JPS6187862A - 薄膜パタ−ン形成方法 - Google Patents
薄膜パタ−ン形成方法Info
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- JPS6187862A JPS6187862A JP19229884A JP19229884A JPS6187862A JP S6187862 A JPS6187862 A JP S6187862A JP 19229884 A JP19229884 A JP 19229884A JP 19229884 A JP19229884 A JP 19229884A JP S6187862 A JPS6187862 A JP S6187862A
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- Japan
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- mask
- thin film
- substrate
- film pattern
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- Prior art date
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- Pending
Links
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C21/00—Accessories or implements for use in connection with applying liquids or other fluent materials to surfaces, not provided for in groups B05C1/00 - B05C19/00
- B05C21/005—Masking devices
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はマスクを用いて薄膜パターンを形成する場合の
マスクの構造に関する。
マスクの構造に関する。
従来のマスクの構造は図２に示すように、ステンレス、
水晶等の板材２−１に必要となる薄膜パターンの形状に
穴２−２をあけたものが用いられており、このマスク２
−１を蒸発源あるいはスパッタターゲット等のような放
出源２−５と基板２−４の間に配置して、必要な部分に
のみ薄膜２−５を付着させていた。
水晶等の板材２−１に必要となる薄膜パターンの形状に
穴２−２をあけたものが用いられており、このマスク２
−１を蒸発源あるいはスパッタターゲット等のような放
出源２−５と基板２−４の間に配置して、必要な部分に
のみ薄膜２−５を付着させていた。
この際、薄膜パターン２−５の形状の寸法精度を向上さ
せるためには、マスク２−１を基板２−４の表面に密着
させる必要がある。マスク２−１の厚みが厚ければ反り
やうねりを小さくすることができるため、マスク２−１
と基板２−４の表面の間のすきまを小さくすることがで
きるが、必要となる薄膜パターンの寸法が小さくなると
厚いマスク材に微小な穴を開けなければならなくなる。
せるためには、マスク２−１を基板２−４の表面に密着
させる必要がある。マスク２−１の厚みが厚ければ反り
やうねりを小さくすることができるため、マスク２−１
と基板２−４の表面の間のすきまを小さくすることがで
きるが、必要となる薄膜パターンの寸法が小さくなると
厚いマスク材に微小な穴を開けなければならなくなる。
一つの目安としてマスク材に開けることのできる最小の
穴の寸法はおおよそマスク材の厚み程度である。たとえ
ば５０μｍの大きさの穴を開けるにはマスク材の厚みを
５０μ隅程度にしなければならない。
穴の寸法はおおよそマスク材の厚み程度である。たとえ
ば５０μｍの大きさの穴を開けるにはマスク材の厚みを
５０μ隅程度にしなければならない。
しかし、前述の従来技術のようにマスク材を薄くするこ
とによって、マスク材としてのガラス。
とによって、マスク材としてのガラス。
水晶等はすぐ割れるため九扱いＫくく、また金属では反
り、うねりが大きくなつて基板と密着しないため、基板
上に形成される薄膜パターンの寸法精度は非常に悪くな
り、実用上使えないという問題点を有する。
り、うねりが大きくなつて基板と密着しないため、基板
上に形成される薄膜パターンの寸法精度は非常に悪くな
り、実用上使えないという問題点を有する。
そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところは、数μｍから数１０μｍの薄い金
属のマスクを基板に密着させる方法を提供するところに
ある。
の目的とするところは、数μｍから数１０μｍの薄い金
属のマスクを基板に密着させる方法を提供するところに
ある。
本発明の薄膜パターン形成方法は、マスクを通して薄膜
を基板に付着させて薄膜のパターンを形成する薄膜パタ
ーン形成方法において、マスクを強磁性体で構成し、基
板の裏側に永久磁石を配置したことを特徴とする。
を基板に付着させて薄膜のパターンを形成する薄膜パタ
ーン形成方法において、マスクを強磁性体で構成し、基
板の裏側に永久磁石を配置したことを特徴とする。
〔実施例１〕
第１図は本発明の実施例におけるマスク、基板および永
久磁石の配置を示したものである。
久磁石の配置を示したものである。
マスク１−１の材質はＮ１であり、厚み５０μ淋のもの
に直径３０μｍの穴１−２が開いているものである。
に直径３０μｍの穴１−２が開いているものである。
基板１−５の裏側に永久磁石１−４を配置する。この永
久磁石１−４は面内に磁化したものであり、基板１−３
の表面には基板表面に平行に約２００００の磁界を生じ
る。基板１−３の厚みはα５ＩＩＩＩＩのガラスである
。
久磁石１−４は面内に磁化したものであり、基板１−３
の表面には基板表面に平行に約２００００の磁界を生じ
る。基板１−３の厚みはα５ＩＩＩＩＩのガラスである
。
永久磁石１−４によって生じる磁界によって強磁性体の
マスク１−１が永久磁石１−４に引きつけられ、従って
基板１−３とマスク１−１が密着することになり、基板
１−５とマスク１−１の間のすきまが小さくなって、蒸
着またはスパッタ等で実施例では寸法のずれは５μｍ程
度となっている。
マスク１−１が永久磁石１−４に引きつけられ、従って
基板１−３とマスク１−１が密着することになり、基板
１−５とマスク１−１の間のすきまが小さくなって、蒸
着またはスパッタ等で実施例では寸法のずれは５μｍ程
度となっている。
〔実施例２〕
実施例１ではｈＬを蒸着したが、実施例２ではパーマロ
イをスパッタしている。薄膜磁気ヘッドの磁極としてパ
ーマロイを用いるのであるが、パーマロイ薄膜を形成す
る時に基板表面付近に面内方向の磁界をかけてやること
によって磁気異方性をつけることができ、磁極としての
８気特性を向上させることができる。
イをスパッタしている。薄膜磁気ヘッドの磁極としてパ
ーマロイを用いるのであるが、パーマロイ薄膜を形成す
る時に基板表面付近に面内方向の磁界をかけてやること
によって磁気異方性をつけることができ、磁極としての
８気特性を向上させることができる。
以上述べたように本発明によれば、基板の裏側に配置し
た永久磁石によって強磁性体のマスクの浮きを小さくす
ることによりて、寸法精度の良いパターンをレジストパ
ターニングおよヒエッチング工程を用いることなく形成
できる。また、磁性薄膜のパターンを永久磁石の作る磁
界中で形成することができ、磁気異方性を付与すること
ができるという効果を有する。
た永久磁石によって強磁性体のマスクの浮きを小さくす
ることによりて、寸法精度の良いパターンをレジストパ
ターニングおよヒエッチング工程を用いることなく形成
できる。また、磁性薄膜のパターンを永久磁石の作る磁
界中で形成することができ、磁気異方性を付与すること
ができるという効果を有する。
東回面の簡単な説明
第１図は本発明のマスク、永久磁石の配置の一実施例を
示す主要断面図。
示す主要断面図。
第２図は従来のマスク蒸着の配置の一例を示した図であ
る。
る。
１−１・・・・・・マスク
１−２・・・・・・マスクの穴
１−５・・・・・・基板
１−４・・・・・・永久磁石
２−１・・・・・・マスク
２−２・・・・・・マスクの穴
２−３−・・・・・蒸発源
２−４・・・・・・基板
２−５・・・・・・薄膜
２−６・・・・・・真空容器
以 上
Claims (1)
- マスクを通して薄膜を基板に付着させて薄膜のパター
ンを形成する薄膜パターン形成方法において、前記マス
クを強磁性体で構成し、基板の裏側に永久磁石を配置し
たことを特徴とする薄膜パターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19229884A JPS6187862A (ja) | 1984-09-13 | 1984-09-13 | 薄膜パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19229884A JPS6187862A (ja) | 1984-09-13 | 1984-09-13 | 薄膜パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6187862A true JPS6187862A (ja) | 1986-05-06 |
Family
ID=16288944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19229884A Pending JPS6187862A (ja) | 1984-09-13 | 1984-09-13 | 薄膜パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6187862A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108165927A (zh) * | 2018-01-03 | 2018-06-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜版的吸附装置及吸附方法、蒸镀设备及蒸镀方法 |
-
1984
- 1984-09-13 JP JP19229884A patent/JPS6187862A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108165927A (zh) * | 2018-01-03 | 2018-06-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜版的吸附装置及吸附方法、蒸镀设备及蒸镀方法 |
| CN108165927B (zh) * | 2018-01-03 | 2020-03-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜版的吸附装置及吸附方法、蒸镀设备及蒸镀方法 |
| US11136662B2 (en) | 2018-01-03 | 2021-10-05 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Apparatus and method for adsorbing a mask, evaporation device, and evaporation method |
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