JPH054034B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体集積回路用試験装置に関する
ものである。

〔従来の技術〕

第３図は従来の半導体集積回路用試験装置を示
すものであり、図において１はプログラムに基づ
き信号線２に試験信号を印加して、信号線２に流
れ出す電流及び信号線２から流れ込む電流を測定
し、この測定値と予じめプログラムされた規格値
と比較し、被測定デバイスの良品、不良品を判別
する試験装置本体、３は一端が上記信号線２に接
続され、上記試験装置本体１のプログラムに基づ
きオン・オフ制御されるリレーからなるスイツチ
手段４を有した周辺回路、５は上記スイツチ手段
４の他端に接続されるコンタクトプローブ、６は
上記試験装置本体１と信号線２との間に設けら
れ、試験装置本体１から被測定デバイスに印加す
る電流又は電圧はモニターするモニター点、７は
被測定デバイスである半導体集積回路で、Ｐ型の
半導体基板７ａとN⁺型の拡散層７ｂを有してい
るものである。

次に、この様に構成された半導体集積回路用試
験装置により半導体集積回路を試験する方法につ
いて述べる。まず、コンタクトプローブ５を拡散
層７ｂに接触させ、試験装置本体１を動作させる
と試験装置本体１のプログラムに基づきスイツチ
手段４がオンされるとともに、信号線２に所定電
圧が印加される。その結果、信号線２、スイツチ
手段４及びコンタクトプローブ５を介して半導体
集積回路７の拡散層７ｂ及び半導体基板７ａに電
流が流れるか、あるいは半導体集積回路７の半導
体基板７ａ及び拡散層７ｂからコンタクトプロー
ブ５、スイツチ手段４及び信号線２を介して電流
が試験装置本体１に流れ込む。これらの電流は試
験装置本体１にて測定され、その測定値と予じめ
プログラムされた規格値とを比較して半導体集積
回路７の良品、不良品を判別するものである。

また、半導体集積回路７とは別の半導体集積回
路（図示せず）を試験する場合には、半導体集積
回路７の影響をなくすため、試験装置本体１のプ
ログラムに基づきスイツチ手段４がオフされ、別
の半導体集積回路を測定するためのコンタクトプ
ローブ（図示せず）と信号線２との間に接続され
たスイツチ手段（図示せず）がオンされ、上記と
同様にして試験されることになる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかるに、上記の様に構成された半導体集積回
路用試験装置にあつては、スイツチ手段４あるい
は信号線２等に何らかの原因により断線あるいは
短絡が生ずると正常な測定条件が得られず、本来
良品であるべき半導体集積回路７を不良品に、あ
るいは不良品であるべき半導体集積回路７を良品
に誤判定する危険性が大であるとともに、良品で
ある半導体集積回路７を不良品にしてしまうとい
う危険性も伴なうものであつた。特に、信号線２
に多くのスイツチ手段及びコンタクトプローブを
接続して大量に試験する場合には非常に大きな問
題となるものである。

この発明は上記した点に鑑みてなされたもので
あり、半導体集積回路を試験する前に、スイツチ
手段のチエツクが行なえ、常に正常な測定条件の
基で試験が行なえるようする半導体集積回路用試
験装置を得ることを目的とするものである。

〔問題点を解決するための手段〕

この発明に係る半導体集積回路用試験装置は、
一端に信号線が接続されるスイツチ手段の他端と
スイツチ手段の試験信号と逆極性のチエツク信号
が印加されるチエツク信号線との間にチエツク信
号を通す極性のダイオードを接続したものであ
る。

〔作用〕

この発明においては、ダイオードが半導体集積
回路の試験する前にスイツチ手段へチエツク信号
を伝達させることができ、ダイオードを通過する
チエツク信号は試験信号とは逆極性なので半導体
集積回路の試験時には何ら影響を及ぼさないよう
に作用する。

〔実施例〕

以下にこの発明の一実施例を第１図及び第２図
に基づいて説明する。第１図は半導体集積回路の
試験の前のスイツチ手段４のオフチエツクの状態
を示し、第２図はオンチエツクの状態を示し、図
において８はカソードがスイツチ手段４の他端に
接続されるダイオード、９はこのダイオードのア
ノードに接続され、試験装置本体１からプログラ
ムに基づいてチエツク信号が印加されるチエツク
信号線、１０は試験装置本体１と信号線２との間
に設けられ、チエツク信号線９に現われる電流又
は電圧をモニターする第２のモニター点である。

次にこの様に構成された半導体集積回路用試験
装置におけるスイツチ手段４のチエツク方法につ
いて述べる。まず、コンタクトプローブ５を拡散
層７ｂに接触させ、試験装置本体１を仮試験動作
させると、試験装置本体１のプログラムに基づ
き、スイツチ手段４がオフ状態とされて第１図に
示す状態とされる。この時、試験装置本体１はダ
イオード８に対して順方向の電圧を印加する。例
えば信号線２上のモニター点６に0Vが、チエツ
ク信号線９の第２モニター点１０に1Vが出力さ
れるように条件設定されるものである。すると、
スイツチ手段４が正常でありオフ状態になつてい
れば、チエツク信号線９及びダイオード８を介し
て半導体集積回路７の拡散層７ｂ及び基板７ａに
電流が流れるが、この電流は試験信号とは逆極性
で、拡散層７ｂ及び基板７ａは逆方向の接合関係
になつているため微少リーク電流でしかないもの
である。従つてモニター点６には電流は検知され
ず、第２モニター点１０には微少リーク電流が検
知されることになる。一方、スイツチ手段４が何
らかの原因でシヨートされた異常状態であると、
チエツク信号線９からダイオード８及びシヨート
状態のスイツチ手段４を介して信号線２に電流が
流れることになる。この電流の値は第２モニター
点１０からモニター点６までの抵抗値に依存さ
れ、スイツチ手段４の正常時の微少リーク電流よ
り大きな値となるため、第２モニター点１０にお
ける電流値を測定することにより、スイツチ手段
４のオフチエツクが行なえる。

次に、試験装置本体１のプログラムに基づきス
イツチ手段４がオン状態とされて第２図の状態に
される。すると、スイツチ手段４が正常でありオ
ン状態になつていれば、チエツク信号線９からダ
イオード８及びスイツチ手段４を介して信号線２
に電流が流れ、第２モニター点１０には第２モニ
ター点１０からモニター点６までの抵抗値に依存
された電流値が現われる。一方、スイツチ手段４
が何らかの原因でオフ状態にされた異常状態であ
るとチエツク信号線９からダイオード８を介して
半導体集積回路７の拡散層７ｂ及び基板７ａに電
流が流れ、第２モニター点１０には微少リーク電
流の値が現われる。従つて、第２モニター点１０
における電流値を測定することにより、スイツチ
手段４のオンチエツクが行なえる。

そして、試験装置本体１は上記したオフチエツ
クあるいはオンチエツクのどちらか一方でスイツ
チ手段４が異常であると判定すると、次に行なわ
れる半導体集積回路７の試験を停止するようプロ
グラムされており、半導体集積回路７の誤判定及
びダメージを与えることを防止しているものであ
る。一方、オフチエツク及びオンチエツク両者に
おいて、スイツチ手段４が正常であると判定され
ると、半導体装置本体１は上記第３図に示したも
のと同様に半導体集積回路７の試験を行なうもの
である。この時、ダイオード８はスイツチ手段４
とコンタクトプローブ５との接続点に対して逆方
向に接続されているものであるから、半導体集積
回路７の試験に際して何ら影響を及ぼさないもの
である。なお、さらに正確を期す場合には、半導
体集積回路７の試験中、常にダイオード８に逆方
向の電圧が印加されるように、第２モニター点１
０に試験装置本体１から電圧を与えるようにして
も良いものである。

〔発明の効果〕

この発明は以上に述べたように、一端に信号線
が接続されたスイツチ手段の他端とスイツチ手段
の試験信号と逆極性のチエツク信号が印加される
チエツク信号線との間にダイオードを接続したも
のとしたので、半導体集積回路の試験前にスイツ
チ手段のチエツクを行なえ、半導体集積回路の誤
判定を少なくできるとともに、半導体集積回路に
ダメージを与えることを抑制できるという効果を
有するものである。

また、チエツク時には、ダイオードにより試験
信号と逆極性のチエツク信号のみが半導体集積回
路に印加されるので、チエツク信号が半導体集積
回路の試験に何等影響を与えないという効果をも
有している。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図はこの発明の一実施例を示し
第１図はオフチエツク状態の要部回路図、第２図
はオンチエツク状態の要部回路図、第３図は従来
の半導体集積回路用試験装置を示す要部回路図で
ある。 図において２は信号線、４はスイツチ手段、５
はコンタクトプローブ、７は半導体集積回路、８
はダイオード、９はチエツク信号線である。 な
お、各図中同一符号は同一又は相当部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 半導体集積回路の試験信号が印加される信号
   線に一端が接続されるスイツチ手段、このスイツ
   チ手段の他端に接続されるコンタクトプローブ、
   上記スイツチ手段の他端と、上記試験信号と逆極
   性のスイツチ手段用チエツク信号が印加されるチ
   エツク信号線との間に接続され、上記チエツク信
   号を通す極性のダイオードを備えた半導体集積回
   路用試験装置。