JPS6283351A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPS6283351A JPS6283351A JP60222242A JP22224285A JPS6283351A JP S6283351 A JPS6283351 A JP S6283351A JP 60222242 A JP60222242 A JP 60222242A JP 22224285 A JP22224285 A JP 22224285A JP S6283351 A JPS6283351 A JP S6283351A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- composition
- ceramic composition
- dielectric ceramic
- dielectric constant
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は焼成温度が１０００℃以下で焼成される高誘電
率系誘電体磁器組成物に関し、特に高温度下での抵抗率
の大きいものに関する。
率系誘電体磁器組成物に関し、特に高温度下での抵抗率
の大きいものに関する。
従来の技術
近年セラミックコンデンサにおいては、素子の小型化、
大容量化への要求から積層型セラミックコンデンサが急
速に普及しつつある。積層型セラミックコンデンサは内
部電極とセラミックを一体焼成する工程によって通常製
造される。従来より高誘電率系のセラミックコンデンサ
材料にはチタン酸バリウム系の材料が用いられてきたが
、焼成温度が１３００℃程度と高いため、内部電極材料
としてはＰｉ、Ｐｄなどの高価な金属を用いる必要があ
った。
大容量化への要求から積層型セラミックコンデンサが急
速に普及しつつある。積層型セラミックコンデンサは内
部電極とセラミックを一体焼成する工程によって通常製
造される。従来より高誘電率系のセラミックコンデンサ
材料にはチタン酸バリウム系の材料が用いられてきたが
、焼成温度が１３００℃程度と高いため、内部電極材料
としてはＰｉ、Ｐｄなどの高価な金属を用いる必要があ
った。
これに対し１１００℃以下で焼成でき、内部電極として
前者より安価なＡｇ系材料を用いることができる゛鉛複
合ペロブスカイト系材料が開発されている。
前者より安価なＡｇ系材料を用いることができる゛鉛複
合ペロブスカイト系材料が開発されている。
これらのうち例えば、Ｐｂ（Ｚｎ１ｔｓ Ｎｂｚｚ＋
）０３とＰｂ （Ｍｇｔｚ＋ Ｎｂ２ｔｓ ＞ ０３を
含むものとしては特開昭５７−２５６０７号公報、同５
７−２７９７４号公報などに記載の材料が知られている
。
）０３とＰｂ （Ｍｇｔｚ＋ Ｎｂ２ｔｓ ＞ ０３を
含むものとしては特開昭５７−２５６０７号公報、同５
７−２７９７４号公報などに記載の材料が知られている
。
発明が解決しようとする問題点
Ｐｂ（Ｚｎｘ／３Ｎｂｚｚｓ ）Ｏ＊ −Ｐｂ（Ｍｇ１
ｚｓＮｂ２ｔｓ ） Ｏｏ系固溶体は高い誘電率が得ら
れるが、特に高温下での抵抗値がやや低下する傾向を有
していた。
ｚｓＮｂ２ｔｓ ） Ｏｏ系固溶体は高い誘電率が得ら
れるが、特に高温下での抵抗値がやや低下する傾向を有
していた。
本発明ではかかる問題点に鑑みＰｂ（Ｚｎ１ｚ＋Ｎｂ２
ｚｓ）Ｏｓ Ｐｂ（Ｍｇｔｚ３Ｎｂ＊ｚｓ）Ｏｓ系の
もつ高い誘電率をそこなわず、高温下での抵抗値の高い
誘電体磁器組成物を提供することを目的としている。
ｚｓ）Ｏｓ Ｐｂ（Ｍｇｔｚ３Ｎｂ＊ｚｓ）Ｏｓ系の
もつ高い誘電率をそこなわず、高温下での抵抗値の高い
誘電体磁器組成物を提供することを目的としている。
問題点を解決するための手段
Ｐｂ（Ｚｎｔｚｚ Ｎｂ２ｔ３）０３−Ｐｂ（Ｍｇ＊／
５Ｎｂ２，３）０３系に第三成分として、Ｐｂ（７，ｎ
１ｔｘ Ｗｌ／２ ） ０３を加えた組成とする。
５Ｎｂ２，３）０３系に第三成分として、Ｐｂ（７，ｎ
１ｔｘ Ｗｌ／２ ） ０３を加えた組成とする。
作用
本発明の範囲の組成物において、Ｐｂ（Ｚｎｓｚ２Ｗｌ
、３Ｎｂ２／３）Ｏ３Ｐｂ（Ｚｎ１／２Ｗ１／２）Ｏ３
をＰｂ（Ｚｎｔｚｓ Ｎｂ２ｚ３）Ｏｚ Ｐｂ（Ｍｇ
ｉ／３Ｎｂ２ｚ＊ ）Ｏｓ系に加えることにより、１０
００℃以下の焼成温度で、積層コンデンサ素子として高
信頼性を得られるチ密な焼結体が得られ、内部電極とし
てＡｇ系の材料を用いることが可能となり、かつ高温度
下において高い抵抗値を有する素子が得られる。
、３Ｎｂ２／３）Ｏ３Ｐｂ（Ｚｎ１／２Ｗ１／２）Ｏ３
をＰｂ（Ｚｎｔｚｓ Ｎｂ２ｚ３）Ｏｚ Ｐｂ（Ｍｇ
ｉ／３Ｎｂ２ｚ＊ ）Ｏｓ系に加えることにより、１０
００℃以下の焼成温度で、積層コンデンサ素子として高
信頼性を得られるチ密な焼結体が得られ、内部電極とし
てＡｇ系の材料を用いることが可能となり、かつ高温度
下において高い抵抗値を有する素子が得られる。
実施例
出発原料には化学的に高純度なＰ ｂ ＯＮ Ｍ ｇｏ
、Ｎｂ２０ｓ １ＺｎＯ１Ｗ Ｏｓを用いた。これらを
純度補正をおこなったうえで所定量を秤量し、メノウ製
玉石を用い純水を溶媒としてボールミルで１７時時間式
混合した。これを吸引ろ過して水分の大半を分離した後
乾燥し、その後ライカイ機で充分解砕した後粉体量の５
ｗ ｔ％の水分を加え、直径６０＋＋ｌｌ１１１高さ
約５０ｍｍの円柱状に、成形圧力５００ｋｇ／ｃｍ２で
成形した。これをアルミナルツボ中に入れ同質のフタを
し、７５０℃〜８８０℃で２時間仮焼した。次に仮焼物
をアルミナ乳鉢で粗砕し、さらにメノウ製玉石を用い純
水を溶媒としてボールミルで１７時間粉砕し、これを吸
引ろ過し水分の大半を分離した後乾燥した。以上の仮焼
、粉砕、乾燥を数回くりかえした後この粉末にポリビニ
ルアルコール６ｗｔ％水溶液を粉体量の６ｗｔ％加え、
３２メツシユふるいを通して造粒し、成形圧力１０００
ｋｇ／ｃ＋ａ２で、直径１３曜、高さ約５１１Ｉｌｌの
円柱状に成形した。成形物は空気中で７００℃まで昇温
し１時間保持してポリビニルアルコール分をバーンアウ
トし冷却後これをマグネシャ磁器容器に移し、同質のフ
タをし、空気中で所定温度まで４００℃／ ｈ ｒで昇
温し２時間保持後４００℃／ ｈ ｒで降温し、た。
、Ｎｂ２０ｓ １ＺｎＯ１Ｗ Ｏｓを用いた。これらを
純度補正をおこなったうえで所定量を秤量し、メノウ製
玉石を用い純水を溶媒としてボールミルで１７時時間式
混合した。これを吸引ろ過して水分の大半を分離した後
乾燥し、その後ライカイ機で充分解砕した後粉体量の５
ｗ ｔ％の水分を加え、直径６０＋＋ｌｌ１１１高さ
約５０ｍｍの円柱状に、成形圧力５００ｋｇ／ｃｍ２で
成形した。これをアルミナルツボ中に入れ同質のフタを
し、７５０℃〜８８０℃で２時間仮焼した。次に仮焼物
をアルミナ乳鉢で粗砕し、さらにメノウ製玉石を用い純
水を溶媒としてボールミルで１７時間粉砕し、これを吸
引ろ過し水分の大半を分離した後乾燥した。以上の仮焼
、粉砕、乾燥を数回くりかえした後この粉末にポリビニ
ルアルコール６ｗｔ％水溶液を粉体量の６ｗｔ％加え、
３２メツシユふるいを通して造粒し、成形圧力１０００
ｋｇ／ｃ＋ａ２で、直径１３曜、高さ約５１１Ｉｌｌの
円柱状に成形した。成形物は空気中で７００℃まで昇温
し１時間保持してポリビニルアルコール分をバーンアウ
トし冷却後これをマグネシャ磁器容器に移し、同質のフ
タをし、空気中で所定温度まで４００℃／ ｈ ｒで昇
温し２時間保持後４００℃／ ｈ ｒで降温し、た。
焼成物は厚さ１ｍの円板状に切断し、両面にＣｒ−Ａｕ
を蒸着し、誘電率、ｔａｎδを１ｋＨｚ、ＩＶ／ｌｌｌ
１１１の電界下で測定した。また抵抗率は２０℃および
８５℃で１ ｋ Ｖ ／ ｍｍの電圧を印加後１分値か
ら求めた。
を蒸着し、誘電率、ｔａｎδを１ｋＨｚ、ＩＶ／ｌｌｌ
１１１の電界下で測定した。また抵抗率は２０℃および
８５℃で１ ｋ Ｖ ／ ｍｍの電圧を印加後１分値か
ら求めた。
なお焼成温度は焼成物の密度がもっとも大きくなる温度
とした。
とした。
表１に本発明の組成範囲および周辺組成の成分、焼成温
度、誘電率、ｔａｎδ、誘電率の温度変化率、抵抗率を
示す。
度、誘電率、ｔａｎδ、誘電率の温度変化率、抵抗率を
示す。
図は表１に示した各試料をＰｂ（Ｚｎ１ｚ＋Ｎｂ２ｚｓ
）０３−Ｐｂ （Ｍｇ！ｚ＋ Ｎｂ２ｔ３） ０３−
Ｐｂ（Ｚｎ＋ｔ２Ｗｌ／２ ） Ｃｈを端成分とする三
角組成図中に示したもので、斜線の範囲が発明の範囲で
ある。
）０３−Ｐｂ （Ｍｇ！ｚ＋ Ｎｂ２ｔ３） ０３−
Ｐｂ（Ｚｎ＋ｔ２Ｗｌ／２ ） Ｃｈを端成分とする三
角組成図中に示したもので、斜線の範囲が発明の範囲で
ある。
発明の範囲外の組成物については、表１のＮｏ。
に＊印をつけた試料を例として挙げたが、最適焼成温度
が１１００℃を越える、誘電率が４０００以下となる、
高温度下での抵抗値が低くなる、の３点のいずれか、も
しくはそれらの重複した難点を有している。発明の範囲
内の組成物では前記３点の問題がいずれも克服されてい
る。
が１１００℃を越える、誘電率が４０００以下となる、
高温度下での抵抗値が低くなる、の３点のいずれか、も
しくはそれらの重複した難点を有している。発明の範囲
内の組成物では前記３点の問題がいずれも克服されてい
る。
発明の効果
本発明によれば、１０００℃以下の温度で、積層コンデ
ンサ素子として高信頼性を得るためのチ密な焼結体が得
られ、内部電極としてＡｇ系の材料を用いることが可能
になり、かつ誘電率が４０００以上で高温度下での抵抗
率の高い優れた誘電体磁器組成物を得ることができる。
ンサ素子として高信頼性を得るためのチ密な焼結体が得
られ、内部電極としてＡｇ系の材料を用いることが可能
になり、かつ誘電率が４０００以上で高温度下での抵抗
率の高い優れた誘電体磁器組成物を得ることができる。
図は本発明に係る磁器組成物の成分組成を示す三角組成
図である。
図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｐｂ（Ｍｇ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）Ｏ＿３、Ｐ
ｂ（Ｚｎ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）Ｏ＿３Ｐｂ（
Ｚｎ＿１＿／＿２Ｗ＿１＿／＿２）Ｏ＿３からなる三成
分系磁器組成物を Ｐｂ（Ｍｇ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）＿ｘ（Ｚｎ
＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）＿ｙ（Ｚｎ＿１＿／＿
２Ｗ＿１＿／＿２）＿ｚＯ＿３と表したときに（ただし
、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．００）、Ｐｂ（Ｍｇ＿１＿／＿３Ｎ
ｂ＿２＿／＿３）Ｏ＿３、Ｐｂ（Ｚｎ＿１＿／＿３Ｎｂ
＿２＿／＿３）Ｏ＿３、Ｐｂ（Ｚｎ＿１＿／＿２Ｗ＿１
＿／＿２）Ｏ＿３を頂点とする三角座標で示される三成
分組成図において下記の組成点Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ Ａ：ｘ＝０．８７５ｙ＝０．１００ｚ＝０．０２５Ｂ：
ｘ＝０．６００ｙ＝０．３７５ｚ＝０．０２５Ｃ：ｘ＝
０．３００ｙ＝０．６００ｚ＝０．１００Ｄ：ｘ＝０．
３００ｙ＝０．４００ｚ＝０．３００を頂点とする四角
形の領域内の組成範囲にあることを特徴とする誘電体磁
器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60222242A JPH068206B2 (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60222242A JPH068206B2 (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6283351A true JPS6283351A (ja) | 1987-04-16 |
| JPH068206B2 JPH068206B2 (ja) | 1994-02-02 |
Family
ID=16779326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60222242A Expired - Lifetime JPH068206B2 (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH068206B2 (ja) |
-
1985
- 1985-10-04 JP JP60222242A patent/JPH068206B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH068206B2 (ja) | 1994-02-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6283351A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS62123064A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS6278146A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS6283350A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS6283352A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS6278155A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS6283365A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS62119802A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH02309B2 (ja) | ||
| JPS6283353A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS61174162A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH02157155A (ja) | 高誘電率系誘電体磁器組成物の製造方法 | |
| JPS61155246A (ja) | 高誘電率系誘電体磁器組成物 | |
| JPS6283354A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS62119805A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS62119804A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS62119806A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS61155248A (ja) | 高誘電率系誘電体磁器組成物 | |
| JPS6321249A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS61155247A (ja) | 高誘電率系誘電体磁器組成物 | |
| JPH0195403A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS62119803A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS61155258A (ja) | 高誘電率系誘電体磁器組成物 | |
| JPS62117205A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0324426B2 (ja) |