JPS628884B2 - - Google Patents
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- JPS628884B2 JPS628884B2 JP56035637A JP3563781A JPS628884B2 JP S628884 B2 JPS628884 B2 JP S628884B2 JP 56035637 A JP56035637 A JP 56035637A JP 3563781 A JP3563781 A JP 3563781A JP S628884 B2 JPS628884 B2 JP S628884B2
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Description
本発明は、絶縁処理された電気機器の製造法に
関し、ポリエステル銅線(以下、PEWと略す)、
ポリエステルイミド銅線(以下、EIWと略す)
又はポリウレタン銅線(以下、UEWと略す)を
使用した電気機器の信頼性及び性能を向上させ、
且つ絶縁処理を短時間で行なえる絶縁処理された
電気機器の製造法を提供することを目的とする。 最近電気機器は小型軽量化、使用条件の過酷
化、信頼性の向上などの傾向が一段と強まり、こ
れにともなつて絶縁用ワニスには耐熱性、接着強
度、耐薬品性、耐クラツク性などの向上、また、
生産性の点から絶縁ワニスの処理時間の短縮化が
より強く望まれるようになり、従来、広く使用さ
れていた溶剤型ワニスに代つて不飽和ポリエステ
ル樹脂が、また、一方では不飽和ポリエステル樹
脂よりも更に接着強度、耐クラツク性、耐薬品性
などに優れた、ポリエポキシドとα・β−不飽和
−塩基酸とを反応させてなるエポキシエステル樹
脂がステータ、アーマチユアなどの回転機器の絶
縁用に使用されてきた。 回転機器には高い信頼性が要求され、絶縁ワニ
スは使用されているエナメル線との適合性のよい
ものが必要であるが、従来の不飽和エポキシエス
テルは通常、樹脂酸価が10〜20程度であり、これ
をα・β−不飽和エチレン性単量体に溶解した絶
縁ワニスの中には、エナメル銅線として特に焼付
条件が適切でないPEW、EIW又はUEWを用いた
場合、絶縁ワニスの加熱硬化時にPEW、EIW又
はUEWの皮膜にはくりやふくれを生じ、電気絶
縁性が低下する場合があり、信頼性に劣る欠点が
あつた。 また、これらの絶縁ワニスに硬化促進剤として
ナフテン酸コバルト、オクテン酸コバルト、ナフ
テン酸マンガン、ナフテン酸鉛などの金属石けん
を添加すると経日で沈降物が発生するなどの欠点
もあつた。更に、これらの絶縁ワニスで回転機器
を絶縁処理する場合、一般に100〜150℃で2〜5
時間加熱硬化する必要があり、処理時間が比較的
長く、また、加熱硬化中に架橋性単量体が揮散し
省資源、公害的見地からも、よりよい絶縁処理法
が要望されていた。 本発明は、機器に使用されているエナメル線と
の適合性にすぐれ、電気機器の信頼性及び性能の
向上を計り、且つ、絶縁処理時間の短縮化を可能
とする絶縁ワニスで処理された電気機器の製造法
を提供するものであり本発明は、(1)ポリエポキシ
ドとα・β−不飽和−塩基酸とを反応させて得ら
れる樹脂酸価が5以下の不飽和エポキシエステ
ル、(2)α・β−不飽和エチレン性単量体ならびに
(3)光増感剤及び過酸化物を含有する光及び熱硬化
性樹脂組成物を用いて絶縁処理することを特徴と
する絶縁処理された電気機器の製造法及び(1)ポリ
エポキシドとα・β−不飽和−塩基酸とを反応さ
せて得られる樹脂酸価が5を超える不飽和エポキ
シエステルにモノエポキシドを反応させて得られ
る樹脂酸価が5以下の反応生成物、(2)α・β−不
飽和エチレン性単量体ならびに(3)光増感剤及び過
酸化物を含有する光及び熱硬化性樹脂組成物を用
いて絶縁処理することを特徴とする絶縁処理され
た電気機器の製造法に関する。 以下に本発明に用いられる光及び熱硬化性樹脂
組成物を説明する。 樹脂酸化が5以下及び5を超える不飽和エポキ
シエステルは、ポリエポキシドとほぼ当量のα・
β−不飽和−塩基酸を反応させて得られるもので
あり、特に、製造条件の制限はなく、例えば触媒
を用いて100〜130℃で5〜10時間反応させて合成
される。樹脂酸価が5以下の不飽和エポキシエス
テルは同じ反応温度とした場合には、樹脂酸価が
5を超える不飽和エポキシエステルに比べて長時
間反応させて合成される。上記の反応生成物の樹
脂酸価も反応時間によつて調整される。 樹脂酸価は、反応中に樹脂の一部をとり出し
て、公知の手段によつて測定される。 本発明において、不飽和エポキシエステルの樹
脂酸価が5を超えるものを用いた場合は、エナメ
ル線との適合性が悪くなるため、不飽和エポキシ
エステルの樹脂の樹脂酸価は5以下とされる。不
飽和エポキシエステルにモノエポキシドを反応さ
せて得られる反応生成物の樹脂酸価も、同様な理
由から5以下とされる。 ポリエポキシドとは分子あたり1個以上のエポ
キシ基を有する化合物で多価アルコールまたは多
価フエノールのグリシジルポリエーテル、エポキ
シ化脂肪酸またはエポキシ化乾性油脂肪酸、エポ
キシ化ジオレフイン、エポキシ化不飽和酸のエス
テル、エポキシ化飽和酸のエステル、エポキシ化
飽和ポリエステルなどが用いられる。 α・β−不飽和−塩基酸としてはメタクリル
酸、アクリル酸、クロトン酸などが用いられ、こ
れらを併用してもさしつかえない。 触媒としては塩化亜鉛、塩化リチウム等のハロ
ゲン化物、ジメチルサルフアイド、メチルフエニ
ルサルフアイド等のサルフアイド類、ジメチルス
ルフオキサイド、メチルスルフオキサイド、メチ
ルエチルスルフオキサイド等のスルフオキサイド
類、N・N−ジメチルアニリン、ピリジン、トリ
エチルアミン、ヘキサメチレンジアミン等の第3
級アミン、その塩酸塩またはしゆう酸、テトラメ
チルアンモニウムクロライド、トリメチルドデシ
ルベンジルアンモニウムクロライド等の第4級ア
ンモニウム塩、パラ−トルエンスルホン酸等のス
ルホン酸類、エチルメルカプタン、プロピルメル
カプタン等のメルカプタン類などが用いられる。 また、樹脂酸価が5を超える不飽和エポキシエ
ステルと反応させるモノエポキシドには特に制限
はなく、例えばフエニルグリシジルエーテル、ブ
チルグリシジルエーテル等のグリシジルエーテル
類、パラータ−シヤリブチル安息香酸のグリシジ
ルエステル、脂肪酸のモノグリシジルエステル等
のグリシジルエステル類などが使用できる。ま
た、反応条件としては特に制限はないが、反応生
成物の樹脂酸価が5以下となるような添加量とさ
れ、モノエポキシドの分子量によつて添加量は異
なつてくる。 例えば、酸価が15前後の不飽和エポキシエステ
ル100重量部にグリシジルエーテルまたは脂肪酸
のモノグリシジルエステルであるカージユラE
(シエル化学社製、エポキシ当量240〜250)を反
応させる場合は、フエニルグリシジルエーテルの
場合は2.5〜6重量部、カージユラEの場合は4
〜10重量部加えて、樹脂酸価が5以下となるよう
に、110〜120℃で2〜3時間反応させる。 α・β−不飽和エチレン性単量体としては、ス
チレン、ビニルトルエン、エチルビニルベンゼ
ン、ジビニルベンゼン、ジアリルフタレート、α
−メチルスチレン、2−ヒドロキシエチルアクリ
レート又は2−ヒドロキシエチルメタクリレー
ト、1・6−ヘキサンジオールジアクリレート又
は1・6−ヘキサンジオールジメタクリレート、
トリメチロールプロパントリアクリレート又はト
リメチロールプロパントリメタクリレート、トリ
ス−(ヒドロキシエチル−イソシアヌル酸)のト
リアクリレート又はトリメタクリレート、ポリエ
チレングリコールジアクリレート又はポリエチレ
ングリコールジメタクリレート等のアクリル酸エ
ステル類またはメタクリル酸エステル類などが単
独で又は2種以上組み合わせて使用され、好まし
くは、不飽和エポキシエステル又は不飽和エポキ
シエステルとモノエポキシドとの反応生成物30〜
70重量部に対して、α・β−不飽和エチレン性単
量体は70〜30重量部の範囲である。 光増感剤としては、ベンゾイン、ベンゾインメ
チルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベン
ゾインイソプロピルエーテル等のベンゾインアル
キルエーテル類、アセトフエノン、2・2−ジメ
トキシ−2−フエニルアセトフエノン、2・2−
ジエトキシ−2−フエニルアセトフエノン等のア
セトフエノン類、ベンゾイン−ミヒラーケトン、
ベンゾインチオエーテル類、ベンゾフエノン、ア
ントラキノン類、塩化デシルなどが使用できる。
光増感剤の添加量は、不飽和エポキシエステル又
は不飽和エポキシエステルとモノエポキシドとの
反応生成物とα・β−不飽和エチレン性単量体と
の総量に対して0.1〜3重量%の範囲が好まし
い。 過酸化物としては、ベンゾイルパーオキサイ
ド、アセチルパーオキサイド等のアシルパーオキ
サイド、ターシヤリブチルパーオキサイド、キユ
メンヒドロパーオキサイド等のヒドロパーオキサ
イド、メチルエチルケトンパーオキサイド、シク
ロヘキサノンパーオキサイド等のケトンパーオキ
サイド、ジターシヤリブチルパーオキサイド、ジ
クミルパーオキサイド等のジアルキルパーオキサ
イド、ターシヤリブチルパーオキシアセテート等
のオキシパーオキサイドなどが用いられる。その
添加量は、不飽和エポキシエステル又は不飽和エ
ポキシエステルとモノエポキシドとの反応生成物
とα・β−不飽和エチレン性単量体との総量に対
して0.5〜3重量%が好ましい。必要に応じて、
促進剤としてナフテン酸マンガン、ナフテン酸
鉛、ナフテン酸コバルト、オクテン酸コバルト等
の金属石けんなどが用いられ、必要に応じてアミ
ンなどを使用してもよい。重合禁止剤としてハイ
ドロキノン、ターシヤリブチルカテコール、p−
ベンゾキノン、2・5−ジターシヤリブチルハイ
ドロキノンなどが用いられる。 光及び熱硬化性樹脂組成物で、電気機器を絶縁
処理する方法は特に限定するものでなく、一般に
行なわれているように、電気機器を絶縁ワニスに
浸漬したあと引上げ、機器表面を光照射して硬化
させたあと加熱して未硬化の内部を硬化させる方
法、または、回転している電気機器に絶縁ワニス
を滴下して含浸させ、機器表面を光照射して硬化
させたあと、加熱して未硬化の内部を硬化させる
方法などがある。この時、絶縁ワニスを含浸処理
する前の機器は、通常、予備加熱されているが予
備加熱の有無、条件については特に限定するもの
ではない。 また、光照射して硬化させたあとの加熱方法
も、特に限定するものではなく、熱風、通電、高
周波、遠赤外線などが使用できる。 本発明が適用される電気機器としては、ステー
タ、アマチユアなどがある。 また、本発明の一例を説明すると、100Vで使
用される、出力125Wのモートルのステータ(コ
イル巻線されたもの、コア寸法140×110×35mm)
を110〜130℃で30〜60分間予備乾燥し、10〜30分
間空気中に放置したあと、25℃で約0.5〜2.0ポア
ズ程度の粘度とした本発明で用いられる光及び加
熱硬化性樹脂組成物の中に2〜5分間浸漬する。
ついで、ステータを上げ10〜30分間空気中に放置
したあと、ステータに紫外線(高圧水銀灯)を15
〜40cmの距離から1〜4時間程度照射し、表面を
硬化させたあと110〜130℃で15〜30分間加熱硬化
することによつて絶縁処理されたステータが製造
できる。 以下に本発明の実施例を説明する。部とあるの
は重量部である。 比較例 1 4・4′−イソプロピリデンジフエノールのジグ
リシジルエーテル(シエル化学製、Ep−828、エ
ポキシ当量188)376部、メタクリル酸172部、ベ
ンジルジメチルアミン2部、ハイドロキノン0.05
部を仕込み、115℃で反応させ、樹脂酸価が16の
不飽和エポキシエステル〔A〕を合成した。
〔A〕45部、スチレン55部、オクテン酸コバルト
6%0.3部、ターシヤリブチルパーベンゾエート
1部とし樹脂組成物〔A−1〕を作成した。 また、樹脂組成物〔A−1〕100部にベンゾイ
ンイソプロピルエーテル2部を溶解し、光硬化が
可能な樹脂組成物〔A−2〕を作成した。〔A−
1〕、〔A−2〕について、表1に示す試験片作成
条件及び実機の硬化条件で処理し、表1に示す特
性項目について評価した。 比較例 2 比較例1と同じ配合、同一温度条件で反応時間
を変え、樹脂酸価が7.6の不飽和エポキシエステ
ル〔B〕を合成した。〔B〕45部、スチレン55
部、オクテン酸コバルト6%、0.3部、ターシヤ
リブチルパーベンゾエート1部とした樹脂組成物
〔B−1〕を作成した。また、〔B−1〕100部に
ベンゾインイソプロピルエーテル2部を溶解し、
光硬化が可能な樹脂組成物〔B−2〕を作成し
た。〔B−1〕、〔B−2〕について、表1に示す
試験片作成条件及び実機の硬化条件で処理し、表
1に示す特性項目について評価した。 比較例 3 比較例1と同じ配合、同一温度条件で反応時間
を変え樹脂酸価が4.9の不飽和エポキシエステル
〔C〕および樹脂酸価が3.1の不飽和エポキシエス
テル〔D〕を合成した。〔C〕、〔D〕を各々45
部、スチレン55部、オクテン酸コバルト6%、
0.3部、ターシヤリブチルパーベンゾエート1部
とした樹脂組成物〔C−1〕、〔D−1〕を作成し
た。〔C−1〕、〔D−1〕について、表1に示す
試験片作成条件及び実機の硬化条件で処理し、表
1に示す特性項目について評価した。 実施例 1 比較例3の〔C−1〕、〔D−1〕各々100部に
ベンゾインイソプロピルエーテル2部を添加し、
樹脂組成物〔C−2〕、〔D−2〕を作成した。
〔C−2〕、〔D−2〕について、表1に示す試験
片作成条件及び実機の硬化条件で処理し、表1に
示す特性項目について評価した。 比較例 4 実施例1の〔D−2〕について、表1に示す試
験片作成条件及び実機の硬化条件で処理し、表1
に示す特性項目について評価した。 比較例 5 比較例1と同じ配合及び同一温度条件で合成
し、樹脂酸価が17.0となつた時、カージユラE35
部を添加し、115℃で反応を続け、樹脂酸価が9.0
の生成物〔E〕、樹脂酸価が6.2の生成物〔F〕、
樹脂酸価が4.6の生成物〔G〕を合成した。〔E〕
〜〔G〕を各々45部、スチレン55部、オクテン酸
コバルト6%、0.3部、ターシヤリブチルパーベ
ンゾエート1部とした樹脂組成物〔E−1〕〜
〔G−1〕を作成した。また〔E−1〕、〔F−
1〕各々100部に、ベンゾインイソプロピルエー
テル2部を添加し、樹脂組成物〔E−2〕、〔F−
2〕とした。〔E−1〕、〔F−1〕、〔G−1〕、
〔E−2〕、〔F−2〕について、表1に示す試験
片作成条件及び実機の硬化条件で処理し、表1に
示す特性項目について評価した。 実施例 2 比較例4の〔G−1〕100部にベンゾインイソ
プロピルエーテル2部とした樹脂組成物〔G−
2〕を作成した。〔G−2〕について、表1に示
す試験片作成条件及び実機の硬化条件で処理し、
表1に示す特性項目について評価した。 なお、実機特性は直径0.6mmの1PEWを用いた
単相、125Wステータ(コア寸法140×110×35
mm)を用い、これを120℃で30分予備加熱し、室
温に15分放置したあと上記の実施例及び比較例で
得られた樹脂組成物に1分浸漬後引上げ、室温に
5分放置したあと表1の実機の硬化条件の欄に示
す条件で硬化し、硬化時間、硬化後のエナメル線
との適合性および耐クラツク性について評価し
た。 <光照射条件> ランプ:オーク製作所製、ORC・AHH−1000
1KW・高圧水銀灯、2灯 照射距離:20cm
関し、ポリエステル銅線(以下、PEWと略す)、
ポリエステルイミド銅線(以下、EIWと略す)
又はポリウレタン銅線(以下、UEWと略す)を
使用した電気機器の信頼性及び性能を向上させ、
且つ絶縁処理を短時間で行なえる絶縁処理された
電気機器の製造法を提供することを目的とする。 最近電気機器は小型軽量化、使用条件の過酷
化、信頼性の向上などの傾向が一段と強まり、こ
れにともなつて絶縁用ワニスには耐熱性、接着強
度、耐薬品性、耐クラツク性などの向上、また、
生産性の点から絶縁ワニスの処理時間の短縮化が
より強く望まれるようになり、従来、広く使用さ
れていた溶剤型ワニスに代つて不飽和ポリエステ
ル樹脂が、また、一方では不飽和ポリエステル樹
脂よりも更に接着強度、耐クラツク性、耐薬品性
などに優れた、ポリエポキシドとα・β−不飽和
−塩基酸とを反応させてなるエポキシエステル樹
脂がステータ、アーマチユアなどの回転機器の絶
縁用に使用されてきた。 回転機器には高い信頼性が要求され、絶縁ワニ
スは使用されているエナメル線との適合性のよい
ものが必要であるが、従来の不飽和エポキシエス
テルは通常、樹脂酸価が10〜20程度であり、これ
をα・β−不飽和エチレン性単量体に溶解した絶
縁ワニスの中には、エナメル銅線として特に焼付
条件が適切でないPEW、EIW又はUEWを用いた
場合、絶縁ワニスの加熱硬化時にPEW、EIW又
はUEWの皮膜にはくりやふくれを生じ、電気絶
縁性が低下する場合があり、信頼性に劣る欠点が
あつた。 また、これらの絶縁ワニスに硬化促進剤として
ナフテン酸コバルト、オクテン酸コバルト、ナフ
テン酸マンガン、ナフテン酸鉛などの金属石けん
を添加すると経日で沈降物が発生するなどの欠点
もあつた。更に、これらの絶縁ワニスで回転機器
を絶縁処理する場合、一般に100〜150℃で2〜5
時間加熱硬化する必要があり、処理時間が比較的
長く、また、加熱硬化中に架橋性単量体が揮散し
省資源、公害的見地からも、よりよい絶縁処理法
が要望されていた。 本発明は、機器に使用されているエナメル線と
の適合性にすぐれ、電気機器の信頼性及び性能の
向上を計り、且つ、絶縁処理時間の短縮化を可能
とする絶縁ワニスで処理された電気機器の製造法
を提供するものであり本発明は、(1)ポリエポキシ
ドとα・β−不飽和−塩基酸とを反応させて得ら
れる樹脂酸価が5以下の不飽和エポキシエステ
ル、(2)α・β−不飽和エチレン性単量体ならびに
(3)光増感剤及び過酸化物を含有する光及び熱硬化
性樹脂組成物を用いて絶縁処理することを特徴と
する絶縁処理された電気機器の製造法及び(1)ポリ
エポキシドとα・β−不飽和−塩基酸とを反応さ
せて得られる樹脂酸価が5を超える不飽和エポキ
シエステルにモノエポキシドを反応させて得られ
る樹脂酸価が5以下の反応生成物、(2)α・β−不
飽和エチレン性単量体ならびに(3)光増感剤及び過
酸化物を含有する光及び熱硬化性樹脂組成物を用
いて絶縁処理することを特徴とする絶縁処理され
た電気機器の製造法に関する。 以下に本発明に用いられる光及び熱硬化性樹脂
組成物を説明する。 樹脂酸化が5以下及び5を超える不飽和エポキ
シエステルは、ポリエポキシドとほぼ当量のα・
β−不飽和−塩基酸を反応させて得られるもので
あり、特に、製造条件の制限はなく、例えば触媒
を用いて100〜130℃で5〜10時間反応させて合成
される。樹脂酸価が5以下の不飽和エポキシエス
テルは同じ反応温度とした場合には、樹脂酸価が
5を超える不飽和エポキシエステルに比べて長時
間反応させて合成される。上記の反応生成物の樹
脂酸価も反応時間によつて調整される。 樹脂酸価は、反応中に樹脂の一部をとり出し
て、公知の手段によつて測定される。 本発明において、不飽和エポキシエステルの樹
脂酸価が5を超えるものを用いた場合は、エナメ
ル線との適合性が悪くなるため、不飽和エポキシ
エステルの樹脂の樹脂酸価は5以下とされる。不
飽和エポキシエステルにモノエポキシドを反応さ
せて得られる反応生成物の樹脂酸価も、同様な理
由から5以下とされる。 ポリエポキシドとは分子あたり1個以上のエポ
キシ基を有する化合物で多価アルコールまたは多
価フエノールのグリシジルポリエーテル、エポキ
シ化脂肪酸またはエポキシ化乾性油脂肪酸、エポ
キシ化ジオレフイン、エポキシ化不飽和酸のエス
テル、エポキシ化飽和酸のエステル、エポキシ化
飽和ポリエステルなどが用いられる。 α・β−不飽和−塩基酸としてはメタクリル
酸、アクリル酸、クロトン酸などが用いられ、こ
れらを併用してもさしつかえない。 触媒としては塩化亜鉛、塩化リチウム等のハロ
ゲン化物、ジメチルサルフアイド、メチルフエニ
ルサルフアイド等のサルフアイド類、ジメチルス
ルフオキサイド、メチルスルフオキサイド、メチ
ルエチルスルフオキサイド等のスルフオキサイド
類、N・N−ジメチルアニリン、ピリジン、トリ
エチルアミン、ヘキサメチレンジアミン等の第3
級アミン、その塩酸塩またはしゆう酸、テトラメ
チルアンモニウムクロライド、トリメチルドデシ
ルベンジルアンモニウムクロライド等の第4級ア
ンモニウム塩、パラ−トルエンスルホン酸等のス
ルホン酸類、エチルメルカプタン、プロピルメル
カプタン等のメルカプタン類などが用いられる。 また、樹脂酸価が5を超える不飽和エポキシエ
ステルと反応させるモノエポキシドには特に制限
はなく、例えばフエニルグリシジルエーテル、ブ
チルグリシジルエーテル等のグリシジルエーテル
類、パラータ−シヤリブチル安息香酸のグリシジ
ルエステル、脂肪酸のモノグリシジルエステル等
のグリシジルエステル類などが使用できる。ま
た、反応条件としては特に制限はないが、反応生
成物の樹脂酸価が5以下となるような添加量とさ
れ、モノエポキシドの分子量によつて添加量は異
なつてくる。 例えば、酸価が15前後の不飽和エポキシエステ
ル100重量部にグリシジルエーテルまたは脂肪酸
のモノグリシジルエステルであるカージユラE
(シエル化学社製、エポキシ当量240〜250)を反
応させる場合は、フエニルグリシジルエーテルの
場合は2.5〜6重量部、カージユラEの場合は4
〜10重量部加えて、樹脂酸価が5以下となるよう
に、110〜120℃で2〜3時間反応させる。 α・β−不飽和エチレン性単量体としては、ス
チレン、ビニルトルエン、エチルビニルベンゼ
ン、ジビニルベンゼン、ジアリルフタレート、α
−メチルスチレン、2−ヒドロキシエチルアクリ
レート又は2−ヒドロキシエチルメタクリレー
ト、1・6−ヘキサンジオールジアクリレート又
は1・6−ヘキサンジオールジメタクリレート、
トリメチロールプロパントリアクリレート又はト
リメチロールプロパントリメタクリレート、トリ
ス−(ヒドロキシエチル−イソシアヌル酸)のト
リアクリレート又はトリメタクリレート、ポリエ
チレングリコールジアクリレート又はポリエチレ
ングリコールジメタクリレート等のアクリル酸エ
ステル類またはメタクリル酸エステル類などが単
独で又は2種以上組み合わせて使用され、好まし
くは、不飽和エポキシエステル又は不飽和エポキ
シエステルとモノエポキシドとの反応生成物30〜
70重量部に対して、α・β−不飽和エチレン性単
量体は70〜30重量部の範囲である。 光増感剤としては、ベンゾイン、ベンゾインメ
チルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベン
ゾインイソプロピルエーテル等のベンゾインアル
キルエーテル類、アセトフエノン、2・2−ジメ
トキシ−2−フエニルアセトフエノン、2・2−
ジエトキシ−2−フエニルアセトフエノン等のア
セトフエノン類、ベンゾイン−ミヒラーケトン、
ベンゾインチオエーテル類、ベンゾフエノン、ア
ントラキノン類、塩化デシルなどが使用できる。
光増感剤の添加量は、不飽和エポキシエステル又
は不飽和エポキシエステルとモノエポキシドとの
反応生成物とα・β−不飽和エチレン性単量体と
の総量に対して0.1〜3重量%の範囲が好まし
い。 過酸化物としては、ベンゾイルパーオキサイ
ド、アセチルパーオキサイド等のアシルパーオキ
サイド、ターシヤリブチルパーオキサイド、キユ
メンヒドロパーオキサイド等のヒドロパーオキサ
イド、メチルエチルケトンパーオキサイド、シク
ロヘキサノンパーオキサイド等のケトンパーオキ
サイド、ジターシヤリブチルパーオキサイド、ジ
クミルパーオキサイド等のジアルキルパーオキサ
イド、ターシヤリブチルパーオキシアセテート等
のオキシパーオキサイドなどが用いられる。その
添加量は、不飽和エポキシエステル又は不飽和エ
ポキシエステルとモノエポキシドとの反応生成物
とα・β−不飽和エチレン性単量体との総量に対
して0.5〜3重量%が好ましい。必要に応じて、
促進剤としてナフテン酸マンガン、ナフテン酸
鉛、ナフテン酸コバルト、オクテン酸コバルト等
の金属石けんなどが用いられ、必要に応じてアミ
ンなどを使用してもよい。重合禁止剤としてハイ
ドロキノン、ターシヤリブチルカテコール、p−
ベンゾキノン、2・5−ジターシヤリブチルハイ
ドロキノンなどが用いられる。 光及び熱硬化性樹脂組成物で、電気機器を絶縁
処理する方法は特に限定するものでなく、一般に
行なわれているように、電気機器を絶縁ワニスに
浸漬したあと引上げ、機器表面を光照射して硬化
させたあと加熱して未硬化の内部を硬化させる方
法、または、回転している電気機器に絶縁ワニス
を滴下して含浸させ、機器表面を光照射して硬化
させたあと、加熱して未硬化の内部を硬化させる
方法などがある。この時、絶縁ワニスを含浸処理
する前の機器は、通常、予備加熱されているが予
備加熱の有無、条件については特に限定するもの
ではない。 また、光照射して硬化させたあとの加熱方法
も、特に限定するものではなく、熱風、通電、高
周波、遠赤外線などが使用できる。 本発明が適用される電気機器としては、ステー
タ、アマチユアなどがある。 また、本発明の一例を説明すると、100Vで使
用される、出力125Wのモートルのステータ(コ
イル巻線されたもの、コア寸法140×110×35mm)
を110〜130℃で30〜60分間予備乾燥し、10〜30分
間空気中に放置したあと、25℃で約0.5〜2.0ポア
ズ程度の粘度とした本発明で用いられる光及び加
熱硬化性樹脂組成物の中に2〜5分間浸漬する。
ついで、ステータを上げ10〜30分間空気中に放置
したあと、ステータに紫外線(高圧水銀灯)を15
〜40cmの距離から1〜4時間程度照射し、表面を
硬化させたあと110〜130℃で15〜30分間加熱硬化
することによつて絶縁処理されたステータが製造
できる。 以下に本発明の実施例を説明する。部とあるの
は重量部である。 比較例 1 4・4′−イソプロピリデンジフエノールのジグ
リシジルエーテル(シエル化学製、Ep−828、エ
ポキシ当量188)376部、メタクリル酸172部、ベ
ンジルジメチルアミン2部、ハイドロキノン0.05
部を仕込み、115℃で反応させ、樹脂酸価が16の
不飽和エポキシエステル〔A〕を合成した。
〔A〕45部、スチレン55部、オクテン酸コバルト
6%0.3部、ターシヤリブチルパーベンゾエート
1部とし樹脂組成物〔A−1〕を作成した。 また、樹脂組成物〔A−1〕100部にベンゾイ
ンイソプロピルエーテル2部を溶解し、光硬化が
可能な樹脂組成物〔A−2〕を作成した。〔A−
1〕、〔A−2〕について、表1に示す試験片作成
条件及び実機の硬化条件で処理し、表1に示す特
性項目について評価した。 比較例 2 比較例1と同じ配合、同一温度条件で反応時間
を変え、樹脂酸価が7.6の不飽和エポキシエステ
ル〔B〕を合成した。〔B〕45部、スチレン55
部、オクテン酸コバルト6%、0.3部、ターシヤ
リブチルパーベンゾエート1部とした樹脂組成物
〔B−1〕を作成した。また、〔B−1〕100部に
ベンゾインイソプロピルエーテル2部を溶解し、
光硬化が可能な樹脂組成物〔B−2〕を作成し
た。〔B−1〕、〔B−2〕について、表1に示す
試験片作成条件及び実機の硬化条件で処理し、表
1に示す特性項目について評価した。 比較例 3 比較例1と同じ配合、同一温度条件で反応時間
を変え樹脂酸価が4.9の不飽和エポキシエステル
〔C〕および樹脂酸価が3.1の不飽和エポキシエス
テル〔D〕を合成した。〔C〕、〔D〕を各々45
部、スチレン55部、オクテン酸コバルト6%、
0.3部、ターシヤリブチルパーベンゾエート1部
とした樹脂組成物〔C−1〕、〔D−1〕を作成し
た。〔C−1〕、〔D−1〕について、表1に示す
試験片作成条件及び実機の硬化条件で処理し、表
1に示す特性項目について評価した。 実施例 1 比較例3の〔C−1〕、〔D−1〕各々100部に
ベンゾインイソプロピルエーテル2部を添加し、
樹脂組成物〔C−2〕、〔D−2〕を作成した。
〔C−2〕、〔D−2〕について、表1に示す試験
片作成条件及び実機の硬化条件で処理し、表1に
示す特性項目について評価した。 比較例 4 実施例1の〔D−2〕について、表1に示す試
験片作成条件及び実機の硬化条件で処理し、表1
に示す特性項目について評価した。 比較例 5 比較例1と同じ配合及び同一温度条件で合成
し、樹脂酸価が17.0となつた時、カージユラE35
部を添加し、115℃で反応を続け、樹脂酸価が9.0
の生成物〔E〕、樹脂酸価が6.2の生成物〔F〕、
樹脂酸価が4.6の生成物〔G〕を合成した。〔E〕
〜〔G〕を各々45部、スチレン55部、オクテン酸
コバルト6%、0.3部、ターシヤリブチルパーベ
ンゾエート1部とした樹脂組成物〔E−1〕〜
〔G−1〕を作成した。また〔E−1〕、〔F−
1〕各々100部に、ベンゾインイソプロピルエー
テル2部を添加し、樹脂組成物〔E−2〕、〔F−
2〕とした。〔E−1〕、〔F−1〕、〔G−1〕、
〔E−2〕、〔F−2〕について、表1に示す試験
片作成条件及び実機の硬化条件で処理し、表1に
示す特性項目について評価した。 実施例 2 比較例4の〔G−1〕100部にベンゾインイソ
プロピルエーテル2部とした樹脂組成物〔G−
2〕を作成した。〔G−2〕について、表1に示
す試験片作成条件及び実機の硬化条件で処理し、
表1に示す特性項目について評価した。 なお、実機特性は直径0.6mmの1PEWを用いた
単相、125Wステータ(コア寸法140×110×35
mm)を用い、これを120℃で30分予備加熱し、室
温に15分放置したあと上記の実施例及び比較例で
得られた樹脂組成物に1分浸漬後引上げ、室温に
5分放置したあと表1の実機の硬化条件の欄に示
す条件で硬化し、硬化時間、硬化後のエナメル線
との適合性および耐クラツク性について評価し
た。 <光照射条件> ランプ:オーク製作所製、ORC・AHH−1000
1KW・高圧水銀灯、2灯 照射距離:20cm
【表】
【表】
【表】
試験法
(1) スチレンとの相溶性
18φ試験管に高さ180mmまで樹脂組成物を入
れ、密封し、0℃に5日間放置ししたあと、樹
脂組成物の外観を観察した。 〇:外観変化なし、相溶性良好、△:外観、
不透明、相性やや劣る、×:相分離あり、相性
劣る。 (2) 経日でのワニス安定性 ブリキ製300cc丸缶に樹脂組成物を300g入
れ、40℃に10日間放置したあと、樹脂組成物の
外観を観察した。 〇:外観変化なし、△:若干沈降物の発生あ
り。 (3) 表面硬化性 18×5×0.25tmmのブリキ板に樹脂組成物を
塗布したあと、紫外線照射又は120℃で加熱
し、表面が硬化するまでの時間を測定した。 (4) モノマ逸散量 60φ×12mmの金属製シヤーレに樹脂組成物を
10g入れ、120℃で2時間加熱した場合と、紫
外線を3分照射後、120℃で20分加熱した場合
のモノマ逸散量を硬化前後の質量差から求め
た。 (5) JIS C 2105に準じて第1図に示す2.0φ
(直径2.0mm)1PEW−1で作成したストラツカ
ー試験片に樹脂組成物を含浸し120℃で2時間
加熱した場合と、紫外線を3分照射後、120℃
で20分加熱した場合のせん断接着力を23℃で測
定した。 第1図において2はつき合わせ部、3はエナ
メル線(線径0.29mm)、数字の単位はmmであ
る。) (6) モデルコイルでのエナメル線との適合性竪型
焼炉(炉長4.5m、ダイス7回通し、温、下
部300℃、中央350℃、上部400℃)を用い焼付
速度を変えて試焼した0.8φ(直径0.8mm)の
PEW−1(線速9m/min)、PEW−2(線速
11m/min)を用いて、第2図に示すようにパ
ラ巻きで30回ターンさせたモデルコイルに樹脂
組成物を処理し、120℃で2時間加熱した場合
と、紫外線を3分照射後120℃で20分加熱した
場合のPEW皮膜の外観観察と、線間の絶縁破
壊電圧(BDVと略す)を測定した。 〇:外観異常なし、BDV10〜12KV、〇〜
△:1部に微少なふくれあり、BDV10〜
12KV、△:ふくれあり、BDV7〜10KV、×:
ふくれの度合いが大きい、BDV2〜5KV 第2図において4は0.8φ1PEW、5は綿糸
であり数字の単位はmmである。 (7) 硬化時間 125Wステータに樹脂組成物を含浸し、120℃
で加熱した場合と紫外線を3分照射後120℃で
加熱した場合の樹脂組成物の硬化性を、ステー
タの線間の絶縁抵抗から判定した。絶縁抵抗が
飽和した時間を硬化時間とした。 (8) 硬化後のエナメル線との適合性 125Wステータに樹脂組成物を含浸し、120℃
で2時間加熱した場合と紫外線を3分照射後
120℃で20分加熱した場合のPEW皮膜観察と、
線間のBDVを測定した。 (外観) 〇:はくり、ふくれなし、△:若干微小なふ
くれあり、×:ふくれあり (BDV) 〇:10〜12KV、△:7〜10KV、×:2〜
5KV (9) 耐クラツク性 (8)と同様に硬化させた125Wステータを用い
て、25℃/1時間←→低温/1時間のヒートサイ
クルを5回行ない、ワニス硬化物にクラツクが
発生しなければ低温側を10℃ずつ低下して、同
様にヒートサイクルを行ないクラツクが発生す
る温度を確認した。 表1の結果から、本発明になる光及び熱硬化性
樹脂組成物を用いて、光照射し、加熱硬化するこ
とによつて絶縁処理の硬化時間は、加熱硬化の場
合の約1/3となり、また、エナメル線との適合性
が向上するため、信頼性にすぐれた電気機器の製
造が可能となる。
れ、密封し、0℃に5日間放置ししたあと、樹
脂組成物の外観を観察した。 〇:外観変化なし、相溶性良好、△:外観、
不透明、相性やや劣る、×:相分離あり、相性
劣る。 (2) 経日でのワニス安定性 ブリキ製300cc丸缶に樹脂組成物を300g入
れ、40℃に10日間放置したあと、樹脂組成物の
外観を観察した。 〇:外観変化なし、△:若干沈降物の発生あ
り。 (3) 表面硬化性 18×5×0.25tmmのブリキ板に樹脂組成物を
塗布したあと、紫外線照射又は120℃で加熱
し、表面が硬化するまでの時間を測定した。 (4) モノマ逸散量 60φ×12mmの金属製シヤーレに樹脂組成物を
10g入れ、120℃で2時間加熱した場合と、紫
外線を3分照射後、120℃で20分加熱した場合
のモノマ逸散量を硬化前後の質量差から求め
た。 (5) JIS C 2105に準じて第1図に示す2.0φ
(直径2.0mm)1PEW−1で作成したストラツカ
ー試験片に樹脂組成物を含浸し120℃で2時間
加熱した場合と、紫外線を3分照射後、120℃
で20分加熱した場合のせん断接着力を23℃で測
定した。 第1図において2はつき合わせ部、3はエナ
メル線(線径0.29mm)、数字の単位はmmであ
る。) (6) モデルコイルでのエナメル線との適合性竪型
焼炉(炉長4.5m、ダイス7回通し、温、下
部300℃、中央350℃、上部400℃)を用い焼付
速度を変えて試焼した0.8φ(直径0.8mm)の
PEW−1(線速9m/min)、PEW−2(線速
11m/min)を用いて、第2図に示すようにパ
ラ巻きで30回ターンさせたモデルコイルに樹脂
組成物を処理し、120℃で2時間加熱した場合
と、紫外線を3分照射後120℃で20分加熱した
場合のPEW皮膜の外観観察と、線間の絶縁破
壊電圧(BDVと略す)を測定した。 〇:外観異常なし、BDV10〜12KV、〇〜
△:1部に微少なふくれあり、BDV10〜
12KV、△:ふくれあり、BDV7〜10KV、×:
ふくれの度合いが大きい、BDV2〜5KV 第2図において4は0.8φ1PEW、5は綿糸
であり数字の単位はmmである。 (7) 硬化時間 125Wステータに樹脂組成物を含浸し、120℃
で加熱した場合と紫外線を3分照射後120℃で
加熱した場合の樹脂組成物の硬化性を、ステー
タの線間の絶縁抵抗から判定した。絶縁抵抗が
飽和した時間を硬化時間とした。 (8) 硬化後のエナメル線との適合性 125Wステータに樹脂組成物を含浸し、120℃
で2時間加熱した場合と紫外線を3分照射後
120℃で20分加熱した場合のPEW皮膜観察と、
線間のBDVを測定した。 (外観) 〇:はくり、ふくれなし、△:若干微小なふ
くれあり、×:ふくれあり (BDV) 〇:10〜12KV、△:7〜10KV、×:2〜
5KV (9) 耐クラツク性 (8)と同様に硬化させた125Wステータを用い
て、25℃/1時間←→低温/1時間のヒートサイ
クルを5回行ない、ワニス硬化物にクラツクが
発生しなければ低温側を10℃ずつ低下して、同
様にヒートサイクルを行ないクラツクが発生す
る温度を確認した。 表1の結果から、本発明になる光及び熱硬化性
樹脂組成物を用いて、光照射し、加熱硬化するこ
とによつて絶縁処理の硬化時間は、加熱硬化の場
合の約1/3となり、また、エナメル線との適合性
が向上するため、信頼性にすぐれた電気機器の製
造が可能となる。
第1図は実施例で行なつたせん断接着力測定に
用いた試験片、第2図は実施例で行なつたエナメ
ル線との適合性試験に用いたモデルコイルであ
る。 符号の説明、1……2.0φ1PEW、2……つき
合わせ部、3……エナメル線、4……0.8φ
1PEW、5……綿糸。
用いた試験片、第2図は実施例で行なつたエナメ
ル線との適合性試験に用いたモデルコイルであ
る。 符号の説明、1……2.0φ1PEW、2……つき
合わせ部、3……エナメル線、4……0.8φ
1PEW、5……綿糸。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 (1)ポリエポキシドとα・β−不飽和−塩基酸
とを反応させて得られる樹脂酸価が5以下の不飽
和エポキシエステル、(2)α・β−不飽和エチレン
性単量体ならびに(3)光増感剤及び過酸化物を含有
する光及び熱硬化性樹脂組成物を用いて絶縁処理
することを特徴とする絶縁処理された電気機器の
製造法。 2 (1)ポリエポキシドとα・β−不飽和−塩基酸
とを反応させて得られる樹脂酸価が5を超える不
飽和エポキシエステルにモノエポキシドを反応さ
せて得られる樹脂酸価が5以下の反応生成物、(2)
α・β−不飽和エチレン性単量体ならびに(3)光増
感剤及び過酸化物を含有する光及び熱硬化性樹脂
組成物を用いて絶縁処理することを特徴とする絶
縁処理された電気機器の製造法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3563781A JPS57148808A (en) | 1981-03-11 | 1981-03-11 | Method of producing electric device insulated |
| US06/580,710 US4564646A (en) | 1981-01-10 | 1984-02-16 | Light- and thermosetting resin composition and insulated electrical machinery and appliances using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3563781A JPS57148808A (en) | 1981-03-11 | 1981-03-11 | Method of producing electric device insulated |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57148808A JPS57148808A (en) | 1982-09-14 |
| JPS628884B2 true JPS628884B2 (ja) | 1987-02-25 |
Family
ID=12447385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3563781A Granted JPS57148808A (en) | 1981-01-10 | 1981-03-11 | Method of producing electric device insulated |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57148808A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4690988A (en) * | 1985-01-22 | 1987-09-01 | The Dow Chemical Company | Polymer-modified vinylized epoxy resins |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5014617A (ja) * | 1973-06-15 | 1975-02-15 | ||
| JPS541399A (en) * | 1977-06-07 | 1979-01-08 | Hitachi Ltd | Resin composition for dropping impregnation |
| JPS54119700A (en) * | 1978-03-09 | 1979-09-17 | Toshiba Chem Prod | Method of hardening nonnpublic nuisance insulating varnish |
| JPS595226B2 (ja) * | 1979-03-22 | 1984-02-03 | 松下電器産業株式会社 | 部品の取付方法 |
-
1981
- 1981-03-11 JP JP3563781A patent/JPS57148808A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57148808A (en) | 1982-09-14 |
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