JPS6285428A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6285428A JPS6285428A JP22574585A JP22574585A JPS6285428A JP S6285428 A JPS6285428 A JP S6285428A JP 22574585 A JP22574585 A JP 22574585A JP 22574585 A JP22574585 A JP 22574585A JP S6285428 A JPS6285428 A JP S6285428A
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- JP
- Japan
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- deposition
- depositing
- sec
- evaporation
- alloy
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- Pending
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、シリコン基板表面における配線、電極などを
＾ｊ−５１合金の電子ビーム蒸着によって形成する集積
回路のような半導体装置の製造方法に関する。
＾ｊ−５１合金の電子ビーム蒸着によって形成する集積
回路のような半導体装置の製造方法に関する。
半導体装置の配線あるいは電極用の材料として汎用性の
あるのは八ｌであるが、Ｓｔと容品に合金化し、熱処理
の際にＳｌに深いピットを形成してｐｎ接合をつきぬけ
ることがあるため、あらかじめ＾ｌに１．５％程度のＳ
ｌを含ませた合金を蒸着する方法が採用されていること
は周知である。しかしこの＾＃−５１合金を電子ビーム
蒸着する場合、蒸発源から蒸発した非常に活性のある＾
ｌが蒸着槽内の酸素と反応し、生成された八ｌ、０．が
Ｓｌとの接触部に堆積するため、接触不良の原因となっ
ていた。
あるのは八ｌであるが、Ｓｔと容品に合金化し、熱処理
の際にＳｌに深いピットを形成してｐｎ接合をつきぬけ
ることがあるため、あらかじめ＾ｌに１．５％程度のＳ
ｌを含ませた合金を蒸着する方法が採用されていること
は周知である。しかしこの＾＃−５１合金を電子ビーム
蒸着する場合、蒸発源から蒸発した非常に活性のある＾
ｌが蒸着槽内の酸素と反応し、生成された八ｌ、０．が
Ｓｌとの接触部に堆積するため、接触不良の原因となっ
ていた。
本発明は、上述の問題点を解決して電子ビーム蒸着によ
り形成される＾ｚ−ｓｉ合金薄膜とＳｌとの接触抵抗を
低減し、電気的特性の損なわれない半導体装置の製造方
法を提供することを目的とする。
り形成される＾ｚ−ｓｉ合金薄膜とＳｌとの接触抵抗を
低減し、電気的特性の損なわれない半導体装置の製造方
法を提供することを目的とする。
本発明は、電子ビーム蒸着法によりｓｉ基板上に＾ｊ−
５１合金を蒸着する際に、蒸着開始直後の蒸着速度を８
Å／秒以上、蒸着開始後２０秒間の平均蒸着速度を１５
Å／秒ないし２０λ／秒に制御することにより、蒸着源
から蒸発した＾ｌと蒸着槽内の酸素との反応をできるだ
け抑えて上記の目的を達成する。 第１図、第２図は本発明の根拠となるデータで、第１図
は、蒸着開始直後の蒸着速度と接触抵抗の関係を示す、
接触抵抗器よ一定の電流を流した時の電圧で示し、０．
７Ｖ程度以下であれば良好な接触抵抗であって、蒸着開
始直後の蒸着速度が大きいほど接触抵抗が小さく、８Å
／秒以りにずれば０．７ｖ以下になることがわかる。第
２図は、蒸着開始２０秒後の膜厚と第１図と同様な接触
抵抗との関係を示し、膜厚が大きいほど、すなわち平均
蒸着速度が大きいほど接触抵抗が小さくなる。第２図か
ら蒸着開始２０秒後の膜厚が３００人、すなわち蒸着開
始後２０秒間の平均蒸着速度が１５Å／秒以−にであれ
ば電圧降下０．７ｖ以下の良好な接触抵抗値が得られる
。しかし蒸着速度が高めすぎると蒸発源のスプラッシュ
が起こり、Ｓｔが飛散して得られたＵ−Ｓｔ薄膜中のＳ
ｉ分が少なくなるので、平均蒸着速度は２０Å／秒以下
に抑えることが望ましい。
５１合金を蒸着する際に、蒸着開始直後の蒸着速度を８
Å／秒以上、蒸着開始後２０秒間の平均蒸着速度を１５
Å／秒ないし２０λ／秒に制御することにより、蒸着源
から蒸発した＾ｌと蒸着槽内の酸素との反応をできるだ
け抑えて上記の目的を達成する。 第１図、第２図は本発明の根拠となるデータで、第１図
は、蒸着開始直後の蒸着速度と接触抵抗の関係を示す、
接触抵抗器よ一定の電流を流した時の電圧で示し、０．
７Ｖ程度以下であれば良好な接触抵抗であって、蒸着開
始直後の蒸着速度が大きいほど接触抵抗が小さく、８Å
／秒以りにずれば０．７ｖ以下になることがわかる。第
２図は、蒸着開始２０秒後の膜厚と第１図と同様な接触
抵抗との関係を示し、膜厚が大きいほど、すなわち平均
蒸着速度が大きいほど接触抵抗が小さくなる。第２図か
ら蒸着開始２０秒後の膜厚が３００人、すなわち蒸着開
始後２０秒間の平均蒸着速度が１５Å／秒以−にであれ
ば電圧降下０．７ｖ以下の良好な接触抵抗値が得られる
。しかし蒸着速度が高めすぎると蒸発源のスプラッシュ
が起こり、Ｓｔが飛散して得られたＵ−Ｓｔ薄膜中のＳ
ｉ分が少なくなるので、平均蒸着速度は２０Å／秒以下
に抑えることが望ましい。
電子ビーム蒸着法により＾１−ｓｔ合金を蒸着する場合
、蒸着源上に備えられたシャッタを閉じておいて５分間
蓋着源の蒸発材料に電子ビームを照射し、蒸発材料を充
分にとかす必要がある。この際蒸着源に加えるパワーを
制御することにより蒸着開始初期の蒸着速度を調整する
ことができる。そこで蒸着開始直後の蒸着速度を８Å／
秒以上、また蒸着開始後２０秒間の平均蒸着速度を、従
来の１０〜１５Å／秒から１５Å／秒ないし２０Å／秒
に高めるようにシャッタを開く前の照射電子ビームのパ
ワーを制御することにより良好な接触抵抗を得ることが
できた。
、蒸着源上に備えられたシャッタを閉じておいて５分間
蓋着源の蒸発材料に電子ビームを照射し、蒸発材料を充
分にとかす必要がある。この際蒸着源に加えるパワーを
制御することにより蒸着開始初期の蒸着速度を調整する
ことができる。そこで蒸着開始直後の蒸着速度を８Å／
秒以上、また蒸着開始後２０秒間の平均蒸着速度を、従
来の１０〜１５Å／秒から１５Å／秒ないし２０Å／秒
に高めるようにシャッタを開く前の照射電子ビームのパ
ワーを制御することにより良好な接触抵抗を得ることが
できた。
本発明によれば、半導体装置の製造のために金属配線ま
たは電極形成手段として電子ビーム蒸着法にて＾ｔ−ｓ
ｉ合金を蒸着する場合に、蒸着速度を高めることにより
蒸発Ｍの酸化を阻止し、ＡＩ、Ｏ。 の堆積による３１基板と＾Ｚ−５ｉ膜との間の接触抵抗
の増大を防ぐことにより良好な接触抵抗が得られ、半導
体装置の特性を発揮することが可能になった。
たは電極形成手段として電子ビーム蒸着法にて＾ｔ−ｓ
ｉ合金を蒸着する場合に、蒸着速度を高めることにより
蒸発Ｍの酸化を阻止し、ＡＩ、Ｏ。 の堆積による３１基板と＾Ｚ−５ｉ膜との間の接触抵抗
の増大を防ぐことにより良好な接触抵抗が得られ、半導
体装置の特性を発揮することが可能になった。
Claims (1)
- １）電子ビーム蒸着法によりシリコン基板上にアルミニ
ウム・シリコン合金を蒸着する際に、蒸着開始直後の蒸
着速度を８Å／秒以上、蒸着開始後２０秒間の平均蒸着
速度を１５Å／秒ないし２０Å／秒に制御することを特
徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22574585A JPS6285428A (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22574585A JPS6285428A (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6285428A true JPS6285428A (ja) | 1987-04-18 |
Family
ID=16834171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22574585A Pending JPS6285428A (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6285428A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63296216A (ja) * | 1987-05-27 | 1988-12-02 | Meidensha Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置の電極形成方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56133459A (en) * | 1980-03-21 | 1981-10-19 | Agency Of Ind Science & Technol | Vapor-depositing apparatus |
-
1985
- 1985-10-09 JP JP22574585A patent/JPS6285428A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56133459A (en) * | 1980-03-21 | 1981-10-19 | Agency Of Ind Science & Technol | Vapor-depositing apparatus |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63296216A (ja) * | 1987-05-27 | 1988-12-02 | Meidensha Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置の電極形成方法 |
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