JPS6288330A - Semiconductor bonding apparatus - Google Patents
Semiconductor bonding apparatusInfo
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- JPS6288330A JPS6288330A JP60229275A JP22927585A JPS6288330A JP S6288330 A JPS6288330 A JP S6288330A JP 60229275 A JP60229275 A JP 60229275A JP 22927585 A JP22927585 A JP 22927585A JP S6288330 A JPS6288330 A JP S6288330A
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体と回路基板とを一括してボンディング
する半導体ボンディング装置に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to a semiconductor bonding apparatus for collectively bonding a semiconductor and a circuit board.
本発明は、半導体ボンディング装置において半導体装置
台に超斤波を負荷する茹汁＾負荷機構を設けることによ
り、半導体と回路基板とを確実にボンディングを行なえ
るようにしたものである。The present invention enables reliable bonding of a semiconductor and a circuit board by providing a boiling liquid load mechanism for applying a supercontinuous wave to a semiconductor device stand in a semiconductor bonding apparatus.
従来の半導体と回路基板とを一括してボンディングする
方法としては、第２図に示すように、半導体装置台１の
上に配線バンドに金バンプをつけた半導体装置き、基板
５つまりポリイミドテープ３ａの上に形成され金メッキ
を施こされた鋼箔回路パターンのフィンガー３ｂと半導
体２の配線パッドとを位置合わせをして７Ｊｆｌ熱した
ボンディングツール４を押圧してボンディングを行なっ
ていた。また、半導体や基板を高温にしたくない場合や
、ボンディング性を向−ヒさせるために半導体をヒータ
ー５によって予備加熱を行ないボンディングを行なって
いた。As shown in FIG. 2, the conventional method of collectively bonding a semiconductor and a circuit board is to place a semiconductor device with gold bumps on a wiring band on a semiconductor device stand 1, and then attach a substrate 5, that is, a polyimide tape 3a. The fingers 3b of the gold-plated steel foil circuit pattern formed thereon were aligned with the wiring pads of the semiconductor 2, and bonding was performed by pressing the bonding tool 4 heated to 7 Jfl. Further, when it is not desired to heat the semiconductor or substrate to a high temperature, or in order to improve bonding properties, the semiconductor is preheated by the heater 5 and bonded.
〔発明が解決しようとする問題点及び目的〕しかしなが
ら、従来のボンディングではボンディング性を高めるた
めにボンディングツール圧力は高くなり、また、半導体
の予備加熱についても高温になるという問題を有してい
る。[Problems and Objects to be Solved by the Invention] However, in conventional bonding, the pressure of the bonding tool is increased in order to improve the bonding performance, and the preheating of the semiconductor also becomes high temperature.
本発明は上記問題点を解決するもので、その目的とする
ところは、ボンディング条件を部域する良好な半導体ボ
ンディング装置を提供することにある。The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an object thereof is to provide a semiconductor bonding apparatus that can meet various bonding conditions.
本発明け、半導体と回路基板とを一括してボンディング
する半導体ボンディング装置において、半導体装置台に
超音波を負荷させる超音波負荷機構を設けたことを特徴
とする。According to the present invention, a semiconductor bonding apparatus for collectively bonding a semiconductor and a circuit board is characterized in that an ultrasonic loading mechanism for applying ultrasonic waves to a semiconductor device stand is provided.
本発明の構成によれば、ボンディング時に半導体装置台
に超音波を負荷することにより半導体に超音波を伝える
ことができるため、その振動エネルギーの作用によりボ
ンディングツール圧力や半導体の予備加熱温度を低くす
ることができ、ボンディング性を向上することができる
。According to the configuration of the present invention, since ultrasonic waves can be transmitted to the semiconductor by applying ultrasonic waves to the semiconductor device stand during bonding, the pressure of the bonding tool and the preheating temperature of the semiconductor can be lowered by the action of the vibration energy. This makes it possible to improve bonding properties.
〔実施例〕
第１図は本発明の実施例における半導体ボンディング装
置である。[Embodiment] FIG. 1 shows a semiconductor bonding apparatus in an embodiment of the present invention.
基台２０の上に半導体装置台３０が固定されている。こ
の半導体装置台３０は半導体４０を挾持したり解除した
りする爪６１、半導体を載せるセラミックス等の絶縁板
でできたステージ３２、その下に半導体を予備加熱する
ヒーターブロック６５゜さらに上板３４と下板３５の間
の板ばね３６とから構成されている。また、この半導体
装置台３０の下板３５にけ磁歪作用により発振する超音
波振動子５０が固定されている。超音波振動子５０から
は円錐状の超音波ホーン５１が延び上板５４に固定され
ている。基台２０はｘ、ｙ、ｚ軸に移動可能に構成され
、ボンディングツール６０と半導体４０とのボンディン
グ位置合せができるようになっている。A semiconductor device stand 30 is fixed on the base 20. This semiconductor device stand 30 includes claws 61 for holding and releasing the semiconductor 40, a stage 32 made of an insulating plate such as ceramics on which the semiconductor is placed, a heater block 65° below which preheats the semiconductor, and an upper plate 34. It consists of a leaf spring 36 between a lower plate 35. Furthermore, an ultrasonic vibrator 50 that oscillates due to magnetostriction is fixed to the lower plate 35 of the semiconductor device stand 30. A conical ultrasonic horn 51 extends from the ultrasonic vibrator 50 and is fixed to an upper plate 54 . The base 20 is configured to be movable in the x, y, and z axes so that the bonding tool 60 and the semiconductor 40 can be aligned for bonding.
次に作用について説明する。Next, the effect will be explained.
半導体と基板をボンディングする際、ヒートブロック６
６の加熱により半導体４０が加熱され、基台２０の移動
により半導体４０とボンディングツール６０の位置合せ
及び図示していないが第１図と同様の基板との位置合せ
が行なわれる。ボンディング時には、加熱したボンディ
ングツール６０が基板および半導体４０を押圧してボン
ディングが行な□われるが、この時、超音波振動子５０
が発振し、超音波ホーン５１により振幅が増巾され半導
体装置台３０に超縫波が伝達される。そして、この超音
波振動は板ばね５６の作用により減衰することなく半導
体４０に伝達されることになる。When bonding the semiconductor and the substrate, the heat block 6
6 heats the semiconductor 40, and by moving the base 20, the semiconductor 40 and the bonding tool 60 are aligned, and the bonding tool 60 is aligned with the substrate (not shown) as in FIG. 1. During bonding, the heated bonding tool 60 presses the substrate and the semiconductor 40 to perform bonding. At this time, the ultrasonic vibrator 50
oscillates, the amplitude is amplified by the ultrasonic horn 51, and the ultrasonic wave is transmitted to the semiconductor device stand 30. This ultrasonic vibration is transmitted to the semiconductor 40 without being attenuated by the action of the leaf spring 56.
この超音波を負荷する時間はボンディングツールが押圧
している間で、通常１〜５秒であるが、ボンディングツ
ールの抑圧時間に関係なく任意に設定できる。The time during which this ultrasonic wave is applied is usually 1 to 5 seconds while the bonding tool is pressing, but it can be set arbitrarily regardless of the suppression time of the bonding tool.
以上述べたように本発明によれば、半導体装置台に超音
波を負荷する超音波負荷機構を設けたことにより半導体
に超音波を伝えることができ、そのエネルギーによって
ボンディング圧力や半導体の予備加熱温度を低くするな
どボンディング条件を軽減し半導体を熱や圧力から保護
することができ、しいそはボンディングの信頼性向上に
もつながるという効果を有する。さらには酸化被膜をも
５一
つ金属間のボンディングに対しては、超音波を与えるこ
とにより、この酸化被膜が破壊されボンディング性が向
上するという効果も有する。As described above, according to the present invention, the ultrasonic wave can be transmitted to the semiconductor by providing an ultrasonic load mechanism that loads the ultrasonic wave on the semiconductor device stand, and the energy can be used to control the bonding pressure and the preheating temperature of the semiconductor. It is possible to reduce the bonding conditions by lowering the bonding temperature, protect the semiconductor from heat and pressure, and it also has the effect of improving the reliability of bonding. Furthermore, when bonding between metals, applying ultrasonic waves has the effect of destroying the oxide film and improving bonding properties.
第１図は本発明の一実施例を示す半導体ボンディング装
置の斜視図。
第２図は従来の半導体ボンディング方法の概略断面図。
３０・・・・・・半導体装置台
３３・・・・・・ヒートブロック
３６・・・・・・板ばね
５０・・・・・・超音波振動子
５１・・・・・・超音波ホーン
６０・・・・・・ボンディングツール。
以上FIG. 1 is a perspective view of a semiconductor bonding apparatus showing an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a conventional semiconductor bonding method. 30... Semiconductor device stand 33... Heat block 36... Leaf spring 50... Ultrasonic vibrator 51... Ultrasonic horn 60・・・・・・Bonding tool. that's all
Claims (2)
半導体ボンディング装置において、半導体装置台に超音
波を負荷させる超音波負荷機構を設けたことを特徴とす
る半導体ボンディング装置。(1) A semiconductor bonding apparatus for collectively bonding a semiconductor and a circuit board, characterized in that an ultrasonic loading mechanism for applying ultrasonic waves to a semiconductor device stand is provided.
を用いたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
半導体ボンディング装置。(2) The semiconductor bonding apparatus according to claim 1, wherein a magnetostrictive vibrator is used as an ultrasonic oscillation source of the ultrasonic load mechanism.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60229275A JPS6288330A (en) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | Semiconductor bonding apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60229275A JPS6288330A (en) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | Semiconductor bonding apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6288330A true JPS6288330A (en) | 1987-04-22 |
Family
ID=16889556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60229275A Pending JPS6288330A (en) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | Semiconductor bonding apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6288330A (en) |
-
1985
- 1985-10-15 JP JP60229275A patent/JPS6288330A/en active Pending
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