JPS628524A - イオンビ−ムエツチング装置 - Google Patents
イオンビ−ムエツチング装置Info
- Publication number
- JPS628524A JPS628524A JP14661885A JP14661885A JPS628524A JP S628524 A JPS628524 A JP S628524A JP 14661885 A JP14661885 A JP 14661885A JP 14661885 A JP14661885 A JP 14661885A JP S628524 A JPS628524 A JP S628524A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion beam
- ion
- etching apparatus
- sample
- etching
- Prior art date
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- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の属する分野、］
本発明は、乾式エツチング装置、特にイオンビームを試
料に照射してエツチングを行なうイオンビームエツチン
グ装置に関する。
料に照射してエツチングを行なうイオンビームエツチン
グ装置に関する。
［従来技術］
ＬＳＩ等の半導体デバイスのりソグラフィ技術の超微細
加工化に伴い、エツチング工程のドライプロセスにおい
てそのエツチング量（深さ）の制御がますます重要にな
ってきている。特に、シリコン単結晶ウェハ上に形成さ
れた多結晶シリコン層をエツチングする際、下地の単結
晶シリコン層を傷つけないためには均一なエツチングを
行なう必要がある。
加工化に伴い、エツチング工程のドライプロセスにおい
てそのエツチング量（深さ）の制御がますます重要にな
ってきている。特に、シリコン単結晶ウェハ上に形成さ
れた多結晶シリコン層をエツチングする際、下地の単結
晶シリコン層を傷つけないためには均一なエツチングを
行なう必要がある。
第３図は、従来例であり本発明の適用対象例でもあるイ
オンビームエツチング装置の構成図を示す。同図におい
て、１はイオン化させるガスの導入口、２は熱フィラメ
ント、３はアノード、４はマグネット、５はイオン引き
出し電極、６はフィラメント、７は被エツチング部材例
えばウェハ等の試料である。試料７のエツチングの°際
は、まず、熱フィラメント２とアノード３との間に電子
流を流す。その電子は導入口１から予め導入しであるガ
スの分子と衝突し、その結果、ガスはイオンに分離しプ
ラズマ状態となる。発生したイオンは引き出し電極５に
より加速され、このイオンビームが試料７へと照射され
エツチングが行なわれる。
オンビームエツチング装置の構成図を示す。同図におい
て、１はイオン化させるガスの導入口、２は熱フィラメ
ント、３はアノード、４はマグネット、５はイオン引き
出し電極、６はフィラメント、７は被エツチング部材例
えばウェハ等の試料である。試料７のエツチングの°際
は、まず、熱フィラメント２とアノード３との間に電子
流を流す。その電子は導入口１から予め導入しであるガ
スの分子と衝突し、その結果、ガスはイオンに分離しプ
ラズマ状態となる。発生したイオンは引き出し電極５に
より加速され、このイオンビームが試料７へと照射され
エツチングが行なわれる。
このとき、イオンビームの密度は均一でなくむらがある
場合がある。
場合がある。
第４図は、試料に照射するイオンビームの強度を示すグ
ラフである。同図において、イオンビーム束の中心を半
径０の位置としている。このグラフに示すように、通常
、イオンビームの密度はイオンビーム束の中心より離れ
るに従って減少する傾向にある。このため、試料のエツ
チングレートすなわちエツチングの進行速度もまた、イ
オンビームの中心は大きく端の方が小さいという欠点が
あった。
ラフである。同図において、イオンビーム束の中心を半
径０の位置としている。このグラフに示すように、通常
、イオンビームの密度はイオンビーム束の中心より離れ
るに従って減少する傾向にある。このため、試料のエツ
チングレートすなわちエツチングの進行速度もまた、イ
オンビームの中心は大きく端の方が小さいという欠点が
あった。
［発明の目的コ
本発明は、上述従来形の問題点に鑑み、試料に照射する
イオンビームの各部分の密度を所望の値に制御すること
ができるイオンビームエツチング装置を提供することを
目的とする。
イオンビームの各部分の密度を所望の値に制御すること
ができるイオンビームエツチング装置を提供することを
目的とする。
［実施例の説明〕
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図は、本発明の一実施例に係るイオンビームエツチ
ング装置の引き出し電極と電源の概略構成図を示す。同
図において、１１〜１３はそれぞれ引き出し電極を構成
する電極片、２１〜２３はこれらの一電極片に個別に電
位を与える電源である。すなわち、同図の装置は、第３
図の従来形におけるイオン引き出し電極を同心円状のド
ーナツ型に分割したもので、各ドーナツ型の電極片２１
〜２３は互いに電気的に絶縁されている。そして、これ
らの電極片には、各々異なる電位を与えることができ、
この電位差により各電極片２１〜２３を通過するイオン
ビームのｆ！ｌ（密度）を制御することができる。従っ
て、これらの電極片２１〜２３あるいは試料７の近くで
のイオンビーム化または試料７のエツチングｍ（深さ）
をモニタし、これを各電極片２１〜２３の電位にフィー
ドバックすることにより、さらに精度の良いエツチング
を行なうことができる。例えば、試料７を均一にエツチ
ングしたい場合は、イオンビーム量が試料７上で常に均
一になるように各電極片の電位を設定する。また、モニ
タの出力により試料内の各部分におけるエツチングレー
トに差異が発生したことを検知した場合は、各電極片の
電位の調整によりエツチング量が均一となるようにイオ
ンビームの分布を調節することができる。さらに、所望
の差を持つエツチングを行なうことも可能である。
ング装置の引き出し電極と電源の概略構成図を示す。同
図において、１１〜１３はそれぞれ引き出し電極を構成
する電極片、２１〜２３はこれらの一電極片に個別に電
位を与える電源である。すなわち、同図の装置は、第３
図の従来形におけるイオン引き出し電極を同心円状のド
ーナツ型に分割したもので、各ドーナツ型の電極片２１
〜２３は互いに電気的に絶縁されている。そして、これ
らの電極片には、各々異なる電位を与えることができ、
この電位差により各電極片２１〜２３を通過するイオン
ビームのｆ！ｌ（密度）を制御することができる。従っ
て、これらの電極片２１〜２３あるいは試料７の近くで
のイオンビーム化または試料７のエツチングｍ（深さ）
をモニタし、これを各電極片２１〜２３の電位にフィー
ドバックすることにより、さらに精度の良いエツチング
を行なうことができる。例えば、試料７を均一にエツチ
ングしたい場合は、イオンビーム量が試料７上で常に均
一になるように各電極片の電位を設定する。また、モニ
タの出力により試料内の各部分におけるエツチングレー
トに差異が発生したことを検知した場合は、各電極片の
電位の調整によりエツチング量が均一となるようにイオ
ンビームの分布を調節することができる。さらに、所望
の差を持つエツチングを行なうことも可能である。
第２図は、枡目状の電極片により構成したイオン引き出
し電極と電源の概略構成図を示す。同図において、３１
〜３９は電極片、４１〜４９は電極片３１〜３９に与え
る電位を供給する電源である。従来、エツチングレート
の均一化を図るため、試料７を回転運動させていたが、
同図に示す実施例によればこの必要が無くなり、試料を
載せる台を簡単にすることができる。
し電極と電源の概略構成図を示す。同図において、３１
〜３９は電極片、４１〜４９は電極片３１〜３９に与え
る電位を供給する電源である。従来、エツチングレート
の均一化を図るため、試料７を回転運動させていたが、
同図に示す実施例によればこの必要が無くなり、試料を
載せる台を簡単にすることができる。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明によれば、イオンビームエ
ツチング装置において、イオン引゛き出し電極を互いに
絶縁された複数の電極片に分割し、８Ｒ［ｌ［ｃ（［Ｊ
［ｔ（ｉ７ｅ４，１７°゛６０１・９１１ハ等の試料に
照射するイオンビームの各部分の密度分布を所望の値に
制御することができる。
ツチング装置において、イオン引゛き出し電極を互いに
絶縁された複数の電極片に分割し、８Ｒ［ｌ［ｃ（［Ｊ
［ｔ（ｉ７ｅ４，１７°゛６０１・９１１ハ等の試料に
照射するイオンビームの各部分の密度分布を所望の値に
制御することができる。
従って、半導体ウェハ等のような特にエツチングの均−
性等の精度を要求される場合、試料を各部分に分はエツ
チングレートを制御できるため、各バッチ間および各ウ
ェハ間でのエツチングむらを少なくすることができる。
性等の精度を要求される場合、試料を各部分に分はエツ
チングレートを制御できるため、各バッチ間および各ウ
ェハ間でのエツチングむらを少なくすることができる。
第１図は、本発明の一実施例に係るイオンビームエツチ
ング装置のイオン引き出し電極とその電源部分の概略構
成図、 第２図は、枡目状の電極片により構成されたイオン引き
出し電極とその電源部分の概略構成図、第３図は、従来
例であり本発明の適用対象例でもあるイオンビームエツ
チング装置の構成図、第４図は、イオンビーム各位置に
おけるイオンビーム強度の変化を示すグラフである。 １：ガス導入口、２：熱フィラメント、３ニアノード、
４：マグネット、 ５：イオン引き出し電極、６：フィラメント、７：試料
、１１〜１３．３１〜３９：電極片、２１〜２３．４１
〜４９：Ｎ源。
ング装置のイオン引き出し電極とその電源部分の概略構
成図、 第２図は、枡目状の電極片により構成されたイオン引き
出し電極とその電源部分の概略構成図、第３図は、従来
例であり本発明の適用対象例でもあるイオンビームエツ
チング装置の構成図、第４図は、イオンビーム各位置に
おけるイオンビーム強度の変化を示すグラフである。 １：ガス導入口、２：熱フィラメント、３ニアノード、
４：マグネット、 ５：イオン引き出し電極、６：フィラメント、７：試料
、１１〜１３．３１〜３９：電極片、２１〜２３．４１
〜４９：Ｎ源。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、イオン源から引き出し電極により引き出したイオン
を試料に照射してエッチングを行なうイオンビームエッ
チング装置において、 上記イオン引き出し電極を互いに絶縁された複数の電極
片に分割し、各電極片毎に個別に電位を与える手段を設
けたことを特徴とするイオンビームエッチング装置。 ２、前記イオン引き出し電極は、照射イオンビームの中
心軸を中心とした１つまたは２つ以上の同心円状に分割
したものである特許請求の範囲第１項記載のイオンビー
ムエッチング装置。 ３、前記イオン引き出し電極は、枡目状に分割したもの
である特許請求の範囲第１項記載のイオンビームエッチ
ング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14661885A JPS628524A (ja) | 1985-07-05 | 1985-07-05 | イオンビ−ムエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14661885A JPS628524A (ja) | 1985-07-05 | 1985-07-05 | イオンビ−ムエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS628524A true JPS628524A (ja) | 1987-01-16 |
Family
ID=15411807
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14661885A Pending JPS628524A (ja) | 1985-07-05 | 1985-07-05 | イオンビ−ムエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS628524A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5221517A (en) * | 1991-12-17 | 1993-06-22 | Horiba, Ltd. | Methane analyzer with improved sample preparation |
-
1985
- 1985-07-05 JP JP14661885A patent/JPS628524A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5221517A (en) * | 1991-12-17 | 1993-06-22 | Horiba, Ltd. | Methane analyzer with improved sample preparation |
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