JPS6285478A - シヨツトキ−フオトダイオ−ド - Google Patents
シヨツトキ−フオトダイオ−ドInfo
- Publication number
- JPS6285478A JPS6285478A JP60225851A JP22585185A JPS6285478A JP S6285478 A JPS6285478 A JP S6285478A JP 60225851 A JP60225851 A JP 60225851A JP 22585185 A JP22585185 A JP 22585185A JP S6285478 A JPS6285478 A JP S6285478A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- schottky
- layer
- substrate
- sapphire
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
- H10F30/21—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H10F30/22—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes
- H10F30/227—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes the potential barrier being a Schottky barrier
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、ショットキーフォトダイオードに関するもの
であり、詳しくは、変換効率が高く、高速応答特性を有
する特性の安定したショットキーフォトダイオードに関
するものである。
であり、詳しくは、変換効率が高く、高速応答特性を有
する特性の安定したショットキーフォトダイオードに関
するものである。
（従来の技術〉
第２図は、従来のショットキーフォトダイオードの一例
を示す構成説明図であり、バルク形の例を示している。
を示す構成説明図であり、バルク形の例を示している。
第２図において、１はｎ型ＧａＡＳ基板であり、この基
板１の一方の面には例えばＡＵよりなるショットキー電
極２が被着形成され、他方の面には例えばＡＬＩ−Ｑｅ
よりなるオーミック電極３が被着形成されている。そし
て、ショットキー電極２の下部には空乏層４が形成され
ている。
板１の一方の面には例えばＡＵよりなるショットキー電
極２が被着形成され、他方の面には例えばＡＬＩ−Ｑｅ
よりなるオーミック電極３が被着形成されている。そし
て、ショットキー電極２の下部には空乏層４が形成され
ている。
このような構成において、ショットキー電極２側から光
が加えられることにより、ショットキー電極２をアノー
ドとしオーミック電極３をカソードとする方向に光電変
換信号が出力されることになる。
が加えられることにより、ショットキー電極２をアノー
ドとしオーミック電極３をカソードとする方向に光電変
換信号が出力されることになる。
ところで、このような装置から出力される光電変換信号
に着目すると、伝導帯から持ち上げられる電子によるも
のと価電子帯から持ち上げられる電子によるものとがあ
るが、いずれの場合にもショットキー電極（金属）２を
通して光を空乏層４に加えなければならない。このため
には、ショットキー電極（金属）２を極めて薄（（１０
ｎｍ稈度）にする必要がある。これは、プレーナ型の場
合にも同様である。
に着目すると、伝導帯から持ち上げられる電子によるも
のと価電子帯から持ち上げられる電子によるものとがあ
るが、いずれの場合にもショットキー電極（金属）２を
通して光を空乏層４に加えなければならない。このため
には、ショットキー電極（金属）２を極めて薄（（１０
ｎｍ稈度）にする必要がある。これは、プレーナ型の場
合にも同様である。
（発明が解決しようとする問題点）
しかし、このようにショットキー電極２を薄（した場合
の比抵抗はバルク状態における比抵抗に比べて大きくな
り、その値はショットキー電極２が薄くなるのに応じて
大きくなる。従って、ショットキー電極２の抵抗値をＲ
として接合容量ｃを一定とすると、時定数Ｒ−Ｃは抵抗
値Ｒが大きくなるのに応じて大きくなり、高速応答特性
が得られなくなる。
の比抵抗はバルク状態における比抵抗に比べて大きくな
り、その値はショットキー電極２が薄くなるのに応じて
大きくなる。従って、ショットキー電極２の抵抗値をＲ
として接合容量ｃを一定とすると、時定数Ｒ−Ｃは抵抗
値Ｒが大きくなるのに応じて大きくなり、高速応答特性
が得られなくなる。
また、プレーナ型に構成した場合には、このような接合
容量の他にワイヤボンディングのための線間容量も大き
くなり、さらに高速応答性が低下することになる。
容量の他にワイヤボンディングのための線間容量も大き
くなり、さらに高速応答性が低下することになる。
さらに、ショットキー電極２の厚さが薄くなると特性が
不安定になりやすい。
不安定になりやすい。
本発明は、このような点に着目したものであって、その
目的は、安定した高い変換効率を有し高速応答特性を有
するショットキーフォトダイオードを提供することにあ
る。
目的は、安定した高い変換効率を有し高速応答特性を有
するショットキーフォトダイオードを提供することにあ
る。
（問題点を解決するための手段）
このような目的を達成する本発明は、シリコン・オン・
サファイア（ＳＯＳ）Ｉｎ板の一方の面にショットキー
電極およびオーミック電極を形成し、ＳＯＳ基板のサフ
ァイア面からショットキー電極下部の空乏層に光を導入
することを特徴とづる。
サファイア（ＳＯＳ）Ｉｎ板の一方の面にショットキー
電極およびオーミック電極を形成し、ＳＯＳ基板のサフ
ァイア面からショットキー電極下部の空乏層に光を導入
することを特徴とづる。
（実施例）
以下、図面を用いて本発明の実施例を訂細に説明する。
第１図は、本発明の一実施例を示す構成説明図である。
第１図において、５はシリコン・オン・サファイア（Ｓ
ＯＳ）基板であり、このＳＯＳ基板５の一方の面にはｎ
型Ｓｉエピタキシャル層６が被着形成され、このｎ型３
ｉ工ピタキシヤル層６の一部を覆うように例えばＡＵよ
りなるショットキー電極７が被着形成されるとともにこ
のショットキー電極７に対して電気的に絶縁されるよう
にして例えばＡｌ−８ｉよりなるＡ−ミック電極８が被
着形成されている。そして、光は、研磨されたｓｏｓ基
板５のサファイア面から、ショットキー電極７の下部の
ｎ型３ｉ工ピタキシヤル層６に形成される空乏層９に加
えられる。
ＯＳ）基板であり、このＳＯＳ基板５の一方の面にはｎ
型Ｓｉエピタキシャル層６が被着形成され、このｎ型３
ｉ工ピタキシヤル層６の一部を覆うように例えばＡＵよ
りなるショットキー電極７が被着形成されるとともにこ
のショットキー電極７に対して電気的に絶縁されるよう
にして例えばＡｌ−８ｉよりなるＡ−ミック電極８が被
着形成されている。そして、光は、研磨されたｓｏｓ基
板５のサファイア面から、ショットキー電極７の下部の
ｎ型３ｉ工ピタキシヤル層６に形成される空乏層９に加
えられる。
ここで、５ｏｓｕ板５としては例えば厚さが０．６１１
１１８度のものを用い、ｎ型３ｉ工ピタキシヤル層６と
してはその厚さを２００ｎｍ〜１μｍに形成する。そし
て、ショットキー電極７の厚さは、光を透過させなくて
もよいことから、５００ｎｍ〜１１０００ｎ程度と第２
図に示すような従来のショットキー電極に比べて十分厚
くすることができる。
１１８度のものを用い、ｎ型３ｉ工ピタキシヤル層６と
してはその厚さを２００ｎｍ〜１μｍに形成する。そし
て、ショットキー電極７の厚さは、光を透過させなくて
もよいことから、５００ｎｍ〜１１０００ｎ程度と第２
図に示すような従来のショットキー電極に比べて十分厚
くすることができる。
このように構成することにより、光は金属層を通過する
ことなくＳＯＳ基板５のサファイア面からショットキー
電極７の下部の空乏層に加えられることから光の損失は
少なくなり、高い変換効率が得られる。
ことなくＳＯＳ基板５のサファイア面からショットキー
電極７の下部の空乏層に加えられることから光の損失は
少なくなり、高い変換効率が得られる。
そして、ショットキー電極７の厚さを十分厚くできるこ
とからその比抵抗は小さくなり、ショットキー電極７の
抵抗値Ｒと接合容量Ｃとで決まる時定数Ｒ−Ｃも小さく
なって高速応答特性が得られる。
とからその比抵抗は小さくなり、ショットキー電極７の
抵抗値Ｒと接合容量Ｃとで決まる時定数Ｒ−Ｃも小さく
なって高速応答特性が得られる。
また、このような構成によれば、ＳＯＳ基板を用いてい
ることから素子間の分離が簡単になってフォトダイオー
ドアレイを簡単に作ることができ、光ＣＯＤを比較的簡
単に作ることもできる。
ることから素子間の分離が簡単になってフォトダイオー
ドアレイを簡単に作ることができ、光ＣＯＤを比較的簡
単に作ることもできる。
また、サファイアは光の透過性が良いことから短波長か
ら長波長まで広帯域特性の優れた光検出素子や光ＣＯＤ
が実現できる。
ら長波長まで広帯域特性の優れた光検出素子や光ＣＯＤ
が実現できる。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば、高い変換効率を
有し高速応答特性を有する特性の安定したショットキー
フォトダイオードが実現できる。
有し高速応答特性を有する特性の安定したショットキー
フォトダイオードが実現できる。
第１図は本発明の一実施例を示す構成説明図、第２図は
従来の装置の一例を示す構成説明図である。 ５・・・シリコン・オン・サファイア（ＳＯＳ）基板、
６・・・ｎ型Ｓ１工ピタキシヤル層、７・・・ショット
キー電極、８・・・オーミック電極、９・・・空乏層。 −〇− 第１図 第２図 ５：ＳＯ５観反 ６ ｎ型Ｓ１工ピタキシヤル層 ７ ショットキー羽 ８°オーミツク電極 ９°虐乏層
従来の装置の一例を示す構成説明図である。 ５・・・シリコン・オン・サファイア（ＳＯＳ）基板、
６・・・ｎ型Ｓ１工ピタキシヤル層、７・・・ショット
キー電極、８・・・オーミック電極、９・・・空乏層。 −〇− 第１図 第２図 ５：ＳＯ５観反 ６ ｎ型Ｓ１工ピタキシヤル層 ７ ショットキー羽 ８°オーミツク電極 ９°虐乏層
Claims (1)
- シリコン・オン・サファイア（ＳＯＳ）基板の一方の面
にショットキー電極およびオーミック電極を形成し、Ｓ
ＯＳ基板のサファイア面からショットキー電極下部の空
乏層に光を導入することを特徴とするショットキーフォ
トダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60225851A JPS6285478A (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | シヨツトキ−フオトダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60225851A JPS6285478A (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | シヨツトキ−フオトダイオ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6285478A true JPS6285478A (ja) | 1987-04-18 |
Family
ID=16835833
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60225851A Pending JPS6285478A (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | シヨツトキ−フオトダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6285478A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05259500A (ja) * | 1992-03-11 | 1993-10-08 | Hikari Keisoku Gijutsu Kaihatsu Kk | 受光素子 |
-
1985
- 1985-10-09 JP JP60225851A patent/JPS6285478A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05259500A (ja) * | 1992-03-11 | 1993-10-08 | Hikari Keisoku Gijutsu Kaihatsu Kk | 受光素子 |
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