JPS628628U - - Google Patents

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JPS628628U
JPS628628U JP9854485U JP9854485U JPS628628U JP S628628 U JPS628628 U JP S628628U JP 9854485 U JP9854485 U JP 9854485U JP 9854485 U JP9854485 U JP 9854485U JP S628628 U JPS628628 U JP S628628U
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laser
thin film
laser beam
optical system
glass plate
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Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案の薄膜形成用レーザ光学系の一
実施例を示す構成図、第２図は表面が平坦で均一
な膜質をもつレーザＣＶＤ膜を示す図、第３図は
従来方法の光学系をもつレーザＣＶＤ装置におい
てレーザ光強度が最適値からわすがにずれたとき
に生成される堆積膜を示す図である。 １：レーザビーム発生器、２：ビームエキスパ
ンダ、３，４：平行平板、５：金属開口、６：反
射鏡、７：結像レンズ、８：レーザＣＶＤ反応室
。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 レーザ薄膜形成のための連続または繰返しパル
    ス列のレーザビームを発生させるレーザビーム発
    生器と、該レーザビームのスポツトサイズを拡大
    するビームエキスパンダと、前記レーザビームの
    断面形状を矩形するための金属エツジからなる矩
    形開口と、その開口像をレーザ薄膜形成を行う基
    板上に結像する結像レンズからなるレーザ光学系
    において、 前記レーザビームの中心軸をもとのレーザビー
    ムの中心軸と平行に保つたまま移動させるための
    振動回転する平行板のガラス板を備えたことを特
    徴とする薄膜形成用レーザ光学系。
JP9854485U 1985-06-28 1985-06-28 Pending JPS628628U (ja)

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JP9854485U JPS628628U (ja) 1985-06-28 1985-06-28

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JPS628628U true JPS628628U (ja) 1987-01-19

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ID=30966574

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58165330A (ja) * 1982-03-25 1983-09-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
JPS61239457A (ja) * 1985-04-16 1986-10-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 記録円盤保持装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58165330A (ja) * 1982-03-25 1983-09-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
JPS61239457A (ja) * 1985-04-16 1986-10-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 記録円盤保持装置

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