3) 、 +741が外部電源端子と接触不良を行こし
た場合に誤動作を防止するためのコンデンサで、(Rり
はコンデンサ((、+月こ対する急速充電で外部装置の
誤動作を防止するための抵抗である。
第7図は、M I) U (22)の処理フローチャー
トであされ、Kl較SE’r信号が′H“レベルになり
、MPU(221のRESETが解除されると、M P
 U (22]内部の初はコマンド入力があり、外部装
置からの信号でMC−J3USY信号をL”レベルとし
てMPUel!2)のり〜 9− セットを禁止し、p−5Avr;、信号をI7”レベル
とでコマンドの解析を行い、人力されたコマンドがRA
 M (2Qiに対する読み出しくREAD)のコマン
ドにおいて、C−BUSY信号をII ” レベル、P
−8AVE信号を”H″レベルして、M P U f2
2)のリセット禁次に、第8図を用いてバインダー型電
源装置(100)を説明する。第8図はバインダー型電
源装置(100)の斜視図である。
付加的機能としてパーソナルコンピュータ機能を備えた
本体(101)は、全体として偏平な直方形状をなし、
後述するように板状のツバ一部材(102)上に固設さ
れていて、その中央部にはメモリシート(1)より読み
取った情報等を表示する液晶表示部−1〇− (HI3)と、メモリシート(1)1こ記憶されている
情報を読7ノ取−)たり、メモリシート(11に情報を
書き込んだりするだめの操作に使用される操作部(10
4)か設けられている。
カバ一部14(]+02は本体(+01)と固着されて
いる底面部(102a)、右側面部(10211)、本
体(101)の■二面をカバーする上面部(H12c)
、左側面部(102d)の1枚の47i状の部材から構
成されており、例えば書類の保管に用いられるブック形
のバインダや写真のアルバム等(こよく用いられている
よう(こ、それぞれの血は芯材をビニール樹脂等の可撓
性部材により被覆され、隣り合う面と血は該可撓性部材
で接合されることにより互いに折り曲げd1能とfSっ
でる。
このカバ一部材(102)の右側面部(102b)内面
には、メモリシート(1)を綴じ込むととも(こ、メモ
リシー1−(11と光通信を行なったり、メモリシート
(1)に電力を供給するための綴じ込み部材(105)
、(106)が設けらイ1ている。綴し込み部(105
)、(106)は第0図に示すように、半透明の可撓性
部材であり、その根元にはメモリシー1−(Ilと同様
に、光通信用の発光素イ(107)及び、受光素−F(
+08 ) 全内蔵している。また、表面の一部は力電
性の電極部C1r)!す。
(110)となっており、メモリシート(Ilに電力を
供給する。
第10図はバインター型電源装置(](+10内の回路
構成を示すプロ・ツク図である。制御部はM P 1.
、+(III)を中心にプログラドやデータを記憶する
メモリ(112Lキイ人カ月1の人力ポート(N:()
、表示部制御用のL CDコントIJ−ラ(+14) 
、前述したメモリシート(Il等の補助記憶装置とデー
タ交換するための通信制御部(] +15及びこれらを
駆動するためのバッテリ(+16)よりなる。
通信制御部(+15)は光学式のシリアル通信を行うも
ので、送信用の発光素イ(1(17) 、受信用の受光
素子(+08)が接続されている。通信用の光は、メモ
リシート保持機能を備えた半透明の部材からなる綴じ込
み部材(+05)、(]0fi)により、メモリシート
(1,Iとバインダ型パソコン(+(10)との間で伝
送される。また電極部(10!l)、(110) +ま
本体部(101)(こ内蔵さイ1ているバッテリ(11
6)に接続されており、メモリシー1−(11に電力を
供給する。
また、図中(R+oo)、(Iη00)はバッテリ(1
1,6)の保護を目的と1−だ抵抗とダイオードである
以−にの様1、fバインター型電源装置(+00)に第
11図に示すようにメモリシート(1)を収納すると、
バインダー型電源装置(100)の電極(109)、(
110)を介し、メモリシート(1)の電極(13) 
、 f14]に電源装置(100)のバッチIJ (1
16)より電力が供給され、メモリシート(1)内のR
A M (20)はこの電力によってバックアップされ
ることlこなり、メモリシート(1)内のバッテリ(:
3)の電力は消費されない。またこの時、電源装置(+
00)の受光素子(108) 、発光素子(107)と
メモリシート(1)の発光素子06) 、受光素子(1
5)とが綴し込み部材(105) 、(106)により
連絡されることになり、電源装置(100)の操作部(
1,04,)の操作により光通信可能状態となる。
第12図、+13図は別実施例を示す斜視図であり、図
中(150)は電源装置であり、(50)はメモリシー
トである。電源装置(150)及びメモリシート(50
)は機能的には前記実施例のバインダー型電源装置(1
00)及びメモリシー1−(11と同様の機能を有する
。メモリシー) (50)は電源装置(] +50)の
収納部(15]、)iこそれぞれの仕切り毎(こ収納さ
れる。Lうになっており、こうj7て収納されることに
よって、収納部(151)底面に設けられている電極部
(152)。
(153)とメモリシート(50)の電極部(51)、
(52)とが接続されるとともに、メモリシー) (5
0)の発光素子(53)、受光素子(54)も電源装置
(+50)の受光素子(154) 、発光素子(155
)とそれぞれ接続され、RA Mバックアップ用の電力
を供給されるとともに、電源装置(150)と通信可能
状態となる。ここで、電極部(152)、(153)は
メモリシートの収納される方向に対して直交する方向に
延びたレール状の部材である。
なお、電源装置とメモリシートの電極部を磁石にしたり
、または、電源装置とメモリシートの電極部近傍のそれ
ぞれ対向する位置に磁石を設けることによって、メモリ
シートが電極装置(こ収納された時、上記磁石の引き合
う力で電極部の接続を良好にすることができる。
また、電極部の形状を第14図に示すようにメモリシー
ト(1)を挟持するような形状にすることによっても、
電源装置側の電極(1003’ ) 、 (loOb’
 )とメモリシートの電極(Ia’ ) 、(] l)
’ )とを良好に接続できる。
さらに、メモリシートの形態としては、第15図に示す
ように、メモリシート(1″)表面にポケット(la”
)を設けても良く、メモリシート内の情報等に関するイ
ンデックス等の付加的情報の書き込まれたメモ片をポケ
ット(Ia’りに収納すれはメモリシートの使い勝手も
向上する。
発明の効果 以上の説明で明らかなように、ランダムアクセスメモリ
と、該ランダムアクセスメモリにバックアップ用電力を
供給するバッテリと、外部電源からの電力を受ける電極
部と、該電極部に外部からの電力を受けているとき、上
記ランダムアクセスメモリのバックアップ用電力を外部
電源からの電力とするバックアップ用電力切り換え手段
とを備えたメモリシートにおいて、該メモリシートを収
納可能な収納部と、該収納部へのメモリシートの収納状
態において、上記メモリシートの電極部と接するように
配設された電極部と、該電極部よりメモリシートの電極
部へ電力を供給する電力供給手段とを有する電源装置の
−に記収納部に、−4−記メモリシートが情報処理装置
等に接続されていない時、上記メモリシートを収納する
ことによって保管することを特徴としたため、メモリシ
ート保管時、バックアップ用バッテリの寿命切れにより
、メモリシートのランダムアクセスメモリ内の記憶情報
が損なイつれるといった不都合は起こらず、また、バッ
クアップ用バッテリの消費を少なくすることが出来る。
【図面の簡単な説明】
第1図、第2図はメモリシートの外観図及びその構造を
示す分解図、第3図は第1図、第2図に示すメモリシー
トの入出力端子の斜視図、第4図はメモリシート内の回
路構成を示すブロック図、第5図はメモリシートの電源
制御部の回路図、第6図は電源制御部の動作のタイミン
グチャート、第7図はメモリシート内のマイクロプロセ
ッサの処理70チヤート、第8図はバインダー型電源装
置の斜視図、第9図はバインダー型電源装置の綴じ込み
部材の斜視図、第10図はバインダー型電源装置内の回
路構成を示すブロック図、第11図はバインダー型電源
装置にメモリシートを収納した時の様子を示す図、第1
2図、第13図は電源装置の別実施例を示す斜視図及び
断面図、第14図は電源装置の電極部の一形態を示す斜
視図、第15図はメモリシートの一形態を示す斜視図で
ある。 (11、(50)、(1’ )、(1″)・・・メモリ
シート、(3)・・・・ペーパバッテリ、 (13] 
、(i41 、 (109) 、(110) 、(51
)、(52)。 (152) 、(153) 、(la’ )、(Ib’
 ) 、(100a’ )、(loob’ )・・・・
電極、(15+ 、(108)、(54)、(154)
・・・・受光素子、(16)。 (107)、(53)、(155)・・・・発光素子、
(23)・・・・電源制御部、(100)・・・・バイ
ンダ型電源装置、(150)・・・・電源装置、(15
1)・・・・収納部。 出願人  ミノ・レタカメラ株式会社 第5 図 俤乙図 1r6   DI     T/2   L3’L41
−f   ル6□Oc: 第1Z図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ランダムアクセスメモリと、該ランダムアクセスメモリ
    にバックアップ用電力を供給するバッテリと、外部電源
    からの電力を受ける電極部と、該電極部に外部からの電
    力を受けているとき、上記ランダムアクセスメモリのバ
    ックアップ用電力を外部電源からの電力とするバックア
    ップ用電力切り換え手段とを備えたメモリシートにおい
    て、該メモリシートを収納可能な収納部と、該収納部へ
    のメモリシートの収納状態において上記メモリシートの
    電極部と接するように配設された電極部と、該電極部よ
    りメモリシートの電極部へ電力を供給する電力供給手段
    とを有する電源装置の上記収納部に、上記メモリシート
    が情報処理装置等に接続されていない時、上記メモリシ
    ートを収納することによって保管することを特徴とする
    メモリシートの保管システム。
JP60223222A 1985-10-07 1985-10-07 メモリシ−トの保管システム Pending JPS6282415A (ja)

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58208884A (ja) * 1982-05-31 1983-12-05 Seiko Instr & Electronics Ltd Icカ−ドホルダ

Patent Citations (1)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58208884A (ja) * 1982-05-31 1983-12-05 Seiko Instr & Electronics Ltd Icカ−ドホルダ

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