JPS628537A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS628537A JPS628537A JP60146522A JP14652285A JPS628537A JP S628537 A JPS628537 A JP S628537A JP 60146522 A JP60146522 A JP 60146522A JP 14652285 A JP14652285 A JP 14652285A JP S628537 A JPS628537 A JP S628537A
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- pellets
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- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0428—Apparatus for mechanical treatment or grinding or cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
- H10P72/74—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H10P72/7402—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
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- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
- H10P72/76—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches
- H10P72/7604—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H10P72/7611—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
Landscapes
- Dicing (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に半導体ウェ
ハをダイシングし、ここから複数個のペレットを１個ず
つピンクアップして供給する工程に関するものである。
ハをダイシングし、ここから複数個のペレットを１個ず
つピンクアップして供給する工程に関するものである。
（背景技術〕
半導体装置の製造工程の一つに、所要のウェハ処理を経
て半導体素子が形成された半導体ウェハを複数個のペレ
ットに切断分離するダンシング工程があり、更にこの分
離されたペレットを１個ずつペレ７）ボンダ等に供給す
る工程がある。
て半導体素子が形成された半導体ウェハを複数個のペレ
ットに切断分離するダンシング工程があり、更にこの分
離されたペレットを１個ずつペレ７）ボンダ等に供給す
る工程がある。
現在、これらの工程では半導体ウェハをキャリア治具と
称する円形または方形の枠に粘着性のテープを貼り付け
、この粘着テープ上に半導体ウェハを貼り付けてこれに
支持した状態でウェハをダイシングして枡目状の切り溝
を形成し、しかる後針状の部材をテープの下側から突き
上げることによりペレットを半導体ウェハから１個ずつ
分離してピンクアップする方法が用いられている。
称する円形または方形の枠に粘着性のテープを貼り付け
、この粘着テープ上に半導体ウェハを貼り付けてこれに
支持した状態でウェハをダイシングして枡目状の切り溝
を形成し、しかる後針状の部材をテープの下側から突き
上げることによりペレットを半導体ウェハから１個ずつ
分離してピンクアップする方法が用いられている。
しかしながら、この方法ではキャリア治具に粘着テープ
を貼り付ける作業が必要であり、しかもこの粘着テープ
を弛みなく貼り付けるためには熟練が要求される。また
、ペレットのピックアップ後に使用済のキャリア治具か
らテープを剥離する作業も必要であり、しかもこのとき
粘着材がキャリア治具に残るためにその洗浄を行なわな
ければならない。更に、枠内にウェハを貼り付は支持し
た状態でウェハより肉厚の枠を切断しないでウェハを正
確に高速回転する円形状のダイシングブレードで切断す
るためにキャリア治具はウェハよりも十分大きなサイズ
にする必要があり、特←近年進められているウェハの大
口径化に対して、これまでのダイシングソーなどの製造
装置をそのまま使用することが難しくなり装置の改変が
要求される等の種々の問題がある。
を貼り付ける作業が必要であり、しかもこの粘着テープ
を弛みなく貼り付けるためには熟練が要求される。また
、ペレットのピックアップ後に使用済のキャリア治具か
らテープを剥離する作業も必要であり、しかもこのとき
粘着材がキャリア治具に残るためにその洗浄を行なわな
ければならない。更に、枠内にウェハを貼り付は支持し
た状態でウェハより肉厚の枠を切断しないでウェハを正
確に高速回転する円形状のダイシングブレードで切断す
るためにキャリア治具はウェハよりも十分大きなサイズ
にする必要があり、特←近年進められているウェハの大
口径化に対して、これまでのダイシングソーなどの製造
装置をそのまま使用することが難しくなり装置の改変が
要求される等の種々の問題がある。
一方、前述の方法ではウェハを軟質の粘着テープに貼り
付は支持しているために、１個のペレットを針部材で突
き上げたときに粘着テープの一部も一緒に持ち上げられ
て変形し、隣接するペレット同士の干渉を生じさせてペ
レットの割れや欠けを発生させるという問題もある。
付は支持しているために、１個のペレットを針部材で突
き上げたときに粘着テープの一部も一緒に持ち上げられ
て変形し、隣接するペレット同士の干渉を生じさせてペ
レットの割れや欠けを発生させるという問題もある。
本発明の目的はキャリア治具を使用することなく半導体
ウェハのダイシングおよびこれにより切断分離されたペ
レットのピックアップを行うことができ、これにより工
程の簡略化、作業の容易化を図り、更にウェハの大口径
化に対処することのできる半導体装置の製造方法を提供
することにある。
ウェハのダイシングおよびこれにより切断分離されたペ
レットのピックアップを行うことができ、これにより工
程の簡略化、作業の容易化を図り、更にウェハの大口径
化に対処することのできる半導体装置の製造方法を提供
することにある。
また、本発明の他の目的はピックアップ時に於ける切断
分離したペレットの割れ、欠けを防止することのできる
半導体装置の製造方法を提供することにある。
分離したペレットの割れ、欠けを防止することのできる
半導体装置の製造方法を提供することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、形状保持性を有するとともに針部材の挿通が
可能な支持基板上に半導体ウェハを貼り付けて支持させ
、この支持状態で前記半導体ウェハを複数個のペレット
にダイシングし、その後前記支持基板の下側から上方に
向けて針部材を挿通させて前記複数個のペレットを１個
ずつピックアップすることにより、粘着テープの貼り付
けおよびその剥離作業、更にはキャリア治具の洗浄作業
等を不要にして作業の簡略化を図るとともに全体作業の
容易化を図り、更にウェハの大口径化に対処できるとと
もにペレットの割れ、欠けを防止することができる。
可能な支持基板上に半導体ウェハを貼り付けて支持させ
、この支持状態で前記半導体ウェハを複数個のペレット
にダイシングし、その後前記支持基板の下側から上方に
向けて針部材を挿通させて前記複数個のペレットを１個
ずつピックアップすることにより、粘着テープの貼り付
けおよびその剥離作業、更にはキャリア治具の洗浄作業
等を不要にして作業の簡略化を図るとともに全体作業の
容易化を図り、更にウェハの大口径化に対処できるとと
もにペレットの割れ、欠けを防止することができる。
第１図（Ａ）〜（Ｃ）は本発明をその製造工程順に説明
するための一実施例の斜視図である。
するための一実施例の斜視図である。
先ず、同図（Ａ）のように、形状保持性を有するととも
に針部材の挿通が可能な材質からなる板材を加工して略
半導体ウェハ１と同じ形状の支持基板１０を形成する。
に針部材の挿通が可能な材質からなる板材を加工して略
半導体ウェハ１と同じ形状の支持基板１０を形成する。
この支持基板上０の材質としては発泡スチロールが好適
であり、５ｍｍ程度の厚さに形成すれば自身の平坦性を
十分に確保できる。また、この支持基板１０はウェハ１
よりも若干大きい程度のサイズに形成し、その外周一部
には平坦切欠部１１を設けて位置決め用に利用する。そ
して、前記支持基板１０の表面には粘着材層１２を薄く
形成している。
であり、５ｍｍ程度の厚さに形成すれば自身の平坦性を
十分に確保できる。また、この支持基板１０はウェハ１
よりも若干大きい程度のサイズに形成し、その外周一部
には平坦切欠部１１を設けて位置決め用に利用する。そ
して、前記支持基板１０の表面には粘着材層１２を薄く
形成している。
次いで、この支持基ＦｉｌＯ上に半導体ウェハ１を載置
し、かつ粘着材層１２の粘着力によってウェハ１を支持
基板１０の上面に固定支持させる。
し、かつ粘着材層１２の粘着力によってウェハ１を支持
基板１０の上面に固定支持させる。
次に、同図（Ｂ）のように支持基板ｌＯおよびウェハ１
を一体に保持してダイシング装置にセットし、ダイシン
グブレード１３によって、ウェハ１に枡目状の溝２を形
成する。この溝２はウェハ１の下面側を極僅か残す程度
の深さまで形成する（セミフルダイシング）。
を一体に保持してダイシング装置にセットし、ダイシン
グブレード１３によって、ウェハ１に枡目状の溝２を形
成する。この溝２はウェハ１の下面側を極僅か残す程度
の深さまで形成する（セミフルダイシング）。
しかる上で、同図（Ｃ）のように、支持基板ＩＯを略水
平に固定した上で、支持基板１０の下側から上方に向け
て針部材１４を挿通させる。この針部材１４は支持基板
１０の挿通に伴ってその先端でウェハ１の下面を上方に
強く押し、前記溝２の残された厚さ部分を破断させ、１
個のペレット３を他の部分から強制的に分離させてピン
クアンプ（上方へ移動）させる。この針部材１４の直上
位置にはコレット１５を配置させており、この分離され
たペレット３を吸着し、所要の場所へ搬送する。支持基
板１０は発泡スチロールで構成しているため、前記針部
材１４の挿通に際しての抵抗は殆どなく、極めて容易に
ペレット３のピンクアンプを実現できる。
平に固定した上で、支持基板１０の下側から上方に向け
て針部材１４を挿通させる。この針部材１４は支持基板
１０の挿通に伴ってその先端でウェハ１の下面を上方に
強く押し、前記溝２の残された厚さ部分を破断させ、１
個のペレット３を他の部分から強制的に分離させてピン
クアンプ（上方へ移動）させる。この針部材１４の直上
位置にはコレット１５を配置させており、この分離され
たペレット３を吸着し、所要の場所へ搬送する。支持基
板１０は発泡スチロールで構成しているため、前記針部
材１４の挿通に際しての抵抗は殆どなく、極めて容易に
ペレット３のピンクアンプを実現できる。
以上の方法によれば、ウェハ１を支持する治具として、
形状保持性が有りしかも針部材の挿通の容易な材質の支
持基板１０を用いており、この支持基板１０の上面に設
けた粘着材層１２上にウェハ１を支持させているので、
これまでのキャリア治具のような粘着テープを貼り付け
る作業は不要であり、また粘着テープが弛む等のことも
ないのでウェハ１を安定に支持することができ、ダイシ
ングを高精度に行うこともできる。
形状保持性が有りしかも針部材の挿通の容易な材質の支
持基板１０を用いており、この支持基板１０の上面に設
けた粘着材層１２上にウェハ１を支持させているので、
これまでのキャリア治具のような粘着テープを貼り付け
る作業は不要であり、また粘着テープが弛む等のことも
ないのでウェハ１を安定に支持することができ、ダイシ
ングを高精度に行うこともできる。
また、ペレット３のピツクア・ノブ時にも、針部材１４
を挿通しても支持基板１０は殆ど変形されないため、持
ち上げられるペレットはもとよりこれ“に隣接するベレ
ット同士の干渉を防止し、ペレットの割れ、欠けを防止
することができる。更に、支持基板１０を構成する発泡
スチロールは安価に製作できるので、ビックアンプの終
了後には支持基板１０を使い捨てにでき、したがってキ
ャリア治具におけるような粘着テープの剥離や洗浄等の
作業は全く不要になる。
を挿通しても支持基板１０は殆ど変形されないため、持
ち上げられるペレットはもとよりこれ“に隣接するベレ
ット同士の干渉を防止し、ペレットの割れ、欠けを防止
することができる。更に、支持基板１０を構成する発泡
スチロールは安価に製作できるので、ビックアンプの終
了後には支持基板１０を使い捨てにでき、したがってキ
ャリア治具におけるような粘着テープの剥離や洗浄等の
作業は全く不要になる。
一方、支持基板１０はウェハ１と略同じサイズでよく、
ウェハの大口径化が進められても従来のキャリア治具の
ような全体サイズの大型化を招くこともなく、これまで
の装置を殆どそのまま利用することもできる。
ウェハの大口径化が進められても従来のキャリア治具の
ような全体サイズの大型化を招くこともなく、これまで
の装置を殆どそのまま利用することもできる。
第２図ないし第４図は本発明方法に適用できる夫々異な
る支持基板の例を示す。
る支持基板の例を示す。
第２図の支持基板１０Ａは、前例と同じ材質の発泡スチ
ロールで形成しているが、外形を方形に形成しその外周
一部に切欠溝１６を形成して位置決め用に利用している
。また、この支持基板１０Ａでは上面に両面テープ１７
を接着して粘着材層を構成している。この例では両面テ
ープ１７を貼り付ける工程は必要であるが、表面の平坦
性は支持基板１０Ａで確保しているので、キャリア治具
に貼り付ける場合に比較すれば極めて容易に行うことが
できる。逆に、この例では両面テープ１７の表面には仮
テープ（図示せず）を取り付けておくことができ、ウェ
ハ貼り付は時にこれを取り外せばよいので支持基板１０
Ａの取扱を容易なものにできる効果がある。
ロールで形成しているが、外形を方形に形成しその外周
一部に切欠溝１６を形成して位置決め用に利用している
。また、この支持基板１０Ａでは上面に両面テープ１７
を接着して粘着材層を構成している。この例では両面テ
ープ１７を貼り付ける工程は必要であるが、表面の平坦
性は支持基板１０Ａで確保しているので、キャリア治具
に貼り付ける場合に比較すれば極めて容易に行うことが
できる。逆に、この例では両面テープ１７の表面には仮
テープ（図示せず）を取り付けておくことができ、ウェ
ハ貼り付は時にこれを取り外せばよいので支持基板１０
Ａの取扱を容易なものにできる効果がある。
第３図の支持基板１０Ｂは薄い樹脂板１８，１９、．２
０を用いて段ボール紙構造にしたものである。即ち、上
下に樹脂板１８．２０を平行配置し、これらの間に波型
に成形した樹脂板１９を介装して全体の強度を高めたも
のである。この構造によっても十分な形状保持性が確保
でき、かつ殆ど中空構造であるので針部材１４の軽快な
挿通も可能である。
０を用いて段ボール紙構造にしたものである。即ち、上
下に樹脂板１８．２０を平行配置し、これらの間に波型
に成形した樹脂板１９を介装して全体の強度を高めたも
のである。この構造によっても十分な形状保持性が確保
でき、かつ殆ど中空構造であるので針部材１４の軽快な
挿通も可能である。
第４図の支持基板１０Ｃは第３図と略同じであるが、樹
脂板２１．２３間に介装した樹脂板２２を掛目状に構成
している点が異なっている。この樹脂板２２の掛目寸法
をウェハ１におけるダイシ゛ング寸法に対応させれば、
針部材１４を全く樹脂板２２に接触させずに挿通を行わ
せることができ、挿通を更に軽快なものにできる。
脂板２１．２３間に介装した樹脂板２２を掛目状に構成
している点が異なっている。この樹脂板２２の掛目寸法
をウェハ１におけるダイシ゛ング寸法に対応させれば、
針部材１４を全く樹脂板２２に接触させずに挿通を行わ
せることができ、挿通を更に軽快なものにできる。
（１）形状保持性を有しかつ針部材の挿通が可能な材質
で支持基板を構成し、これにウェハを支持させてダイシ
ングを行い、その後支持基板に針部材を挿通させて切断
分離したペレットをビックアブしているので、キャリア
治具への粘着テープの貼り付け、その剥離および洗浄等
の作業を不要にでき、作業の簡略化を図って、製造工程
の容易化を達成できる。
で支持基板を構成し、これにウェハを支持させてダイシ
ングを行い、その後支持基板に針部材を挿通させて切断
分離したペレットをビックアブしているので、キャリア
治具への粘着テープの貼り付け、その剥離および洗浄等
の作業を不要にでき、作業の簡略化を図って、製造工程
の容易化を達成できる。
（２）支持基板の形状保持性によりペレットのピンクア
ップ時にも基板の表面変形が生じることばなく、隣接す
るベレット相互間の干渉を防止してベレットの割れ、欠
けを防止することができる。
ップ時にも基板の表面変形が生じることばなく、隣接す
るベレット相互間の干渉を防止してベレットの割れ、欠
けを防止することができる。
（３）支持基板を発泡スチロール等の材質で構成すれば
安価に製作することができ、しかも使い捨てにできるの
でピンクアップ後の処理が殆ど不要になる。
安価に製作することができ、しかも使い捨てにできるの
でピンクアップ後の処理が殆ど不要になる。
（４）支持基板はウェハと略同じサイズでよいので、ウ
ェハの大口径化によっても全体サイズが大きくなること
はなく、これまでの製造装置を殆どそのまま利用するこ
とができる。
ェハの大口径化によっても全体サイズが大きくなること
はなく、これまでの製造装置を殆どそのまま利用するこ
とができる。
（５）支持基板にウェハを載せた状態でウェハのダイシ
ングを行うものである。したがって、高速回転する円形
状のダイシングブレードを用いてウェハをダイシングす
る際にも、ウェハよりも肉厚な枠を有する従来のキャリ
ア治具がウェハ周辺に存在しない。このことより、従来
必要であったダイシングブレードの複雑な移動軌跡の調
整機構が全く不要になる。また、ダイシングブレード及
びウェハの位置決め、ダイシング溝深さ、ウェハ厚のば
らつきによるダイシングブレードの高さ等のダイシング
条件の調整が極めて簡易なものになる。
ングを行うものである。したがって、高速回転する円形
状のダイシングブレードを用いてウェハをダイシングす
る際にも、ウェハよりも肉厚な枠を有する従来のキャリ
ア治具がウェハ周辺に存在しない。このことより、従来
必要であったダイシングブレードの複雑な移動軌跡の調
整機構が全く不要になる。また、ダイシングブレード及
びウェハの位置決め、ダイシング溝深さ、ウェハ厚のば
らつきによるダイシングブレードの高さ等のダイシング
条件の調整が極めて簡易なものになる。
これにともない、ダイシングソーなどのウェハ加工装置
が簡単なものでかつコンパクトなものにできる。上述し
たことからも明らかな通り、従来大きな問題となってい
た事項すなわち、近年進められているウェハの大口径化
に対して、これまでのダイシングソーなどの製造装置を
そのまま使用することが難しくなり装置の改変が要求さ
れる等の種々の問題が本発明では生じない。
が簡単なものでかつコンパクトなものにできる。上述し
たことからも明らかな通り、従来大きな問題となってい
た事項すなわち、近年進められているウェハの大口径化
に対して、これまでのダイシングソーなどの製造装置を
そのまま使用することが難しくなり装置の改変が要求さ
れる等の種々の問題が本発明では生じない。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
たとえば、支持基板は前述の条件を満たすものであれば
他の物でもよく、これには軟質ゴム等のゴム材、コルク
等の木材、更にダイシング時の処理に対処するために水
分に強い紙材等を用いることができる。また、支持基板
の形状は種々の構成が可能である。
他の物でもよく、これには軟質ゴム等のゴム材、コルク
等の木材、更にダイシング時の処理に対処するために水
分に強い紙材等を用いることができる。また、支持基板
の形状は種々の構成が可能である。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体ウェハをダイ
シングブレードで切断する場合の工程に適用した場合に
ついて説明したが、それに限定されるものではなく、ガ
ラス、セラミックス、電子部品実装用基板などの脆性部
材の加工に適用できる。さらに、本発明は、たとえばレ
ーザ等の他の手段を用いて前述した脆性部材の切断を行
う方法にも同様に適用できる。
をその背景となった利用分野である半導体ウェハをダイ
シングブレードで切断する場合の工程に適用した場合に
ついて説明したが、それに限定されるものではなく、ガ
ラス、セラミックス、電子部品実装用基板などの脆性部
材の加工に適用できる。さらに、本発明は、たとえばレ
ーザ等の他の手段を用いて前述した脆性部材の切断を行
う方法にも同様に適用できる。
第１図（Ａ）〜（Ｃ）は本発明を製造工程順に説明する
ための斜視図、 第２図ないし第４図は夫々異なる支持基板の例を示す斜
視図である。 １：・・ウェハ、２・・・溝、３・・・ベレット、１０
，１０Ａ、ＩＯＢ、ＩＯＣ・・・支持基板、１１・・・
平坦切欠部、１２・・・粘着材層、１３・・・ダイシン
グブレード、１４・・・針部材、１５・・・コレット、
１６・・・切欠溝、１７・・・両面テープ、１８．１９
，２０，２１゜２２．２３・・・樹脂板。 代理人 弁理士 小川 勝男 第 １ 図 （Ａ） （Ｂ’） 第 １ 図 （Ｃ） 第 ２ 図
ための斜視図、 第２図ないし第４図は夫々異なる支持基板の例を示す斜
視図である。 １：・・ウェハ、２・・・溝、３・・・ベレット、１０
，１０Ａ、ＩＯＢ、ＩＯＣ・・・支持基板、１１・・・
平坦切欠部、１２・・・粘着材層、１３・・・ダイシン
グブレード、１４・・・針部材、１５・・・コレット、
１６・・・切欠溝、１７・・・両面テープ、１８．１９
，２０，２１゜２２．２３・・・樹脂板。 代理人 弁理士 小川 勝男 第 １ 図 （Ａ） （Ｂ’） 第 １ 図 （Ｃ） 第 ２ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、形状保持性を有するとともに針部材の挿通が可能な
支持基板上に半導体ウェハを貼り付けて支持させる工程
と、この支持状態で前記半導体ウェハを複数個のペレッ
トにダイシングする工程と、その後前記支持基板の下側
から上方に向けて針部材を挿通させて前記複数個のペレ
ットを１個ずつピックアップする工程とを含むことを特
徴とする半導体装置の製造方法。 ２、支持基板を半導体ウェハと略同じサイズに構成して
なる特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の製造方法
。 ３、支持基板の上面に粘着材層を形成し、この粘着材層
で支持基板上に半導体ウェハを粘着支持させてなる特許
請求の範囲第１項記載または第２項記載の半導体装置の
製造方法。 ４、支持基板を発泡スチロールで構成してなる特許請求
の範囲第１項ないし第３項のいずれかに記載の半導体装
置の製造方法。 ５、支持基板を複数枚の薄い板材を用いて中空構造に形
成してなる特許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれ
かに記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60146522A JPS628537A (ja) | 1985-07-05 | 1985-07-05 | 半導体装置の製造方法 |
| KR1019860005191A KR870001645A (ko) | 1985-07-05 | 1986-06-27 | 반도체 장치의 제조 방법 및 이것을 사용하는 지지기판 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60146522A JPS628537A (ja) | 1985-07-05 | 1985-07-05 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS628537A true JPS628537A (ja) | 1987-01-16 |
Family
ID=15409552
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60146522A Pending JPS628537A (ja) | 1985-07-05 | 1985-07-05 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS628537A (ja) |
| KR (1) | KR870001645A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009094539A (ja) * | 2009-01-21 | 2009-04-30 | Disco Abrasive Syst Ltd | Ｃｓｐ基板の分割加工方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100362531B1 (ko) * | 2000-10-09 | 2002-11-29 | 한국신발피혁연구소 | 내변색을 개선시키는 앨범용 라텍스 점착제 조성물 |
-
1985
- 1985-07-05 JP JP60146522A patent/JPS628537A/ja active Pending
-
1986
- 1986-06-27 KR KR1019860005191A patent/KR870001645A/ko not_active Withdrawn
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009094539A (ja) * | 2009-01-21 | 2009-04-30 | Disco Abrasive Syst Ltd | Ｃｓｐ基板の分割加工方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR870001645A (ko) | 1987-03-17 |
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