JPS6239736B2 - - Google Patents
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- JPS6239736B2 JPS6239736B2 JP55182471A JP18247180A JPS6239736B2 JP S6239736 B2 JPS6239736 B2 JP S6239736B2 JP 55182471 A JP55182471 A JP 55182471A JP 18247180 A JP18247180 A JP 18247180A JP S6239736 B2 JPS6239736 B2 JP S6239736B2
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Description
本発明は、光（ここでは広義の意味の光で、紫
外線、可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示
す）の様な電磁波に感受性があり、画像形成分野
に於いて使用される電子写真用像形成部材に関す
る。 電子写真用像形成部材に於ける光導電層を構成
する光導電材料には、Se，Se―Te，CdS，
ZnO，或いはPVCzやTNF等のopc材料が良く知
られているが、最近、例えば独国公開第2746967
号公報、同第2855718号公報に記載されてある様
に、光感度、分光波長領域、光応答性、暗抵抗等
の点に於いて他の光導電材料に較べて遜色ない特
性を有し、加えて非晶質にも拘らずｐ―ｎ制御が
容易に行える、人体に対して無公害である等の点
で、アモルフアスシリコン（以後ａ―Siと表記す
る）が有望な光導電材料として注目を集めてい
る。 この様にａ―Siは他の光導電材料よりも多くの
点で優れた特性を有しており、電子写真用像形成
部材への適用としてその実用化が急速に進められ
ているが、未だ解決される可き点も残されてい
る。 例えば、場合によつては、その使用時に於い
て、残留電位が残る場合があり、繰返し使用を長
時間行うと被労の蓄積が起り、ゴースト現象を引
起す様になる、転写画像中に白抜けが生ずる等の
不都合が生ずる。 更には、層厚が十数μ以上になると層形成用の
真空堆積室より取り出した後、空気中での放置時
間の経過と共に、支持体表面からの層の浮きや剥
離、或いは層に亀裂が生ずる等の現象を引起し勝
ちになる、この現象は、殊に支持体が通常電子写
真分野に於いて使用されているドラム状支持体の
場合に多く起る等、経時的安定性の点に於いて解
決される可き点がある。 本発明は、上記の点に鑑み、シリコン原子を母
体とし、水素原子（Ｈ）又はハロゲン原子（Ｘ）
のいずれかを少なくとも含む非晶質材料（以後、
ａ―Si（Ｈ，Ｘ）と表記する）で光導電層を形成
した場合の、斯かる層自体の特性と、該層と、該
層の形成される支持体との関係を、機械的、電気
的、光導電的及び耐久的観点に立脚して鋭意研究
検討を積み重ねた結果に基いて成されたものであ
る。 即ち、本発明者等の考察によれば、ａ―Si
（Ｈ，Ｘ）は、層形成した際、層歪が大きく、こ
れが原因で支持体からの浮き、剥離或いは亀裂が
生ずるものと思われ、この形成された層の歪を何
等かの手段で除去或いは歪みの影響がない程度ま
で緩和ししやる必要があること、支持体とａ―Si
（Ｈ，Ｘ）層との間の機械的及び電気的接触の最
適化及び支持体とａ―Si（Ｈ，Ｘ）層との密着性
の改良を討る必要があること、又、電子写真特性
に優れ、殊に使用耐久性に長けた電子写真用像形
成部材を得るには、前記のことが同時に満足され
る様な最適化条件の設定が必要であることを見出
し、多大なる研究と検討を重ねた結果、その最適
化条件の設定に成功したものである。 本発明の電子写真用像形成部材は電子写真用の
支持体と、該支持体上に設けら、シリコン原子を
母体とし、水素原子又はハロゲン原子のいずれか
を少なくとも含み、必要に応じてゲルマニウム原
子を含む非晶質材料ａ―Si（Ｈ，Ｘ）で構成され
た光導電層とを有し、前記支持体が化学構造的に
水を含む酸化アルミニウムから成る表面を有する
事を特徴とする。 この様な構成の本発明の電子写真用像形成部材
は、残留電位の観測が全くないか又は殆んど無視
し得る程度しかなく、又、帯電処理時に於ける電
荷保持能に長け、更には、支持体からの浮き、剥
離或いは層亀裂が生ぜず機械的及び電気的接触及
び密着性に優れている、長時間の繰返し使用に於
いても、初期の特性の低下は見られず、高品質、
高解像度のトナー転写画像が得られる。等の長所
を有するものである。 以下、本発明を図面に従つて具体的に説明す
る。 第１図には、本発明の電子写真用像形成部材の
最も基本的な例の層構造を示す模式的断面図が示
される。 第１図に示される電子写真用像形成部材１００
は、化学構造的に水を含む酸化アルミニウムから
成る表面を有する支持体１０１上に、シリコン原
子を母体とし、水素原子（Ｈ）又はハロゲン原子
（Ｘ）のいずれかを少なくとも含む非晶質材料ａ
―Si（Ｈ，Ｘ）で構成される光導電層１０２を有
する。支持体１０１は、少なくともその表面に化
学構造的に水を含む酸化アルミニウム皮膜を有す
るものであるが、斯かる皮膜は、最も端的には電
子写真用として加工成型した後適当な予備処理が
施された純アルミニウム又はアルミニウム合金の
基体の表面に陽極酸化処理を施し、次いで必要に
応じて適当な前処理を行つた後に、沸騰水処理又
は蒸気処理を施すことによつてAl2O3・H2O又は
Al2O3・3H2Oなる組成のものとして得られる。 陽極酸化処理としては電気的絶縁耐力に優れた
皮膜が形成される方法が採用され、例えば蓚酸
法、硫酸法、クロム酸法を挙げることが出来る。 例えば蓚酸法としては、使用される電解液は例
えば１〜３％の蓚酸又は蓚酸塩溶液、１〜３
％のマロン酸又はその塩類の溶液、蓚酸35ｇ、
KMnO41ｇの割合でこれ等を１の水に溶解した
もの等が挙げられる。 この場合の電流密度及び電圧は、使用される電
解液及び被処理材料等によつて適宜決められるも
のであるが、電流密度としては３〜20Amp／ｄ
cm2，電圧としては40〜120Volt程度とされる。 又、陽極酸化中の浴槽の温度としては、10〜30
℃程度の範囲とされる。 硫酸法の場合には、電解液の濃度を10〜70％の
間に変え、且つ電圧を10〜15voltsに保つて、処
理時間を10〜15分の間に変のえることによつて、
特性の異なる皮膜を形成することができる。 この場合の使用電力としては、0.5〜2KWh／
m2の間に変化し、処理温度は15〜30℃程度とされ
る。 例えば、強くて硬い皮膜を作る場合には、硫酸
５％とグリセリン５％の液を用い、12〜15volts
で20〜40分間処理すれば良い。又、逆に柔軟性に
富む皮膜を得る場合には硫酸25％とグリセリン20
％の溶液を用い12℃〜30℃で、15voltsの電圧で
30〜60分間処理すれば良い。更には硫酸５〜10％
の溶液に多少のAl2（SO4）3を溶解した電解溶液
を使用して、液槽温度15〜20℃程度で行うことも
出来る。これ等の場合の使用電力としては、１m2
当り、硬い皮膜を得る場合には2KWh程度、軟ら
かい皮膜を得る場合には0.5〜1KWh程度であ
る。 形成される皮膜の電気絶縁耐力を最大限にする
には、液の濃度を60〜77％H2SO4とし、溶液の容
積１５に対して１の割合のグリセリンを添加し、
液槽の温度を20〜30℃とし、電圧を約12volts、
電流密度0.1〜1.0Amp／dm2の条件下で処理すれ
ば良い。 上記の様な方法によつて陽極酸化処理された基
体は、洗滌等の適当な前処理を必要に応じて行つ
た後、最終的な形態の皮膜を形成する為に沸騰水
処理又は水蒸気処理が施される。 沸騰水処理は、脱塩し１PHを５〜９に調整され
た水を80〜100℃程度に加熱させた中に、前記陽
極酸化処理した基体を浸漬させれば良い。 蒸気処理法としては、予め沸騰水で良く洗滌
し、更に、TiCl3，SnCl2，FeSo4等の還元性水溶
液で処理して、皮膜に附着している電解液の成分
を完全に除去した後、４〜5.6Kg／cm2程度の過熱
水蒸気中に前記の陽極酸化された基体を適当時間
保持すれば良い。 本発明に於いて、所望特性とその上に形成され
る光導電層との良好なマツチングが得られる様な
皮膜が形成されるアルミニウム合金材料として
は、Al―Mg―Si系、Al―Mg系、Al―Mg―Mn
系、Al―Mn系、Al―Mg系、Al―Mg―Si系、Al
―Mg―Mn系、Al―Cu―Mg系、Al―Cu―Ni系、
Al―Cu系、Al―Si系、Al―Cu系、Al―Cu―Zn
系、Al―Cu―Ni系、Al―Si系、Al―Cu―Si系、
Al―Mg―Si系、等を挙げることが出来る。具体
的には、例えば、A51S，61S，63S，Aludur，
Legal，Anticorodal，Pantal，SilaeV，RS，
52S，56S，Hydronalium，BS―Seewasser，
4S，KS―Seewasser，3S，14S，17S，24S，Ｙ
合金，NS，RS，Silumin，アメリカ合金、ドイ
ツ合金、Kupfer―Silumin，Silumin―Gamma等
の製品規格名で市販されているものを挙げること
が出来る。 本発明に於ける支持体表面上に設けられる水を
化学構造的に含む皮膜の膜厚としては、その上に
形成される光導電層の特性及びその構成材料、層
厚等との相関関係に於いて所望に従つて適宜決定
されるものであるが、通常の場合、0.05〜10μ、
好適には0.1〜５μ、最適には0.2〜２μとされる
のが望ましいものである。 本発明に於いて、その目的を効果的に達成する
為に、支持体１０１上に積層される光導電層１０
２は下記に示す半静体特性を有するａ―Si（Ｈ，
Ｘ）で構成される。 ｐ型ａ―Si（Ｈ，Ｘ）…アクセプターのみを
含むもの。或いは、ドナーとアクセプターとの
両方を含み、アクセプターの濃度（Na）が高
いもの。 p-型ａ―Si（Ｈ，Ｘ）…のタイプに於い
てアクセプターの濃度（Na）が低い所謂ｐ型
不純物をライトリードープしたもの。 ｎ型ａ―Si（Ｈ，Ｘ）…ドナーのみを含むも
の。或いはドナーとアクセプターの両方を含
み、ドナーの濃度（Nd）が高いもの。 n-型ａ―Si（Ｈ，Ｘ）…のタイプに於いて
ドナーの濃度（Nd）が低い。所謂ｎ型不純物
をライトリードープしたもの、若しくは何も不
純物をドープしないもの。 ｉ型ａ―Si（Ｈ，Ｘ）…NaNdＯのもの
又は、NaNdのもの。 本発明に於いては、特定の支持体１０１を使用
することによつて従来に較べて比較的低抵抗のａ
―Si（Ｈ，Ｘ）も使用され得るものであるが、一
層良好な結果を得る為には、形成される光導電層
１０２の暗抵抗が好適には５×109Ωcm以上、最
適には1010Ωcm以上となる様に光導電層１０２が
形成されるのが望ましいものである。 本発明に於ける電子写真用像形成部材の光導電
層の層厚としては、その目的に適合させて所望に
従つて適宜決定される。 本発明に於いては、光導電層の層厚としては、
光導電層の機能及び支持体の機能が各々有効に活
されて本発明の目的が効果的に達成される様に支
持体表面に設けられる前記の皮膜との層厚関係に
於いて適宜所望に従つて決められるものであり、
通常の場合、前記皮膜の膜厚に対して数百〜数千
倍以上の層厚とされるのが好ましいものである。 具体的な値としては、通常１〜100μ、好適に
は２〜50μの範囲とされるのが望ましい。 本発明に於いて、ａ―Si（Ｈ，Ｘ）で構成され
た光導電層を形成するには、例えば、グロー放電
法、スパツタリング法、或いはイオンプレーテイ
ング法等の放電現象を利用する真空堆積法によつ
て成される。 例えば、シリコン原子を母体とし、水素原子を
含む非晶質材料〔ａ―Si（Ｈ）層〕で光導電層を
構成する場合には、次の様にして層形成が成され
る。 即ち、グロー放電法による場合には、堆積装置
系内に必要に応じて加えられるAr，He等の稀釈
ガスと共にSiH4，Si2H6，Si3H8，Si4H10等のシラ
ン（Silane）類等の硅素化合物をガス状態の形で
導入し、グロー放電分解によつて、それらの化合
物を分解して、層の成長に併せて含有される。 このグロー放電法によつて、光導電層を形成す
る場合には、ａ―Si（Ｈ）を形成する出発物質が
SiH4，Si2H6，Si3H8，Si4H10等の水素を含む硅素
化合物である為該化合物のガスが分解して層が形
成される際、Ｈは自動的に層中に含有される。 この場合、上記の硅素化合物のガスに加えて
H2ガスを導入してグロー放電分解を行つてもａ
―Si（Ｈ）から成る光導電層は形成される。 反応スパツターリング法による場合にはHeや
Ar等の稀釈ガス又はこれ等のガスをベースとし
た混合ガス雰囲気中でSiをターゲートとしてスパ
ツターリングを行なう際にH2ガスを導入してや
るか又はSiH4，Si2H6，Si3H8，Si4H10等の硅素化
合物のガス、或いは、不純物のドーピングも兼ね
てB2H6、PH3等のガスを導入してやれば良い。シ
リコン原子を母体とし、ハロゲン原子（Ｘ）を含
む非品質材料〔ａ―Si（Ｘ）〕又はシリコン原子
を母体とし、水素原子とハロゲン原子とを含む非
品質材料〔ａ―Si（Ｈ＋Ｘ）〕で光導電層を構成
する場合には、次の様にして層形成が成される。 即ち、グロー放電法によつて、ａ―Si（Ｘ）又
はａ―Si（Ｈ＋Ｘ）から成る光導電層を形成する
には、Siを生成し得るSi生成原料ガス例えば前記
したシラン類化合物のガスと共に、ハロゲン導入
用原料ガスを内部が減圧にし得る堆積室内に導入
して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め
所定位置に設置されてある所定の支持体表面上に
ａ―Si（Ｘ）又はａ―Si（Ｈ＋Ｘ）からなる層を
形成させれば良い。又、スパツターリング法で形
成する場合には、例えばAr，He等の稀釈ガス又
はこれ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気
中でSiで形成されたターゲツトをスパツターリン
グする際、ハロゲン導入用ガスをスパツターリン
グ用の堆積室に導入してやれば良い。 本発明において使用されるハロゲン導入用原料
ガスとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が
挙げられ、例えばハロゲンガス、ハロゲン間化合
物、ハロゲン原子で置換されたシラン誘導体等の
ガス状態の又はガス化し得るハロゲン化合物が好
ましく挙げられる。 又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを
同時に生成し得る、ガス状態の又はガス化し得
る、ハロゲン原子で置換されたシラン誘導体等の
ハロゲン原子を含む硅素化合物も有効なものとし
て本発明においては挙げることが出来る。 本発明において好適に使用し得るハロゲン化合
物としては、具体的には、フツ素、塩素、臭素、
ヨウ素のハロゲンガス、BrF，ClF，ClF3，
BrF5，BrF3，IF7，IF5，ICl，IBr等のハロゲン
間化合物を挙げることが出来る。 ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲ
ン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体
的には例えばSiF4，Si2F6，SiCl3Br，SiCl2Br2，
SiClBr3，SiCl3I，SiBr4等のハロゲン原子を含む
硅素化合物が好ましいものとして挙げることが出
来る。 この様なハロゲンを含む硅素化合物を採用して
グロー放電法によつて本発明の特徴的な光導電部
材を形成する場合には、Siを生成し得る原料ガス
としての水素化硅素ガス使用しなくとも、所定の
支持上にａ―Si（Ｘ）から成る光導電層を形成す
る事が出来る。 グロー放電法に従つて、ａ―Si（Ｘ）で形成さ
れる光導電層を形成する場合、基本的には、Si生
成用の原料ガスとハロゲン導入用の原料ガスとを
必要に応じて、Ar，Ne，He等のガスと共に所定
の混合比とガス流量になる様にして光導電層を形
成する堆積室内に導入し、グロー放電を生起して
これ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することに
よつて、所定の支持体上にａ―Si（Ｘ）から成る
光導電層を形成し得るものであるが、これ等のガ
スに更に水素ガス又は水素原子を含む化合物のガ
スも所定量混合して層形成しても良い。 又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で
複数種混合して使用しても差支えないものであ
る。反応スパツターリング法或いはイオンプレー
テイング法に依つてａ―Si（Ｘ）又はａ―Si（Ｈ
＋Ｘ）から成る光導電層を形成するには、例えば
スパツターリング法の場合にはSiから成るターゲ
ツトを使用して、これを所定のガスプラズマ雰囲
気中でスパツタリングし、イオンプレーテイング
法の場合には、多結晶シリコン又は単結晶シリコ
ンを蒸発源として蒸着ボートに収容し、このシリ
コン蒸発源を抵抗加熱法、或いはエレクトロンビ
ーム法（EB法）等によつて加熱蒸発させ飛翔蒸
発物を所定のガスプラズマ雰囲気中を通過させる
事で行う事が出来る。 この際、スパツターリング法、イオンプレーテ
イング法の何れの場合にも形成される層中にハロ
ゲン原子、必要に応じて水素原子とを導入するに
は、前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲンを
含む硅素化合物更に水素ガス又は水素を含む化合
物のガスを堆積室中に導入して該ガスのプラズマ
雰囲気を形成してやれば良いものである。 本発明においては、ハロゲン導入用の原料ガス
として上記されたハロゲン化合物或いはハロゲン
原子を含む硅素化合物が有効なものとして使用さ
れるものであるが、その他に、HF，HCl，
HBr，HI等のハロゲン化水素、SiH2F2，
SiH2Cl2，SiHCl3，SiH3Cl，SiH3Br，SiH2Br2，
SiHBr3等のハロゲン置換水素化硅素、等々のガ
ス状態の或いはガス化し得る、水素を構成要素の
１つとするハロゲン化物も有効な光導電層形成用
の出発物質として挙げる事が出来る。 これ等の素原子を含むハロゲン化物は、光導電
層形成の際に層中にハロゲン原子の導入と同時に
電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水
素原子も導入されるので、本発明においては好適
なハロゲン導入用の原料として使用される。 本発明に於いて有効に使用されるハロゲン原子
（Ｘ）としては、Ｆ，Cl，Br，Ｉ等を挙げる事が
出来るが、殊に、Ｆ，Cl，Brが好ましいもので
ある。 本発明に於いて、形成される光導電部材の光導
電層中に含有されるＨの量、Ｘの量又は（Ｈ＋
Ｘ）の量は通常の場合１〜40atomic％、好適に
は５〜30atomic％とされるのが望ましい。 層中に含有されるＨ，Ｘ又は（Ｈ＋Ｘ）の量を
制御するには、例えば堆積支持体温度又は／及び
ＨやＸを含有させる為に使用される出発物質の堆
積装置系内へ導入する量、放電々力等を制御して
やれば良い。 光導電層が前記の〜の半導体特性を有する
様にするには、グロー放電法や反応スパツターリ
ング法等による層形成の際に、ｎ型不純物又はｐ
型不純物、或いは両不純物を形成される層中にそ
の量を制御し乍らドービングしてやる事によつて
成される。 光導電層中にドービングされる不純物として
は、光導電層をｐ型にするには、周期律表第族
Ａの元素、例えば、Ｂ，Al，Ga，In，Tl等が好
適なものとして挙げられる。 ｎ型にする場合には、周期律表第族Ａの元
素、例えば、Ｎ，Ｐ，As，Sb，Bi等が好適なも
のとして挙げられる。 光導電層に含有される不純物量としては形成さ
れる光導電層の伝導型をn-型、ｉ型，p-型にす
るには形成される層中に上記の族Ａの元素を不
純物として５×10-3atomic％以下含有させれば良
いし、ｐ型とするには上記族Ａの元素を不純物
として５×10-3〜10-2atomic％、又、ｎ型とする
には上記のｖ族Ａの元素を不純物として５×
10-3atomic％以下含有させれば良いものである。 本発明の光導電部材に於ける光導電層は基本的
にはａ―Si（Ｈ，Ｘ）で構成されるが、更に上記
の組成材料にゲルマニウム原子を含む非晶質材料
〔ａ―SiGe（Ｈ，Ｘ）と表記する〕でも構成する
ことが出来る。 ゲルマニウム原子を形成される層中に積極的に
導入してａ―SiGe（Ｈ，Ｘ）からなる光導電層
を所定の支持体上に形成するには次の様にするこ
とによつて成される。 例えば、グロー放電法によつて光導電層を形成
する場合には、先のａ―Si（Ｈ，Ｘ）で構成され
た光導電層を形成する場合に於いて、先のガスに
加えてGeH4，Ge2H6，Ge3H8等の水素化ゲルマニ
ウム又は、GeH2Cl2，GeH3Cl等の水素化ハロゲ
ン化ゲルマニウム等のゲルマニウムの化合物をガ
ス状態で真空堆積室に導入してグロー放電分解を
行つて光導電層を形成すれば良いものである。 反応スパツタリーング法による場合には、前記
したａ―Si（Ｈ，Ｘ）形成の場合に於いて、更に
上記のゲルマニウム化合物のガスを真空堆積室に
導入してやるか又は、ターゲツトとして、Geタ
ーゲツトをSiターゲツトと共に使用するか又は
SiGeターゲツトを使用することによつて所定の
支持体上にａ―SiGe（Ｈ，Ｘ）から成る光導電
層を形成することが出来る。 実施例 １ 厚さ１mmで10cm×10cmの鏡面仕上げされたアル
ミニウム合金52S（Si，Mg，Crを含有する）の
基板にアルカリ及び酸洗浄を施した後、純水によ
つ洗浄を施した。この基板を５ｇ／の硫酸アル
ミニウムが添加された７％の硫酸溶液に於て温度
18℃の条件で陽極酸化を施した。約５分間陽極酸
化を施した後、基板を硫酸溶液より引き上げ速か
に沸騰した純水槽に浸した。約10分間の後に基板
を純水槽より引き上げた。このようにして処理さ
れたアルミニウム合金基板上の被覆層の厚さは約
0.8μであつた。 次に第２図に示す装置を用い、以下の様にして
本発明の電子写真用像形成部材を作成し、画像形
成処理を施して画像出しを行つた。 前記の如く処理された基板を改めて充分水洗し
乾燥させて表面を清浄化して、グロー放電堆積槽
２０１内の所定位置にある固定部材２０３の所定
位置にヒーター２０４とは約５cm程度離して堅固
に固定した。 次いで、メインバルブ２２０を全開して堆積槽
２０１内の空気を排気し、約５×10-5torrの真空
度にした。その後ヒーター２０４を点火して前記
基板を均一に加熱して100℃に上昇させ、この温
度に保つた。その後、補助バルブ２１９を全開
し、引続いてボンベ２０７のニードルバルブ２１
３、ボンベ２０８のニードルバルブ２１４を全開
した後、流量調節バルブ２１６及び２１７を徐々
に開いて、ボンベ２０７よりH2ガスを、ボンベ
２０８よりSiH4ガスを堆積槽２０１内に導入し
たバルブ２０６及び２０７の調節により、H2ガ
スとSiH4ガスの流量比は、２：10に保たれた。
さらに、メインバルブ２２０を調節して堆積槽２
０１内の真空度が約0.75torrに保持される様にし
た。 続いて、高周波電源２０５のスイツチをONに
して、電極２０６―１，２０６―２間に13.56M
Hzの高周波を印加してグロー放電を起し、前記基
板上に光導電層を形成した。この時のグロー放電
電力は5Wであつた。又、この時の層の成長速度
は、約４Å／secであつて、15時間堆積を行い、
前記基板上に20μ厚の光導電層を形成した。この
様にして作成した電子写真用像形成部材を、堆積
終了後、メインバルブ２２０、流量調節バルブ２
１６，２１７、ニードバルブ２１３，２１４を閉
じ、代りにバルブ２２１を開いて堆積槽２０１内
の真空を破り、外部に取り出した。この電子写真
用像形成部材に、暗中に於いて電源電圧5500Vで
コロナ放電を光導電層表面に0.5秒間行い、次
いで10lux・secの露光量でハロゲンランプにて画
像露光を行つて、静電像を形成し、該静電像を現
像バイアスを用いた磁気ブラシ現像法によつて現
像して転写紙上に転写・定着したところ解像力が
高く極めて鮮明な画像が得られた。 又、この像形成部材の表面電位を測定したとこ
ろ、画像黒部に対応する領域（以下暗部電位と言
う）の像形成部材表面電位は約240V、画像白部
に対応する領域の（以下明部電位と言う）像形成
部材表面電位は約50Vであつた。 この様な画像形成処理を繰返し、前記電子写真
用像形成部材に施し耐久性に就て試験したとこ
ろ、１万枚目の転写紙上に得られた画像も極めて
良質であつて、一枚目の転写紙上の画像と較べて
も何等差違はなく、この電子写真用像形成部材が
耐コロナイオン性、耐摩耗性、クリーニング性等
に優れ著しく耐久性に富んでいることが実証され
た。尚、クリーニング法としてはブレードクリー
ニングを採用し、ブレードはウレタンゴムで成型
したものを使用した。 又、このような画像形成の繰返し過程における
前記電子写真用像形成部材の表面電位は、常に暗
部電位は約240V、明部電位は約50Vと一定であ
り、暗部電位の低下や、残留電位の上昇等は全く
生じなかつた。 実施例 ２ 厚さ１mmで10cm×10cmの鏡面仕上げされたアル
ミニウム合金61S（Cu，Si，Crを含有する）の基
板を、実施例１に於けると全く同様の陽極酸化処
理を施した後、充分に乾燥させた後、３気圧の過
熱水蒸気槽に20分間放置した。この基板を用い実
施例１と全く同様な方法で、像形成部材を形成
し、画像性、耐久性を評価したところ共に良好な
結果が得られた。 実施例 ３ 陽極酸化時間を変えることによつて、基板表面
被膜層の膜厚を変える以外は、実施例１と全く同
様な方法で、光導電層の形成を行い、さらに画像
性、繰り返し特性を標価したところ第１表に示さ
れる結果を得た。ここで、現像は、磁気ブラシ現
像を用い、各感光体に対して最も良好な画像を与
える現像バイアス値が選択された。
外線、可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示
す）の様な電磁波に感受性があり、画像形成分野
に於いて使用される電子写真用像形成部材に関す
る。 電子写真用像形成部材に於ける光導電層を構成
する光導電材料には、Se，Se―Te，CdS，
ZnO，或いはPVCzやTNF等のopc材料が良く知
られているが、最近、例えば独国公開第2746967
号公報、同第2855718号公報に記載されてある様
に、光感度、分光波長領域、光応答性、暗抵抗等
の点に於いて他の光導電材料に較べて遜色ない特
性を有し、加えて非晶質にも拘らずｐ―ｎ制御が
容易に行える、人体に対して無公害である等の点
で、アモルフアスシリコン（以後ａ―Siと表記す
る）が有望な光導電材料として注目を集めてい
る。 この様にａ―Siは他の光導電材料よりも多くの
点で優れた特性を有しており、電子写真用像形成
部材への適用としてその実用化が急速に進められ
ているが、未だ解決される可き点も残されてい
る。 例えば、場合によつては、その使用時に於い
て、残留電位が残る場合があり、繰返し使用を長
時間行うと被労の蓄積が起り、ゴースト現象を引
起す様になる、転写画像中に白抜けが生ずる等の
不都合が生ずる。 更には、層厚が十数μ以上になると層形成用の
真空堆積室より取り出した後、空気中での放置時
間の経過と共に、支持体表面からの層の浮きや剥
離、或いは層に亀裂が生ずる等の現象を引起し勝
ちになる、この現象は、殊に支持体が通常電子写
真分野に於いて使用されているドラム状支持体の
場合に多く起る等、経時的安定性の点に於いて解
決される可き点がある。 本発明は、上記の点に鑑み、シリコン原子を母
体とし、水素原子（Ｈ）又はハロゲン原子（Ｘ）
のいずれかを少なくとも含む非晶質材料（以後、
ａ―Si（Ｈ，Ｘ）と表記する）で光導電層を形成
した場合の、斯かる層自体の特性と、該層と、該
層の形成される支持体との関係を、機械的、電気
的、光導電的及び耐久的観点に立脚して鋭意研究
検討を積み重ねた結果に基いて成されたものであ
る。 即ち、本発明者等の考察によれば、ａ―Si
（Ｈ，Ｘ）は、層形成した際、層歪が大きく、こ
れが原因で支持体からの浮き、剥離或いは亀裂が
生ずるものと思われ、この形成された層の歪を何
等かの手段で除去或いは歪みの影響がない程度ま
で緩和ししやる必要があること、支持体とａ―Si
（Ｈ，Ｘ）層との間の機械的及び電気的接触の最
適化及び支持体とａ―Si（Ｈ，Ｘ）層との密着性
の改良を討る必要があること、又、電子写真特性
に優れ、殊に使用耐久性に長けた電子写真用像形
成部材を得るには、前記のことが同時に満足され
る様な最適化条件の設定が必要であることを見出
し、多大なる研究と検討を重ねた結果、その最適
化条件の設定に成功したものである。 本発明の電子写真用像形成部材は電子写真用の
支持体と、該支持体上に設けら、シリコン原子を
母体とし、水素原子又はハロゲン原子のいずれか
を少なくとも含み、必要に応じてゲルマニウム原
子を含む非晶質材料ａ―Si（Ｈ，Ｘ）で構成され
た光導電層とを有し、前記支持体が化学構造的に
水を含む酸化アルミニウムから成る表面を有する
事を特徴とする。 この様な構成の本発明の電子写真用像形成部材
は、残留電位の観測が全くないか又は殆んど無視
し得る程度しかなく、又、帯電処理時に於ける電
荷保持能に長け、更には、支持体からの浮き、剥
離或いは層亀裂が生ぜず機械的及び電気的接触及
び密着性に優れている、長時間の繰返し使用に於
いても、初期の特性の低下は見られず、高品質、
高解像度のトナー転写画像が得られる。等の長所
を有するものである。 以下、本発明を図面に従つて具体的に説明す
る。 第１図には、本発明の電子写真用像形成部材の
最も基本的な例の層構造を示す模式的断面図が示
される。 第１図に示される電子写真用像形成部材１００
は、化学構造的に水を含む酸化アルミニウムから
成る表面を有する支持体１０１上に、シリコン原
子を母体とし、水素原子（Ｈ）又はハロゲン原子
（Ｘ）のいずれかを少なくとも含む非晶質材料ａ
―Si（Ｈ，Ｘ）で構成される光導電層１０２を有
する。支持体１０１は、少なくともその表面に化
学構造的に水を含む酸化アルミニウム皮膜を有す
るものであるが、斯かる皮膜は、最も端的には電
子写真用として加工成型した後適当な予備処理が
施された純アルミニウム又はアルミニウム合金の
基体の表面に陽極酸化処理を施し、次いで必要に
応じて適当な前処理を行つた後に、沸騰水処理又
は蒸気処理を施すことによつてAl2O3・H2O又は
Al2O3・3H2Oなる組成のものとして得られる。 陽極酸化処理としては電気的絶縁耐力に優れた
皮膜が形成される方法が採用され、例えば蓚酸
法、硫酸法、クロム酸法を挙げることが出来る。 例えば蓚酸法としては、使用される電解液は例
えば１〜３％の蓚酸又は蓚酸塩溶液、１〜３
％のマロン酸又はその塩類の溶液、蓚酸35ｇ、
KMnO41ｇの割合でこれ等を１の水に溶解した
もの等が挙げられる。 この場合の電流密度及び電圧は、使用される電
解液及び被処理材料等によつて適宜決められるも
のであるが、電流密度としては３〜20Amp／ｄ
cm2，電圧としては40〜120Volt程度とされる。 又、陽極酸化中の浴槽の温度としては、10〜30
℃程度の範囲とされる。 硫酸法の場合には、電解液の濃度を10〜70％の
間に変え、且つ電圧を10〜15voltsに保つて、処
理時間を10〜15分の間に変のえることによつて、
特性の異なる皮膜を形成することができる。 この場合の使用電力としては、0.5〜2KWh／
m2の間に変化し、処理温度は15〜30℃程度とされ
る。 例えば、強くて硬い皮膜を作る場合には、硫酸
５％とグリセリン５％の液を用い、12〜15volts
で20〜40分間処理すれば良い。又、逆に柔軟性に
富む皮膜を得る場合には硫酸25％とグリセリン20
％の溶液を用い12℃〜30℃で、15voltsの電圧で
30〜60分間処理すれば良い。更には硫酸５〜10％
の溶液に多少のAl2（SO4）3を溶解した電解溶液
を使用して、液槽温度15〜20℃程度で行うことも
出来る。これ等の場合の使用電力としては、１m2
当り、硬い皮膜を得る場合には2KWh程度、軟ら
かい皮膜を得る場合には0.5〜1KWh程度であ
る。 形成される皮膜の電気絶縁耐力を最大限にする
には、液の濃度を60〜77％H2SO4とし、溶液の容
積１５に対して１の割合のグリセリンを添加し、
液槽の温度を20〜30℃とし、電圧を約12volts、
電流密度0.1〜1.0Amp／dm2の条件下で処理すれ
ば良い。 上記の様な方法によつて陽極酸化処理された基
体は、洗滌等の適当な前処理を必要に応じて行つ
た後、最終的な形態の皮膜を形成する為に沸騰水
処理又は水蒸気処理が施される。 沸騰水処理は、脱塩し１PHを５〜９に調整され
た水を80〜100℃程度に加熱させた中に、前記陽
極酸化処理した基体を浸漬させれば良い。 蒸気処理法としては、予め沸騰水で良く洗滌
し、更に、TiCl3，SnCl2，FeSo4等の還元性水溶
液で処理して、皮膜に附着している電解液の成分
を完全に除去した後、４〜5.6Kg／cm2程度の過熱
水蒸気中に前記の陽極酸化された基体を適当時間
保持すれば良い。 本発明に於いて、所望特性とその上に形成され
る光導電層との良好なマツチングが得られる様な
皮膜が形成されるアルミニウム合金材料として
は、Al―Mg―Si系、Al―Mg系、Al―Mg―Mn
系、Al―Mn系、Al―Mg系、Al―Mg―Si系、Al
―Mg―Mn系、Al―Cu―Mg系、Al―Cu―Ni系、
Al―Cu系、Al―Si系、Al―Cu系、Al―Cu―Zn
系、Al―Cu―Ni系、Al―Si系、Al―Cu―Si系、
Al―Mg―Si系、等を挙げることが出来る。具体
的には、例えば、A51S，61S，63S，Aludur，
Legal，Anticorodal，Pantal，SilaeV，RS，
52S，56S，Hydronalium，BS―Seewasser，
4S，KS―Seewasser，3S，14S，17S，24S，Ｙ
合金，NS，RS，Silumin，アメリカ合金、ドイ
ツ合金、Kupfer―Silumin，Silumin―Gamma等
の製品規格名で市販されているものを挙げること
が出来る。 本発明に於ける支持体表面上に設けられる水を
化学構造的に含む皮膜の膜厚としては、その上に
形成される光導電層の特性及びその構成材料、層
厚等との相関関係に於いて所望に従つて適宜決定
されるものであるが、通常の場合、0.05〜10μ、
好適には0.1〜５μ、最適には0.2〜２μとされる
のが望ましいものである。 本発明に於いて、その目的を効果的に達成する
為に、支持体１０１上に積層される光導電層１０
２は下記に示す半静体特性を有するａ―Si（Ｈ，
Ｘ）で構成される。 ｐ型ａ―Si（Ｈ，Ｘ）…アクセプターのみを
含むもの。或いは、ドナーとアクセプターとの
両方を含み、アクセプターの濃度（Na）が高
いもの。 p-型ａ―Si（Ｈ，Ｘ）…のタイプに於い
てアクセプターの濃度（Na）が低い所謂ｐ型
不純物をライトリードープしたもの。 ｎ型ａ―Si（Ｈ，Ｘ）…ドナーのみを含むも
の。或いはドナーとアクセプターの両方を含
み、ドナーの濃度（Nd）が高いもの。 n-型ａ―Si（Ｈ，Ｘ）…のタイプに於いて
ドナーの濃度（Nd）が低い。所謂ｎ型不純物
をライトリードープしたもの、若しくは何も不
純物をドープしないもの。 ｉ型ａ―Si（Ｈ，Ｘ）…NaNdＯのもの
又は、NaNdのもの。 本発明に於いては、特定の支持体１０１を使用
することによつて従来に較べて比較的低抵抗のａ
―Si（Ｈ，Ｘ）も使用され得るものであるが、一
層良好な結果を得る為には、形成される光導電層
１０２の暗抵抗が好適には５×109Ωcm以上、最
適には1010Ωcm以上となる様に光導電層１０２が
形成されるのが望ましいものである。 本発明に於ける電子写真用像形成部材の光導電
層の層厚としては、その目的に適合させて所望に
従つて適宜決定される。 本発明に於いては、光導電層の層厚としては、
光導電層の機能及び支持体の機能が各々有効に活
されて本発明の目的が効果的に達成される様に支
持体表面に設けられる前記の皮膜との層厚関係に
於いて適宜所望に従つて決められるものであり、
通常の場合、前記皮膜の膜厚に対して数百〜数千
倍以上の層厚とされるのが好ましいものである。 具体的な値としては、通常１〜100μ、好適に
は２〜50μの範囲とされるのが望ましい。 本発明に於いて、ａ―Si（Ｈ，Ｘ）で構成され
た光導電層を形成するには、例えば、グロー放電
法、スパツタリング法、或いはイオンプレーテイ
ング法等の放電現象を利用する真空堆積法によつ
て成される。 例えば、シリコン原子を母体とし、水素原子を
含む非晶質材料〔ａ―Si（Ｈ）層〕で光導電層を
構成する場合には、次の様にして層形成が成され
る。 即ち、グロー放電法による場合には、堆積装置
系内に必要に応じて加えられるAr，He等の稀釈
ガスと共にSiH4，Si2H6，Si3H8，Si4H10等のシラ
ン（Silane）類等の硅素化合物をガス状態の形で
導入し、グロー放電分解によつて、それらの化合
物を分解して、層の成長に併せて含有される。 このグロー放電法によつて、光導電層を形成す
る場合には、ａ―Si（Ｈ）を形成する出発物質が
SiH4，Si2H6，Si3H8，Si4H10等の水素を含む硅素
化合物である為該化合物のガスが分解して層が形
成される際、Ｈは自動的に層中に含有される。 この場合、上記の硅素化合物のガスに加えて
H2ガスを導入してグロー放電分解を行つてもａ
―Si（Ｈ）から成る光導電層は形成される。 反応スパツターリング法による場合にはHeや
Ar等の稀釈ガス又はこれ等のガスをベースとし
た混合ガス雰囲気中でSiをターゲートとしてスパ
ツターリングを行なう際にH2ガスを導入してや
るか又はSiH4，Si2H6，Si3H8，Si4H10等の硅素化
合物のガス、或いは、不純物のドーピングも兼ね
てB2H6、PH3等のガスを導入してやれば良い。シ
リコン原子を母体とし、ハロゲン原子（Ｘ）を含
む非品質材料〔ａ―Si（Ｘ）〕又はシリコン原子
を母体とし、水素原子とハロゲン原子とを含む非
品質材料〔ａ―Si（Ｈ＋Ｘ）〕で光導電層を構成
する場合には、次の様にして層形成が成される。 即ち、グロー放電法によつて、ａ―Si（Ｘ）又
はａ―Si（Ｈ＋Ｘ）から成る光導電層を形成する
には、Siを生成し得るSi生成原料ガス例えば前記
したシラン類化合物のガスと共に、ハロゲン導入
用原料ガスを内部が減圧にし得る堆積室内に導入
して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め
所定位置に設置されてある所定の支持体表面上に
ａ―Si（Ｘ）又はａ―Si（Ｈ＋Ｘ）からなる層を
形成させれば良い。又、スパツターリング法で形
成する場合には、例えばAr，He等の稀釈ガス又
はこれ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気
中でSiで形成されたターゲツトをスパツターリン
グする際、ハロゲン導入用ガスをスパツターリン
グ用の堆積室に導入してやれば良い。 本発明において使用されるハロゲン導入用原料
ガスとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が
挙げられ、例えばハロゲンガス、ハロゲン間化合
物、ハロゲン原子で置換されたシラン誘導体等の
ガス状態の又はガス化し得るハロゲン化合物が好
ましく挙げられる。 又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを
同時に生成し得る、ガス状態の又はガス化し得
る、ハロゲン原子で置換されたシラン誘導体等の
ハロゲン原子を含む硅素化合物も有効なものとし
て本発明においては挙げることが出来る。 本発明において好適に使用し得るハロゲン化合
物としては、具体的には、フツ素、塩素、臭素、
ヨウ素のハロゲンガス、BrF，ClF，ClF3，
BrF5，BrF3，IF7，IF5，ICl，IBr等のハロゲン
間化合物を挙げることが出来る。 ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲ
ン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体
的には例えばSiF4，Si2F6，SiCl3Br，SiCl2Br2，
SiClBr3，SiCl3I，SiBr4等のハロゲン原子を含む
硅素化合物が好ましいものとして挙げることが出
来る。 この様なハロゲンを含む硅素化合物を採用して
グロー放電法によつて本発明の特徴的な光導電部
材を形成する場合には、Siを生成し得る原料ガス
としての水素化硅素ガス使用しなくとも、所定の
支持上にａ―Si（Ｘ）から成る光導電層を形成す
る事が出来る。 グロー放電法に従つて、ａ―Si（Ｘ）で形成さ
れる光導電層を形成する場合、基本的には、Si生
成用の原料ガスとハロゲン導入用の原料ガスとを
必要に応じて、Ar，Ne，He等のガスと共に所定
の混合比とガス流量になる様にして光導電層を形
成する堆積室内に導入し、グロー放電を生起して
これ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することに
よつて、所定の支持体上にａ―Si（Ｘ）から成る
光導電層を形成し得るものであるが、これ等のガ
スに更に水素ガス又は水素原子を含む化合物のガ
スも所定量混合して層形成しても良い。 又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で
複数種混合して使用しても差支えないものであ
る。反応スパツターリング法或いはイオンプレー
テイング法に依つてａ―Si（Ｘ）又はａ―Si（Ｈ
＋Ｘ）から成る光導電層を形成するには、例えば
スパツターリング法の場合にはSiから成るターゲ
ツトを使用して、これを所定のガスプラズマ雰囲
気中でスパツタリングし、イオンプレーテイング
法の場合には、多結晶シリコン又は単結晶シリコ
ンを蒸発源として蒸着ボートに収容し、このシリ
コン蒸発源を抵抗加熱法、或いはエレクトロンビ
ーム法（EB法）等によつて加熱蒸発させ飛翔蒸
発物を所定のガスプラズマ雰囲気中を通過させる
事で行う事が出来る。 この際、スパツターリング法、イオンプレーテ
イング法の何れの場合にも形成される層中にハロ
ゲン原子、必要に応じて水素原子とを導入するに
は、前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲンを
含む硅素化合物更に水素ガス又は水素を含む化合
物のガスを堆積室中に導入して該ガスのプラズマ
雰囲気を形成してやれば良いものである。 本発明においては、ハロゲン導入用の原料ガス
として上記されたハロゲン化合物或いはハロゲン
原子を含む硅素化合物が有効なものとして使用さ
れるものであるが、その他に、HF，HCl，
HBr，HI等のハロゲン化水素、SiH2F2，
SiH2Cl2，SiHCl3，SiH3Cl，SiH3Br，SiH2Br2，
SiHBr3等のハロゲン置換水素化硅素、等々のガ
ス状態の或いはガス化し得る、水素を構成要素の
１つとするハロゲン化物も有効な光導電層形成用
の出発物質として挙げる事が出来る。 これ等の素原子を含むハロゲン化物は、光導電
層形成の際に層中にハロゲン原子の導入と同時に
電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水
素原子も導入されるので、本発明においては好適
なハロゲン導入用の原料として使用される。 本発明に於いて有効に使用されるハロゲン原子
（Ｘ）としては、Ｆ，Cl，Br，Ｉ等を挙げる事が
出来るが、殊に、Ｆ，Cl，Brが好ましいもので
ある。 本発明に於いて、形成される光導電部材の光導
電層中に含有されるＨの量、Ｘの量又は（Ｈ＋
Ｘ）の量は通常の場合１〜40atomic％、好適に
は５〜30atomic％とされるのが望ましい。 層中に含有されるＨ，Ｘ又は（Ｈ＋Ｘ）の量を
制御するには、例えば堆積支持体温度又は／及び
ＨやＸを含有させる為に使用される出発物質の堆
積装置系内へ導入する量、放電々力等を制御して
やれば良い。 光導電層が前記の〜の半導体特性を有する
様にするには、グロー放電法や反応スパツターリ
ング法等による層形成の際に、ｎ型不純物又はｐ
型不純物、或いは両不純物を形成される層中にそ
の量を制御し乍らドービングしてやる事によつて
成される。 光導電層中にドービングされる不純物として
は、光導電層をｐ型にするには、周期律表第族
Ａの元素、例えば、Ｂ，Al，Ga，In，Tl等が好
適なものとして挙げられる。 ｎ型にする場合には、周期律表第族Ａの元
素、例えば、Ｎ，Ｐ，As，Sb，Bi等が好適なも
のとして挙げられる。 光導電層に含有される不純物量としては形成さ
れる光導電層の伝導型をn-型、ｉ型，p-型にす
るには形成される層中に上記の族Ａの元素を不
純物として５×10-3atomic％以下含有させれば良
いし、ｐ型とするには上記族Ａの元素を不純物
として５×10-3〜10-2atomic％、又、ｎ型とする
には上記のｖ族Ａの元素を不純物として５×
10-3atomic％以下含有させれば良いものである。 本発明の光導電部材に於ける光導電層は基本的
にはａ―Si（Ｈ，Ｘ）で構成されるが、更に上記
の組成材料にゲルマニウム原子を含む非晶質材料
〔ａ―SiGe（Ｈ，Ｘ）と表記する〕でも構成する
ことが出来る。 ゲルマニウム原子を形成される層中に積極的に
導入してａ―SiGe（Ｈ，Ｘ）からなる光導電層
を所定の支持体上に形成するには次の様にするこ
とによつて成される。 例えば、グロー放電法によつて光導電層を形成
する場合には、先のａ―Si（Ｈ，Ｘ）で構成され
た光導電層を形成する場合に於いて、先のガスに
加えてGeH4，Ge2H6，Ge3H8等の水素化ゲルマニ
ウム又は、GeH2Cl2，GeH3Cl等の水素化ハロゲ
ン化ゲルマニウム等のゲルマニウムの化合物をガ
ス状態で真空堆積室に導入してグロー放電分解を
行つて光導電層を形成すれば良いものである。 反応スパツタリーング法による場合には、前記
したａ―Si（Ｈ，Ｘ）形成の場合に於いて、更に
上記のゲルマニウム化合物のガスを真空堆積室に
導入してやるか又は、ターゲツトとして、Geタ
ーゲツトをSiターゲツトと共に使用するか又は
SiGeターゲツトを使用することによつて所定の
支持体上にａ―SiGe（Ｈ，Ｘ）から成る光導電
層を形成することが出来る。 実施例 １ 厚さ１mmで10cm×10cmの鏡面仕上げされたアル
ミニウム合金52S（Si，Mg，Crを含有する）の
基板にアルカリ及び酸洗浄を施した後、純水によ
つ洗浄を施した。この基板を５ｇ／の硫酸アル
ミニウムが添加された７％の硫酸溶液に於て温度
18℃の条件で陽極酸化を施した。約５分間陽極酸
化を施した後、基板を硫酸溶液より引き上げ速か
に沸騰した純水槽に浸した。約10分間の後に基板
を純水槽より引き上げた。このようにして処理さ
れたアルミニウム合金基板上の被覆層の厚さは約
0.8μであつた。 次に第２図に示す装置を用い、以下の様にして
本発明の電子写真用像形成部材を作成し、画像形
成処理を施して画像出しを行つた。 前記の如く処理された基板を改めて充分水洗し
乾燥させて表面を清浄化して、グロー放電堆積槽
２０１内の所定位置にある固定部材２０３の所定
位置にヒーター２０４とは約５cm程度離して堅固
に固定した。 次いで、メインバルブ２２０を全開して堆積槽
２０１内の空気を排気し、約５×10-5torrの真空
度にした。その後ヒーター２０４を点火して前記
基板を均一に加熱して100℃に上昇させ、この温
度に保つた。その後、補助バルブ２１９を全開
し、引続いてボンベ２０７のニードルバルブ２１
３、ボンベ２０８のニードルバルブ２１４を全開
した後、流量調節バルブ２１６及び２１７を徐々
に開いて、ボンベ２０７よりH2ガスを、ボンベ
２０８よりSiH4ガスを堆積槽２０１内に導入し
たバルブ２０６及び２０７の調節により、H2ガ
スとSiH4ガスの流量比は、２：10に保たれた。
さらに、メインバルブ２２０を調節して堆積槽２
０１内の真空度が約0.75torrに保持される様にし
た。 続いて、高周波電源２０５のスイツチをONに
して、電極２０６―１，２０６―２間に13.56M
Hzの高周波を印加してグロー放電を起し、前記基
板上に光導電層を形成した。この時のグロー放電
電力は5Wであつた。又、この時の層の成長速度
は、約４Å／secであつて、15時間堆積を行い、
前記基板上に20μ厚の光導電層を形成した。この
様にして作成した電子写真用像形成部材を、堆積
終了後、メインバルブ２２０、流量調節バルブ２
１６，２１７、ニードバルブ２１３，２１４を閉
じ、代りにバルブ２２１を開いて堆積槽２０１内
の真空を破り、外部に取り出した。この電子写真
用像形成部材に、暗中に於いて電源電圧5500Vで
コロナ放電を光導電層表面に0.5秒間行い、次
いで10lux・secの露光量でハロゲンランプにて画
像露光を行つて、静電像を形成し、該静電像を現
像バイアスを用いた磁気ブラシ現像法によつて現
像して転写紙上に転写・定着したところ解像力が
高く極めて鮮明な画像が得られた。 又、この像形成部材の表面電位を測定したとこ
ろ、画像黒部に対応する領域（以下暗部電位と言
う）の像形成部材表面電位は約240V、画像白部
に対応する領域の（以下明部電位と言う）像形成
部材表面電位は約50Vであつた。 この様な画像形成処理を繰返し、前記電子写真
用像形成部材に施し耐久性に就て試験したとこ
ろ、１万枚目の転写紙上に得られた画像も極めて
良質であつて、一枚目の転写紙上の画像と較べて
も何等差違はなく、この電子写真用像形成部材が
耐コロナイオン性、耐摩耗性、クリーニング性等
に優れ著しく耐久性に富んでいることが実証され
た。尚、クリーニング法としてはブレードクリー
ニングを採用し、ブレードはウレタンゴムで成型
したものを使用した。 又、このような画像形成の繰返し過程における
前記電子写真用像形成部材の表面電位は、常に暗
部電位は約240V、明部電位は約50Vと一定であ
り、暗部電位の低下や、残留電位の上昇等は全く
生じなかつた。 実施例 ２ 厚さ１mmで10cm×10cmの鏡面仕上げされたアル
ミニウム合金61S（Cu，Si，Crを含有する）の基
板を、実施例１に於けると全く同様の陽極酸化処
理を施した後、充分に乾燥させた後、３気圧の過
熱水蒸気槽に20分間放置した。この基板を用い実
施例１と全く同様な方法で、像形成部材を形成
し、画像性、耐久性を評価したところ共に良好な
結果が得られた。 実施例 ３ 陽極酸化時間を変えることによつて、基板表面
被膜層の膜厚を変える以外は、実施例１と全く同
様な方法で、光導電層の形成を行い、さらに画像
性、繰り返し特性を標価したところ第１表に示さ
れる結果を得た。ここで、現像は、磁気ブラシ現
像を用い、各感光体に対して最も良好な画像を与
える現像バイアス値が選択された。
【表】
実施例 ４
実施例１と全く同様にして処理された基板を用
い、第２図に示す装置を用い、以下の様にして電
子写真用像形成部材を形成した。 基板２０２をグロー放電蒸着槽２０１内の所定
位置にある固定部材２０３の所定位置にヒーター
２０４とは約５cm程度離して堅固に固定した。 次いで、メインバルブ２２０を全開して蒸着槽
２０１内の空気を排気し、約５×10-5torrの真空
度にした。その後ヒーター２０４を点火して前記
基板を均一に加熱して100℃に上昇させ、この温
度に保つた。その後、補助バルブ２１９を全開
し、引続いてボンベ２０７のニードルバルブ２１
３、ボンベ２０８のニードルバルブ２１４を全開
した後、流量調節バルブ２１６，２１７及び２１
８を徐々に開いて、ボンベ２０７よりH2ガス
を、ボンベ２０８よりSiH4ガスを、ボンベ２０
９よりGeH4ガスを堆積槽２０１内に導入した。
バルブ２１６，２１７及び２１８の調節により、
H2ガスとSiH4ガスとGeH4Dガスの流量比は、
２：0.75：0.25に保たれた。 さらにメインバルブ２２０を調節して堆積槽２
０１内の真空度が約0.8torrに保持される様にし
た。 続いて、高周波電源２０５のスイツチをONに
して、電極２０６―１，２０６―２間に13.56M
Hzの高周波を印加してグロー放電を起し、前記基
板上に光導電層を形成した。この時のグロー放電
電力は3Wであつた。 このようにして約17時間放電を続け約20μ厚の
ａ―SiGe（Ｈ）膜を形成した。上記のようにし
て得られた像形成部材を実施例１に述べたと同じ
装置を用いてテストしたところ、画像特性、繰り
返し特性共に、良好な結果が得られた。
い、第２図に示す装置を用い、以下の様にして電
子写真用像形成部材を形成した。 基板２０２をグロー放電蒸着槽２０１内の所定
位置にある固定部材２０３の所定位置にヒーター
２０４とは約５cm程度離して堅固に固定した。 次いで、メインバルブ２２０を全開して蒸着槽
２０１内の空気を排気し、約５×10-5torrの真空
度にした。その後ヒーター２０４を点火して前記
基板を均一に加熱して100℃に上昇させ、この温
度に保つた。その後、補助バルブ２１９を全開
し、引続いてボンベ２０７のニードルバルブ２１
３、ボンベ２０８のニードルバルブ２１４を全開
した後、流量調節バルブ２１６，２１７及び２１
８を徐々に開いて、ボンベ２０７よりH2ガス
を、ボンベ２０８よりSiH4ガスを、ボンベ２０
９よりGeH4ガスを堆積槽２０１内に導入した。
バルブ２１６，２１７及び２１８の調節により、
H2ガスとSiH4ガスとGeH4Dガスの流量比は、
２：0.75：0.25に保たれた。 さらにメインバルブ２２０を調節して堆積槽２
０１内の真空度が約0.8torrに保持される様にし
た。 続いて、高周波電源２０５のスイツチをONに
して、電極２０６―１，２０６―２間に13.56M
Hzの高周波を印加してグロー放電を起し、前記基
板上に光導電層を形成した。この時のグロー放電
電力は3Wであつた。 このようにして約17時間放電を続け約20μ厚の
ａ―SiGe（Ｈ）膜を形成した。上記のようにし
て得られた像形成部材を実施例１に述べたと同じ
装置を用いてテストしたところ、画像特性、繰り
返し特性共に、良好な結果が得られた。
第１図は、本発明の電子写真用像形成部材の典
型例の層槽造を説明する為の模式的断面図、第２
図は本発明の電子写真用像形成部材を形成する装
置の一例を説明する為の説明図である。 １００……電子写真用像形成部材、１０１……
支持体、１０２……光導電層。
型例の層槽造を説明する為の模式的断面図、第２
図は本発明の電子写真用像形成部材を形成する装
置の一例を説明する為の説明図である。 １００……電子写真用像形成部材、１０１……
支持体、１０２……光導電層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 電子写真用の支持体と、該支持体上に設けら
れ、シリコン原子を母体とし、水素原子又はハロ
ゲン原子のいずれかを少なくとも含む非晶質材料
で構成された光導電層とを有し、前記支持体が化
学構造的に水を含む酸化アルミニウムから成る表
面を有する事を特徴とする電子写真用像形成部
材。 ２ 前記非晶質材料がゲルマニウムを構成原子と
して含む特許請求の範囲第１項に記載の電子写真
用像形成部材。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55182471A JPS57104938A (en) | 1980-12-22 | 1980-12-22 | Image forming member for electrophotography |
| US06/328,107 US4416962A (en) | 1980-12-22 | 1981-12-07 | Electrophotographic member having aluminum oxide layer |
| DE19813150865 DE3150865A1 (de) | 1980-12-22 | 1981-12-22 | "bilderzeugungselement fuer elektrofotografische zwecke" |
| GB8138599A GB2092324B (en) | 1980-12-22 | 1981-12-22 | Electrophotographic image-forming member |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55182471A JPS57104938A (en) | 1980-12-22 | 1980-12-22 | Image forming member for electrophotography |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57104938A JPS57104938A (en) | 1982-06-30 |
| JPS6239736B2 true JPS6239736B2 (ja) | 1987-08-25 |
Family
ID=16118837
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55182471A Granted JPS57104938A (en) | 1980-12-22 | 1980-12-22 | Image forming member for electrophotography |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4416962A (ja) |
| JP (1) | JPS57104938A (ja) |
| DE (1) | DE3150865A1 (ja) |
| GB (1) | GB2092324B (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6456246U (ja) * | 1987-10-05 | 1989-04-07 | ||
| JPH01133931U (ja) * | 1988-03-03 | 1989-09-12 | ||
| JPH0255950U (ja) * | 1988-10-18 | 1990-04-23 |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59193463A (ja) * | 1983-04-18 | 1984-11-02 | Canon Inc | 電子写真用光導電部材 |
| JPH0627948B2 (ja) * | 1983-07-15 | 1994-04-13 | キヤノン株式会社 | 光導電部材 |
| JPS6028662A (ja) * | 1983-07-27 | 1985-02-13 | Stanley Electric Co Ltd | 電子写真用アモルフアスシリコン感光体 |
| US4609604A (en) * | 1983-08-26 | 1986-09-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoconductive member having a germanium silicon photoconductor |
| DE3616607A1 (de) * | 1985-05-17 | 1986-11-20 | Ricoh Co., Ltd., Tokio/Tokyo | Lichtempfindliches material fuer die elektrophotographie |
| DE3528428A1 (de) * | 1985-08-08 | 1987-02-19 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Elektrofotografisches aufzeichnungselement verfahren zur herstellung und verwendung desselben |
| GB2191511A (en) * | 1986-06-10 | 1987-12-16 | Komatsu Mfg Co Ltd | Fabricating an electro-photographic photosensor |
| JPH0782240B2 (ja) * | 1986-09-04 | 1995-09-06 | 富士ゼロックス株式会社 | 電子写真感光体 |
| JP2535924B2 (ja) * | 1987-07-03 | 1996-09-18 | 富士ゼロックス株式会社 | 電子写真用感光体 |
| JP2596024B2 (ja) * | 1987-12-15 | 1997-04-02 | 富士ゼロックス株式会社 | 電子写真感光体 |
| JPH0797227B2 (ja) * | 1988-03-25 | 1995-10-18 | 富士ゼロックス株式会社 | 電子写真用感光体 |
| JPH0222664A (ja) * | 1988-07-11 | 1990-01-25 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真感光体の製造方法 |
| JPH03109569A (ja) * | 1989-09-25 | 1991-05-09 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体及びその製造方法 |
| US6623899B2 (en) * | 2000-08-08 | 2003-09-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process for production thereof, process cartridge and electrophotographic apparatus |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL132197C (ja) * | 1959-12-30 | |||
| DE2746967C2 (de) * | 1977-10-19 | 1981-09-24 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Elektrofotographische Aufzeichnungstrommel |
| AU530905B2 (en) * | 1977-12-22 | 1983-08-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member |
| US4217374A (en) * | 1978-03-08 | 1980-08-12 | Energy Conversion Devices, Inc. | Amorphous semiconductors equivalent to crystalline semiconductors |
| US4226898A (en) * | 1978-03-16 | 1980-10-07 | Energy Conversion Devices, Inc. | Amorphous semiconductors equivalent to crystalline semiconductors produced by a glow discharge process |
-
1980
- 1980-12-22 JP JP55182471A patent/JPS57104938A/ja active Granted
-
1981
- 1981-12-07 US US06/328,107 patent/US4416962A/en not_active Expired - Lifetime
- 1981-12-22 GB GB8138599A patent/GB2092324B/en not_active Expired
- 1981-12-22 DE DE19813150865 patent/DE3150865A1/de active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6456246U (ja) * | 1987-10-05 | 1989-04-07 | ||
| JPH01133931U (ja) * | 1988-03-03 | 1989-09-12 | ||
| JPH0255950U (ja) * | 1988-10-18 | 1990-04-23 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3150865C2 (ja) | 1988-07-28 |
| US4416962A (en) | 1983-11-22 |
| GB2092324A (en) | 1982-08-11 |
| DE3150865A1 (de) | 1982-08-19 |
| JPS57104938A (en) | 1982-06-30 |
| GB2092324B (en) | 1984-09-19 |
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| JPS6348056B2 (ja) | ||
| JPS6348055B2 (ja) | ||
| JPS6242264B2 (ja) | ||
| JPS628785B2 (ja) | ||
| JPS6242266B2 (ja) | ||
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| JPS63286858A (ja) | 電子写真用感光体 | |
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| JPS58134643A (ja) | 光導電部材 | |
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