JPS6282730U - - Google Patents

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JPS6282730U
JPS6282730U JP17329685U JP17329685U JPS6282730U JP S6282730 U JPS6282730 U JP S6282730U JP 17329685 U JP17329685 U JP 17329685U JP 17329685 U JP17329685 U JP 17329685U JP S6282730 U JPS6282730 U JP S6282730U
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semiconductor
heat treated
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light
heat treatment
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  • Recrystallisation Techniques (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第１図はこの考案の半導体熱処理装置の実施例
を示す斜視図、第２図はハロゲンランプの発光波
長に対する発光強度分布を示す図、第３図はシリ
コンのエネルギバンドを示す図である。 ２……被熱処理半導体としての半導体ウエーハ
、１２Ａ，１２Ｂ……フイルタ装置、１４Ａ，１
４Ｂ……光源、１５……放射光、１８……低域通
過フイルタ板。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 被熱処理半導体に光を照射して加熱する半
    導体熱処理装置において、前記被熱処理半導体に
    光を照射する光源と、前記被熱処理半導体との間
    に被熱処理半導体に応じて光の通過領域を設定し
    たフイルタを設置したことを特徴とする半導体熱
    処理装置。 (2) 前記フイルタは、被熱処理半導体の禁制帯
    幅に相当する波長以下の波長領域を通過帯域に設
    定したことを特徴とする実用新案登録請求の範囲
    第１項に記載の半導体熱処理装置。 (3) 前記フイルタは、冷却手段によつて冷却す
    ることを特徴とする実用新案登録請求の範囲第１
    項に記載の半導体熱処理装置。
JP17329685U 1985-11-11 1985-11-11 Expired - Lifetime JPH0525230Y2 (ja)

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JP17329685U JPH0525230Y2 (ja) 1985-11-11 1985-11-11

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Publication Number Publication Date
JPS6282730U true JPS6282730U (ja) 1987-05-27
JPH0525230Y2 JPH0525230Y2 (ja) 1993-06-25

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ID=31110622

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02126634A (ja) * 1988-11-07 1990-05-15 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法および製造装置
JP2011100849A (ja) * 2009-11-06 2011-05-19 Ushio Inc シリコン薄膜の処理方法およびフラッシュランプ照射装置
JP2013507775A (ja) * 2009-10-09 2013-03-04 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 基板の加熱および冷却の制御改善のための装置および方法

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JP2013507775A (ja) * 2009-10-09 2013-03-04 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 基板の加熱および冷却の制御改善のための装置および方法
JP2011100849A (ja) * 2009-11-06 2011-05-19 Ushio Inc シリコン薄膜の処理方法およびフラッシュランプ照射装置

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JPH0525230Y2 (ja) 1993-06-25

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