JPS6237927U - - Google Patents

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JPS6237927U
JPS6237927U JP12953785U JP12953785U JPS6237927U JP S6237927 U JPS6237927 U JP S6237927U JP 12953785 U JP12953785 U JP 12953785U JP 12953785 U JP12953785 U JP 12953785U JP S6237927 U JPS6237927 U JP S6237927U
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quartz
supported
heat treatment
treatment apparatus
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Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案を実施した半導体基板の熱処理
装置の構成例断面図、第２図は第１図中の石英板
の作用の説明図、第３図はハロゲンランプの波長
対放射強度特性図、第４図は石英板の波長対透過
率特性図、第５図〜第７図はウエハに対する石英
板の支持方法の例を示す斜視図である。 １…ウエハ、２，２′…反射鏡板、３，３′…
ハロゲンランプ、４…石英製チヤンバ、５，７…
石英板、６…保持用石英ピン、８，９，９ａ，９
ｂ，９ｃ…支持体、１０…熱流。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 半導体基板を内部に収容し、上方および下
    方より可視光を含む赤外線によつて加熱される赤
    外線透過性の石英製チヤンバの内部に、さらに半
    導体基板面内の温度分布を均一にする目的にて半
    導体基板の表、裏両面にそれぞれ近接して半導体
    基板の１．２倍以上の直径を有する石英製円板を
    設け、半導体基板とこれらの石英円板との間隔を
    約１０mm以下としたことを特徴とする半導体基板
    の熱処理装置。 (2) 半導体基板はその裏面に対向する下方の石
    英製円板より３個の石英製ピンにて支持させると
    共に、半導体基板の上方石英円板は該半導体基板
    を取囲んで下部石英円板上に設置したリング状石
    英板によつて支持するように構成したことを特徴
    とする実用新案登録請求の範囲第１項記載の半導
    体基板の熱処理装置。
JP12953785U 1985-08-27 1985-08-27 Pending JPS6237927U (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007519232A (ja) * 2003-12-19 2007-07-12 マトソン テクノロジー カナダ インコーポレイテッド 工作物の熱誘起運動を抑制する機器及び装置
JP2013030772A (ja) * 2003-12-19 2013-02-07 Mattson Technology Canada Inc 工作物の熱誘起運動を抑制する機器及び装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61129834A (ja) * 1984-11-28 1986-06-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 光照射型熱処理装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61129834A (ja) * 1984-11-28 1986-06-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 光照射型熱処理装置

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