JPS62876A - 半導体集積回路用試験装置 - Google Patents
半導体集積回路用試験装置Info
- Publication number
- JPS62876A JPS62876A JP60140767A JP14076785A JPS62876A JP S62876 A JPS62876 A JP S62876A JP 60140767 A JP60140767 A JP 60140767A JP 14076785 A JP14076785 A JP 14076785A JP S62876 A JPS62876 A JP S62876A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor integrated
- integrated circuit
- switch means
- signal line
- test
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発ＢＡＦｉ半導体集積回路用試験装置に関するもの
でろる。
でろる。
第３図は従来の半導体集積回路用試験装置を示すもので
あり２図にｈ・いて（１）はプログラムに基づき信号５
１（２１に試験信号乞印加して、信号線＋２１ Ｋ Ｍ
すれ出す電流及び信号線（２膀・ら流れ込む１Ｍ、流乞
測定し、この測定値と予じめプログラムされた規格値と
比較し、被測定デバイスの良品、不良品を判別する試験
装置本体、（３］は一端が上記信号線（２１に接続され
、上記試験装置を本体（υのプログラムに基づきオン・
オフ制御されるリレーρ為らなるスイッチ手段（４）ン
有した周辺回路、（５）は上記スイッチ手段（４）の他
端に接続されるコンタクトプローブ、（６）は上記試験
装置本体ｔｌ＋と信号線（２）との間に設けられ。
あり２図にｈ・いて（１）はプログラムに基づき信号５
１（２１に試験信号乞印加して、信号線＋２１ Ｋ Ｍ
すれ出す電流及び信号線（２膀・ら流れ込む１Ｍ、流乞
測定し、この測定値と予じめプログラムされた規格値と
比較し、被測定デバイスの良品、不良品を判別する試験
装置本体、（３］は一端が上記信号線（２１に接続され
、上記試験装置を本体（υのプログラムに基づきオン・
オフ制御されるリレーρ為らなるスイッチ手段（４）ン
有した周辺回路、（５）は上記スイッチ手段（４）の他
端に接続されるコンタクトプローブ、（６）は上記試験
装置本体ｔｌ＋と信号線（２）との間に設けられ。
試験装置本体（υから被測定デバイスに印加する電流又
は電圧はモニターするモニタ一点、（７）は被測定デバ
イスである半導体集積回路で、Ｐ型の半導（７ｂン 体基板（１ａ）とＮ 型の拡散層謁？有しているもので
ある。
は電圧はモニターするモニタ一点、（７）は被測定デバ
イスである半導体集積回路で、Ｐ型の半導（７ｂン 体基板（１ａ）とＮ 型の拡散層謁？有しているもので
ある。
次に、この様に構成された半導体集積回路用試験装置Ｋ
より半導体集積回路を試験する方法について述べる。ま
ず、コンタクトプローブ（５）？波数（７Ｌ） 層刈に接触させ、試Ｉｉ１．装置本体１１ノ？動作させ
ると試験装置本体（１１のプログラムに基づきスイッチ
手段（４）がオンされるとともに、信号線＋２７ ＩＣ
所定電圧が＃］訓される。その結果、信号線（２Ｊ、ス
イッチ手段（旬及びコンタクトプローブ（５）を介して
半導体集積回路（力の拡散層（ｒｂ）及び半導体基板（
ｒａ）Ｋ電流が流れるか、ろるいは半導体集積回路（７
）の半導体基板（ｒａ）及び拡散層（１ｂ）からコンタ
クトプローブ（５）、スイッチ手段＋４１及び信号ＩＩ
＋２１ Ｙ介して電流が流れ込み、これらのｔｉｖ試験
装置本体ｉｌ＋にて測定され、その測定値と予じめプロ
グラムされた規格値と？比較して半導体集積回路（７）
の良品、不良品？判別するものでわる。
より半導体集積回路を試験する方法について述べる。ま
ず、コンタクトプローブ（５）？波数（７Ｌ） 層刈に接触させ、試Ｉｉ１．装置本体１１ノ？動作させ
ると試験装置本体（１１のプログラムに基づきスイッチ
手段（４）がオンされるとともに、信号線＋２７ ＩＣ
所定電圧が＃］訓される。その結果、信号線（２Ｊ、ス
イッチ手段（旬及びコンタクトプローブ（５）を介して
半導体集積回路（力の拡散層（ｒｂ）及び半導体基板（
ｒａ）Ｋ電流が流れるか、ろるいは半導体集積回路（７
）の半導体基板（ｒａ）及び拡散層（１ｂ）からコンタ
クトプローブ（５）、スイッチ手段＋４１及び信号ＩＩ
＋２１ Ｙ介して電流が流れ込み、これらのｔｉｖ試験
装置本体ｉｌ＋にて測定され、その測定値と予じめプロ
グラムされた規格値と？比較して半導体集積回路（７）
の良品、不良品？判別するものでわる。
また、半導体集積回路（７）とは別の半導体集積回路（
図示せず）を試験する場合には、半導体集積回路（７）
の影１１’になくす九め、試験装置本体ｔｌｌのプログ
ラムに基づきスイッチ手段＋４１がオフされ、別の半導
体集積回路？測定するためのコンタクトプローブ（図示
せず）と信号線（２１との間に接続されたスイッチ手！
Ｒ（図示せず）がオンされ、上記と同様にして試験され
ることになる。
図示せず）を試験する場合には、半導体集積回路（７）
の影１１’になくす九め、試験装置本体ｔｌｌのプログ
ラムに基づきスイッチ手段＋４１がオフされ、別の半導
体集積回路？測定するためのコンタクトプローブ（図示
せず）と信号線（２１との間に接続されたスイッチ手！
Ｒ（図示せず）がオンされ、上記と同様にして試験され
ることになる。
しかるく、上記の様に構成された半導体集積回路用試験
装置ＩＣあっては、スイッチ手段（４］らるいａ信号、
ｖｉｌｆ２１等に何らかの原因により断線あるいは短絡
が生ずると正常な測定条件が得られず１本来良品である
べき半導体集積回路（７）？不良品に、あるいは不良品
でおるべき半導体集積回路（刀を良品に誤判定する危険
性が大であるとともに、良品である半導体集積回路（７
）￥不良品にしてしまうという危険性も伴なうものでｂ
った。特に、信号線＋２１に多く・Ｄスイッチ手段及び
コンタクトプローブ？接続して大量に試験する場合には
非常に大きな問題となるものである。
装置ＩＣあっては、スイッチ手段（４］らるいａ信号、
ｖｉｌｆ２１等に何らかの原因により断線あるいは短絡
が生ずると正常な測定条件が得られず１本来良品である
べき半導体集積回路（７）？不良品に、あるいは不良品
でおるべき半導体集積回路（刀を良品に誤判定する危険
性が大であるとともに、良品である半導体集積回路（７
）￥不良品にしてしまうという危険性も伴なうものでｂ
った。特に、信号線＋２１に多く・Ｄスイッチ手段及び
コンタクトプローブ？接続して大量に試験する場合には
非常に大きな問題となるものである。
この発明は上記した点Ｋｆｆｉみてなされたものでるり
、半導体集積回路を試験する前に、スイッチ手段のチェ
ックが行なえ、常圧正常な測定条件の基で試験が行なえ
るようする半導体集積回路用試験装ａｙｔ得ることｔ目
的とするものである。
、半導体集積回路を試験する前に、スイッチ手段のチェ
ックが行なえ、常圧正常な測定条件の基で試験が行なえ
るようする半導体集積回路用試験装ａｙｔ得ることｔ目
的とするものである。
ｃ問題点？解決するための手段〕
この発明に係る半導体集積回路用試験装置は。
一端に信号線が接続されるスイッチ手段の他端とスイッ
チ手段のチェック信号が印加されるチェック信号線との
間にダイオード全接続したものでらる。
チ手段のチェック信号が印加されるチェック信号線との
間にダイオード全接続したものでらる。
この発明においては、ダイオードが半導体集積回路の試
験する前にスイッチ手段へチェック信号を伝達させるこ
とができ、半導体集積回路の試験時には何ら影響７及ぼ
さないように作用する。
験する前にスイッチ手段へチェック信号を伝達させるこ
とができ、半導体集積回路の試験時には何ら影響７及ぼ
さないように作用する。
以下にこの発明の一実施例を第１図及び第２図に基づい
て説明する。第１図は半導体集積回路の試験の前のスイ
ッチ手段（４）のオフチェックの状態を示し、第２図は
オンチェックの状態？示し２図洗おいて（８）はカンー
ドがスイッチ手段＋４１の他端に接続されるダイオード
、（９１Ｆｉこのダイオードのアノードに接続され、試
験装置本体（１）からプログラムに基づいてチェック信
号が印加されるチェック信号線、αＧは試験装置本体（
１］と信号線（２）との間に設けられ、チェック信号線
＋９１ Ｋ現われる電流又は電圧をモニターする第２の
モニタ一点である０次にこの様に構成された半導体集積
回路用試験装置におけるスイッチ手段（旬のチェック方
法について述べる。まず、コンタクトプローブ（５）ヲ
拡散層（３）Ｋ接触させ、試験装置本体（１）を仮試験
動作させると、試験！１ｔｃｚ本体ｔｌ）のプログラム
に基づき。
て説明する。第１図は半導体集積回路の試験の前のスイ
ッチ手段（４）のオフチェックの状態を示し、第２図は
オンチェックの状態？示し２図洗おいて（８）はカンー
ドがスイッチ手段＋４１の他端に接続されるダイオード
、（９１Ｆｉこのダイオードのアノードに接続され、試
験装置本体（１）からプログラムに基づいてチェック信
号が印加されるチェック信号線、αＧは試験装置本体（
１］と信号線（２）との間に設けられ、チェック信号線
＋９１ Ｋ現われる電流又は電圧をモニターする第２の
モニタ一点である０次にこの様に構成された半導体集積
回路用試験装置におけるスイッチ手段（旬のチェック方
法について述べる。まず、コンタクトプローブ（５）ヲ
拡散層（３）Ｋ接触させ、試験装置本体（１）を仮試験
動作させると、試験！１ｔｃｚ本体ｔｌ）のプログラム
に基づき。
スイッチ手段＋４１がオフ状態とされて第１図に示す状
態とされる。この時、試験装置本体（１）はダイオード
＋９］に対して順方向の電圧乞印加する。例えば信号線
（２）上のモニタ一点（６）にＯｖが、チェック信号線
＋９１の第２モニタ一点ＯＧに１ｖが出力されるように
条件設定されるものである。すると、スイッチ手段（４
）が正常でありオフ状態になっていれば。
態とされる。この時、試験装置本体（１）はダイオード
＋９］に対して順方向の電圧乞印加する。例えば信号線
（２）上のモニタ一点（６）にＯｖが、チェック信号線
＋９１の第２モニタ一点ＯＧに１ｖが出力されるように
条件設定されるものである。すると、スイッチ手段（４
）が正常でありオフ状態になっていれば。
チェック信号線（９］及びダイオード（８）？介して半
導体集積回路（力の拡散層（ｒｂ）及び基板（７ａ）
Ｋ電流が流れるが、この電流に、拡散層（１ｂ）及び基
板（ｒａ）は逆方向の接合関係罠なっているため微少リ
ーク電流でしかないものである。従ってモニタ一点（６
１には電流は検知されず、第２モニタ一点Ｈには微少リ
ーク電流が検知されることになる。一方、スイッチ手段
（旬が何らかの原因でショートされた異常状態であると
、チェック信号線＋９１からダイオード（８）及びショ
ート状態のスイッチ手段（４）ヲ介して信号Ｊｌｔ２＋
に電流が流れることになる。この電はの値は第２モニタ
一点ａσρ・らモニタ一点（６１ｉでの抵抗値に依存さ
れ、スイッチ手段（４）の正常時の微少リーク１１Ｉｔ
Ｉ！ｉ！より大きなｆ直となるため、第２モニタ一点Ｑ
りに２ける電流値を測定することにより、スイッチ手段
＋４１のオフチェックが行なえる。
導体集積回路（力の拡散層（ｒｂ）及び基板（７ａ）
Ｋ電流が流れるが、この電流に、拡散層（１ｂ）及び基
板（ｒａ）は逆方向の接合関係罠なっているため微少リ
ーク電流でしかないものである。従ってモニタ一点（６
１には電流は検知されず、第２モニタ一点Ｈには微少リ
ーク電流が検知されることになる。一方、スイッチ手段
（旬が何らかの原因でショートされた異常状態であると
、チェック信号線＋９１からダイオード（８）及びショ
ート状態のスイッチ手段（４）ヲ介して信号Ｊｌｔ２＋
に電流が流れることになる。この電はの値は第２モニタ
一点ａσρ・らモニタ一点（６１ｉでの抵抗値に依存さ
れ、スイッチ手段（４）の正常時の微少リーク１１Ｉｔ
Ｉ！ｉ！より大きなｆ直となるため、第２モニタ一点Ｑ
りに２ける電流値を測定することにより、スイッチ手段
＋４１のオフチェックが行なえる。
次に、試験装置本体（口のプログラムに基づきスイッチ
手段（４）がオン状態とされて第２図の状！１にされる
。すると、スイッチ手段（４）が正常でｂリオン状態に
なっていれば、チェック（ｆｆ４＋４１１９１ρ・らダ
イオード（８）及びスイッチ手段１４ ’に介して信号
５１＋２１に’ＫＲが流れ、第２モニタ一点０（ＩＫは
第２モニタ一点８ａからモニタ一点（６１ｔでの抵抗値
に依存されたｔｒｌＬ値が現われる〇一方、スイッチ手
段＋４１が何らρ・の原因でオフ状態にされた異常状態
でらるとデエ°ツク信号線（９１からダイオード（８１
ケ介して半導体集積回路（７）の拡敵層（γｂ）及び基
板（ｒａ）Ｋ１！Ｅ流が流れ、第２モニタ一点ａａには
微少リーク電流の値が現われる。従って、第２モニタ一
点１１１＃ｃおける電流値を測定するご？−により、ス
イッチ手段（４りのオンチェックが行なえる。
手段（４）がオン状態とされて第２図の状！１にされる
。すると、スイッチ手段（４）が正常でｂリオン状態に
なっていれば、チェック（ｆｆ４＋４１１９１ρ・らダ
イオード（８）及びスイッチ手段１４ ’に介して信号
５１＋２１に’ＫＲが流れ、第２モニタ一点０（ＩＫは
第２モニタ一点８ａからモニタ一点（６１ｔでの抵抗値
に依存されたｔｒｌＬ値が現われる〇一方、スイッチ手
段＋４１が何らρ・の原因でオフ状態にされた異常状態
でらるとデエ°ツク信号線（９１からダイオード（８１
ケ介して半導体集積回路（７）の拡敵層（γｂ）及び基
板（ｒａ）Ｋ１！Ｅ流が流れ、第２モニタ一点ａａには
微少リーク電流の値が現われる。従って、第２モニタ一
点１１１＃ｃおける電流値を測定するご？−により、ス
イッチ手段（４りのオンチェックが行なえる。
そして、試験装置本体ＩＩＩは上記したオフチェックる
るいはオンチェックのどちらか一方でスイッチ手段＋４
１が異常でろると判定すると１次に行なわれる半導体集
積回路（７）の試験を停止するようプログラムされてお
り、半導体集積回路（７）のｌＡ＠定及びダメージを与
えること？防止しているものでらろ。一方、オフチェッ
ク及びオンチェック両者において、スイッチ手段（４１
が正常でりると判定されると、半導体装置本体ｉ１７
Ｆｉ上記第３図に示したものと同様に半導体集積回路（
〕）の試試験性なうものである◎この時、ダイオード（
８）はスイッチ手段＋４１とコンタクトプローブ（５）
との接続点に対して逆方向ＫｆＭ続されているものであ
るから、半導体集積回路（７）の試験に際して何ら影＃
を及ぼさないものでるる。なお、さらに正確を期す場合
には、半導体集積回路（７）の試験中、常にダイオード
（８）に逆方向の電圧が印加されるように、＠２モニタ
一点四Ｋｇ験装瀘本体（！）から電圧を与えるようにし
ても良いものでらる〇 〔発明の効果］ この発明は以上に述べたように、−＠に信号線が接続さ
れたスイッチ手段の他端とスイッチ手段のチェック信号
が印加されるチェック信号線との間にダイオードＹｌ！
続したもＤとしたので、半導体集積回路の試験前にスイ
ッチ手段のチェックを行なえ、半導体集積回路の誤判定
を少なくできるとともに、半導体集積回路にダメージ？
与えることを抑制できるという効果を有するものでるる
。
るいはオンチェックのどちらか一方でスイッチ手段＋４
１が異常でろると判定すると１次に行なわれる半導体集
積回路（７）の試験を停止するようプログラムされてお
り、半導体集積回路（７）のｌＡ＠定及びダメージを与
えること？防止しているものでらろ。一方、オフチェッ
ク及びオンチェック両者において、スイッチ手段（４１
が正常でりると判定されると、半導体装置本体ｉ１７
Ｆｉ上記第３図に示したものと同様に半導体集積回路（
〕）の試試験性なうものである◎この時、ダイオード（
８）はスイッチ手段＋４１とコンタクトプローブ（５）
との接続点に対して逆方向ＫｆＭ続されているものであ
るから、半導体集積回路（７）の試験に際して何ら影＃
を及ぼさないものでるる。なお、さらに正確を期す場合
には、半導体集積回路（７）の試験中、常にダイオード
（８）に逆方向の電圧が印加されるように、＠２モニタ
一点四Ｋｇ験装瀘本体（！）から電圧を与えるようにし
ても良いものでらる〇 〔発明の効果］ この発明は以上に述べたように、−＠に信号線が接続さ
れたスイッチ手段の他端とスイッチ手段のチェック信号
が印加されるチェック信号線との間にダイオードＹｌ！
続したもＤとしたので、半導体集積回路の試験前にスイ
ッチ手段のチェックを行なえ、半導体集積回路の誤判定
を少なくできるとともに、半導体集積回路にダメージ？
与えることを抑制できるという効果を有するものでるる
。
第１図及び第２図は仁の発明の一実施例を示し第１図は
オフチェック状態の要部回路図、第２図はオンチェック
状態の要部回路図、第３図は従来の半導体集積回路用試
験装［ｔｌに：示すＩｊ１部回−図でろる。 図において（２：は信号線、（４Ｊはスイッチ手段、（
５）はコンタクトプローブ、（７）は半導体集積回路、
（８）はダイオード、ｔ９）はチェック信号線でろる０
なシ、各図中同−符号は同−又は相当部分を示す。 第１図 １ｇ２図 笥 ３ ｒＭ 手続補正書（自発） 昭和 鼎 １％ ２０八 １、事件の表示 特願昭 ６０−１４０７６７号２
、発明ノ名称 半導体’ＪＳ ｖｔ回路用試験装
に訊補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号名
称 （６０１）三菱電機株式会社代表者 志 岐
守 哉 ４、代理人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号５
、補正の対象 ６、補正の内容 （１）明細書第３頁第６行に「流れ込み、これらの電流
を」とあるのを「試験装置本体（１）に流れ込む、これ
らの電流は」と訂正する。 （２）明細書第６頁第２行にｒ Ｆ！ｊ （３）Ｊとあ
るのを１層（７ｂ）Ｊと訂正する。 （３）明細書第６頁第５〜６行に「ダイオード（９）」
とあるのを「ダイオード（８）」と訂正する。 （４）図面を別紙のとおり補正する。 以上
オフチェック状態の要部回路図、第２図はオンチェック
状態の要部回路図、第３図は従来の半導体集積回路用試
験装［ｔｌに：示すＩｊ１部回−図でろる。 図において（２：は信号線、（４Ｊはスイッチ手段、（
５）はコンタクトプローブ、（７）は半導体集積回路、
（８）はダイオード、ｔ９）はチェック信号線でろる０
なシ、各図中同−符号は同−又は相当部分を示す。 第１図 １ｇ２図 笥 ３ ｒＭ 手続補正書（自発） 昭和 鼎 １％ ２０八 １、事件の表示 特願昭 ６０−１４０７６７号２
、発明ノ名称 半導体’ＪＳ ｖｔ回路用試験装
に訊補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号名
称 （６０１）三菱電機株式会社代表者 志 岐
守 哉 ４、代理人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号５
、補正の対象 ６、補正の内容 （１）明細書第３頁第６行に「流れ込み、これらの電流
を」とあるのを「試験装置本体（１）に流れ込む、これ
らの電流は」と訂正する。 （２）明細書第６頁第２行にｒ Ｆ！ｊ （３）Ｊとあ
るのを１層（７ｂ）Ｊと訂正する。 （３）明細書第６頁第５〜６行に「ダイオード（９）」
とあるのを「ダイオード（８）」と訂正する。 （４）図面を別紙のとおり補正する。 以上
Claims (1)
- 半導体集積回路の試験信号が印加される信号線に一端が
接続されるスイッチ手段、このスイッチ手段の他端に接
続されるコンタクトプローブ、上記スイッチ手段の他端
と上記スイッチ手段のチェック信号が印加されるチェッ
ク信号線との間に接続されるダイオードを備えた半導体
集積回路用試験装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60140767A JPS62876A (ja) | 1985-06-27 | 1985-06-27 | 半導体集積回路用試験装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60140767A JPS62876A (ja) | 1985-06-27 | 1985-06-27 | 半導体集積回路用試験装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62876A true JPS62876A (ja) | 1987-01-06 |
| JPH054034B2 JPH054034B2 (ja) | 1993-01-19 |
Family
ID=15276270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60140767A Granted JPS62876A (ja) | 1985-06-27 | 1985-06-27 | 半導体集積回路用試験装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62876A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5098282A (ja) * | 1973-12-26 | 1975-08-05 | ||
| JPS5694965U (ja) * | 1979-12-21 | 1981-07-28 |
-
1985
- 1985-06-27 JP JP60140767A patent/JPS62876A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5098282A (ja) * | 1973-12-26 | 1975-08-05 | ||
| JPS5694965U (ja) * | 1979-12-21 | 1981-07-28 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH054034B2 (ja) | 1993-01-19 |
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