JPS6283365A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPS6283365A JPS6283365A JP60219563A JP21956385A JPS6283365A JP S6283365 A JPS6283365 A JP S6283365A JP 60219563 A JP60219563 A JP 60219563A JP 21956385 A JP21956385 A JP 21956385A JP S6283365 A JPS6283365 A JP S6283365A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric constant
- temperature
- porcelain composition
- composition
- dielectric porcelain
- Prior art date
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- Pending
Links
Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は焼成温度が１１００℃以下で焼成される高誘電
率系誘電体磁器組成物に関し、特に誘電率の１品度変化
の小さいものに関する。
率系誘電体磁器組成物に関し、特に誘電率の１品度変化
の小さいものに関する。
従来の技術
近年セラミックコンデンサにおいては、素子の小型化、
大容量化への要求から！ＰｔＰｔ上型セラミックコンデ
ンサ速に普及しつつある。積層型セラミックコンデンサ
は内部電極とセラミックを一体焼成する工程によって通
常製造される。従来より高誘電率系のセラミックコンデ
ンサ材料にはチタン酸バリウム系の材料が用いられてき
たが、焼成温度が１３００℃程度と高いため、内部電極
材料としてはＰｉＸＰｄなどの高価な金属を用いる必要
があった。
大容量化への要求から！ＰｔＰｔ上型セラミックコンデ
ンサ速に普及しつつある。積層型セラミックコンデンサ
は内部電極とセラミックを一体焼成する工程によって通
常製造される。従来より高誘電率系のセラミックコンデ
ンサ材料にはチタン酸バリウム系の材料が用いられてき
たが、焼成温度が１３００℃程度と高いため、内部電極
材料としてはＰｉＸＰｄなどの高価な金属を用いる必要
があった。
これに対し１１００℃以下で焼成でき内部電極として前
者より安価なＡｇ系材料を用いることができる鉛複合ペ
ロブスカイト系材料が開発されている。例えばＰｂＺｒ
Ｏ３を主成分として含むものとしては、特開昭５５−２
１８５０号公報に記載の材料が知られている。
者より安価なＡｇ系材料を用いることができる鉛複合ペ
ロブスカイト系材料が開発されている。例えばＰｂＺｒ
Ｏ３を主成分として含むものとしては、特開昭５５−２
１８５０号公報に記載の材料が知られている。
発明が解決しようとする問題点
ＰｂＺｒ０３を主成分とする材料には、積層コンデンサ
素子として高信頼性を得るためのチ密な焼結体を１１０
０’Ｃ以下の焼成温度で得られるものもあるが、ＰｂＺ
ｒＯ３はキュリ一点が２２０℃にあり２０℃では誘電率
が２００以下と小さい値を示す。
素子として高信頼性を得るためのチ密な焼結体を１１０
０’Ｃ以下の焼成温度で得られるものもあるが、ＰｂＺ
ｒＯ３はキュリ一点が２２０℃にあり２０℃では誘電率
が２００以下と小さい値を示す。
本発明は、磁器の焼成温度が低く、キュリ一点を室温付
近に持ち室温で高い誘電率を示す誘電体磁器組成物を提
供することを目的としている。
近に持ち室温で高い誘電率を示す誘電体磁器組成物を提
供することを目的としている。
問題点を解決するための手段
ＰｂＺｒＯｓに第二成分として、Ｐｂ （Ｚｎｔ、２Ｖ
ｉ’ｌ、２）０３を加えた組成とする。
ｉ’ｌ、２）０３を加えた組成とする。
作用
Ｐｂ （Ｚｎｘｔ２Ｗｌ／２ ） ０３をＰｂＺｒＯ３
１：：加えることにより、１１００°Ｃ以下の焼成温度
で積層コンデンサ素子として高信頼性を得られるチ密な
焼結体が得られ、かつ室温での誘電率が大きく、積層コ
ンデンサ素子に用いた場合内部電極にＡｇ系材料が使用
でき、大容量の素子が得られる。
１：：加えることにより、１１００°Ｃ以下の焼成温度
で積層コンデンサ素子として高信頼性を得られるチ密な
焼結体が得られ、かつ室温での誘電率が大きく、積層コ
ンデンサ素子に用いた場合内部電極にＡｇ系材料が使用
でき、大容量の素子が得られる。
実施例
出発原料には化学的に高純度なＰｂＯ１ＺｒＯ２、Ｚｎ
Ｏ，ＷＯｓを用いた。これらを純度補正をおこなったう
えで所定量を秤量し、メノウ製玉石を用い純水を溶媒と
しボールミルで１７時時間式混合した。これを吸引ろ過
して水分の大半を分離した後乾燥し、その後ライカイ機
で充分解砕した後粉体量の５ｗｔ％の水分を加え、直径
６０覇、高さ約５０ｍｍの円柱状に、成形圧力５００ｋ
ｇ／ｃ＋＋＋２で成形した。これをアルミナルツボ中に
入れ同質のフタをし、７５０℃〜８１０℃で２時間仮焼
した。次に仮焼物をアルミナ乳鉢で粗砕し、さらにメノ
ウ製玉石を用い純水を溶媒としてボールミルで１７時間
粉砕し、これを吸引ろ過し水分の大半を分離した後乾燥
した。以上の仮焼、粉砕、乾燥を数回くりかえした後、
この粉末にポリビニルアルコール６ｗｔ％水溶液を粉体
量の６ ｗ ｔ％加え、３２メツシユふるいを通して造
粒し、成形圧力１０００ｋｇ／ｃｍ２で直径１３Ｍ１高
さ約５１ｍ１の円柱状に成形した。成形物は空気中で７
００℃まで昇温し１時間保持することにより、ポリビニ
ルアルコール分をバーンアウトし冷却後これをマグネシ
ャ磁器容器に移し、同質のフタをし、空気中で所定温度
まで４００℃／ ｈ ｒで昇温し２時間保持後４００℃
／ｈｒで降温した。
Ｏ，ＷＯｓを用いた。これらを純度補正をおこなったう
えで所定量を秤量し、メノウ製玉石を用い純水を溶媒と
しボールミルで１７時時間式混合した。これを吸引ろ過
して水分の大半を分離した後乾燥し、その後ライカイ機
で充分解砕した後粉体量の５ｗｔ％の水分を加え、直径
６０覇、高さ約５０ｍｍの円柱状に、成形圧力５００ｋ
ｇ／ｃ＋＋＋２で成形した。これをアルミナルツボ中に
入れ同質のフタをし、７５０℃〜８１０℃で２時間仮焼
した。次に仮焼物をアルミナ乳鉢で粗砕し、さらにメノ
ウ製玉石を用い純水を溶媒としてボールミルで１７時間
粉砕し、これを吸引ろ過し水分の大半を分離した後乾燥
した。以上の仮焼、粉砕、乾燥を数回くりかえした後、
この粉末にポリビニルアルコール６ｗｔ％水溶液を粉体
量の６ ｗ ｔ％加え、３２メツシユふるいを通して造
粒し、成形圧力１０００ｋｇ／ｃｍ２で直径１３Ｍ１高
さ約５１ｍ１の円柱状に成形した。成形物は空気中で７
００℃まで昇温し１時間保持することにより、ポリビニ
ルアルコール分をバーンアウトし冷却後これをマグネシ
ャ磁器容器に移し、同質のフタをし、空気中で所定温度
まで４００℃／ ｈ ｒで昇温し２時間保持後４００℃
／ｈｒで降温した。
焼成物は厚さ１ｍの円板状に切断し、両面にＣｒ−Ａｕ
を蒸着し、誘電率、ｔａｎδを１ｋＨｚ、ＩＶ／ｍｍの
電界下で測定した。
を蒸着し、誘電率、ｔａｎδを１ｋＨｚ、ＩＶ／ｍｍの
電界下で測定した。
なお焼成温度は焼成物の音度がもっとも太き（なる温度
とした。
とした。
表１に、本発明の組成範囲および周辺組成の成分、焼成
温度、誘電率、ｔａｎδ、誘電率の温度変化率を示す。
温度、誘電率、ｔａｎδ、誘電率の温度変化率を示す。
（以下余白）
発明の範囲外の組成物では、表１のＮｏ、に＊印をつけ
た試料を例として挙げたが、最適焼成温度が１１００℃
を越える、あるいはキュリ一点が室温から太き（はずれ
誘電率が小さくなり誘電率の温度変化率が大きくなる難
点を有している。発明の範囲内の組成物では＠記の問題
がいずれも克服されている。
た試料を例として挙げたが、最適焼成温度が１１００℃
を越える、あるいはキュリ一点が室温から太き（はずれ
誘電率が小さくなり誘電率の温度変化率が大きくなる難
点を有している。発明の範囲内の組成物では＠記の問題
がいずれも克服されている。
発明の効果
本発明によれば、１１００℃以下の温度で積層コンデン
サ素子として高信頼性を得るためのチ密な焼結体が得ら
れ、内部電極としてＡｇ系の材料を用いることが可能に
なり、かつ高い誘電率が得られ誘電率の温度変化率の小
さい優れた誘電体磁器組成物をえることができる。
サ素子として高信頼性を得るためのチ密な焼結体が得ら
れ、内部電極としてＡｇ系の材料を用いることが可能に
なり、かつ高い誘電率が得られ誘電率の温度変化率の小
さい優れた誘電体磁器組成物をえることができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＰｂＺｒＯ＿３、Ｐｂ（Ｚｎ＿１＿／＿２Ｗ＿１＿／＿
２）Ｏ＿３からなる二成分系磁器組成物を ＰｂＺｒ＿ｘ（Ｚｎ＿１＿／＿２Ｗ＿１＿／＿２）＿ｙ
Ｏ＿３と表したときに（ただし、ｘ＋ｙ＝１．００）０
．５２≦ｘ≦０．８４ の組成範囲にあることを特徴とする誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60219563A JPS6283365A (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60219563A JPS6283365A (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6283365A true JPS6283365A (ja) | 1987-04-16 |
Family
ID=16737468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60219563A Pending JPS6283365A (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6283365A (ja) |
-
1985
- 1985-10-02 JP JP60219563A patent/JPS6283365A/ja active Pending
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