JPS6283460A - マスク蒸着方法 - Google Patents
マスク蒸着方法Info
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- JPS6283460A JPS6283460A JP60225502A JP22550285A JPS6283460A JP S6283460 A JPS6283460 A JP S6283460A JP 60225502 A JP60225502 A JP 60225502A JP 22550285 A JP22550285 A JP 22550285A JP S6283460 A JPS6283460 A JP S6283460A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は、磁石の磁力によって金属マスクを基板トに
保持し、蒸着させるマスク蒸着方法に関するものである
。
保持し、蒸着させるマスク蒸着方法に関するものである
。
し従来の技術]
ICは、近年、益々小形・高集積化の傾向を示しており
、要求されるパターンのピッチも急速に小さくなってき
ている。
、要求されるパターンのピッチも急速に小さくなってき
ている。
微細なパターンを形成する方法として、フォトリソグラ
フィ法、スクリーン印刷法およびマスク蒸着法の3つに
大別される。
フィ法、スクリーン印刷法およびマスク蒸着法の3つに
大別される。
フォトリソグラフィ法は、比較的高精度であるが、T程
数が多いため、製造コストが高くなる。
数が多いため、製造コストが高くなる。
また、レジストを塗布するため、表面が汚染され、信頼
性の低下をきたすおそれがある。
性の低下をきたすおそれがある。
スクリーン印刷法は、その製造方法−ト、微細なパター
ンの形成には適しておらず、最小250μmが限度であ
る。さらに、ペースト秋にりる必要があるため、用いる
物質が限定される。
ンの形成には適しておらず、最小250μmが限度であ
る。さらに、ペースト秋にりる必要があるため、用いる
物質が限定される。
マスク蒸着法は、必要な精度のマスクが得られれば、微
細イ【パターンを粘度良く形成することかでき、高精度
、低価格および(M頼竹の而から最も優れており、実用
に供され−(いるしのである。
細イ【パターンを粘度良く形成することかでき、高精度
、低価格および(M頼竹の而から最も優れており、実用
に供され−(いるしのである。
このようなマスク蒸@法において、微細4cパターンを
精度良く形成するためには、上述のように精度の高いマ
スクが必要とされる。たどえぼ、現在要求されている、
ピッチ25(]/1mlス下で、線幅100tlIll
以下の微細なパターンを蒸着に」、るコーティングで得
るためには、マスクの厚みを100μm以下にする必要
がある。さらに、蒸着によるコーティングの際の熱応力
や−1−デfング物貿のもたら1膜応力、および作業時
の操作性を考慮すると、マスクの厚みとしては、50−
10 (1μmが適当である。したがって、この厚みで
ピッチ250μm以■の微細hパターン用のマスクを作
成する必要がある。
精度良く形成するためには、上述のように精度の高いマ
スクが必要とされる。たどえぼ、現在要求されている、
ピッチ25(]/1mlス下で、線幅100tlIll
以下の微細なパターンを蒸着に」、るコーティングで得
るためには、マスクの厚みを100μm以下にする必要
がある。さらに、蒸着によるコーティングの際の熱応力
や−1−デfング物貿のもたら1膜応力、および作業時
の操作性を考慮すると、マスクの厚みとしては、50−
10 (1μmが適当である。したがって、この厚みで
ピッチ250μm以■の微細hパターン用のマスクを作
成する必要がある。
マスクの作成法としては、金属プレス法、エツチング法
およびめっき析出法が代表的りものとして挙げられる。
およびめっき析出法が代表的りものとして挙げられる。
金属プレスγ人は、+111きの際にマスクに歪が生じ
るため、−1述の微細なパターン用マスクの作成には不
適である。また、金型が非常に高価であるため、コスト
面からも好ましくない。
るため、−1述の微細なパターン用マスクの作成には不
適である。また、金型が非常に高価であるため、コスト
面からも好ましくない。
エツチング法は、厚み100μm以下で、厚みh向と面
方向の精度がほぼ1対1となるため、−ト述の微細なパ
ターン用マスクの作成には、精度が悪ずぎ不適である。
方向の精度がほぼ1対1となるため、−ト述の微細なパ
ターン用マスクの作成には、精度が悪ずぎ不適である。
めつぎ析出法は、一般に精度がQく、十)本の微細なパ
ターン用マスクを作成することが可能である。したがつ
−C1F)ホの微細なパターン用マスクは、専らめっき
析出法によってのみ作製1−ることができる。
ターン用マスクを作成することが可能である。したがつ
−C1F)ホの微細なパターン用マスクは、専らめっき
析出法によってのみ作製1−ることができる。
マスクを基板上に保持Jる方法としでは、人き(分(」
て2種類ある。1つは、ねじ・クリップなどで固定する
方法であり、もう1つは、磁力で保持づる方法である。
て2種類ある。1つは、ねじ・クリップなどで固定する
方法であり、もう1つは、磁力で保持づる方法である。
前各の方法によって、厚み100μm以下のマスクを保
持する場合には、ねじ・クリップなどがマスクを強く押
λイ・目」るため、蒸着コーティングの際に受t、−J
る熱応力ま1.:1よ膜応力によって、基板に対しマス
クが反るようになる。
持する場合には、ねじ・クリップなどがマスクを強く押
λイ・目」るため、蒸着コーティングの際に受t、−J
る熱応力ま1.:1よ膜応力によって、基板に対しマス
クが反るようになる。
したがって、厚みが1001zu+以下のマスクを保持
するには、前者の方法は不適である。これに対して、接
菌の磁力で保持する方法は、マスクを磁性体としておく
ことにより、マスク全面を保持し良好な密着が得られる
。(]たがって、厚み1o。
するには、前者の方法は不適である。これに対して、接
菌の磁力で保持する方法は、マスクを磁性体としておく
ことにより、マスク全面を保持し良好な密着が得られる
。(]たがって、厚み1o。
μl1llメ下のマスクを保持するには、磁石による磁
力で保持する方法が用いられている。
力で保持する方法が用いられている。
第6図は、金属マスクの保持に磁石を用いるマスク蒸着
方法を説明するための図である。第6図において、磁石
3は基板2を介してマスク1の反対側に配置されている
。該磁石3の磁力によっ−C、マスク1は基板2.1に
W!着して保持されている。
方法を説明するための図である。第6図において、磁石
3は基板2を介してマスク1の反対側に配置されている
。該磁石3の磁力によっ−C、マスク1は基板2.1に
W!着して保持されている。
ここで、マスク1は、磁石の磁力により吸引され得る磁
性を有する材質から構成されている。
性を有する材質から構成されている。
[発明が解決しようとする問題点]
250μmを超えるピッチのパターンを形成させる場合
には、第6図に示ずようなマスクを磁力−5= で保持する方法で、精度の良いパターンを形成さけるこ
とができる。
には、第6図に示ずようなマスクを磁力−5= で保持する方法で、精度の良いパターンを形成さけるこ
とができる。
しかしながら、250tlIIl以下のピッチのパター
ンの場合には、このような方法を用いても精度の良いパ
ターンを形成させることかできながった。
ンの場合には、このような方法を用いても精度の良いパ
ターンを形成させることかできながった。
これは、マスクが磁石によって磁化されることによるも
のと考えられる。この理由について、さらに説明覆るた
め、第4図および第5図を示ず。第4図は、基板上のマ
スクの形状を示1図であり、磁石の磁力により保持され
ていない状態を示している。第4図において、基板2L
にはマスク1が配置1ノ、ハツチングで示す蒸着領域以
外の領域を被覆している。
のと考えられる。この理由について、さらに説明覆るた
め、第4図および第5図を示ず。第4図は、基板上のマ
スクの形状を示1図であり、磁石の磁力により保持され
ていない状態を示している。第4図において、基板2L
にはマスク1が配置1ノ、ハツチングで示す蒸着領域以
外の領域を被覆している。
第5図は、第4図のマスクを磁石の磁力によって保持し
た状態を示4図である。第5図においては、マスク1の
細線が基板2の面方向に曲がった状態となっている。し
たがって、マスク1の細線が互いに接している領域Cで
は、断線した状態となっている。また、領域A、B、I
)、Eでは、マスク1の細線の曲がりにより、その幅が
広くなり、均−で・むくな−ンている。さらに、第5図
に示1ようへ状態以外にし、マスク1の細線が基板2の
垂直方向に隆起してしまうという状態が生じる場合もあ
る。
た状態を示4図である。第5図においては、マスク1の
細線が基板2の面方向に曲がった状態となっている。し
たがって、マスク1の細線が互いに接している領域Cで
は、断線した状態となっている。また、領域A、B、I
)、Eでは、マスク1の細線の曲がりにより、その幅が
広くなり、均−で・むくな−ンている。さらに、第5図
に示1ようへ状態以外にし、マスク1の細線が基板2の
垂直方向に隆起してしまうという状態が生じる場合もあ
る。
このようイ丁マスクの細線の曲がりにより、形成される
パターンの精度(よ執しく悪くなる。マスクの細線が、
磁石の磁力保持により、曲がる原因どしては、マスクの
fJi化が占えられる。刀なわら、磁石の金属マスク側
の端面が、面内1べて同一の磁極であるため、隣り合う
マスクの細線は、同一方向に分極りるよう磁化される。
パターンの精度(よ執しく悪くなる。マスクの細線が、
磁石の磁力保持により、曲がる原因どしては、マスクの
fJi化が占えられる。刀なわら、磁石の金属マスク側
の端面が、面内1べて同一の磁極であるため、隣り合う
マスクの細線は、同一方向に分極りるよう磁化される。
各細線が同一方向に分極されるため、各細線の間に番よ
斥力が住じ反発し合う。この場合に、各細線の幅おにび
厚みが等しく強庶が同等Cあると、隣り合う細線の間で
の斥力は互いに釣合う。しかしながら、細かいピッチの
マスクになると、各細線の幅および厚みを完全に等しく
覆ることは勤しく、各細線の強1槌が異なって、各細線
間に働く斥力は釣合わず、曲がりを生じることどなる。
斥力が住じ反発し合う。この場合に、各細線の幅おにび
厚みが等しく強庶が同等Cあると、隣り合う細線の間で
の斥力は互いに釣合う。しかしながら、細かいピッチの
マスクになると、各細線の幅および厚みを完全に等しく
覆ることは勤しく、各細線の強1槌が異なって、各細線
間に働く斥力は釣合わず、曲がりを生じることどなる。
したがって、高精を徒が保シ[されるマスク蒸着り法に
おいてe*、250μm以下のピッチのパターンを精度
良く形成させることはできなかった。
おいてe*、250μm以下のピッチのパターンを精度
良く形成させることはできなかった。
それゆえに、この発明の目的は、かかる微細なパターン
を形成可能にすることにあり、金属マスクの細線に曲が
りを生じることなく、磁力によって金属マスクを保持す
るマスク蒸着方法を提供することにある。
を形成可能にすることにあり、金属マスクの細線に曲が
りを生じることなく、磁力によって金属マスクを保持す
るマスク蒸着方法を提供することにある。
[問題点を解決覆るための手段]
この発明では、基板を介して配置される磁石の磁力によ
って、金属マスクを基板l−に保持し、該金属−7スク
の被覆領1或以外の領域を蒸着させるマスク蒸着方法に
おいて、該磁石が、該金属マスク側の端面に、N極とS
極の境界が存在するように配置されている。
って、金属マスクを基板l−に保持し、該金属−7スク
の被覆領1或以外の領域を蒸着させるマスク蒸着方法に
おいて、該磁石が、該金属マスク側の端面に、N極とS
極の境界が存在するように配置されている。
[作用1
この発明では、金属マスク側の端面にN極およびS極を
有する磁石を用いて、金属マスクを基板上に保持してい
る。し7.−かって、金属マスクの隣り合う細線には、
斥力と引力とが共に働くため、斥力および引力が相殺さ
れて、細線間に働(力のバランスがとれる。
有する磁石を用いて、金属マスクを基板上に保持してい
る。し7.−かって、金属マスクの隣り合う細線には、
斥力と引力とが共に働くため、斥力および引力が相殺さ
れて、細線間に働(力のバランスがとれる。
[実施例]
第1図、第2図おj、び第3図は、この発明に用いられ
る磁石の端面における磁極分布の例を示J図である。第
1図に示″tJ磁石に43いては、端面にN極およびS
極をぞれぞれ1つずつ有し、境界線が1本ある。第2図
に示1磁石においては、異なる極を隣接させて、端面に
N極およびSwlを、イれぞれ2つずつ有している。第
3図に示7磁石においては、中央に1つのN極を有し、
該N極のまわりに、異なる極を隣接さ「でS極およびN
極を有している。また、他の例としては、第3図におけ
るN[iとS極のそれぞれの位四を入替えたものであっ
てもよい。
る磁石の端面における磁極分布の例を示J図である。第
1図に示″tJ磁石に43いては、端面にN極およびS
極をぞれぞれ1つずつ有し、境界線が1本ある。第2図
に示1磁石においては、異なる極を隣接させて、端面に
N極およびSwlを、イれぞれ2つずつ有している。第
3図に示7磁石においては、中央に1つのN極を有し、
該N極のまわりに、異なる極を隣接さ「でS極およびN
極を有している。また、他の例としては、第3図におけ
るN[iとS極のそれぞれの位四を入替えたものであっ
てもよい。
この発明に用いられる磁石の端面におl:Iる磁極の分
布は、第1図、第2図および第3図に示したものに限定
されず、N44AおよびS極を少なくとも1つずつ端面
に右していればよい。このように磁極を分布させた状態
の磁石は、1つの磁石内で膏i化方向を相当する部分ご
とに逆転さけるか、あるいは、一方向に磁化され/、:
!i石を数個組合わせて得ることができる。
布は、第1図、第2図および第3図に示したものに限定
されず、N44AおよびS極を少なくとも1つずつ端面
に右していればよい。このように磁極を分布させた状態
の磁石は、1つの磁石内で膏i化方向を相当する部分ご
とに逆転さけるか、あるいは、一方向に磁化され/、:
!i石を数個組合わせて得ることができる。
IL?’Eの磁力は、特に限定されないが、保持力40
00]−ルステッド以上で、かつ、キューリ一点が45
0℃以上であることが好ましい。このような磁力を有す
る磁石の材質どしては、希土類コバルトがある。しかし
ながら、他の材質であっても、同等の効宋が発揮され得
ることは言うまでもない。
00]−ルステッド以上で、かつ、キューリ一点が45
0℃以上であることが好ましい。このような磁力を有す
る磁石の材質どしては、希土類コバルトがある。しかし
ながら、他の材質であっても、同等の効宋が発揮され得
ることは言うまでもない。
また、磁石としては、永久磁石のみならず、電磁石をも
用いることができる。
用いることができる。
この発明に用いられるマスクとしては、磁石の磁力によ
り吸引される性質を有する材質であることが必要で、特
に、鉄またはニッケルを主成分とした強磁性体が好まし
い。また、マスクの作製法としては、微細なピッチのマ
スクが精度よく得られるため、めっき析出法によるもの
が好ましい。
り吸引される性質を有する材質であることが必要で、特
に、鉄またはニッケルを主成分とした強磁性体が好まし
い。また、マスクの作製法としては、微細なピッチのマ
スクが精度よく得られるため、めっき析出法によるもの
が好ましい。
この発明の蒸着方法により蒸着され得る基板としては、
磁性体である必要はなく、特に限定されることはない。
磁性体である必要はなく、特に限定されることはない。
したがって、アルミナ、窒化アルミニウムなどのしラミ
ックス、Fe−Ni合金。
ックス、Fe−Ni合金。
Cu合金などの金属、有機材料、フルミJを二1−ティ
ングした金属などの複合8判等も基板として用いること
ができる。
ングした金属などの複合8判等も基板として用いること
ができる。
以下、この発明の実施例についてさらに詳しく説明する
。
。
この発明の方法を用いで、アルミナ基板トにアルミニウ
ムの薄膜を蒸着させ、パターンを形成させた。マスクは
、幅50μmの細線をピッチ135μlで50本並列に
並べたパターン形状のものを用いた。マスクの材質は、
硬質ニッケルを用い、めっき析出法により作成したちの
を用いた。
ムの薄膜を蒸着させ、パターンを形成させた。マスクは
、幅50μmの細線をピッチ135μlで50本並列に
並べたパターン形状のものを用いた。マスクの材質は、
硬質ニッケルを用い、めっき析出法により作成したちの
を用いた。
蒸着コーティングは、イオンプレーティング法で、初期
真空度3X10− ’ torr、 M板温度200℃
、RF出力100W、バイアス電)tr)、5kv1成
膜速度200△/Sの条件下で行イTつた。
真空度3X10− ’ torr、 M板温度200℃
、RF出力100W、バイアス電)tr)、5kv1成
膜速度200△/Sの条件下で行イTつた。
磁石として、保持力6500Iルステツドの希土類コバ
ルト磁石を、第2図のような磁極分布となるように組合
わせた磁石を用い、この発明の方法により蒸着させた場
合には、自好な高1m Imのパターンが形成された。
ルト磁石を、第2図のような磁極分布となるように組合
わせた磁石を用い、この発明の方法により蒸着させた場
合には、自好な高1m Imのパターンが形成された。
これに対して、保持力1800Iルステツドのフェライ
ト磁石を1つ用いた従来の方法によるものでは、形成さ
れたパターン中に滲みおよび断線が認められた。
ト磁石を1つ用いた従来の方法によるものでは、形成さ
れたパターン中に滲みおよび断線が認められた。
[発明の効果]
この発明では、基板を介して配置される磁石の磁力によ
って、金属マスクを基板上に保持し、該金属マスクの被
覆領域Jス外の領域を蒸着させるマスク蒸着方法におい
て、該金属マスク側の端面に、N極およびS極を有する
磁石を用いて、該金属マスクを基板1−に保持している
。したがって、金属マスクの隣り合う細線には、斥力と
引力とが共に働くため、細線間に働く力のバランスがと
れ、従来のように細線に曲がりが生じることはない。ゆ
えに、250μm以下のビッヂのパターンであっても、
精度Im <形成させることができる。
って、金属マスクを基板上に保持し、該金属マスクの被
覆領域Jス外の領域を蒸着させるマスク蒸着方法におい
て、該金属マスク側の端面に、N極およびS極を有する
磁石を用いて、該金属マスクを基板1−に保持している
。したがって、金属マスクの隣り合う細線には、斥力と
引力とが共に働くため、細線間に働く力のバランスがと
れ、従来のように細線に曲がりが生じることはない。ゆ
えに、250μm以下のビッヂのパターンであっても、
精度Im <形成させることができる。
また、実施例のように保持力が4000エルステッド以
上で、キ1−り一点が450℃以十である1ifiFi
と強磁性体マスクを用いることにより、蒸着の際の熱に
よるマスクの変形が防止される。
上で、キ1−り一点が450℃以十である1ifiFi
と強磁性体マスクを用いることにより、蒸着の際の熱に
よるマスクの変形が防止される。
さらに、実施例のようにめっき析出法で作製したマスク
を用いることにより、安価にMlの高いパターンを形成
させることかできる。
を用いることにより、安価にMlの高いパターンを形成
させることかできる。
この発明のマスク蒸着方法は、多(の分野に利用され得
るものであるが、特に微細なパターンを形成させること
の必要なICの分野において有用なものである。
るものであるが、特に微細なパターンを形成させること
の必要なICの分野において有用なものである。
また、この発明のマスク蒸着方法は、実字蒸着法、イオ
ンブレーティングン人b シ<はスパッタ法などのPV
DまたはCVDなどの蒸着コ−ティング方法に広く利用
されるものである。
ンブレーティングン人b シ<はスパッタ法などのPV
DまたはCVDなどの蒸着コ−ティング方法に広く利用
されるものである。
第1図は、この発明の一実施例に用いられる磁石の端面
の磁極分布を示す説明図である。第2図は、この発明の
他の実施例に用いられる1i?iの端面の磁極分布を示
す説明図である。第3図は、この発明のさらに他の実施
例に用いられる磁石の端面の磁極分布を示す説明図であ
る。第4図は、基板上のマスクを示1図である。第5図
は、基板−トのマスクが磁石の磁力ににって保持されて
いる状態を示ず図である。第6図は、金属マスクの保持
に磁石を用いるマスク蒸着方法を説明覆るだめの図であ
る。 図において、1はマスク、2は基板、3は磁石を示す。 ■−−− / マズ7 2 革 扱 3 、、iA石
の磁極分布を示す説明図である。第2図は、この発明の
他の実施例に用いられる1i?iの端面の磁極分布を示
す説明図である。第3図は、この発明のさらに他の実施
例に用いられる磁石の端面の磁極分布を示す説明図であ
る。第4図は、基板上のマスクを示1図である。第5図
は、基板−トのマスクが磁石の磁力ににって保持されて
いる状態を示ず図である。第6図は、金属マスクの保持
に磁石を用いるマスク蒸着方法を説明覆るだめの図であ
る。 図において、1はマスク、2は基板、3は磁石を示す。 ■−−− / マズ7 2 革 扱 3 、、iA石
Claims (4)
- (1)基板を介して配置される磁石の磁力によって、金
属マスクを基板上に保持し、該金属マスクの被覆領域以
外の領域を蒸着させるマスク蒸着方法において、 前記磁石が、前記金属マスク側の端面に、少なくとも1
つのN極とS極の境界を有するように配置されることを
特徴とする、マスク蒸着方法。 - (2)前記金属マスクとして、強磁性体マスクを用いる
ことを特徴とする、特許請求の範囲第1項記載のマスク
蒸着方法。 - (3)前記強磁性体マスクとして、鉄またはニッケルを
主成分とし、めっき析出法により得られたマスクを用い
ることを特徴とする、特許請求の範囲第2項記載のマス
ク蒸着方法。 - (4)前記磁石として、保持力が4000エルステッド
以上で、キューリー点が450℃以上である磁石を用い
ることを特徴とする、特許請求の範囲第1、2または3
項記載のマスク蒸着方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22550285A JPH0651905B2 (ja) | 1985-10-08 | 1985-10-08 | マスク蒸着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22550285A JPH0651905B2 (ja) | 1985-10-08 | 1985-10-08 | マスク蒸着方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6283460A true JPS6283460A (ja) | 1987-04-16 |
| JPH0651905B2 JPH0651905B2 (ja) | 1994-07-06 |
Family
ID=16830321
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22550285A Expired - Fee Related JPH0651905B2 (ja) | 1985-10-08 | 1985-10-08 | マスク蒸着方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0651905B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002350888A (ja) * | 2001-05-30 | 2002-12-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶パネルの製造方法 |
| JP2003068457A (ja) * | 2001-08-29 | 2003-03-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及びその作製方法 |
| WO2009069743A1 (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-04 | Canon Anelva Corporation | 基板処理装置、及び基板処理方法 |
| CN109428012A (zh) * | 2017-09-04 | 2019-03-05 | 三星显示有限公司 | 用于制造显示装置的设备 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016125648A1 (ja) * | 2015-02-03 | 2016-08-11 | シャープ株式会社 | 蒸着装置および蒸着方法 |
-
1985
- 1985-10-08 JP JP22550285A patent/JPH0651905B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002350888A (ja) * | 2001-05-30 | 2002-12-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶パネルの製造方法 |
| JP2003068457A (ja) * | 2001-08-29 | 2003-03-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及びその作製方法 |
| WO2009069743A1 (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-04 | Canon Anelva Corporation | 基板処理装置、及び基板処理方法 |
| CN109428012A (zh) * | 2017-09-04 | 2019-03-05 | 三星显示有限公司 | 用于制造显示装置的设备 |
| CN109428012B (zh) * | 2017-09-04 | 2023-07-18 | 三星显示有限公司 | 用于制造显示装置的设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0651905B2 (ja) | 1994-07-06 |
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