JPS628785B2

JPS628785B2 -

Info

Publication number: JPS628785B2
Application number: JP56062066A
Authority: JP
Inventors: Junichiro Kanbe; Shigeru Shirai; Tadaharu Fukuda
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1981-04-23
Filing date: 1981-04-23
Publication date: 1987-02-24
Also published as: JPS57177147A

Description

【発明の詳細な説明】

〔産業上の利用分野〕本発明は、光（ここでは広義の意味の光で、紫
外線、可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示
す）のような電磁波に感受性があり、画像形成分
野に於いて使用される電子写真用像形成部材に関
する。〔従来の技術〕電子写真用像形成部材に於ける光導電層を構成
する光導電材料には、Se、Se−Te、CdS、
ZnO、あるいはPVCzやTNF等のOPC材料が良く
知られているが、最近、例えば独国公開第
2746967号公報、同第2855718号公報に記載されて
ある様に、光感度、分光波長領域、光応答性、暗
抵抗等の点に於いて他の光導電材料に転べて遜色
ない特性を有し、加えて非晶質にも拘らずｐ−ｎ
制御が容易に行える、人体に対して無公害である
等の点で、アモルフアスシリコン（以後Ａ−Siと
表記する）が有望な光導電材料として注目を集め
ている。〔解決すべき問題点〕このようにＡ−Siは他の光導電材料よりも多く
の点で優れた特性を有しており、電子写真用像形
成部材への適用としてその実用化が急速に進めら
れているが、未だ解決される可き点も残されてい
る。例えば、場合によつては、その使用時に於い
て、残留電位が残る場合があり、繰返し使用を長
時間行うと疲労の蓄積が起り、ゴースト現象を引
起す様になる、転写画像中に白抜けが生ずる等の
不都合が生ずる。更には、層厚が十数μ以上になると層形成用の
真空推積室より取り出した後、空気中での放置時
間の経過と共に、支持体表面からの層の浮きや剥
離、或いは層に亀裂が生ずる等の現象を引起し勝
ちになる。この現象は、殊に支持体が通常電子写
真分野に於いて使用されているドラム状支持体の
場合に多く起る等、経時的安定性の点に於いて解
決される可き点がある。又、他方、例えば、本発明者等の多くの実験に
よれば、電子写真用像形成部材の光導電層を構成
する材料としてのＡ−Siは、従来のSe，CdS、
ZnO或いはPVCzやTNF等のOPC（有機光導電部
材）い較べて、数多くの利点を有するが、従来の
太陽電池用として使用する為の特性が付与された
Ａ−Siから成る単層構成の光導電層を有する電子
写真用像形成部材の上記光導電層に静電像形成の
為の帯電処理を施しても暗減衰（dark decay）
が著しく速く、通常の電子写真法が仲々適用され
難い事、及び多湿雰囲気中に於いては、上記傾向
が著しく、場合によつては現像時間まで帯電々荷
を全く保持し得ない事がある等、解決され得る可
き点が存在している事が判明している。従つて、Ａ−Si材料そのものの特性改良が計ら
れる一方で光導電部材を設計する際に、上記した
様な所望の電気的、光学的及び光導電的特性が得
られる様に工夫される必要がある。〔概略及び目的〕本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、Ａ
−Siに就いて電子写真用像形成部材としての適応
性とその応用性という観点から総括的に鋭意研究
検討を続けた結果、シリコン原子を母体とし、水
素原子(H)及びハロゲン原子（Ｘ）のいずれか一方
を少なくとも含有するアモルフアス材料（非晶質
材料）、所謂水素化アモルフアスシリコン、ハロ
ゲン化アモルフアスシリコン、或いはハロゲン含
有水素化アモルフアスシリコン〔以後これ等の総
称的表記として「Ａ−Si（Ｈ、Ｘ）」を使用す
る〕から構成され、光導電性を示す非晶質層の層
構成を特定化して、以降に詳述される支持体上に
該層を設けることで得られる電子写真用像形成部
材は実用的に充分使用し得るばかりでなく、従来
のと較べてみても殆どの点に於いて浚駕している
こと、殊に電子写真用として光感度及び画質安定
性に於いて著しく優れた特性を有していることを
見出した点に基いている。本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時
安定していて、殆ど使用環境に制限を受けない全
環境型であり、耐光疲労に著しく長け、繰返し使
用に際しても劣化現象を起さず、残留電位が全く
又は殆ど観測されない電子写真用像形成部材を提
供することを主たる目的とする。本発明の別の目的、全可視光域に於いて光感度
が高く、且つ光応答性の速い電子写真用像形成部
材を提供することである。本発明の他の目的は、通常の電子写真法が極め
て有効に適用される得る程度に、静電像形成の為
の帯電処理の際の電荷保持能が充分あり、且つ多
湿雰囲気中でもその特性の低下が殆ど観測されな
い優れた電子写真特性を有する電子写真用像形成
部材を提供することである。本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフ
トーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画
像を得る事が容易に出来る電子写真用の光導電部
材を提供することである。〔問題点を解決すべき手段〕本発明の電子写真用像形成部材は化学構造的に
水を含む酸化アルミニウムから成る表面を有する
電子写真用の支持体と、水素原子(H)およびハロゲ
ン原子（Ｘ）の少なくともいずれか一方を含み、
シリコン原子を母体とする非晶質材料〔Ａ−Si
（Ｈ、Ｘ）で構成され、光導電性を示す非晶質層
とを有し、該非晶質層は、少なくともその一部
に、前記支持体の表面に略々平行な面内では実質
的に均一であり層厚方向には不均一で且つ、前記
支持体とは反対の表面側の方に多く分布した状態
で炭素原子を含有する層領域を有し、該炭素原子
の含有量が0.005〜90原子％であり且つその層厚
方向の分布濃度の最大値が0.03〜90原子％である
事を特徴とする。〔作用〕上記した様な構成を取る様にして設計された電
子写真用像形成部材は、前記した諸問題の総てを
解決し得、極めてすぐれた電気的、光学的、光導
電的特性及び使用環境特性を示す。殊に、電子写真用像形成部材として帯電処理の
際の電荷保持能に長け、画像形成への残留電位の
影響が全くなく、多湿雰囲気中でもその電気的特
性が安定しており高感度で、高SN比を有するも
のであつて耐光疲労、繰返し使用性に著しく長
け、濃度が高く、ハーフトーンが鮮明に出て、且
つ解像度の高い、高品質の可視画像を常時安定的
に得る事が出来る、更には、支持体からの浮き、
剥離或いは層亀裂が生ぜず機械的及び電気的接触
及び密着性に優れている、長時間の繰返し使用に
於いても、初期の特性の低下は見られない等々の
長所を有するものである。〔実施態様例〕以下、図面に従つて、本発明の電子写真用像形
成部材に就いて詳細に説明する。第１図は、本発明の電子写真用としての光導電
部材の基本的な構成例を説明する為に模式的に示
した模式的構成図である。第１図に示す光導電部材１００は、化学構造的
に水を含む酸化アルミニウムから成る表面を有す
る電子写真用としての支持体１０１の上に、必要
に応じて設けられる障壁層１０２、前記支持体１
０１又は該障壁層１０２に直接接触した状態に設
けられ、光導電性を示す非晶質層１０３とで構成
され、該非晶質層１０３は、少なくともその一部
に炭素原子を含有する層領域を有し、該層領域に
於ける炭素原子の分布が前記支持体１０１の表面
に略々平行な面内では実質的に均一であり、層の
厚み方向には、不均一であつて、前記層領域に含
有されている炭素原子が前記支持体１０１とは反
対の表面側の方に多く分布し、炭素原子の含有量
Ctが0.005〜30原子％であり、且つその層厚方向
の分布濃度の最大値Cmaxが前記支持体１０１と
は反対の表面又は該表面の極く近傍に存し、
Cmaxが0.03〜90原子％とされている。支持体１
０１は、少なくともその表面に化学構造的に水を
含む酸化アルミニウム皮膜を有するものである
が、斯かる皮膜は、最も端的には電子写真用とし
て加工成型した後適当な予備処理が施された純ア
ルミニウム又はアルミニウム合金の基体の表面に
陽極酸化処理を施し、次いで必要に応じて適当な
前処理を行つた後に、沸騰水処理又は蒸気処理を
施すことによつてAl₂O₃・H₂O又はAl₂O₃・3H₂O
なる組成のものとして得られる。陽極酸化処理としては電気的絶縁耐力に優れた
皮膜が形成される方法が採用され、例えば蓚酸
法、硫酸法、クロム酸法を挙げることが出来る。例えば蓚酸法としては、使用される電解液は例
えば１〜３％の蓚酸または蓚酸塩溶液、１〜
３％のマロン酸またはその塩類の溶液、蓚酸35
ｇ、KMnO₄1ｇの割合でこれ等を１の水に溶解
したもの等が挙げられる。この場合の電流密度および電圧は、使用される
電解液および被処理材料等によつて適宜決められ
るものであるが、電流密度としては３〜
20Amp／ｄm²、電圧としては40〜120volts程度と
される。又、陽極酸化中の浴槽の温度としては、10〜30
℃程度の範囲とされる。硫酸法の場合には、電解液の濃度を10〜70％の
間に変え、且つ電圧を10〜15voltsに保つて、処
理時間を10〜15分の間に変えることによつて、特
性の異なる皮膜を形成することができる。この場合の使用電力としては、0.5〜2KWh／
m²の間に変化し、処理温度は15〜30℃程度とされ
る。例えば、強くて硬い皮膜を作る場合には、硫酸
５％とグリセリン５％の液を用い、12〜15volts
で20〜40分間処理すれば良い。又、逆に柔軟性に
富む皮膜を得る場合には硫酸25％とグリセリン20
％の溶液を用い12℃〜30℃で、15voltsの電圧で
30〜60分間処理すれば良い。更には硫酸５〜10％
の溶液に多少のAl₂（SO₄）₃を溶解した電解溶液
を使用して、液槽温度15〜20℃程度で行うことも
出来る。これ等の場合の使用電力としては、１m²
当り、硬い皮膜を得る場合には2KWh程度、軟ら
かい皮膜を得る場合には0.5〜1KWh程度であ
る。形成される皮膜の電気絶縁耐力を最大限にする
には、液の濃度を60〜77％H₂SO₄とし、溶液の容
積15に対して１の割合のグリセリンを添加し、液
槽の温度を20〜30℃とし、電圧を約12volts、電
流密度0.1〜1.0Amp／ｄm²の条件下で処理すれば
良い。上記の様な方法によつて陽極酸化処理された基
体は、洗滌等の適当な前処理を必要に応じて行つ
た後、最終的な形態の皮膜を形成する為に沸騰水
処理又は水蒸気処理が施される。沸騰水処理は、脱塩してPHを５〜９に調整され
た水を80〜100℃程度に加熱された中に、前記陽
極酸化処理した基体を浸漬させれば良い。蒸気処理法としては、予め沸騰水で良く洗滌
し、更に、TiCl₃、SnCl₂、FeSO₄等の還元性水溶
液で処理して、皮膜に附着している電解液の成分
を完全に除去した後、４〜5.6Kg／cm²程度の過熱
水蒸気中に前記の陽極酸化された媒体を適当時間
保持すれば良い。本発明は於いて、所望特性とその上に形成され
る光導電層との良好なマツチングが得られる様な
皮膜が形成されるアルミニウム合金材料として
は、Al−Mg−Si系、Al−Mg系、Al−Mg−Mn
系、Al−Mn系、Al−Mg系、Al−Mg−Si系、Al
−Mg−Mn系、Al−Cu−Mg系、Al−Cu−Ni系、
Al−Cu系、Al−Si系、Al−Cu系、Al−Cu−Zn
系、Al−Cu−Ni系、Al−Si系、Al−Cu−Si系、
Al−Mg−Si系等を挙げることが出来る。具体的
には、例えば、A51S、61S、63S、Aludur、
Legal、Anticodal、Pantal、SilalV、RS、52S、
56S、Hydroalium、BS−Seewasser、4S、KS−
Seewasser、3S、14S、17S、24S、Ｙ合金、
NS、RS、Silumin、アメリカ合金、ドイツ合
金、Kupfer−Silumin、Silumin−Gamma等の製
品規格名で市販されているものを挙げることが出
来る。本発明に於ける支持体表面上に設けられる水を
化学構造的に含む皮膜の膜厚としては、その上に
形成される光導電層の特性及びその構成材料、層
厚等との相関関係に於いて所望に従つて適宜決定
されるものであるが、通常の場合、0.05〜10μ、
好適には0.1〜５μ、最適には0.2〜２μとされる
のが望ましいものである。障壁層１０２は、支持体１０１の側から非晶質
層１０３側方向へのフリーキヤリアの流入を効果
的に阻止し且つ電磁波照射時に於いて電磁波の照
射によつて非晶質層１０３中に生じ、支持体１０
１の側に向つて移動するフオトキヤリアの非晶質
層１０３の側から支持体１０１の側への通過を容
易に許す機能を有するものである。障壁層１０２は、上記のような機能を有するも
のであるが、支持体１０１と非晶質層１０３との
間で形成される界面に於いて、上記のような障壁
層１０２と同様な機能が充分発揮されるのであれ
ば、本発明に於いては、障壁層１０２を強いて設
ける必要はない。障壁層１０２は、シリコン原子を母体とし、炭
素原子、窒素原子の中から選択される原子の少な
くとも一種と、必要に応じて水素原子又はハロゲ
ン原子の少なくともいずれか一方とを含む非晶質
材料＜これ等を総称してＡ−〔Six（Ｃ、Ｎ）_1-x〕_y
（Ｈ、Ｘ）_1-yと表記する（但し、０＜ｘ＜１、０
＜ｙ＜１）＞又は、電気絶縁性の金属酸化物或い
は電気絶縁性の有機化合物で構成される。本発明に於いて、上記障壁層１０２中に含有さ
れるハロゲン原子（Ｘ）として好適なのはＦ、
Cl、Br、Ｉであり、殊にＦ、Clが望ましいもの
である。上記障壁層１０２を構成する非晶質材料として
有効に使用されるものとして具体的には、例えば
炭素系の非晶質材料としてＡ−Si_aC_1-a、Ａ−
（Si_bC_1-b）_cＨ_1-c、Ａ−（Si_dC_1-d）_eＸ_1-e、Ａ−
（Si_fC_1-f）_g（Ｈ＋Ｘ）_1-g、窒素系の非晶質材料と
してＡ−Si_hN_1-h、Ａ−（Si_iN_1-i）_jＨ_1-j、Ａ−
（Si_kN_1-k）_lＸ_1-l、Ａ−（Si_nN_1-n）_o（Ｈ＋Ｘ）_1-o
等、更には、上記の非晶質材料に於いて、Ｃ及び
Ｎの２種の原子を構成原子として含む非晶質材料
を挙げることが出来る（但し０＜ａ、ｂ、ｃ、
ｄ、ｅ、ｆ、ｇ、ｈ、ｉ、ｊ、ｋ、ｌ、ｍ、ｎ＜
１）。これ等の非晶質材料は層構成の最適化設計に依
る障壁層１０２に要求される特性及び該障壁層１
０２上に積重される非晶質層１０３との連続的作
成の容易さ等によつて適宜最適なものが選択され
る。殊に特性面からすれば、炭素系の非晶質材料
を選択するのがより好ましいものである。障壁層１０２を上記の非晶質材料で構成する場
合の層形成法としてはグロー放電法、スパツタリ
ング法、イオンインプランテーシヨン法、イオン
プレーテイング法、エレクトロンビーム法等によ
つて成される。グロー放電法によつて障壁層１０２を形成する
には、前記非晶質材料形成用の原料ガスを、必要
に応じて稀釈ガスと所定量の混合比で混合して、
支持体１０１の設置してある真空堆積用の堆積室
に導入し、導入させたガスをグロー放電を生起さ
せることでガスプラズマ化して前記支持体１０１
上に前記の非晶質材料を堆積させれば良い。本発明に於いて、炭素系の非晶質材料で構成さ
れる障壁層１０２を形成する為の原料ガスとして
て有効に使用されるのは、SiとＨとを構成原子と
するSiH₄、Si₂H₆、Si₃H₈、Si₄H₁₀等のシラン
（Silane）類等の水素化硅素ガス、ＣとＨとを構
成原子とする、例えば炭素数１〜５の飽和炭化水
素、炭素数１〜５のエチレン系炭化水素、炭素数
２〜４のアセチレン系炭化水素等が挙げられる。具体的には、飽和炭化水素としてはメタン
（CH₄）、エタン（C₂H₆）、プロパン（C₃H₈）、ｎ
−ブタン（ｎ−C₄H₁₀）、ペンタン（C₅H₁₂）、エ
チレン系炭化水素としては、エチレン（C₂H₄）、
プロピレン（C₃H₆）、ブテン−１（C₄H₈）、ブテ
ン−２（C₄H₈）、インブチレン（C₄H₈）、ペンテ
ン（C₅H₁₀）、アセチレン系炭化水素としては、
アセチレン（C₂H₂）、メチルアセチレン
（C₃H₄）、ブチン（C₄H₆）等が挙げられる。 SiとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとして
は、Si（CH₃）₄、Si（C₂H₅）₄等のケイ化アルキル
を挙げることが出来る。これ等の原料ガスの他、
Ｈ導入用の原料ガスとしては勿論H₂も有効なも
のとして使用される。障壁層１０２をハロゲン原子を含む炭素系の非
晶質材料で構成する為の層形成用の原料ガスの中
でハロゲン原子導入用の原料ガスとすては、例え
ばハロゲン単体、ハロゲン化水素、ハロゲン間化
合物、ハロゲン化硅素、ハロゲン置換水素化硅
素、水素化硅素等を挙げる事が出来る。具体的にはハロゲン単体としては、フツ素、塩
素、臭素、ヨウ素のハロゲンガス、ハロゲン化水
素としては、FH、HI、HCl、HBr、ハロゲン間
化合物としては、BrF、ClF、ClF₃、ClF₅、
BrF₃、IF₇、IF₅、ICl、IBr、ハロゲン化硅素とし
ては、SiF₄、Si₂F₆、SiCl₄、SiCl₃Br、SiCl₂Br₂、
SiClBr₃、SiCl₃I、SiBr₄、ハロゲン置換水素化硅
素としては、SiH₂F₃、SiH₂Cl₂、SiHCl₃、
SiH₃Cl、SiH₃Br、SiH₂Br₂、SiHBr₃、水素化硅素
としては、SiH₄、Si₂H₆、Si₃H₆、Si₄H₁₀等のシラ
ン（Silane）類、等々を挙げることが出来る。これ等の他に、CCl₄、CHF₃、CH₂F₂、
CH₃F、CH₃Cl、CH₃Br、CH₃I、C₂H₅Cl等のハロ
ゲン置換パラフイン系炭化水素、SF₄、SF₆等の
フツ素化硫黄化合物、Si（CH₃）₄、Si（C₂H₅）₄等
のケイ化アルキルやSiCl（CH₃）₃、SiCl
（CH₃）₂、SiCl₃CH₃等のハロゲン含有ケイ化アル
キル等のシランの誘導体も有効なものとして挙げ
ることが出来る。これ等の障壁層形成用原料物質は、形成される
障壁層中に、所定の組成比でシリコン原子、炭素
原子及び必要に応じてハロゲン原子及び水素原子
とが含有される様に、障壁層形成の際に所望に従
つて選択されて使用される。例えば、シリコン原子と炭素原子と水素原子と
の含有が容易に成し得て且つ所望の特性の障壁層
が形成され得るSi（CH₃）₄とハロゲン原子を含有
させるものとしてのSiHCl₃、SiCl₄、SiH₂Cl₂、或
いはSiH₃Cl等を所定の混合比でガス状態で障壁
層形成用の装置系内に導入してグロー放電を生起
させることによつてＡ−（Si_fC_1-f）_g（Ｘ＋Ｈ）_1-g
から成る障壁層を形成することが出来る。窒素系の非晶質材料で障壁層１０２を構成する
のにグロー放電法を採用する場合には、先に挙げ
た障壁層形成用の物質の中から所望に応じたもの
を選択し、それに加えて次の窒素原子導入用の原
料ガスを使用すれば良い。すなわち、障壁層１０
２形成用の窒素原子導入用の原料ガスに成り得る
ものとして有効に使用される出発物質は、Ｎを構
成原子とする、或いはＮとＨとを構成原子とする
例えば窒素（N₂）、アンモニア（NH₃）、ヒドラジ
ン（H₂NNH₂）、アジ化水素（HN₃）、アジ化アン
モニウム（NH₄N₃）等のガス状のまたはガス化し
得る窒素、窒化物およびアジ化物等の窒素化合物
を挙げることが出来る。この他に、窒素原子の導
入に加えて、ハロゲン原子の導入も行えるという
点から、三弗化窒素（F₃N）、四弗化窒素
（F₄N₂）等のハロゲン化窒素化合物を挙げること
が出来る。上記した様に、グロー放電法によつて障壁層１
０２を形成する場合には、障壁層形成用の出発物
質を上記した物質の中より種々選択して使用する
ことにより、所望特性を有する所望構成材料で構
成された障壁層１０２を形成することが出来る。
障壁層１０２をグロー放電法で形成する場合の出
発物質の組合せで良好なものとして具体的には、
例えばSi（CH₃）₄、SiCl（CH₃）₂等の単独ガスま
たはSiH₄−NH₃系、SiCl₄−NH₄系、SiH₄−N₂
系、Si（CH₃）₄−SiH₄系、SiCl₂（CH₃）₂−SiH₄系
等の混合ガスを挙げることが出来る。スパツタリング法によつて炭素系の非晶質材料
で構成される障壁層１０２を形成するには、単結
晶または多結晶のSiウエーハーまたはＣウエーハ
ーまたはSiとＣが混合されて含有されているウエ
ーハーをターゲツトとして、これ等を種々のガス
雰囲気中でスパツタリングすることによつて行え
ば良い。例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
するものであれば、炭素原子と水原子(H)又はハロ
ゲン原子（Ｘ）を導入する為の原料ガスを、必要
に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパツター用の堆
積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマを
形成して前記Siウエーハーをスパツタリングすれ
ば良い。又、別には、SiとＣとは別々のターゲツトとし
て、又はSiとＣの混合した一枚のターゲツトを使
用することによつて、少なくとも水素原子(H)又は
ハロゲン原子（Ｘ）を含有するガス雰囲気中でス
パツタリングすることによつて成される。炭素原子又は水素原子或いはハロゲン原子導入
用の原料ガスとしては、先述したグロー放電の例
で示した原料ガスが、スパツタリング法の場合に
も有効なガスとして使用され得る。スパツタリング法によつて窒素系の非晶質材料
で構成される障壁層１０２を形成するには、単結
晶又は多結晶のSiウエーハー又はSi₃N₄ウエーハ
ー又はSiとSi₃N₄が混合されて含有されているウ
エーハーをターゲツトとして、これ等を種々のガ
ス雰囲気中でスパツタリングすることによつて行
えば良い。例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、窒素原子と必要に応じて水素原子又は／
及びハロゲン原子を導入する為の原料ガス、例え
ばH₂とH₂、又はNH₃を、必要に応じて稀釈ガス
で稀釈して、スパツター用の堆積室中に導入し、
これ等のガスのガスプラズマを形成して前記Siウ
エーハーをスパツタリングすれば良い。又、別には、SiとSi₃N₄とは別々のターゲツト
として、又はSiとSi₃N₄の混合して形成した一枚
のターゲツトを使用することによつて、スパツタ
ー用のガスとしての稀釈ガス雰囲気中で又は少な
くともＨ原子及び／又はＸ原子を含有するガス雰
囲気中でスパツタリングすることによつて成され
る。Ｎ原子導入用の原料ガスと成り得るものとして
は、先述したグロー放電の例で示した障壁層形成
用の出発物質の中のＮ原子導入用の原料ガスが、
スパツタリングの場合にも有効なガスとして使用
され得る。本発明に於いて、障壁層１０２をグロー放電法
またはスパツタリング法で形成する際に使用され
る稀釈ガスとしては、いわゆる・希ガス、例えば
He、Ne、Ar等を好適なものとして挙げることが
出来る。障壁層１０２を前記の非晶質材料で構成する場
合には、その要求される特性が所望通りに与えら
れる様に注意深く形成される。即ち、Siと、Ｃ、Ｎの中の少なくとも１つ及び
必要に応じてＨ又は／及びＸを構成原子とする物
質はその作成条件下によつて構造的には結晶から
アモルフアスまでの形態で取り、電気物性的には
導電性から半導電性、絶縁性までの間の性質を、
又光導電的性質から非光導電的性質までの間の性
質を、各々に示すので、本発明に於いては、非光
導電性の非晶質材料が形成される様に、その作成
条件の選択が厳密に成される。障壁層１０２を構成する前記の非晶質材料は障
壁層１０２の機能が、支持体１０１側から非晶質
層１０３側へ又は非晶質層１０３側から支持体１
０１側へのフリーキヤリアの注入を阻止し、且つ
非晶質層１０３中で発生したフオトキヤリアが移
動して支持体１０１側に通過するのを容易に許す
ことを果すものであることから、電気絶縁性的挙
動を示すものとして形成される。又、非晶質層１０３中で発生したフオトキヤリ
アが障壁層１０２中を通過する際、その通過がス
ムーズに成される程度に通過するキヤリアに対す
る易動度（mobility）の値を有するものとして障
壁層１０２が形成される。上記の様な特性を有する前記の非晶質材料から
成る障壁層１０２が形成される為の層作成条件の
中の重要な要素として、層作成時の支持体温度を
挙げる事が出来る。即ち、支持体１０１の表面に前記非晶質材料か
ら成る障壁層１０２を形成する際、層形成中の支
持体温度は、形成される層の構造及び特性を左右
する重要な因子であつて、本発明に於いては、目
的とする特性を有する前記非晶質材料が所望通り
に作成され得る様に層作成時の支持体温度が厳密
に制御される。障壁層１０２を形成する際の支持体温度として
は障壁層１０２の形成法に併せて適宜最適範囲が
選択されて、障壁層１０２の形成が実行される
が、通常の場合、20℃〜300℃、好適には50℃〜
250℃とされるのが望ましいものである。障壁層
１０２の形成には、同一系内で障壁層１０２から
非晶質層１０３、更には必要に応じて非晶質層１
０３上に形成される第３の層まで連続的に形成す
る事が出来る、各層を構成する原子の組成比の微
妙な制御や層厚の制御が他の方法に比べて比較的
容易である事等の為に、グロー放電法やスパツタ
リング法の採用が有利であるが、これ等の層形成
法で障壁層１０２を形成する場合には、前記の支
持体温度と同様に層形成の際の放電パワー、ガス
圧が、作成される障壁層１０２の特性を左右する
重要な因子として挙げることが出来る。その目的
が達成される為の特性を有する障壁層１０２が生
産性よく効果的に作成される為の放電パワー条件
としては、通常１〜300W、好適には２〜150Wで
ある。又、堆積室内のガス圧は通常３×10^-3〜
5Torr、好適には８×10^-3〜0.5Torr程度とされ
るのが望ましい。障壁層１０２に含有される炭素原子、窒素原子
及び水素原子、ハロゲン原子の量は、障壁層１０
２の作成条件と同様、所望の特性が得られる障壁
層が形成される重要な因子である。障壁層１０２をＡ−Si_aC_1-aで構成する場合に
は炭素原子の含有量は、ａの表示で0.1〜0.4、好
適には0.2〜0.35、最適には0.25〜0.3とされ、Ａ
−（Si_bC_1-b）_cＨ_-cで構成する場合には、炭素原子
の含有量は、ｂ、ｃの表示で示せば、ｂが通常は
0.1〜0.5、好適には0.1〜0.35、最適には0.15〜
0.3、ｃが通常は0.60〜0.99、好適には0.65〜
0.98、最適には0.7〜0.95とされ、Ａ−（Si_dC_1-d）_e
Ｘ_1-eまたは、Ａ−（Si_fC_1-f）_g（Ｈ＋Ｘ）_1-gで構成
される場合には、ｄ、ｅ、ｆ、ｇの表示では、
ｄ、ｆが通常は0.1〜0.47、好適には0.1〜0.35、
最適には0.15〜0.3、ｅ、ｇが通常は0.8〜0.99、
好適には0.85〜0.99、最適には0.85〜0.98とされ
る。障壁層１０２を窒素系の非晶質材料で構成する
場合、先ずＡ−Si_hN_1-hの場合には、窒素原子の
含有量はｈの表示で通常は0.43〜0.60、好適には
0.43〜0.50とされる。Ａ−（Si_iN_1-i）_jＨ_1-jで構成する場合には、窒素
原子含有量としては、ｉ、ｊで表示すれば、ｉと
しては通常0.43〜0.6、好適には0.43〜0.5、ｊと
しては通常0.65〜0.98、好適には0.7〜0.95とさ
れ、Ａ−（Si_kN_1-k）_lＸ_1-lまたはＡ−（Si_nN_1-n）_o
（Ｈ＋Ｘ）_1-oで構成する場合には窒素原子の含有
量は、Ｋ、ｌ、ｍ、ｎの表示では、ｋ、ｌが通常
は0.43〜0.60、好適には0.43〜0.49、ｍ、ｎが通
常は0.8〜0.99、好適には0.85〜0.98とされる。障壁層１０２を構成する電気絶縁性の金属酸化
物としては、TiO₂、Ce₂O₃、ZrO₂、HfO₂、
GeO₂、CaO、BeO、P₂O₅、Y₂O₃、Cr₂O₃、
Al₂O₃、MgO、MgO・Al₂O₃、SiO₂・MgO等を好
ましいものとして挙げることが出来る。これ等は
２種以上を併用して障壁層１０２を形成しても良
いものである。電気絶縁性の金属酸化物で構成される障壁層１
０２の形成は、真空蒸着法、CVD（chemical
vapour deposition）法、グロー放電分解法、ス
パツタリング法、イオンインプランテーシヨン
法、イオンプレーテイング法、エレクトロンビー
ム法等によつて成される。例えば、スパツタリング法によつて障壁層１０
２を形成するには、障壁層形成用の出発物質のウ
エーハーをターゲツトとしてHe、Ne、Ar等のス
パツター用のガス雰囲気中でスパツタリングする
ことによつて行えば良い。エレクトロンビーム法を用いる場合には障壁層
形成用の出発物質を蒸着ボート内に入れてエレク
トロンビームを照射して蒸着すればよいが、支持
体１０１から非晶質層１０３中へのキヤリアの流
入を阻止し、且つ非晶質層１０３中で発生したフ
オトキヤリアが移動して支持体１０１側に通過す
るのを容易に許すことを果たすものであることか
ら、電気絶縁性的挙動を示すものとして形成され
る。障壁層１０２の層厚の数値範囲は、その目的を
効果的に達成する為の重要因子の１つである。障壁層１０２の層厚が充分過ぎる程に薄いと、
支持体１０１の側からの非晶質層１０３側方向へ
のフリーキヤリアの流入を阻止する働きが充分果
し得なくなり、又、充分過ぎる程以上に厚いと、
非晶質層１０３中に於いて生ずるフオトキヤリア
の支持体１０１の側への通過する確率が極めて小
さくなり、従つて、いずれの場合にも、本発明の
目的を効果的に達成され得なくなる。上記の点に鑑みて本発明の目的を効果的に達成
する為の障壁層１０２の層厚としては、通常の場
合30〜1000Å、好適には50〜600Åである。本発明に於いて、その目的を効果的に達成する
様に、支持体１０１上に設けられる非晶質層１０
３は下記に示す半導体特性を有するＡ−Si（Ｈ、
Ｘ）で構成され、その層厚方向に後述する様な分
布を以つて炭素原子がドーピングされる。ｐ型Ａ−Si（Ｈ、Ｘ）……アクセプターのみ
を含むもの。あるいは、ドナーとアクセプター
との両方を含み、アクセプターの濃度（Na）
が高いもの。 p^-型Ａ−Si（Ｈ、Ｘ）……のタイプに於
いてアクセプターの濃度（Na）が低い所謂ｐ
型不純物をライトリードープしたもの。ｎ型Ａ−Si（Ｈ、Ｘ）……ドナーのみを含む
もの。或いはドナーとアクセプターの両方を含
み、ドナー濃度（Nd）が高いもの。 n^-型Ａ−Si（Ｈ、Ｘ）……のタイプに於い
てドナーの濃度（Nd）が低い、所謂ノンドー
プのものかまたはｎ型不純物をライトリードー
プしたもの。ｉ型Ａ−Si（Ｈ、Ｘ）……NaNd０のも
の又はNaNdのもの。本発明において、非晶質層１０３中に含有され
るハロゲン原子（Ｘ）としては、具体的にはフツ
素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフツ
素、塩素を好適なものとして挙げることが出来
る。本発明の光導電部材１００に於いて、非晶質層
１０３中には、その分布が支持体１０１の表面に
略々平行な面内では実質的に均一であり、層の厚
み方向には不均一であつて、支持体１０１とは反
対の表面側（第１図に於いては、自由表面１０４
側）の方に多く分布し、その最大分布濃度Cmax
の位置が前記表面又は、その極近傍にある様に炭
素原子が含有されている層領域が形成される。第２図乃至第５図には、非晶質層１０３中に含
有される炭素原子の非晶質層１０３の層厚方向の
分布状態の典型例が示される。第２図乃至第５図
に於いて、縦軸は非晶質層１０３の層厚ｔを示
し、t₀は支持体１０１又は障壁層１０２等の他の
ものとの非晶質層１０３の界面位置（下部表面）
を、ｔ_sは自由表面１０４側の非晶質層１０３の
界面位置（上部表面）（第１図に於いては自由表
面１０４と同位置である）を各々表わし、t₀から
ｔ_sに向うに従つて、層厚ｔの厚くなることを示
し、横軸は、非晶質層１０３の層厚方向の任意の
位置に於ける炭素原子の分布濃度Ｃを示し、矢印
方向に分布濃度の増大が示され、Cmaxは非晶質
層１０３中に於ける炭素原子の最大分布濃度を示
すものである。第２図に示す例に於いては、非晶質層１０３中
に含有される炭素原子の該層１０３中での分布状
態は、下部表面位置t₀より上部表面位置ｔ_sに至
るに従つて単調的に連続的に増大し、位置t₁に於
いて最大分布濃度Cmaxに至り、その後表面位置
ｔ_sまでの間は、分布濃度Ｃに変動がなく、Cmax
の値を維持している。第３図に於いて、t₀付近に
於いては、炭素原子は全く含有されていないかの
様に示されているが、炭素原子量の検出限界以下
は、炭素原子が含有されていないのと同様に扱つ
ている為である。従つて、本発明に於いては、炭素原子の量が０
と示される層領域（例えば第３図に於けるt₀とt₂
との間の層領域）は、炭素原子が全く含まれない
か、又は、検出限界量未満含有されているものと
して扱われる。現在のところ、我々の技術レベル
に於いては炭素原子量の検出限界はシリコン原子
に対して10原子ppmである。本発明の光導電部材に於いては、高光感度化と
安定した画質特性が得られる様に炭素原子の分布
状態は上部表面位置ｔ_sに近くなるように従つて
分布量が増大する様に非晶質層１０３中に炭素原
子が含有される。第１図に示されるように作成される光導電部材
１００の非晶質層１０３が自由表面１０４を有す
る場合には、上部表面位置ｔ_s近傍に於いて、炭
素原子の含有量を他の層領域に較べて著しく増大
させて、自由表面１０４に付与される電荷の保持
能を向上させる様に設けることができる。この場
合、斯かる層領域は所謂一種の障壁層の機能を果
すものである。この様に、非晶質層１０３の自由表面１０４近
傍に於いて、炭素原子の含有量を他の層領域に較
べて極端に多くして、上部障壁層を非晶質層１０
３中に形成する事も出来るが、又別には非晶質層
１０３の表面上に、障壁層１０２を構成する材料
と同様の材料を使用して、上部障壁層を形成する
ことも出来る。この際の上部障壁層の層厚として
は、通常は30Å〜５μ、好適には50Å〜２μとさ
れるのが望ましい。第３図に示す例に於いては、非晶質層１０３の
下部側t₀のt₂の間の層領域には、炭素原子が全く
含まれないが、又は検出限界量未満しか含有され
ていないものであり、位置t₂よりt₃に至るに従つ
て、炭素原子の分布濃度は一次関数的又は一次関
数に近い関数的に単調増加し、位置t₃に於いて、
増大分布濃度Cmaxに達する。t₃とｔ_sとの間の層
領域に於いては、炭素原子は、最大分布濃度
Cmaxで一様均一に含有されている。第４図に示す例に於いては、非晶質層１０３の
下部層領域（t₀とt₄との間）では、その分布濃度
が一定量C₁で一様均一に炭素原子が含有されて
おり、上部層領域（t₄とt₃の）では、最大分布濃
度Cmaxで一様均一に分布した状態で炭素原子が
含有されていて、下部層領域と上部層領域とに於
いて、その分布量が不連続的になつている。第５図に示される例に於いては、非晶質層１０
３の下部表面位置t₀から位置t₅に至るまでは、一
定の分布量C₂で炭素原子が含有されており、位
置t₅より位置t₆に至るに従つて炭素原子の分布濃
度は徐々に増大し、位置t₆より上部表面位置ｔ_s
に至るまでは、炭素原子の分布量は急激に増大
し、上部表面位置ｔ_sに至つて最大分布濃度Cmax
を取る様に、炭素原子が分布している。本発明に於いては炭素原子の最大分布濃度
Cmaxは、通常は、前記した様な値を取り得るも
のであるが、好適には0.05〜90原子％、最適には
0.1〜90原子％の範囲から選択されるのが望まし
いものである。本発明の光導電部材に於いて、非晶質層１０３
中に含有される炭素原子は、前記した様に非晶質
層１０３の層厚方向にその含有量の分布が不均一
であり、且つ上部表面位置ｔ_s又はｔ_s近傍に於い
て最大分布濃度を有し、上部表面位置ｔ_sから下
部表面位置t₀に向つて、分布濃度が減少する様な
分布状態が非晶質層１０３中の層厚方向に形成さ
れる様に所望の分布状態関数に従つて、非晶質層
１０３中に添加されることによつて、本発明の所
期の目的が効果的に達成されるものであるが、さ
らに非晶質層１０３全体に於いても含有される炭
素原子の含有量も、本発明の所期の目的を達成す
ることに重要である。本発明に於いて、非晶質層１０３中に含有され
る炭素原子の全量の値は、通常は、前記した値を
取り得るものであり、更に好適には0.005〜20原
子％、最適には0.005〜10原子％の範囲から選択
されるのが望ましいものである。本発明において、主としてＡ−Si（Ｈ、Ｘ）で
構成される非晶質層１０３を形成するには例えば
グロー放電法、スパツタリング法、或いはイオン
プレーテイング法等の放電現象を利用する真空堆
積法によつて成される。例えば、グロー放電法に
よつて非晶質層を形成するには、Siを生成し得る
Si生成原料ガスと共に、水素原子導入用の又は／
及びハロゲン原子導入用の原料ガスを内部が減圧
にし得る堆積室内に導入して、該堆積室内にグロ
ー放電を生起させ、予め所定位置に設置されてあ
る所定の支持体表面上にＡ−Si（Ｈ、Ｘ）からな
る層を形成させれば良い。炭素原子を形成される
層中に導入するには、層の成長に併せて、炭素原
子導入用の原料ガスを層の形成時に前記堆積室内
に導入してやれば良い。又、スパツタリング法で
形成する場合には、例えばAr、He等の不活性ガ
ス又はこれ等のガスをベースとした混合ガスの雰
囲気中でSiで形成されたターゲツトをスパツタリ
ングする際、水素原子又は／及びハロゲン原子導
入用のガスをスパツタリング用の堆積室に導入し
てやればよい。この際に於ける非晶質層１０３中の炭素原子の
導入法としては層の成長に併せて、炭素原子導入
用の原料ガスを層形成時に前記堆積室中に導入し
てやるか、又は、層形成時に、予め堆積室中に設
けた炭素原子導入用のターゲツトをスパツタリン
グしてやることが挙げられる。本発明に於いて非晶質層１０３を形成する際に
使用されるSi生成原料ガスとしては、SiH₄、
Si₂H₆、Si₃H₈、Si₄H₁₀等のガス状態のまたはガス
化し得る水素化硅素（シラン類）が有効に使用さ
れるものとして挙げられ、殊に、層作成作業の際
の扱い易さ、Si生成効率の良さ等の点でSiH₄、
Si₂H₆が好ましいものとして挙げられる。本発明において非晶質層１０３を形成する際に
使用されるハロゲン原子導入用原料ガスとして有
効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ、例
えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化
合物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガ
ス状態の又はガス化し得るハロゲン化合物が好ま
しく挙げられる。又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを
構成要素とするガス状態の又はガス化し得るハロ
ゲンを含む硅素化合物も有効なものとして本発明
に於いては挙げることが出来る。本発明に於いて好適に使用し得るハロゲン化合
物としては、具体的には、フツ素、塩素、臭素、
ヨウ素のハロゲンガス、BrF、ClF、ClF₃、
BrF₅、BrF₃、IF₇、IF₅、ICl、IBr等のハロゲン
間化合物を挙げることが出来る。ハロゲンを含む硅素化合物、所謂、ハロゲンで
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例
えばSiF₄、Si₂F₆、SiCl₄、SiBr₄等のハロゲン化
硅素を好ましいものとして挙げることが出来る。この様なハロゲンを含む硅素化合物を採用して
グロー放電法によつて本発明の特徴的な光導電部
材を形成する場合には、Siを生成し得る原料ガス
としての水素化硅素ガスを使用しなくとも、所定
の支持体上にＡ−Si；Ｘから成る非晶質層を形成
する事が出来る。グロー放電法に従つて、ハロゲン原子を含む非
晶質層１０３を作成する場合、基本的には、Si生
成用の原料ガスであるハロゲン化硅素ガスと
Ar、H₂、He等のガスとを所定の混合比とガス流
量になる様にして非晶質層を形成する堆積室内に
導入し、グロー放電を生起してこれ等のガスのプ
ラズマ雰囲気を形成することによつて、所定の支
持体上に非晶質層１０３を形成し得るものである
が、水素原子の導入を計る為にこれ等のガスに更
に水素原子を含む硅素化合物のガスも所定量混合
して層形成しても良い。また、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比
で複数種混合して使用しても差支えないものであ
る。反応スパツタリング法或いはイオンプレ〜テイ
ング法に依つて主としてＡ−Si（Ｈ、Ｘ）から成
る非晶質層１０３を形成するには、例えばスパツ
タリング法の場合にはSiから成るターゲツトを使
用して、これを所定のガスプラズマ雰囲気中でス
パツタリングし、イオンプレーテイング法の場合
には、多結晶シリコン又は単結晶シリコンを蒸発
源として蒸着ボートに収容し、このシリコン蒸発
源を抵抗加熱法、或いはエレクトロンビーム法
（EB法）等によつて加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所
定のガスプラズマ雰囲気中を通過させる事で行う
事が出来る。この際、スパツタリング法、イオンプレーテイ
ング法の何れの場合にも形成される層中にハロゲ
ン原子を導入するには、前記のハロゲン化合物又
は前記のハロゲン原子を含む硅素化合物のガスを
堆積室中に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形
成してやれば良いものである。また、水素原子を導入する場合には、水素原子
導入用の原料ガス、例えばH₂、前記したシラン
類等のギスをスパツタリング用の堆積室中に導入
して該ガスのプラズマ雰囲気を形成してやれば良
い。形成される非晶質層中に層厚方向に所望の分布
状態を以つて含有される炭素原子は、グロー放電
法、イオンプレーテイング法、或いは反応スパツ
タリング法によつて非晶質層を形成する場合に
は、炭素原子導入用の原料ガスを層の形成時に層
の成長に併せて所望の流量に従つて層形成用の堆
積室中に導入してやれば良い。又、スパツタリング法によつて非晶質層を形成
する場合には、上記の他、炭素原子導入用のター
ゲツトと前記堆積室内に設けて置き、層の成長に
併せて前記ターゲツトをスパツタリングしてやれ
ば良い。本発明に於いて、非晶質層１０３中に炭素原子
を含有させる為に使用される炭素原子導入用の原
料ガスとなる出発物質として有効に使用されるの
は、ガス状態の又は容易にガス化し得る炭素化合
物の多くのものを挙げることが出来る。その様な
出発物質としては、例えばＣとＨとを構成原子と
する、炭素数１〜５の飽和炭化水素、炭素数２〜
５のエチレン系炭化水素、炭素数２〜４のアセチ
レン系炭化水素等が挙げられる。具体的には、飽和炭化水素としてはメタン
（CH₄）、エタン（C₂H₆）、プロパン（C₃H₈）、ｎ
−ブタン（ｎ−C₄H₁₀）、ペンタン（C₅H₁₂）、エ
チレン系炭化水素としては、エチレン（C₂H₄）、
プロピレン（C₃H₆）、ブテン−１（C₄H₈）、ブテ
ン−２（C₄H₈）、イソブチレン（C₄H₈）、ペンテ
ン（C₅H₁₀）、アセチレン系炭化水素としては、
アセチレン（C₂H₂）、メチルアセチレン
（C₃H₄）、ブチレン（C₄H₆）等が挙げられる。これ等の他にSiとＣとＨとを構成原子とする炭
素原子導入用の出発物質として、Si（CH₃）₄、Si
（C₂H₅）₄等のケイ化アルキル、SiCl（CH₃）₃、
SiCl₂（CH₃）₂、SiCl₃CH₃等のハロゲン含有ケイ
化アルキル等のシランの誘導体、CCl₄、CHF₃、
CH₂F₂、CH₃Cl、CH₃Br、CH₃I、C₂H₅Cl等のハ
ロゲン置換パラフイン系炭化水素も有効なものと
して挙げることが出来る。スパツタリング法によつて炭素原子の導入され
た非晶質層１０３を形成するには、非晶質層１０
３を形成する際に単結晶又は多結晶のSiウエーハ
ーを、炭素原子導入用の原料ガスの雰囲気中でス
パツタリングするか、又は、単結晶又は多結晶の
SiウエーハーとＣウエーハー又はSiとＣが混合さ
れて含有されているウエーハーをターゲツトとし
てスパツタリングすることによつて行えば良い。例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
するのであれば、炭素原子と水素原子(H)又はハロ
ゲン原子（Ｘ）を導入する為の原料ガスとしてグ
ロー放電の際に列記したのと同様の原料ガスを、
必要に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパツター用
の堆積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズ
マを形成して前記Siウエーハーをスパツタリング
すれば良い。又、別にはSiとＣとは別々のターゲツトとし
て、又はSiとＣの混合した一枚のターゲツトを使
用することによつて、少なくとも水素原子(H)又は
ハロゲン原子（Ｘ）を含有するガス雰囲気中でス
パツタリングすることによつて成される。本発明に於いては、非晶質層１０３中には、炭
素原子の導入による効果と同様の効果を得る目的
で、炭素原子に加えて酸素原子を導入することが
出来る。グロー放電法によつて非晶質層１０３を形成す
る場合、酸素原子導入用の原料ガスとなる出発物
質としては、例えば酸素（O₂）、オゾン（O₃）、
一酸化炭素（CO）、二酸化炭素（CO₂）或いは、
例えばジシロキサンH₃SiOSiH₃、トリシロキサン
H₃SiOSiH₂OSiH₃等の低級シロキサン等を挙げる
事が出来る。又、スパツタリング法で非晶質層１
０３を形成する際に酸素原子導入用のターゲツト
を形成し得る材料として、本発明に於いて有効に
使用されるのは、SiO₂、SiO等である。本発明において非晶質層１０３を形成する際に
使用されるハロゲン原子導入用原料ガスとなる出
発物質として有効なのは、上記されたハロゲン化
合物あるいはハロゲンを含む硅素化合物等を挙げ
る事が出来るが、その他に、HF、HCl、HBr、
HI等のハロゲン化水素、SiH₂F₂、SiH₂Cl₂、
SiHCl₃、SiH₂Br₂、SiHBr₃等のハロゲン置換水素
化硅素等々のガス状態の或いはガス化し得る、水
素原子を構成要素の１つとするハロゲン化物も有
効な非晶質層形成用の出発物質として挙げる事が
出来る。これらの水素原子を含むハロゲン化物は、非晶
質層形成の際に層中にハロゲン原子の導入と同時
に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な
水素原子も導入されるので、本発明においては好
適なハロゲン導入用の原料として使用される。水素原子を非晶質層中に構造的に導入するに
は、上記の他にH₂、或いはSiH₄、Si₂H₆、
Si₃H₈、Si₄H₁₀等の水素化硅素のガガスをＡ−Si
を生成する為のシリコン化合物と堆積室中に共存
させて放電を生起させる事でも行う事が出来る。例えば、反応スパツタリング法の場合には、Si
ターゲツトを使用し、ハロゲン原子導入用のガス
及びH₂ガスを必要に応じてHe、Ar等の不活性ガ
スを含めて堆積室内に導入してプラズマ雰囲気を
形成し、前記Siターゲツトをスパツタリングする
事によつて、所定の特性を有し、主としてＡ−Si
（Ｈ、Ｘ）から成る非晶質層が形成される。さらには、不純物のドーピングも兼ねて
B₂H₆、PH₃、PF₃等のガスを導入してやることも
出来る。本発明に於いて、形成される光導電部材の非晶
質層中に含有されるＨ又はＸも量又は（Ｈ＋Ｘ）
の量は通常の場合１〜40原子％、好適には５〜30
原子％とされるのが望ましい。層中に含有されるＨ又は／及びＸの量を制御す
るには、例えば堆積支持体温度又は／及びＨを含
有させる為に使用される出発物質の堆積装置系内
へ導入する量、放電々力等を制御してやれば良
い。非晶質層をｎ型傾向またはｐ型傾向あるいはｉ
型とするには、グロー放電法や反応スパツタリン
グ法等による層形成の際に、ｎ型不純物またはｐ
型不純物、あるいは両不純物を形成される層中に
その量を制御し乍らドーピングしてやる事によつ
て成される。非晶質層中にドーピングされる不純物として
は、非晶質層をｉ型又はｐ型傾向にするには、周
期律表第族Ａの元素、例えば、Ｂ、Al、Ga、
In、Tl等が好適なものとして挙げられる。ｎ型傾向にする場合には、周期律表第族Ａの
元素、例えばＮ、Ｐ、As、Sb、Bi等が好適なも
のとして挙げられる。本発明は於いて所望の伝導型を有する為に非晶
質層中に導入される不純物の量としては、周期律
表第族Ａの不純物の場合は３×10^-2原子％以下
の量範囲でドーピングしてやれば良く、周期律表
第族Ａの不純物の場合には５×10^-3原子％以下
の量範囲でドーピングしてやれば良い。非晶質層の層厚は、非晶質層中で発生されるフ
オトキヤリアが効率良く所定の方向に輸送される
様に所望に従つて適宜決められ、通常は１〜100
μ、好適には５〜50μとされる。実施例１厚さ１mmで10cm×10cmの鏡面仕上げされたアル
ミニウム合金52S（Si、Mg、Crを含有する）の
基板にアルカリ及び酸洗浄を施した後、純水によ
つて洗浄を施した。この基板を５ｇ／の硫酸ア
ルミニウムが添加された７％の硫酸溶液に於て温
度18℃の条件で陽極酸化を施した。約５分間陽極
酸化を施した後、基板を硫酸溶液より引き上げ速
やかに沸騰した純水槽に浸した。約10分間の後に
基板を純水槽より引き上げた。このようにして処
理されたアルミニウム合金基板上の被覆層の厚さ
や約0.8μであつた。このアルミニウム合金基板を使用し、完全にシ
ールドされたクリーンルーム中に配置された第６
図に示す装置を用い、以下の如き操作によつて電
子写真用像形成部材を作成した。上記の方法で処理されたアルミニウム合金基板
６０９をグロー放電堆積室６０１内の所定位置に
ある固定部材６０３に堅固に固定した。基板６０
９は、固定部材６０３内の加熱ヒーター６０８に
よつて±0.5℃の精度で加熱される。温度は、熱
電対（アルメルークロメル）によつて基板裏面を
直接測定されるようになされた。次いで系内の全
バルブが閉じられていることを確認してからメイ
ンバルブ６１０を全開して、室６０１内が排気さ
れ、約５×10^-6Torrの真空度にした。その後ヒ
ーター６０８の入力電圧を上昇させ、アルミニウ
ム合金基板温度を検知しながら入力電圧を変化さ
せ、250℃の一定値になるまで安定させた。その後、補助バルブ６４１、次いで流出バルブ
６２６，６２７，６２９及び流入バルブ６２１，
６２２，６２４を全開し、マスフロコントローラ
６１６，６１７，６１９内も十分脱気真空状態に
された。補助バルブ６４１、バルブ６２６，６２
７，６２９，６２１，６２２，６２４を閉じた
後、H₂で10vol％に稀釈されたSiH₄ガス（純度
99.999％、以下SiH₄(10)／H₂と略す）ボンベ６１
１のバルブ６３１、H₂で0.1vol％に稀釈された
C₂H₄ガス（純度99.999％、以下C₂H₄（0.1）／H₂
と略す。）ボンベ６１２のバルブ６３２を開け、
出口圧ゲージ６３６，６３７の圧を１Kg／cm²に調
整し、流入バルブ６２１，６２２を徐々に開けて
マスフロコントローラ６１６，６１７内へSiH₄
(10)／H₂ガス、C₂H₄（0.1）／H₂ガスを流入させ
た。引続いて、流出バルブ６２６，６２７を徐々
に開け、次いで補助バルブ６４１を徐々に開け
た。このときSiH₄(10)／H₂ガス流量とC₂H₄（0.1）
ガス流量比が10：0.1になるようにマスフロコン
トローラ６１６，６１７を調整した。次にピラニ
ーゲージ６４２の読みを注視しながら補助バルブ
６４１の開口を調整し、室６０１内が１×
10^-2Torrになるまで補助バルブ６４１を開け
た。室６０１内圧が安定してから、メインバルブ
６１０を徐々に閉じ、ビラニーゲージ６４２の指
示が0.1Torrになるまで開口を絞つた。ガス流入が安定し内圧が安定するのを確認し続
いて高周波電源６４３のスイツチON状態にして
シヤツター（電極を兼ねる。）６０５を閉にし
て、電極６０３、シヤツター６０５間に
13.56MHzの高周波電力を投入し室３０１内にグ
ロー放電を発生させ、10Wの入力電力とした。上
記条件を３時間保つて非晶質層を構成する下部領
域層を形成した。その後、高周波電源６４３を
OFF状態とし、グロー放電を中止させた状態
で、流出バルブ６２７を閉じ、次にC₂H₄ガス
（純度99.999％）ボンベ６１４からバルブ６３４
を通じて１Kg／cm²のガス圧（出口圧ゲージ６３９
の読み）で、流入バルブ６２４、流出バルブ６２
９を徐々に開いてマスフロコントローラ６１９に
C₂H₄ガスを流しマスフロコントローラ６１９の
調整によつてC₂H₄ガスが、SiH₄(10)／H₂ガス流量
の1/10になる様にし、安定化させた。引き続き、再び高周波電源６４３をON状態に
して、グロー放電を再開させた。そのときの入力
電力を3Wにした。こうしてグロー放電を更に10
分間持続させて非晶質層を構成する上部領域層を
600Åの厚さに形成した後、加熱ヒーター６０８
をOFF状態にし、高周波電源６４８もOFF状態
とし、基板温度が100℃になるのを待つてから流
出バルブ６２６，６２９及び流入バルブ６２１，
６２２，６２４を閉じ、メインバルブ６１０を全
開にして、室６０１内を10^-5Torr以下にした
後、メインバルブ６１０を閉じ、室６０１内をリ
ークバルブ６０６によつて大気圧として基板をと
り出した。この場合、形成された層の全厚は約９
μであつた。こうして得られた像形成部材を、帯
電露光実験装置に設置し、5.5KVで0.2sec間コ
ロナ帯電を行い、直ちに光像を照射した。光像
は、ダングステンランプ光源を用い、1.0 lux・
secの光量を透過型のテストチヤートを通して照
射させた。その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリヤーを含む）を部材表面にカスケードするこ
とによつて、部材表面上に良好なトナー画像を得
た。部材上のトナー画像を、5.0KVのコロナ帯
電で転写紙上に転写した処、解像力に優れ、階調
再現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。又、上記した画像形成処理を繰返し、前記電子
写真用像形成部材に施し、耐久性に就いて試験し
たところ、１万枚目の転写紙上に得られた画像も
極めて良質であつて、一枚目の転写紙上の画像と
較べても何等差違はなく、この電子写真用像形成
部材が耐コロナイオン性、耐摩耗性、クリーニン
グ性等に優れ著しく耐久性に富んでいることが実
証された。尚、クリーニング法としてはブレード
クリーニングを採用し、ブレードはウレタンゴム
で成型したものを使用した。又、このような画像形成の繰返し過程における
前記電子写真用像形成部材の表面電位は、常に暗
部電位は約240V、明部電位は約50Vと一定であ
り、暗部電位の低下や、残留電位の上昇等は全く
生じなかつた。実施例２厚さ１mmで10cm×10cmの鏡面仕上げされたアル
ミニウム合金６１Ｓ（Cu、Si、Crを含有する）
の基板を、実施例１に於けると全く同様の陽極酸
化処理を施した後、充分に乾燥させた後、３気圧
の加熱水蒸気槽に20分間放置した。この基板を用
い実施例１と全く同様な方法で、像形成部材を形
成し、画像性、耐久性を評価したところ共に良好
な結果が得られた。実施例３陽極酸化時間を変えることによつて、基板表面
被膜層の膜厚を変える以外は、実施例１と全く同
様な方法で、光導電層の形成を行い、さらに画像
性、繰り返し特性を評価したところ第１表に示さ
れる結果を得た。ここで、現像は、磁気ブラシ現
像を用い、各感光体に対して最も良好な画像を与
える現像バイアス値が選択された。

【表】実施例４実施例１と同様にして用意したアルミニウム基
板を所定の位置に設置し続いて実施例１と同様の
操作によつてグロー放電堆積室６０１内を５×
10^-6Torrの真空となし、基板温度は250℃に保た
れた後実施例１と同様の操作によつて補助バルブ
６４１、次いで流出バルブ６２６，６２７，６２
９及び流入バルブ６２１，６２２，６２４を全開
し、マスフトコントローラ６１６，６１７，６１
９内も十分脱気真空状態にされた。補助バルブ６
４１、バルブ６２６，６２７，６２９，６２１，
６２２，６２４を閉じた後SiH₄(10)／H₂ガス（純
度99.999％）ボンベ６１１のバルブ６３１、
C₂H₄（0.1）／H₂ガスボンベ６１２のバルブ６３
２を開け、出口圧ゲージ６３６，６３７の圧を１
Kg／cm²に調整し、流入バルブ６２１，６２２を
徐々に開けてマスフロコントローラー６１６，６
１７内へSiH₄(10)／H₂ガス、C₂H₄（0.1）／H₂を
各々流入させた。引続いて、流出バルブ６２６，
６２７を徐々に開け、次いで補助バルブ６４１を
徐々に開けた。このときSiH₄(10)／H₂ガス流量と
C₂H₄（0.1）／H₂ガス流量比が10：0.1になるよ
うにマスフロコントローラ６１６，６１７を調整
した。次にピラニーゲージ６４２の読みを注視し
ながら補助バルブ６４１の開口を調整し、室６０
１内が１×10^-2Torrになるまで補助バルブ６４
１を開けた。室６０１内圧が安定してから、メイ
ンバルブ６１０を徐々に閉じ、ピラニーゲージ６
４１の指示が0.1Torrになるまで開口を絞つた。
ガス流入が安定し内圧が安定するのを確認し続い
てシヤツター（電極を兼ねる。）６０５を閉にし
て高周波電源６４３のスイツチをON状態にし、
電極６０３，６０５間に13.56MHzの高周波電力
を投入し、室６０１内にグロー放電を発生させ、
10Wの入力電力とした。上記条件で基板上に非晶
質層を構成する下部領域層を堆積し始めると同時
に５時間に亘つて、マスフロコントローラ６１７
の流量設定値を連続的に増加し、５時間後の
SiH₄(10)／H₂ガス流量とC₂H₄（0.1）／H₂ガス流量
比が１：１になるように調整した。そのようにして５時間経過後高周波電源６４３
をOFF状態とし、グロー放電を中心させた状態
で流出バルブ６２７を閉じ、次にC₂H₄ガスボン
ベ６１４からバルブ６３４を通じて１Kg／cm²のガ
ス圧（出口圧ゲージ６３９の読み）で、流入バル
ブ６２４、流出バルブ６２９を徐々に開いてマス
フロコントローラ６１９にC₂H₄ガスを流し、マ
スフロコントローラ６１９の調整によつてC₂H₄
ガスがSiH₄(10)／H₂ガス流量の1/10になるように
し安定させた。引き続き、再び高周波電源６４３をON状態に
して、グロー放電を再開させた。そのときの入力
電力を3Wにした。こうしてグロー放電を更に15
分間持続させて非晶質層を構成する上部領域層を
形成した後、加熱ヒーター６０８をOFF状態に
し、高周波電源６４３もOFF状態とし、基板温
度が100℃になるのを待つてから流出バルブ６２
６，６２９及び流入バルブ６２１，６２２，６２
４を閉じ、メインバルブ６１０を全開にして、室
６０１内を10^-5Torr以下にした後、メインバル
ブ６１０を閉じ、室６０１内をリークバルブ６０
６によつて大気圧として基板を取り出した。この
場合、形成された層の全厚は約15μであつた。こ
の像形成部材に就いて、実施例１と同様の条件及
び手順で転写紙上に画像を形成したところ極めて
鮮明な画質が得られた。実施例５実施例１と同様に処理して得たアルミニウム基
板を設置し続いて実施例１と同様の操作によつて
グロー放電堆積室６０１内を５×10^-6Torrの真
空となし、基板温度は250℃に保たれた後実施例
１と同様の操作によつて補助バルブ６４１、次い
で流出バルブ６２６，６２７および流入バルブ６
２１，６２２を全開し、マスフロコントローラー
６１６，６１７内も十分脱気真空状態にされた。
補助バルブ６４１、バルブ６２６，６２７，６２
１，６２２を閉じた後、SiH₄(10)／H₂ガス（純度
99.999％）ボンベ６１１のバルブ６３１、C₂H₄
（0.1）／H₂ガスボンベ６１２のバルブ６３２を開
け、出口圧ゲージ６３６，６３７の圧力１Kg／cm²
に調整し、流入バルブ６２１，６２２を徐々に開
けてマスフロコントローラ６１６，６１７内へ
SiH₄(10)／H₂ガス、C₂H₄（0.1）／H₂を各々流入さ
せた。引続いて、流出バルブ６２６，６２７を
徐々に開け、次いで補助バルブ６４１を徐々に開
けた。このときSiH₄(10)／H₂ガス流量とC₂H₄
（0.1）／H₂ガス流量比が10：0.1になるように流
入バルブ６２１，６２２を調整した。次にピラニーゲージ６４２の読みを注視しなが
ら補助バルブ６４１の開口を調整し、室６０１内
が１×10^-2Torrになるまで補助バルブ６４１を
開けた。室６０１内圧が安定してから、メインバ
ルブ６１０を徐々に閉じ、ピラニゲージ６４１の
指示が0.1Torrになるまで開口を絞つた。ガス流
入が安定し内圧が安定するのを確認し続いてシヤ
ツター（電極を兼ねる。）６０５を閉にして高周
波電源６４３のスイツチをON状態にし、電極６
０３，６０５間に13.56MHzの高周波電力を投入
し、室６０１内にグロー放電を発生させ、10Wの
入力電力とした。上記条件で基板上に光導電層を
堆積し始めると同時に５時間に亘つて、マスフロ
コントローラ６１７の流量設定値を連続的に増加
し、５時間後のSiH₄(10)／H₂ガス流量とC₂H₄
（0.1）／H₂ガス流量比が１：10になるように調整
した。こうして光導電性の非晶質層を形成した後、加
熱ヒーター６０８をOFF状態にし、高周波電源
６４３もOFF状態とし、基板温度が100℃になる
のを待つてから流出バルブ６２６，６２７及び流
入バルブ６２１，６２２を閉じ、メインバルブ６
１０を全開にして、室６０１内を10^-5Torr以下
にした後、メインバルブ６１０を閉じ、室６０１
内をリークバルブ６０６によつて大気圧として基
板を取り出した。この場合、形成された層の全厚
は約15μであつた。この像形成部材に就いて、実
施例１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を
形成したところ極めて鮮明な画像が得られた。実施例６ SiH₄(10)／H₂ガスボンベ６１１をSiF₄ガス（純
度99.999％）ボンベに、C₂H₄（0.1）／H₂ガスボ
ンベ６１２を、エチレンを0.2vol％含むアルゴン
（以後「C₂H₄（0.2）／Ar」と略す。純度99.999
％）ガスボンベに代え、また非晶質層の堆積初期
時のSiF₄ガス流量と、C₂H₄（0.2）／Arガス流量
比１：0.5に設定して、層形成を開始し非晶質層
の堆積終了時のSiF₄ガス流量とC₂H₄（0.2）／Ar
ガス流量比ガ１：15になるようにC₂H₄（0.2）／
Arガス流量を、連続的増加させ、更にグロー放
電の入力電力を100Wにした以外は、実施例５と
同様の操作条件にて、前処理したアルミニウム基
板上に光導電層を形成した。この場合形成された
層の厚さは、約18μであつた。この像形成部材に
就いて、実施例５と同様の条件及び手順で転写紙
上に画像を形成したところ極めて鮮明な画像が得
られた。実施例７実施例１と同様にして前処理して用意したアル
ミニウム基板を設置し続いて実施例１と同様の操
作によつて、グロー放電堆積室６０１内を５×
10^-6Torrの真空となし、基板温度は250℃に保た
れた後、補助バルブ６４１、次いで流出バルブ６
２６，６２７，６２８，６２９及び流入バルブ６
２１，６２２，６２３，６２４を全開し、マスフ
ロコントローラ６１６，６１７，６１８，６１９
内も十分脱気真空状態にされた。補助バルブ６４１、バルブ６２６，６２７，６
２８，６２９，６２１，６２２，６２３，６２４
を閉じた後SiH₄(10)／H₂ガスボンベ６１１のバル
ブ６３１、C₂H₄（0.1）／H₂ガスボンベ６１２の
バルブ６３２、H₂で50volppmに稀釈されたB₂H₆
ガス（純度99.999％、以下「B₂H₆（50）／H₂」
と略す。）ボンベ６１３のバルブ６３３を開け、
出口圧ゲージ６３６，６３７，６３８の圧を１
Kg／cm²に調整し、流入バルブ６２１，６２２，６
２３を徐々に開けてマスフロコントローラ６１
６，６１７，６１８内へSiH₄(10)／H₂ガス、C₂H₄
（0.1）／H₂ガス、B₂H₆（50）／H₂ガスを流入さ
せた。引続いて、流出バルブ６２６，６２７，６
２８を徐々に開け、次いで補助バルブ６４１を
徐々に開けた。このときSiH₄(10)／H₂ガス流量と
C₂H₄（0.1）／H₂ガス流量比が10：0.1、SiH₄
(10)／H₂ガス流量とB₂H₆（50）／H₂ガス流量を
50：１になるようにマスフロコントローラ６１
６，６１７，６１８を調整した。次にピラニーゲ
ージ６４２の読みを注視しながら補助バルブ６４
１の開口を調整し、室６０１内１×10^-2Torrに
なるまで補助バルブ６４１を開けた。室６０１内
圧が安定してから、メインバルブ６１０を徐々に
閉じ、ピラニーゲージ６４２の指示が0.1Torrに
なるまで開口を絞つた。ガス流入が安定し内圧が
安定するのを確認し続いて高周波電源６４３のス
イツチをON状態にしてシヤツター（電極を兼ね
る。）６０５を閉にして、電源６０３、シヤツタ
ー６０５間に13.56MHzの高周波電力を投入し、
室６０１内にグロー放電を発生させ、10Wの入力
電力とした。上記条件を３時間保つて光導電性の
非晶質層を構成する下部領域層を形成した。その
後、高周波電源６４３をOFF状態とし、グロー
放電を中止させた状態で、流出バルブ６２７，６
２８を閉じ、C₂H₄ガスボンベ６１４からバルブ
６３４を通じて１Kg／cm²のガス圧（出口圧ゲージ
６３９の読み）で、流入バルブ６２４流出バルブ
６２９を徐々に開いてマスフロコントローラ６１
９にC₂H₄ガスを流し、マスフロコントローラ６
１６，６１９の調整によつてC₂H₄ガスが、SiH₄
(10)／H₂ガスの流量の1/10になる様に安定化させ
た。引き続き、再び高周波電源６４３をON状態に
して、グロー放電を再開させた。そのときの入力
電力を3Wにした。こうしてグロー放電を更に10
分間持続させて非晶質層を構成する上部領域層を
600Åの厚さに形成した後、加熱ヒーター６０８
をOFF状態にし、高周波電源６４３もOFF状態
とし、基板温度が100℃になるのを待つてから流
出バルブ６２６，６２９及び流入バルブ６２１，
６２２，６２３，６２４を閉じ、メインバルブ６
１０を全開にして、室６０１内を10^-5Torr以下
にした後、メインバルブ６１０を閉じ、室６０１
内をリークバルブ６０６によつて大気圧として基
板をとり出した。この場合、形成された層の全厚
は約９μであつた。こうして得られた像形成部材
を、帯電露光実験装置に設置し、5.5KVで
0.2sec間コロナ帯電を行ない、直ちに光像を照射
した。光像は、ダングスランプ光源を用い、1.0
lux・secの光量を透過型のテストチヤートを通し
て照射させた。その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリヤーを含む）を部材表面にカスケードするこ
とによつて、部材表面上に良好なトナー画像を得
た。部材上のトナー画像を、5.0KVのコロナ帯
電で転写紙上に転写した処、解像力に優れ、階調
再現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。次に上記像形成部材に就いて、帯電露光実験装
置で6.0KVで0.2sec間のコロナ帯電を行ない、
直ちに0.8 lux・secの光量で画像露光を行ない、
その後直ちに荷電性の現像剤を部材表面にカス
ケードし、次に転写紙上に転写・定着したところ
極めて鮮明な画像が得られた。この結果と先の結果から、本実施例で得られた
電子写真用像形成部材は、帯電極性に対する依存
性がなく両極性像形成部材の特性を具備している
ことが判つた。実施例８第６図に示す装置を用い、以下の如き操作によ
つて電子写真用像形成部材を作成した。実施例１と同様に前処理して用意したアルミニ
ウム基板６０９を堆積室６０１内の所定位置にあ
る固定部材６０３に堅固に固定した。ターゲツト
６０４は多結晶純度シリコン（99.999％）上に高
純度グラフアイト（99.999％）を設置したもので
ある。基板６０９は、固定部材６０３内の加熱ヒ
ーター６０８によつて±0.5℃の精度で加熱され
る。温度は、熱電対（アルメル−クロメル）によ
つて基板裏面を直接測定されるようなされた。次
いで系内の全バルブが閉じられていることを確認
してからメインバルブ６１０を全開して一旦５×
10^-6Torr程度まで真空にされ（このとき、系の
バルブは閉じられている）、補助バルブ６４１お
よび流出バルブ６２６，６２７，６２９，６３０
が開かれ、マスフロコントローラ６１６，６１
７，６１９，６２０内が十分に脱気された後、流
出バルブ６２６，６２７，６２９，６３０と補助
バルブ６４１が閉じられた。アルゴン（純度
99.999％）ガスボンベ６１５のバルブ６３５を開
け、出口圧力計６４０の読みが１Kg／cm²になる様
に調整された後、流入バルブ６２５が開けられ、
続いて流出バルブ６３０が徐々に開けられ、アル
ゴンガスを室６０１内に流入された。ビラニーゲ
ージ６１１の指示が５×10^-4Torrになるまで、
流出バルブ６３０が徐々に開けられ、この状態で
流量が安定してから、メインバルブ６１０が徐々
に閉じられ、室内圧が１×10^-2Torrになるまで
開口が絞られた。シヤツター６０５を開として、
マスフロコントローラ６２０が安定するのを確認
してから、高周波電源６４３をON状態にし、タ
ーゲツト６０４および固定部材６０３間に
13.56MHz、100Wの交流電力が入力された。この
条件で安定した放電を続ける様にマツチングを取
り、層を形成した。この様にして１分間放電を続
けて100Å層の中間層を形成した。その後高周波
電源６４３をOFF状態にし、放電を一旦中止さ
せた。引き続いて流出バルブ６３０を閉じ、メイ
ンバルブ６１０を全開して室６０１内のガスを抜
き、５×10^-6Torrまで真空にした。その後ヒー
タ６０８の入力電圧を上昇させ、基板温度を検出
しながら入力電圧を変化させ、200℃の一定値に
なるまで安定させた。その後は、実施例１と同様
の操作、条件にて光導電層を形成した。このよう
にして得られた像形成部材を実施例１と同様の条
件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極
めて鮮明な画質が得られた。実施例９実施例６のエチレンを0.2vol％含むアルコンガ
スボンベ６１２をエチレンを0.2vol％含む水素ガ
スボンベに代えた以外は実施例６と同様の操作、
条件にて前処理したアルミニウム基板上に光導電
性の非晶質層を形成した。この場合形成された層の厚さは約15μであつ
た。この像形成部材に就いて実施例６と同様の条
件及び手順で転写紙上に画像を形成したとこ極め
て鮮明な画像が得られた。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光導電部材の好適な実施態様
例の層構造を説明するための模式的構成図、第２
図乃至第５図は各々本発明の光導電部材の非晶質
層中に含有される炭素原子の分布状態を説明する
ための模式的説明図、第６図は本発明の光導電部
材を作成するための装置の一例を示す模式的説明
図である。１００……光導電部材、１０１……支持体、１
０２……障壁層、１０３……非晶質層。

Claims

【特許請求の範囲】

１化学構造的に水を含む酸化アルミニウムから
成る表面を有する電子写真用の支持体と、水素原
子及びハロゲン原子の少なくともいずれか一方を
含み、シリコン原子を母体とする非晶質材料で構
成され、光導電性を示す非晶質層とを有し、該非
晶質層は、少なくともその一部に、前記支持体の
表面に略々平行な面内では実質的に均一であり層
厚方向には不均一で且つ、前記支持体とは反対の
表面側の方に多く分布した状態で炭素原子を含有
する層領域を有し、該炭素原子の含有量が0.005
〜30原子％であり且つその層厚方向の分布濃度の
最大値が0.03〜90原子％である事を特徴とする電
子写真用像形成部材。