JPS6287403A - 導電性窒化ケイ素原料粉末の製法 - Google Patents
導電性窒化ケイ素原料粉末の製法Info
- Publication number
- JPS6287403A JPS6287403A JP60226967A JP22696785A JPS6287403A JP S6287403 A JPS6287403 A JP S6287403A JP 60226967 A JP60226967 A JP 60226967A JP 22696785 A JP22696785 A JP 22696785A JP S6287403 A JPS6287403 A JP S6287403A
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- JP
- Japan
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- plasma
- source
- powder
- raw material
- transition element
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は導電性窒化ケイ素原料の製法に係り、より詳し
く述べると、プラズマ法で窒化ケイ素と遷移元素の窒化
物を同時に合成し−(ごれらの混合物からなる粉末を製
造する方法に関する。
く述べると、プラズマ法で窒化ケイ素と遷移元素の窒化
物を同時に合成し−(ごれらの混合物からなる粉末を製
造する方法に関する。
導電性が良好であるが結結しにくく耐酸化性に(])
劣る周期律表第1Va族、第Va族、第Via族の遷移
元素の窒化物、炭化物を、耐酸化性に優れ高強度の窒化
ゲイ素中に分散させた焼結体からなる窒化ケイ素系導電
性セラミックスが提案されでいる(特開昭60−332
65号公報)。この導電性セラミックスは窒化ケイ素と
遷移元素の窒化物と焼結助剤を混合し、焼成して製造す
る。
元素の窒化物、炭化物を、耐酸化性に優れ高強度の窒化
ゲイ素中に分散させた焼結体からなる窒化ケイ素系導電
性セラミックスが提案されでいる(特開昭60−332
65号公報)。この導電性セラミックスは窒化ケイ素と
遷移元素の窒化物と焼結助剤を混合し、焼成して製造す
る。
窒化ケイ素および遷移元素の窒化物はそれぞれ粉砕物あ
るいは反応性プラズマ法等による微細粒子が入手可能で
あるが、これらの原料粉末の混合はボールミル等の機械
的手段によらなければならない。しかしながら、このよ
うな粉砕物あるいは機械的混合では、混合が不均一にな
ったり、混合中に異物が混入するなどの不具合が生ずる
おそれがある。
るいは反応性プラズマ法等による微細粒子が入手可能で
あるが、これらの原料粉末の混合はボールミル等の機械
的手段によらなければならない。しかしながら、このよ
うな粉砕物あるいは機械的混合では、混合が不均一にな
ったり、混合中に異物が混入するなどの不具合が生ずる
おそれがある。
[問題点を解決するための手段〕
本発明は、上記問題点を解決するために、窒化ケイ素を
プラズマ法で合成し、その際、同時に遷移元素源をプラ
ズマ中に導入して、個々の粒子が窒化ケイ素と遷移元素
の窒化物との混合物からなるセラミック粉末を合成する
。
プラズマ法で合成し、その際、同時に遷移元素源をプラ
ズマ中に導入して、個々の粒子が窒化ケイ素と遷移元素
の窒化物との混合物からなるセラミック粉末を合成する
。
プラズマの形成はアーク放電、高周波誘導などのいずれ
によっても、上い。
によっても、上い。
ケイ素源としては、例えば、四塩化ケイ素(SiCL)
ケイ素粉末、遷移元素源としては、例えば、遷移元素の
金属粉末、窒素源としては、例えば、アンモニアガス、
窒素ガスを用いることができる。
ケイ素粉末、遷移元素源としては、例えば、遷移元素の
金属粉末、窒素源としては、例えば、アンモニアガス、
窒素ガスを用いることができる。
各源(ソース)の導入上は、41−成する粉末が窒化ケ
イ素30〜70重量部と遷移元素の窒化物30〜70重
量部の範囲内の混合物になるように調整することが好ま
しい。このような組成を有する粉末原料を焼成して得ら
れる窒化ケイ素と遷移元素の窒化物の混合物からなる焼
結体が適当な導電性と強度を有する。
イ素30〜70重量部と遷移元素の窒化物30〜70重
量部の範囲内の混合物になるように調整することが好ま
しい。このような組成を有する粉末原料を焼成して得ら
れる窒化ケイ素と遷移元素の窒化物の混合物からなる焼
結体が適当な導電性と強度を有する。
本発明によJQ型製造れるセラミック原料粉末は個々の
粒子自体が原子のレヘルで窒化ケイ素と遷移元素の窒化
物の混合物になっているので、この原料粉末から得られ
る成形体および焼結体における窒化ケイ素と遷移元素の
窒化物の混合状態は特別の手段を加えなくても非常に均
一である。
粒子自体が原子のレヘルで窒化ケイ素と遷移元素の窒化
物の混合物になっているので、この原料粉末から得られ
る成形体および焼結体における窒化ケイ素と遷移元素の
窒化物の混合状態は特別の手段を加えなくても非常に均
一である。
第1図は本発明の方法を実施するプラズマ装置を示す。
入口1からアルゴンガスを導入し、高周波誘導コイル2
でアルゴンのプラズマ3をつくる。
でアルゴンのプラズマ3をつくる。
プラズマ形成を開始さゼるために炭素電極4から放電を
行なう。プラズマが安定した後、入口5から、四塩化ケ
イ素5iCI 4 とアンモニアNH3と窒%、 N
2の混合ガスとチタン粉末(15〜30μmの粒径)を
同時に投入し、窒化を行なわせる。このときの反応は 3SiCI4→−4Nl+、→5i3NJ +1211
CI2Ti+2NH3→2TiN+3Hz の2つの反応が同時に起き、4ト成する粒子6は個々粒
子自体が窒化ゲイ素と窒化チタンの両り一を含んでいる
。
行なう。プラズマが安定した後、入口5から、四塩化ケ
イ素5iCI 4 とアンモニアNH3と窒%、 N
2の混合ガスとチタン粉末(15〜30μmの粒径)を
同時に投入し、窒化を行なわせる。このときの反応は 3SiCI4→−4Nl+、→5i3NJ +1211
CI2Ti+2NH3→2TiN+3Hz の2つの反応が同時に起き、4ト成する粒子6は個々粒
子自体が窒化ゲイ素と窒化チタンの両り一を含んでいる
。
第1図の装置およびL記の手法で窒化ゲイ素と窒化チタ
ンの混合物からなる粒子を作成した。入口5から供給す
るガスは四塩化ケイ素50cA/min、アンモニア5
00cIJ/lllInおよび窒素500cJ/Ta1
nの混合ガスであり、この混合ガスとチタン粉末は四塩
化ケイ素とチタンのモル比が1:lになるような量で投
入した。こうして、個々の粒子が窒化ケイ素20〜80
重酸%と窒化チタン80〜20重量%を含む粒径0.1
〜0.5μmのセラミック粉末が得られた。
ンの混合物からなる粒子を作成した。入口5から供給す
るガスは四塩化ケイ素50cA/min、アンモニア5
00cIJ/lllInおよび窒素500cJ/Ta1
nの混合ガスであり、この混合ガスとチタン粉末は四塩
化ケイ素とチタンのモル比が1:lになるような量で投
入した。こうして、個々の粒子が窒化ケイ素20〜80
重酸%と窒化チタン80〜20重量%を含む粒径0.1
〜0.5μmのセラミック粉末が得られた。
このセラミック粉末92重瞳部に対して酸化イツトリウ
ム(粒径0.1〜0.3μm)4重量部および酸化アル
ミニウム(粒径0.1〜0.3μm)4重量部を混合し
、10気圧の窒素ガス雰囲気下1750℃で4時間焼成
した。
ム(粒径0.1〜0.3μm)4重量部および酸化アル
ミニウム(粒径0.1〜0.3μm)4重量部を混合し
、10気圧の窒素ガス雰囲気下1750℃で4時間焼成
した。
得られた焼成体は抵抗率10−1ΩCl11で曲げ強度
は350MN/朔2であった。
は350MN/朔2であった。
原料合成段階で窒化ケイ素と遷移元素窒化物を混合する
ことによって均質な材料が合成でき、焼成体の品質の安
定化が可能となる。また、ボールミル等の機械的な混合
が省略できることによってコストダうンが可能となる。
ことによって均質な材料が合成でき、焼成体の品質の安
定化が可能となる。また、ボールミル等の機械的な混合
が省略できることによってコストダうンが可能となる。
第1図は本発明の方法を実施するプラズマ装置の模式図
である。 1・・・入口(アルゴン)、 2・・・高周波コイル
、3・・・プラズマ、 4・・・炭素電極、
5・・・原料投入口、 6・・・生成粉末。
である。 1・・・入口(アルゴン)、 2・・・高周波コイル
、3・・・プラズマ、 4・・・炭素電極、
5・・・原料投入口、 6・・・生成粉末。
Claims (1)
- 1、ケイ素源と、周期律表第IV族、第V族および(また
は)第VIa族の遷移元素源と、窒素源とから、プラズマ
法により、個々の粒子がケイ素と周期律表第IVa族、第
V族および(または)第VIa族の遷移元素の窒化物との
混合物からなるセラミック粉末を合成することを特徴と
する導電性窒化ケイ素原料粉末の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60226967A JPS6287403A (ja) | 1985-10-14 | 1985-10-14 | 導電性窒化ケイ素原料粉末の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60226967A JPS6287403A (ja) | 1985-10-14 | 1985-10-14 | 導電性窒化ケイ素原料粉末の製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6287403A true JPS6287403A (ja) | 1987-04-21 |
Family
ID=16853426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60226967A Pending JPS6287403A (ja) | 1985-10-14 | 1985-10-14 | 導電性窒化ケイ素原料粉末の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6287403A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS642379A (en) * | 1987-06-25 | 1989-01-06 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | Manufacture of thermoelectric element |
| JPH01248678A (ja) * | 1988-03-30 | 1989-10-04 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | 熱電素子およびその製造方法 |
-
1985
- 1985-10-14 JP JP60226967A patent/JPS6287403A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS642379A (en) * | 1987-06-25 | 1989-01-06 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | Manufacture of thermoelectric element |
| JPH01248678A (ja) * | 1988-03-30 | 1989-10-04 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | 熱電素子およびその製造方法 |
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