JPS6288330A - 半導体ボンデイング装置 - Google Patents
半導体ボンデイング装置Info
- Publication number
- JPS6288330A JPS6288330A JP60229275A JP22927585A JPS6288330A JP S6288330 A JPS6288330 A JP S6288330A JP 60229275 A JP60229275 A JP 60229275A JP 22927585 A JP22927585 A JP 22927585A JP S6288330 A JPS6288330 A JP S6288330A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- bonding
- supersonic
- substrate
- oscillator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
- H10W72/07141—Means for applying energy, e.g. ovens or lasers
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体と回路基板とを一括してボンディング
する半導体ボンディング装置に関するものである。
する半導体ボンディング装置に関するものである。
本発明は、半導体ボンディング装置において半導体装置
台に超斤波を負荷する茹汁＾負荷機構を設けることによ
り、半導体と回路基板とを確実にボンディングを行なえ
るようにしたものである。
台に超斤波を負荷する茹汁＾負荷機構を設けることによ
り、半導体と回路基板とを確実にボンディングを行なえ
るようにしたものである。
従来の半導体と回路基板とを一括してボンディングする
方法としては、第２図に示すように、半導体装置台１の
上に配線バンドに金バンプをつけた半導体装置き、基板
５つまりポリイミドテープ３ａの上に形成され金メッキ
を施こされた鋼箔回路パターンのフィンガー３ｂと半導
体２の配線パッドとを位置合わせをして７Ｊｆｌ熱した
ボンディングツール４を押圧してボンディングを行なっ
ていた。また、半導体や基板を高温にしたくない場合や
、ボンディング性を向−ヒさせるために半導体をヒータ
ー５によって予備加熱を行ないボンディングを行なって
いた。
方法としては、第２図に示すように、半導体装置台１の
上に配線バンドに金バンプをつけた半導体装置き、基板
５つまりポリイミドテープ３ａの上に形成され金メッキ
を施こされた鋼箔回路パターンのフィンガー３ｂと半導
体２の配線パッドとを位置合わせをして７Ｊｆｌ熱した
ボンディングツール４を押圧してボンディングを行なっ
ていた。また、半導体や基板を高温にしたくない場合や
、ボンディング性を向−ヒさせるために半導体をヒータ
ー５によって予備加熱を行ないボンディングを行なって
いた。
〔発明が解決しようとする問題点及び目的〕しかしなが
ら、従来のボンディングではボンディング性を高めるた
めにボンディングツール圧力は高くなり、また、半導体
の予備加熱についても高温になるという問題を有してい
る。
ら、従来のボンディングではボンディング性を高めるた
めにボンディングツール圧力は高くなり、また、半導体
の予備加熱についても高温になるという問題を有してい
る。
本発明は上記問題点を解決するもので、その目的とする
ところは、ボンディング条件を部域する良好な半導体ボ
ンディング装置を提供することにある。
ところは、ボンディング条件を部域する良好な半導体ボ
ンディング装置を提供することにある。
本発明け、半導体と回路基板とを一括してボンディング
する半導体ボンディング装置において、半導体装置台に
超音波を負荷させる超音波負荷機構を設けたことを特徴
とする。
する半導体ボンディング装置において、半導体装置台に
超音波を負荷させる超音波負荷機構を設けたことを特徴
とする。
本発明の構成によれば、ボンディング時に半導体装置台
に超音波を負荷することにより半導体に超音波を伝える
ことができるため、その振動エネルギーの作用によりボ
ンディングツール圧力や半導体の予備加熱温度を低くす
ることができ、ボンディング性を向上することができる
。
に超音波を負荷することにより半導体に超音波を伝える
ことができるため、その振動エネルギーの作用によりボ
ンディングツール圧力や半導体の予備加熱温度を低くす
ることができ、ボンディング性を向上することができる
。
〔実施例〕
第１図は本発明の実施例における半導体ボンディング装
置である。
置である。
基台２０の上に半導体装置台３０が固定されている。こ
の半導体装置台３０は半導体４０を挾持したり解除した
りする爪６１、半導体を載せるセラミックス等の絶縁板
でできたステージ３２、その下に半導体を予備加熱する
ヒーターブロック６５゜さらに上板３４と下板３５の間
の板ばね３６とから構成されている。また、この半導体
装置台３０の下板３５にけ磁歪作用により発振する超音
波振動子５０が固定されている。超音波振動子５０から
は円錐状の超音波ホーン５１が延び上板５４に固定され
ている。基台２０はｘ、ｙ、ｚ軸に移動可能に構成され
、ボンディングツール６０と半導体４０とのボンディン
グ位置合せができるようになっている。
の半導体装置台３０は半導体４０を挾持したり解除した
りする爪６１、半導体を載せるセラミックス等の絶縁板
でできたステージ３２、その下に半導体を予備加熱する
ヒーターブロック６５゜さらに上板３４と下板３５の間
の板ばね３６とから構成されている。また、この半導体
装置台３０の下板３５にけ磁歪作用により発振する超音
波振動子５０が固定されている。超音波振動子５０から
は円錐状の超音波ホーン５１が延び上板５４に固定され
ている。基台２０はｘ、ｙ、ｚ軸に移動可能に構成され
、ボンディングツール６０と半導体４０とのボンディン
グ位置合せができるようになっている。
次に作用について説明する。
半導体と基板をボンディングする際、ヒートブロック６
６の加熱により半導体４０が加熱され、基台２０の移動
により半導体４０とボンディングツール６０の位置合せ
及び図示していないが第１図と同様の基板との位置合せ
が行なわれる。ボンディング時には、加熱したボンディ
ングツール６０が基板および半導体４０を押圧してボン
ディングが行な□われるが、この時、超音波振動子５０
が発振し、超音波ホーン５１により振幅が増巾され半導
体装置台３０に超縫波が伝達される。そして、この超音
波振動は板ばね５６の作用により減衰することなく半導
体４０に伝達されることになる。
６の加熱により半導体４０が加熱され、基台２０の移動
により半導体４０とボンディングツール６０の位置合せ
及び図示していないが第１図と同様の基板との位置合せ
が行なわれる。ボンディング時には、加熱したボンディ
ングツール６０が基板および半導体４０を押圧してボン
ディングが行な□われるが、この時、超音波振動子５０
が発振し、超音波ホーン５１により振幅が増巾され半導
体装置台３０に超縫波が伝達される。そして、この超音
波振動は板ばね５６の作用により減衰することなく半導
体４０に伝達されることになる。
この超音波を負荷する時間はボンディングツールが押圧
している間で、通常１〜５秒であるが、ボンディングツ
ールの抑圧時間に関係なく任意に設定できる。
している間で、通常１〜５秒であるが、ボンディングツ
ールの抑圧時間に関係なく任意に設定できる。
以上述べたように本発明によれば、半導体装置台に超音
波を負荷する超音波負荷機構を設けたことにより半導体
に超音波を伝えることができ、そのエネルギーによって
ボンディング圧力や半導体の予備加熱温度を低くするな
どボンディング条件を軽減し半導体を熱や圧力から保護
することができ、しいそはボンディングの信頼性向上に
もつながるという効果を有する。さらには酸化被膜をも
５一 つ金属間のボンディングに対しては、超音波を与えるこ
とにより、この酸化被膜が破壊されボンディング性が向
上するという効果も有する。
波を負荷する超音波負荷機構を設けたことにより半導体
に超音波を伝えることができ、そのエネルギーによって
ボンディング圧力や半導体の予備加熱温度を低くするな
どボンディング条件を軽減し半導体を熱や圧力から保護
することができ、しいそはボンディングの信頼性向上に
もつながるという効果を有する。さらには酸化被膜をも
５一 つ金属間のボンディングに対しては、超音波を与えるこ
とにより、この酸化被膜が破壊されボンディング性が向
上するという効果も有する。
第１図は本発明の一実施例を示す半導体ボンディング装
置の斜視図。 第２図は従来の半導体ボンディング方法の概略断面図。 ３０・・・・・・半導体装置台 ３３・・・・・・ヒートブロック ３６・・・・・・板ばね ５０・・・・・・超音波振動子 ５１・・・・・・超音波ホーン ６０・・・・・・ボンディングツール。 以上
置の斜視図。 第２図は従来の半導体ボンディング方法の概略断面図。 ３０・・・・・・半導体装置台 ３３・・・・・・ヒートブロック ３６・・・・・・板ばね ５０・・・・・・超音波振動子 ５１・・・・・・超音波ホーン ６０・・・・・・ボンディングツール。 以上
Claims (2)
- （１）半導体と回路基板とを一括してボンディングする
半導体ボンディング装置において、半導体装置台に超音
波を負荷させる超音波負荷機構を設けたことを特徴とす
る半導体ボンディング装置。 - （２）超音波負荷機構の超音波発振源として磁歪振動子
を用いたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
半導体ボンディング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60229275A JPS6288330A (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | 半導体ボンデイング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60229275A JPS6288330A (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | 半導体ボンデイング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6288330A true JPS6288330A (ja) | 1987-04-22 |
Family
ID=16889556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60229275A Pending JPS6288330A (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | 半導体ボンデイング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6288330A (ja) |
-
1985
- 1985-10-15 JP JP60229275A patent/JPS6288330A/ja active Pending
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